JP2007510040A - スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料 - Google Patents
スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007510040A JP2007510040A JP2006538159A JP2006538159A JP2007510040A JP 2007510040 A JP2007510040 A JP 2007510040A JP 2006538159 A JP2006538159 A JP 2006538159A JP 2006538159 A JP2006538159 A JP 2006538159A JP 2007510040 A JP2007510040 A JP 2007510040A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor composition
- phosphor
- luminaire
- light source
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 179
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 34
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title description 9
- 239000002223 garnet Substances 0.000 title description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 130
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910021644 lanthanide ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 10
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001085205 Prenanthella exigua Species 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTJFQRMIRKXXRS-UHFFFAOYSA-N (hydroxymethylamino)methanol Chemical compound OCNCO OTJFQRMIRKXXRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical group [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ITBPIKUGMIZTJR-UHFFFAOYSA-N [bis(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)CO ITBPIKUGMIZTJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N methanolamine Chemical compound NCO XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940087646 methanolamine Drugs 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/77742—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
化学式(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)と、化学式(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)と、化学式(Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ(式中、DはMg又はZuの何れかであり、0≦x<1、0≦y<1、0<Z≦0.3、0≦a≦1、0≦c≦1、0≦w≦3、2.5≦n≦3.5、−1.5≦δ≦1.5)とを有する蛍光体組成物。光源と上記の蛍光体組成物のうちの少なくとも1つとを含む発光デバイスもまた開示される。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
本発明は蛍光体組成物に関し、詳細には照明用途で用いる蛍光体に関する。より詳細には、本発明は、定義されるスペクトル領域において従来のガーネット蛍光体と比べて輻射が強化されたガーネット蛍光体に関し、これらの蛍光体を用いる照明器具に関する。
発光ダイオード(LED)は、白熱ランプなどの他の光源の代替品として使用されることの多い半導体発光体である。発光ダイオードは、表示灯、警告灯、及び指示灯として、或いは有色光が要求される他の用途において特に有用である。LEDによって生成される光の色は、LEDの製造に使用される半導体材料のタイプによって決まる。
発光ダイオード及びレーザ(本明細書ではこの両方を総括的にLEDと呼ぶ)を含む、有色半導体発光デバイスは、窒化ガリウム(GaN)のようなIII−V族合金で生成されてきた。LEDを形成するために、通常は合金の層が炭化ケイ素又はサファイアなどの基板上にエピタキシーに堆積され、種々のn型及びp型ドーパントでドープして発光効率などの特性を改善することができる。GaNベースのLEDに関しては、光は一般に、電磁スペクトルのUV及び/又は青色範囲で輻射される。つい最近まで、LEDによって生成される光の固有の色に起因して、LEDは、明るい白色光が必要とされる照明用途には適切ではなかった。
LEDは光が放出される半導体に依存する。この光は、半導体材料の電子的励起の結果として放出される。輻射(エネルギ)が半導体材料の原子に衝突すると、原子の電子が励起され、励起(高)エネルギ状態に飛び移る。半導体発光体内の高エネルギ状態と低エネルギ状態はそれぞれ、伝導帯と価電子帯と呼ばれる。電子は、その基底エネルギ状態に戻るときにフォトンを放出する。フォトンは、励起状態と基底エネルギ状態との間のエネルギ差に対応し、輻射の放出を生じる。
近年、LEDから輻射される光を照明目的で有用な光に変換する技術が開発されてきた。1つの技法においては、LEDが蛍光体層で被覆され又は覆われる。蛍光体は、電磁スペクトルの一部の輻射エネルギを吸収し、電磁スペクトルの別の部分のエネルギを放出するルミネセンス材料である。1つの重要な部類の蛍光体は、極めて化学純度が高く且つ組成が制御された結晶性無機化合物であり、これらを効率的な蛍光材料に変換するために少量の他の元素(「活性剤」と呼ぶ)が添加されてきた。活性剤と無機化合物とを適切に組み合わせことで、発光色を制御することができる。有用で周知の蛍光体の大部分は、可視範囲外にある電磁輻射による励起に応答して電磁スペクトルの可視部分の輻射を放出する。
LEDによって発生した輻射で励起される蛍光体を介在させることにより、例えばスペクトルの可視範囲内にある異なる波長の光を発生させることができる。有色LEDは、玩具、指示灯及び他のデバイスに使用されることが多い。製造業者は、特定の色及びより高い光度を実現するために、こうしたLEDで用いる新規の有色蛍光体を継続的に求めている。
有色LEDに加え、LED生成光と蛍光体生成光との組み合わせを用いて、白色光を形成することができる。最もよく知られている白色LEDは、青色発光GaInNチップからなる。青色発光チップは、青色輻射の一部を、例えば黄緑色である補色の輻射に変換する蛍光体で被覆される。青色輻射と黄緑輻射とを併せて白色光を生成する。UV発光チップと、UV輻射を可視光に変換するように設計された、赤色、緑色、及び青色輻射蛍光体を含む蛍光体ブレンドとを利用する白色LEDもまた存在している。
1つの既知の黄白色発光デバイスは、セリウムドープのイットリウム・アルミニウム・ガーネット(Tb,Y)3Al4.9O12-δ:Ce3+(「TAG:Ce」)(式中δは通常約−1から1)のような黄色発光蛍光体と組み合わせた、近UVから青色範囲(約315nmから約480nm)にピーク発光波長を有する青色発光LEDを含む。この蛍光体は、LEDから放出された輻射の一部分を吸収し、その吸収した輻射を黄色光に変換する。LEDによって放出された青色光の残余は蛍光体を通って透過し、蛍光体によって放出された黄色光と混合する。観察者は、この青色光と黄色光との混合を知覚し、ほとんどの場合、この混合光はやや白い黄色光として知覚する。
こうしたシステムは、>4500Kの相関色温度(CCT)及び約75−82の範囲の演色評価数(CRI)を有する白色光源を作るのに使用することができる。この範囲は、多くの用途に対して適切であるが、一般的な照明光源は通常、より高いCRI及びより低いCCTを要求する。青色LEDデバイスにおいてこのことを達成する1つの方法では、従来の蛍光体の現在の黄色輻射と比較して、赤色スペクトル領域で蛍光体輻射が高いことが必要とされる。
これを達成するため、深赤色蛍光体を利用する蛍光体ブレンドが、高い演色評価数(CRI)を有する光源を生成するのに使用される場合がある。こうした用途において現在使用されている2つの深赤色蛍光体は、(Ca,Sr)S:Eu2+及び(Ba,Sr,Ca)xSiyNz:Eu2+である。有効ではあるが、こうした蛍光体は、照明デバイス内に存在する場合のある他の蛍光体(例えばTAG:Ce)からの輻射を再吸収する可能性があり、これは、これらの材料内のEu2+吸収帯と、他の蛍光体の輻射が重なることに起因する。従って、有色LED及び高CRIを有する白色光LEDの両方を形成するための高い量子効率を示すLEDで用いる、TAG:Ce蛍光体よりも更に赤色の輻射を有する新規の蛍光体に対する必要性が存在する。
蛍光体を励起するために青色又はUVのLEDを用いる光源のCRIを高めるための別の可能な方法は、青緑色領域においてデバイスの輻射を高めることである。従って、青色光又はUV光で励起されたときに、青緑色領域内においてスペクトル出力が高い蛍光体に対する必要性が存在する。
第1の態様において、本発明は、約250から約550nmのピーク発光を有する半導体光源と、(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)から構成される第1の蛍光体を含む蛍光体ブレンドとを含む、白色発光デバイスを提供する。
第2の態様において、本発明は、約250から約550nmのピーク発光を有する半導体光源と、化学式(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)を有する蛍光体組成物とを含む、白色発光デバイスを提供する。
第3の態様において、本発明は、化学式(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)を有する蛍光体を提供する。
第4の態様において、本発明は、化学式(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)を有する蛍光体を提供する。
第5の態様において、本発明は、化学式(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)を有する第1の蛍光体と、化学式(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)を有する第2の蛍光体とを含む蛍光体ブレンドを提供する。
第6の態様において、本発明は、化学式(Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ(式中、DはMg又はZuの何れかであり、0≦x<1、0≦y<1、0<z≦0.3、0≦a≦1、0≦c≦1、0≦w≦3、2.5≦n≦3.5、−1.5≦δ≦1.5)を有する蛍光体を提供する。
第7の態様において、本発明は、約250から約500nmの発光波長を有するLEDと、(Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ(式中、DはMg又はZuの何れかであり、0≦x<1、0≦y<1、0<Z≦0.3、0≦a≦1、0≦c≦1、0≦w≦3、2.5≦n≦3.5、−1.5≦δ≦1.5)を含む蛍光体組成物とを含む光源を提供する。
第8の態様において、本発明は、上記で与えられる組成の固溶体である蛍光体を提供する。
第9の態様において、約250から約500nmの発光波長を有するLEDと、上記で与えられる組成の固溶体を備える蛍光体組成物とを含む。
蛍光体は、輻射(エネルギ)を可視光に変換する。蛍光体を様々に組み合わせることにより、種々の有色発光が得られる。蛍光体から発生する有色光は、色温度をもたらす。新規の蛍光体組成物並びにLED及び他の光源におけるこれらの使用が本明細書で提示される。
蛍光変換材料(蛍光体材料)は、発生したUV又は青色輻射を異なる波長の可視光に変換する。発生する可視光の色は、蛍光体材料の個々の成分に依存する。蛍光体材料は、所望の色(色合い)を発光させるために、単一の蛍光体組成物のみ、又は、例えば1つ又はそれ以上の黄色及び赤色蛍光体を用いた特定の混合である2つ又はそれ以上の基本色の蛍光体を含むことができる。本明細書で用いられる用語「蛍光体材料」とは、単一の蛍光体並びに2つ又はそれ以上の蛍光体のブレンドの両方を含むものとする。
明るい白色光を生成するLEDランプは、光源としてのLEDに望ましい品質を与えるのに有用であることが確認された。従って、本発明の1つの実施形態では、白色光を提供するためにルミネセンス材料である蛍光変換材料のブレンド(蛍光体ブレンド)が被覆されたLEDを開示する。個々の蛍光体及び個々の蛍光体を含む蛍光体ブレンドは、近UV又は青色LEDによって放出される特定波長の輻射(例えば約250から500nm)を可視光に変換する。蛍光体ブレンドによって得られる可視光は、高い強度及び輝度を有する明るい白色光を含む。
図1を参照すると、本発明の1つの好ましい構造による例示的な発光アセンブリ又はランプ10が示されている。発光アセンブリ10は、発光ダイオード(LED)チップ12及びLEDチップに電気的に取付られたリード線14のような、半導体UV輻射源を含む。リード線14は、より太いリードフレーム16によって支持された薄いワイヤを含むことができ、或いはリード線が自立電極を含み、リードフレームを省略することができる。リード線14はLEDチップ12に電流を供給し、これによってLEDチップ12に輻射を放出させる。
ランプは、放出した輻射が蛍光体上に配向されたときに白色光を生成することができるどのような半導体青色又はUV光源をも含むことができる。好ましい実施形態において、半導体光源は、種々の不純物がドープされた青色輻射LEDを含む。従って、LEDは、何れかの適切なIII−V、II−VI又はIV−VI半導体層をベースとする約250から550nmの輻射波長を有する半導体ダイオードを含むことができる。好ましくは、LEDは、GaN、ZnSe、又はSiCを含む少なくとも1つの半導体層を含むことができる。例えば、LEDは、化学式IniGajAlkN(式中0≦i;0≦j;0≦k;及びi+j+k=1)によって表される、約250nmよりも長く約550nmよりも短い輻射波長を有する窒化物系化合物半導体を含むことができる。好ましくは、このチップは、約400から約500nmのピーク発光波長を有する青色輻射LEDである。このようなLED半導体は、当該技術分野で公知である。輻射源は、本明細書においては便宜上LEDとして説明する。しかしながら、本明細書で使用される場合のこの用語は、例えば、半導体レーザダイオードを含む全ての半導体輻射源を網羅することを意味する。
本明細書で検討される本発明の例示的な構造体の一般的な検討は、無機LEDベースの光源に関するが、特に明記されない限りLEDチップは、有機発光構造体又は他の輻射源に置き換えることができ、更に、LEDチップ又は半導体に対するどのような言及も単に何れかの適切な輻射源を表していることを理解されたい。
有機発光構造体は、当該技術分野で公知である。一般的な高効率有機発光構造体とは、ダブルへテロ構造LEDを意味する。この構造体は、GaAS又はInPのような材料を用いる一般的な無機LEDと極めて類似している。このタイプのデバイスにおいては、ガラス製の支持層が、酸化インジウム/錫(ITO)の薄層で被覆されてこの構造体の基板を形成する。次に、主として正孔を輸送する薄い(100−500Å)有機層(HTL)がITO層の上に堆積される。HTL層の表面上には、薄い(典型的には50−100Å)発光層(EL)が堆積される。これらの層が薄過ぎる場合には、膜の連続性が維持されない可能性があり、膜の厚みが増加すると内部抵抗が大きくなり、より多くの動作消費電力が必要となる。発光層(EL)は、EL上に堆積された100−500Å厚みの電子輸送層(ETL)から注入される電子とHTL層からの正孔との再結合領域を提供する。ETL材料は、電荷欠乏中心(正孔)に対する移動度よりも電子に対する移動度がかなり高いことで特徴付けられる。
別の公知の有機発光構造体には、シングルへテロ構造体と呼ばれるものがある。この構造体のダブルへテロ構造体との差異は、エレクトロルミネセンス層がETL層としても機能し、ETL層を必要としないことである。しかしながら、このタイプのデバイスは、効率的な動作のためには、良好な電子輸送能力を有するEL層を組み込む必要があり、そうでない場合には、ダブルへテロ構造体と同様の効率の構造体にする別個のETL層を組み込まなくてはならない。
LED用の既知の代替のデバイス構造体に、単層(又はポリマー)LEDと呼ばれるものがある。このタイプのデバイスは、ベース基板を形成する薄いITO層で被覆されたガラス支持層を含む。次いで、例えば、スピンコートされたポリマーの薄い有機層が、ITO層の上に形成され、上述のデバイスのHTL、ETL、及びEL層の機能の全てを提供する。次に、金属電極層が有機ポリマー層の上に形成される。この金属は、典型的には、Mg、Ca、又は他の従来的に使用される金属である。
LEDチップ12は、LEDチップと封入材料20とを密封するシェル18内に封入することができる。シェル18は、例えば、ガラス又はプラスティックとすることができる。好ましくは、LED12は、封入材20のほぼ中央に位置する。封入材20は、好ましくはエポキシ、プラスティック、低温ガラス、ポリマー、熱可塑性、熱硬化性材料、樹脂又は当該技術分野で既知の他のタイプのLED封入材料である。任意選択的であるが、封入材20は、スピン・オン・ガラス又は何らかの他の高屈折率材料である。好ましくは、封入材料20は、エポキシ、又はシリコーンのようなポリマー材料である。シェル18及び封入材20の両方は、好ましくは、LEDチップ12及び蛍光体組成物22(以下に説明される)によって生成される光の波長に関して透明又は実質的に光透過性である。或いは、ランプ10は、外側シェル18のない封入材料を含むだけであってもよい。LEDチップ12は、例えば、リードフレーム16、自立型電極、シェル18の底部、又はシェル又はリードフレームに取り付けられた台座(図示せず)によって支持することができる。
照明システムの構造体は、LEDチップ12に輻射結合した蛍光体組成物22を含む。「輻射結合された」とは、各要素が、その1つからの輻射が他のものに伝達されるように互いに関連付けられていることを意味する。好ましい実施形態において、蛍光体組成物22は、以下で詳述されるように2つ又はそれ以上の蛍光体のブレンドである。この蛍光体組成物22は、何れかの適切な方法によってLED12上に堆積される。例えば、蛍光体の水性懸濁液を形成し、LED表面に蛍光体層として施工することができる。1つのこのような方法においては、蛍光体粒子が不規則に懸濁されたシリコーンスラリーがLEDの周りに配置される。この方法は、蛍光体組成物22及びLED12の可能な位置を例示するものに過ぎない。すなわち、蛍光体組成物22は、LEDチップ12の上に蛍光体懸濁液を被覆し乾燥させることによって、LEDチップ12の発光面の上又は直接発光面に接触して被覆することができる。シェル18及び封入材20の両方は、白色光24がこれらの要素を透過できるように透明でなければならない。限定を意図するものではないが、1つの実施形態においては、蛍光体組成物の平均粒径は約1から約10ミクロンとすることができる。
図2は、本発明の好ましい態様によるシステムの第2の好ましい構造体を示す。図2の実施形態の構造体は、蛍光体組成物122が、LEDチップ112上に直接形成されるのではなく、封入材料120内に散在されていることを除いては、図1のものと類似している。蛍光体(粉体の形態で)は、封入材料120の単一領域内に、又はより好ましくは封入材料の全容積にわたって散在させることができる。LEDチップ112で放出された青色光126は、蛍光体組成物122で放出された光と混合し、混合した光が白色光124として現れる。蛍光体が封入材料120内に散在されることになる場合は、蛍光体粉体をポリマー前駆体に添加して、LEDチップ112の周りに充填することができ、次いで、ポリマー前駆体を硬化させてポリマー材料を固化することができる。トランスファー充填などの他の既知の蛍光体散在方法を使用してもよい。
図3は、本発明の好ましい態様によるシステムの第3の好ましい構造体を示す。図3に示された実施形態の構造体は、蛍光体組成物222が、LEDチップ212上に形成されるのではなくシェル218の表面に被覆されることを除いては、図1のものと類似している。蛍光体組成物は好ましくはシェル218の内面上に被覆されるが、必要であれば蛍光体はシェルの外面上に被覆してもよい。蛍光体組成物222は、シェルの表面全体又はシェルの表面の上部分のみを被覆することができる。LEDチップ212で放出されたUV光226は、蛍光体組成物222で放出された光と混合し、混合した光は白色光224として現れる。勿論、図1−図3の構造体は組み合わされることができ、蛍光体は何れか2つの位置又は3つ全ての位置、或いはシェルから分離され又はLED内に一体化されるなどの他の適切な位置に配置することができる。
上記の構造体の何れにおいても、ランプ10はまた、封入材料内に埋み込められた複数の散乱粒子(図示せず)を含むことができる。散乱粒子は、例えば、アルミナ粉体などのAl2O3粒子又はTiO2粒子を含むことができる。散乱粒子は、LEDチップから放出されたコヒーレント光を好ましくは無視できる吸収量で効果的に散乱する。
図4の第4の好ましい構造体に示されるように、LEDチップ412は、反射カップ430内に取付けることができる。カップ430は、アルミナ、チタニア、又は当該技術分野で既知の他の絶縁性粉体などの反射材料で作製又は被覆することができる。好ましい反射材料はAl2O3である。図4の実施形態の構造体の他の部分は、前記図の何れかと同じであり、2つのリード線416と、LEDチップ412を第2のリード線に電気的に接続する導線432と、封入材料420とを含む。
1つの実施形態において、本発明は、上述のLEDにおける蛍光体組成物22に使用することができる新規の蛍光体組成物を提供し、この組成物は、(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δであって、式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5である一般式を有する。とりわけ好ましい蛍光体組成物は、(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Als-rO12+δの化学式を有する。250から500nmで発光するLEDで使用されると、結果として得られる照明システムは白色を有する光を生成することとなり、その特性が以下でより詳細に検討される。
上述の配合は、等価イオンの添加によって、Ce3+輻射をより深い赤色(すなわちより長い)の波長に移動させることにより、従来のTAG蛍光体と比較してより深い赤の成分を有する輻射を備えた蛍光体を提供する。この作用は図5に示され、TAGと比較したときの化学式(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δを有する蛍光体の輻射を示している。上記の化学式による等量のY及びGdで置換されたTbの部分を有する修正TAG蛍光体が、従来のTAG蛍光体と比較して発光極大値を赤色側に移動させることが分かる。
350−550nmで放出するLEDと任意選択的に1つ又はそれ以上の追加の蛍光体と組み合わせた場合、上記の蛍光体を使用することにより、TAGベースの照明デバイスと比較してより高いCRI値及びより低いCCTを有する白色LEDデバイスが可能となる。約2500から約10000、好ましくは約2500から4500のCCT値及び約70から95の高CRI値を有するLEDデバイスを作製することができる。このことは、LEDデバイスにおいて、CIE色度図上の高いccx座標及び低いccy座標を可能とし、結果として「より暖い」色のLEDが得られる。この効果は図6で見ることができ、これは、異なる蛍光体組成物を用いた他の場合では同一のLED照明パッケージの色座標を示している。(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δとTAG:Ceとの80/20ブレンドを用いるLEDが、TAG:Ceだけを用いる同等のLEDよりも大きなccx座標及び小さなccy座標を有し、より低いCCTを証明することが分かる。
第2の実施形態において、蛍光体組成物は、ガーネット主相と、化学式(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)を有する二次ケイ酸塩相とを備えた蛍光体組成物を含む。zの条件が2.5から3.5であることにより、材料のルミネセンス特性をどのようにも有意に変化させることなく、「化学量論比からずれた」蛍光体を可能にする。好ましい実施形態において、RE=Y又はLu又はSc、Lu又はScが特に好ましく、y≦0.05、A=Ca又はMgであってCaが特に好ましく、B=Mg、2.9≦z≦3.1、及び0≦q/(z−q)≦0.5である。より赤色の発光色を有するこの実施形態の好ましい組成物は、(RE1-xCex)2A3-pBpSi3-qGeqO12+δの化学式を有し、式中x、p、及びqは上記で定められ、REはLuである。特に好ましい組成は、(Lu0.955Ce0.045)2CaMg2Si3O12である。
図7及び図8は、(Lu0.97Ce0.03)2CaMg2Si2GeO12蛍光体及びTAG:Ce蛍光体の吸収スペクトルと発光スペクトルとをそれぞれ示している。発光スペクトルは、470nmの励起波長に基づくものである。図示のように、(Lu0.97Ce0.03)2CaMg2Si2GeO12蛍光体の発光スペクトルは、TAG:Ceよりも長い(すなわち、より赤色の)波長でピーク発光を示している。加えて、この吸収スペクトルは、(Lu0.97Ce0.03)2CaMg2Si2GeO12蛍光体の最大吸収が470nm付近を中心とすることを示している。このことは、この蛍光体が追加の蛍光体と併せて使用される場合に有利であり、これら他の蛍光体からの発光を有意に吸収する可能性が低いためである。
LED照明システムにおける上述の蛍光体組成物の汎用性は、材料内にScを含めることによって改善することができる。これらの材料のピーク発光は、従来のTAB:Ce蛍光体のピーク発光と比較すると、ホスト材料内のScの量を制御することによって移動させることができる。従って、上記の蛍光体組成物は通常、TAG:Ceに比べて有意により赤色の(より長波長の)発光を有するが、蛍光体にScを相当量の添加することで、実際には、これらの輻射をTAG:Ceに比較して同程度の波長まで、或いは約0から約20nmの範囲でより短波長にまで移動させることになる。Scが豊富な組成物(例えば、化学式(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δにおいてx=0.955のもの)は黄色であり、ほとんどの用途においてTAG:Ceと置換することができ、他方、Scが少ない組成物(例えば、同上の化学式においてx=0.10のもの)は、上述のようにTAG:Ceと比較して有意な赤色移動を有することになる。この結果、蛍光体中の個々の成分の量を簡単に変更することによって、種々の用途に使用できる、極めて汎用性のある蛍光体が得られる。
上述の蛍光体は、例えば、Ln9.33(SiO4)6O2のようなアパタイト、並びにLn2Si2O7又はLn2SiO5のような他のケイ酸塩を含む、光学的に不活性な微量の不純物を含有することができる。このような不純物の量が蛍光体組成物中で最大約10重量%まで存在することは、蛍光体の量子効率及び色に有意な影響を与えることにはならない。
第3の実施形態において、蛍光体組成物は、化学式(Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ(式中DはMg又はZuの何れか、0≦x<1、0≦y<1、0<Z≦0.3、0≦a≦1、0≦c≦1、0≦w≦3、2.5≦n≦3.5、−1.5≦δ≦1.5)を有する蛍光体組成物を含む。この実施形態において、LEDは、250から500nmの領域で一次輻射を有するのが好ましい。好ましい実施形態において、0≦x≦0.1、0≦y≦0.1、0<z≦0.01、0≦a≦0.2、D=Mg、0≦c≦0.2、2.9≦n≦3.1、0≦w/(n−W)≦0.5である。
配合が正確な場合には、この蛍光体は、典型的なYAG:Ce蛍光体の約70%以上の量子効率を有する。この蛍光体の好ましい特定の実施形態としては、Si、Ge成分が少なくとも66%Si4+と、少なくとも83%Si4+と、100%Si4+とを含むものがある。従って、好ましい特定の実施形態は、Ca3Sc2(SixGe1-x)3O12:Ce(式中xは0.67から1.0)を含む。
図9は、化学式(Ca0.99Ce0.01)3Sc2Si3O12を有する蛍光体の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示している。この蛍光体は、比率I(T)/(RT)が室温で約1から250℃で約0.8までの範囲にある、従来のYAG:Ce蛍光体と比較して熱クエンチがより小さく、これはこれらの材料の量子効率が極めて高いことを示している。
上述の蛍光体組成物は、例えば、出発材料として元素酸化物、炭酸塩、及び/又は水酸化物を組み合わせることにより、蛍光体の生成の公知の固相反応工程を用いて生成することができる。他の出発材料としては、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、又はシュウ酸塩を含むことができる。或いは、RE元素の出発材料として希土類酸化物の共沈物を使用することができる。Siは通常、ケイ酸を経由して提供されるが、ヒュームドシリカのような他の供給源を使用してもよい。典型的な工程においては、出発材料は乾式又は湿式ブレンド工程によって組み合わされ、空気中又は還元性雰囲気下で、例えば1000から1600℃で焼成される。
融剤は、混合段階の前又は途中で混合物に添加することができる。この融剤は、NH4Cl、又は、テルビウム、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムからなる群から選ばれた少なくとも1つの金属のフッ化物のような通常の何らかの他の融剤とすることができる。混合物の全重量の約20重量パーセント未満、好ましくは約10重量パーセント未満の融剤の量が融剤添加の目的には適切である。
出発材料は、限定ではないが、高速ブレンダ又はリボンブレンダ内での攪拌又は配合を含む何らかの機械的方法によって共に混合することができる。出発材料は、皿型ミル、ハンマーミル、又はジェットミル内で組み合わされて共に微粉化することができる。特に出発材料の混合物が、後続の沈殿のための溶液にされることになる場合には、湿式粉砕によって混合を行うことができる。混合物が湿っている場合、該混合物は、最初に乾燥させた後で、混合物の全てを最終組成物に変換するのに十分な時間にわたって還元性雰囲気の下で約900℃から約1700℃、好ましくは約1000℃から約1600℃の温度で焼成させることができる。
焼成は、好ましくは良好な気体−固体接触を促進させるために攪拌作用又は混合作用を用いて、バッチ工程又は連続工程で行うことができる。焼成時間は、焼成されるべき混合物の量、焼成設備を通って導入される気体の速度、及び焼成設備内の気体−固体接触の特質によって決まる。通常、最大約10時間の焼成時間が適切である。還元性雰囲気は通常、任意選択的に窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、又はそれらの組み合わせなどの不活性ガスで希釈された水素、一酸化炭素、又はそれらの組み合わせなどの還元ガスを一般に含む。或いは、混合物を収容したるつぼを高純度の炭素粒子を収容した第2の密閉るつぼ内に詰めて空気中で焼成させ、炭素粒子が空気中の酸素と反応し、それによって還元性雰囲気を提供する一酸化炭素が発生するようになる。
これらの化合物を配合して硝酸性溶液中に溶解させることができる。酸性溶液の濃度は、酸素含有化合物を迅速に溶解させるように選択され、該選択は当業者の技量の範囲内である。次いで、水酸化アンモニウムを徐々に酸性溶液に添加する。メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、又はトリプロパノールアミンなどの有機塩基を水酸化アンモニウムの代わりに使用することができる。
沈殿物を濾過し、脱イオン水で洗浄して乾燥させる。乾燥した沈殿物をボールミル処理するか又は他の方法で完全に配合し、次いで空気中で出発材料の実質的に完全な脱水が確保されるのに十分な時間にわたって約400℃から約1600℃でか焼する。か焼は一定の温度で実施することができる。或いは、か焼温度は、か焼の持続時間中に周囲温度から立ち上げて最終温度で保持することができる。か焼された材料は、H2、CO、又はそれらの気体のうちの1つと不活性ガスとの混合物などの還元性雰囲気或いはココナツ活性炭と出発材料の分解生成物との間の反応によって生成される雰囲気下で十分な時間にわたって1000−1600℃で焼成され、か焼された材料の全てを所望の蛍光体組成物に変換する。
また、ゾル−ゲル合成を用いて、本発明の蛍光体を生成することもできる。すなわち、1つの例示的な工程において、本発明による(LuCe)2CaMg2Si3O12蛍光体は、最初に所定量のLu2O3、CaCO3、MgCO3、Ce2(CO3)3*xH2Oを組み合わせ、これらを水で湿潤することによって作製することができる。次いで、希硝酸を添加して酸化物及び炭酸塩を溶解する。次に、溶液を乾燥させて過剰な硝酸を除去し、次いで無水エタノールに溶解させる。第2の容器内では、所定の量のテトラエチルオルソシリケート(TEOS)を無水エタノール中に溶解させる。次いで、2つの容器の内容物を組み合わせて、ゲル化するまで加熱しながら攪拌する。ゲルを引き続きオーブン内で加熱して有機物を除去し、粉体に粉砕した後800−1200℃でか焼する。最終的に、粉体を再び粉砕して、1%水素の還元性雰囲気中1400℃で5時間更にか焼する。上述した他の蛍光体にも同様の手順を用いることができる。
青色又はUVのLEDチップ単独でも多くの用途で好適であるが、上述の2つの蛍光体組成物を互いに又は他の追加の蛍光体と配合して、LED光源で使用することができる。従って、別の実施形態では、上述の実施形態のうちの1つからの蛍光体と1つ又はそれ以上の追加の蛍光体とのブレンドを含む蛍光体組成物22を含むLED照明アセンブリが提供される。約250から550nmの範囲の輻射を放出する青色又は近UVのLEDと組み合わせた照明アセンブリで使用すると、該アセンブリによって放出される光は白色光が得られることになる。1つの実施形態において、蛍光体組成物は、上述の2つの蛍光体(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ及び(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δのブレンドと任意選択的に1つ又はそれ以上の追加の蛍光体とを含む。
別の好ましい実施形態において、蛍光体組成物は、青緑色蛍光体及び赤色蛍光体と共に、(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ、(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ、(Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ及びTAG:Ceの何れかの組み合わせのブレンドを含む。蛍光体組成物内の各蛍光体の相対量は、スペクトル重みで記述することができる。スペクトル重みとは、各蛍光体が蛍光体ブレンドの全体の発光スペクトルに対し寄与する相対量である。全ての個々の蛍光体のスペクトル重み量は合計すると1になるはずである。好ましいブレンドのスペクトル重みは、青緑色蛍光体について0.001から0.200、赤色蛍光体について0.001から0.300を含み、及び残余の蛍光体ブレンドは、(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ、(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ、(Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ及び/又はTAG:Ceである。UV又は青色LEDシステムに使用するのに適切などのような青緑色蛍光体及び赤色蛍光体を使用してもよい。更に、緑色、青色、橙色、又は他の色などの他の蛍光体をブレンドして用いて、結果として得られる光の白色を調整してより高いCRI光源を生成することができる。例えば、250から550nmで発光するLEDチップと共に使用する場合には、本照明システムは、LED輻射の一部、好ましくは全てを青色光に変換する青色蛍光体を含むのが好ましく、これも同様に本発明の蛍光体によって効率的に変換することができる。限定を意図するものではないが、本発明の蛍光体とのブレンドで使用する適切な蛍光体としては:
青色:
青緑色:
緑色:
黄橙色:
赤色:
が挙げられる。
青色:
赤色:
蛍光体ブレンドでの個々の蛍光体の各々の比率は、所望の光出力の特性に応じて変わる可能性がある。種々の実施形態の蛍光体ブレンドの個々の蛍光体の相対的比率は、これらの発光が配合されてLED照明デバイスで使用される際に、CIE色度図上での所定のx値及びy値の可視光が生成されるように調整することができる。上述のように白色光が形成されるのが好ましい。白色光は、例えば、約0.30から約0.55の範囲のx値と約0.30から約0.55の範囲のy値とを有することができる。しかしながら上述のように、蛍光体組成物の各蛍光体の厳密な素性及びその量はエンドユーザの要求に応じて変えることができる。
第1の実施形態の蛍光体に関する上述の配合に従って種々の蛍光体組成物を製造した。470nmの励起波長を用いて、これらの蛍光体の色座標を測定し、該蛍光体の量子効率(「QE」)をTAG:Ceと比較した。その結果を以下の表1に示す。QEは、YAG:Ce蛍光体のQEの%として示される。
上記表から理解できるように、本発明の第1の実施形態による好ましい組成物は、(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δであり、この組成物は、TAGに匹敵するQEを提供する一方で、有意な赤色発光(TAGの場合のccx=0.480及びccy=0.510に対して、ccx=0.495及びccy=0.497)を有し、従って、赤色発光蛍光体成分としてTAGを用いて得られるものよりも低いCCT値を有する白色LEDの製造が可能となる。
この蛍光体が上述の第2の実施形態による別の蛍光体とブレンドされたときに、この影響が明確に分かる。この点において、表2は、(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δ(蛍光体1)及び(Lu0.955Ce0.045)2CaMg2Si2GeO12(蛍光体2)のブレンドと、470nmで発光するLEDとを備えるLEDの特性を示す。パーセンテージは、LEDによって輻射される光の各輻射成分のスペクトル重みである。
(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δ及び(Lu0.955Ce0.045)2CaMg2Si2GeO12のブレンドは、ハロゲン光源及び白熱光源に匹敵するCCTを有すると同時に、TAGベースLEDと比較して高CCTでCRIを向上させたLEDの製造を可能にする。このようにして、上記で開示された蛍光体を含む蛍光体ブレンドを用いて、2500から8000のCCTで60を越えるCRIを有し、好ましくは70を越えるCRIwp備えたLEDランプを製造することができる。
(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δ及び(Lu0.955Ce0.045)2CaMg2Si2GeO12の上述のブレンド中での(Ca,Sr,Ba)3(Sc,Lu)2(Si,Ge)3O12:Ce3+の使用は、この蛍光体の追加の青緑色発光によりCRIを高めることができる。
上述の蛍光体組成物は、LED以外の別の用途で使用することができる。例えば、この材料は、蛍光ランプ、陰極線管、プラズマディスプレーデバイス、又は液晶ディスプレー(LCD)の蛍光体として使用することができる。この材料はまた、電磁カロリーメーター、ガンマ線カメラ、コンピュータ・トモグラフィ・スキャナー、又はレーザにおけるシンチレータとしても使用できる。これらの用途は、単に例示的なものであり、網羅的なものではない。
本発明を種々の好ましい実施形態に関連して説明してきた。本明細書を読み理解すると、当業者であれば修正及び変更が想定されるであろう。本発明は、添付の請求項又はその均等物の範囲内にある限り、全てのこのような修正及び変更を包含するものとする。
10 発光アセンブリ又はランプ
12 発光ダイオード(LED)チップ
14 リード線
16 リードフレーム
18 シェル
20 封入材
12 発光ダイオード(LED)チップ
14 リード線
16 リードフレーム
18 シェル
20 封入材
Claims (73)
- 白色光を放出するための照明器具であって、
約250nmから約550nmで輻射を放出する光源と、
(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)を含む、前記光源に輻射結合した蛍光体組成物と、
を含むことを特徴とする照明器具。 - 前記光源が、約350から約550nmの範囲の波長を有する輻射を放出する半導体発光ダイオード(LED)であることを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記LEDが、化学式IniGajAlkN(式中0≦i;0≦j、0≦k、及びi+j+k=1)によって表される窒化化合物半導体を含むことを特徴とする請求項2に記載の照明器具。
- 前記光源が、有機発光構造体であることを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、前記光源の表面上に被覆されることを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記光源及び前記蛍光体組成物を囲む封入材を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、前記封入材中に分散されることを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 反射カップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、(Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δを含むことを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、1つ又はそれ以上の追加の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- (Tb,Y)3Al4.9O12-δ:Ce3+(式中−1≦δ≦1)の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記照明器具が、約2500から8000のCCT値を有することを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 前記照明器具が、60を越えるCRI値を有することを特徴とする請求項1に記載の照明器具。
- 白色光を放出するための照明器具であって:
約250nmから約550nmで輻射を放出する光源と、
(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)を含む、前記光源に輻射結合した蛍光体組成物と、
を含むことを特徴とする照明器具。 - 前記光源が、約350から約550nmの範囲の波長を有する輻射を放出する半導体LEDであることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記LEDが、化学式IniGajAlkN(式中0≦i;0≦j、0≦k、及びi+j+k=1)によって表される窒化化合物半導体を含むことを特徴とする請求項16に記載の照明器具。
- 前記光源が、有機発光構造体であることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、前記光源の表面上に被覆されることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記光源及び前記蛍光体組成物を囲む封入材を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、前記封入材中に分散されることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 反射カップを更に含むことを特徴とする請求項15に記載の方法照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、(Lu0.955Ce0.045)2CaMg2Si3O12を含むことを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、化学式(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)を有する2つ又はそれ以上の別個の蛍光体を含み、前記別個の蛍光体の各々が異なる発光スペクトルを有することを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、1つ又はそれ以上の追加の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- (Tb,Y)3Al4.9O12-δ:Ce3+(式中−1≦δ≦1)の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 式中、2.9≦z≦3.1であることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 式中、0≦q/(z−q)≦0.5であることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 式中、AがCaであることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 式中、AがMgであることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 式中BがMgであることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 式中、y≦0.05であることを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記照明器具が、約2500から8000のCCT値を有することを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- 前記照明器具が、60を越えるCRI値を有することを特徴とする請求項15に記載の照明器具。
- (Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)を含む蛍光体組成物。
- (Tb0.57Ce0.03Y0.2Gd0.2)3Al4.9O12+δを含むことを特徴とする請求項36に記載の蛍光体組成物。
- 前記蛍光体組成物が、400−500nmで発光する光源によって放出される輻射を吸収することができ、前記光源からの前記輻射と組み合わされたときに白色光を生成する輻射を放出することができることを特徴とする請求項36に記載の蛍光体組成物。
- (RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)を含む蛍光体組成物。
- 式中、2.9≦z≦3.1であることを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- 式中、0≦q/(z−q)≦0.5であることを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- 式中、AがCaであることを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- 式中、AがMgであることを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- 式中、BがMgであることを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- 式中、y≦0.05であることを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- (Lu0.955Ce0.045)2CaMg2Si3O12を含むことを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- 前記蛍光体組成物が、400−500nmで発光する光源によって放出される輻射を吸収することができ、前記光源からの前記輻射と組み合わされたときに白色光を生成する輻射を放出することができることを特徴とする請求項39に記載の蛍光体組成物。
- (Tb,Y)3Al4.9O12-δ:Ce3+(式中−1≦δ≦1)及び(Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)からなる群から選択される第1の蛍光体と、化学式(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)を有する第2の蛍光体とを含む蛍光体ブレンド。
- (Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ(式中、DはMg又はZuの何れかであり、0≦x<1、0≦y<1、0<Z≦0.3、0≦a≦1、0≦c≦1、0≦w≦3、2.5≦n≦3.5、−1.5≦δ≦1.5)を含む蛍光体組成物。
- Ca3Sc2(SixGe1-x)3O12:Ce3+(式中、xは0.67から1.0)を含むことを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- Ca3Sc2Si3O12:Ce3+を含むことを特徴とする請求項50に記載の蛍光体組成物。
- (Ca0.99Ce0.01)3Sc2Si3O12:Ce3+を含むことを特徴とする請求項50に記載の蛍光体組成物。
- 前記蛍光体組成物が、約250から約490nmの波長を有する輻射を吸収することができ、約505nmに発光極大をもつ輻射を放出することができることを特徴とする請求項49に記載の方法。
- 式中、2.9≦n≦3.1であることを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- 式中、0≦w/(n−w)≦0.5であることを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- 式中、x≦0.1であることを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- 式中、y≦0.1であることを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- 式中、z≦0.05であることを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- 式中、a≦0.10であることを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- Ca3Sc2(SixGe1-x)3O12:Ce3+(式中、xは0.67から1.0)を含むことを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- Ca3Sc2Si3O12:Ce3+を含むことを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- (Ca0.99Ce0.01)3Sc2Si3O12:Ce3+を含むことを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- (Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)と、(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)とを更に含むことを特徴とする請求項49に記載の蛍光体組成物。
- 照明器具であって、
約250から約500nmの輻射長を有する輻射を放出する光源と、
(Ca1-x-y-zSrxBayCez)3(Sc1-a-bLuaDc)2Sin-wGewO12+δ(式中、DはMg又はZuの何れかであり、0≦x<1、0≦y<1、0<Z≦0.3、0≦a≦1、0≦c≦1、0≦w≦3、2.5≦n≦3.5、−1.5≦δ≦1.5)を含む蛍光体組成物と、
を含むことを特徴とする照明器具。 - 前記照明器具が、白色発光デバイスであることを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
- 1つ又はそれ以上の追加の蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
- (Tb1-x-y-z-wYxGdyLuzCew)3MrAls-rO12+δ(式中、MはSc、In、Ga、Zn、又はMgから選択され、0<w≦0.3、0≦x<1、0≦y≦0.4、0≦z<1、0≦r≦4.5、4.5≦s≦6、−1.5≦δ≦1.5)と、(RE1-xScxCey)2A3-pBpSiz-qGeqO12+δ(式中、REはランタニドイオン又はY3+から選択され、AはMg、Ca、Sr、又はBaから選択され、BはMg及びZnから選択され、0≦p≦3、0≦q≦3、2.5≦z≦3.5、0≦x<1、0<y≦0.3、−1.5≦δ≦1.5)と、(Tb,Y)3Al4.9O12+δ:Ce3+(式中、−1≦δ≦1)とからなる群から選択される少なくとも1つの蛍光体を更に含むことを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
- 前記光源が、半導体発光ダイオードであることを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
- 前記照明器具が、60を越えるCRI値を有することを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、Ca3Sc2(SixGe1-x)3O12:Ce3+(式中、xは0.67から1.0)を含むことを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+を含むことを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
- 前記蛍光体組成物が、(Ca0.99Ce0.01)3Sc2Si3O12:Ce3+を含むことを特徴とする請求項64に記載の照明器具。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/696,637 US7094362B2 (en) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics |
PCT/US2004/035400 WO2005044947A2 (en) | 2003-10-29 | 2004-10-25 | Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007510040A true JP2007510040A (ja) | 2007-04-19 |
Family
ID=34550155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006538159A Pending JP2007510040A (ja) | 2003-10-29 | 2004-10-25 | スペクトル特性が向上したガーネット蛍光体材料 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7094362B2 (ja) |
EP (1) | EP1678273A2 (ja) |
JP (1) | JP2007510040A (ja) |
CN (1) | CN1922286A (ja) |
WO (1) | WO2005044947A2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515527A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源 |
WO2009113379A1 (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 株式会社東芝 | 固体シンチレータ、放射線検出器およびx線断層写真撮影装置 |
JP2010538413A (ja) * | 2007-08-27 | 2010-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光出力装置 |
JP2012072331A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Toshiba Corp | 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置 |
JP2013112818A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Chi Mei Corp | 蛍光材料およびこれを用いた発光装置 |
JP2016219519A (ja) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
WO2017154830A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
JP2017222868A (ja) * | 2017-07-06 | 2017-12-21 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | テルビウム含有アルミネート系黄緑色〜黄色発光蛍光体 |
WO2018042949A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
WO2018230207A1 (ja) * | 2017-06-15 | 2018-12-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガーネット珪酸塩、ガーネット珪酸塩蛍光体、並びにガーネット珪酸塩蛍光体を用いた波長変換体及び発光装置 |
JP2019054286A (ja) * | 2013-11-08 | 2019-04-04 | ルミマイクロ コーポレーション リミテッドLumimicro Corp. Ltd. | 発光装置 |
KR20220106920A (ko) * | 2015-07-08 | 2022-08-01 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광장치 |
Families Citing this family (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7189340B2 (en) * | 2004-02-12 | 2007-03-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device |
JP4032682B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2008-01-16 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体 |
US7252787B2 (en) | 2003-10-29 | 2007-08-07 | General Electric Company | Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics |
US7442326B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-10-28 | Lumination Llc | Red garnet phosphors for use in LEDs |
KR20050050292A (ko) * | 2003-11-25 | 2005-05-31 | 삼성전기주식회사 | 열방출부를 구비한 발광소자 램프 |
JP2008505433A (ja) * | 2004-06-29 | 2008-02-21 | 松下電器産業株式会社 | 照明光源 |
EP1808471A4 (en) * | 2004-10-15 | 2009-10-21 | Mitsubishi Chem Corp | FLUORESCENT MATERIAL, FLUORESCENT DEVICE USING THE MATERIAL, AND IMAGE DISPLAY DEVICE AND LIGHTING EQUIPMENT |
US7358542B2 (en) * | 2005-02-02 | 2008-04-15 | Lumination Llc | Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications |
US20070114562A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Gelcore, Llc | Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications |
US7648649B2 (en) * | 2005-02-02 | 2010-01-19 | Lumination Llc | Red line emitting phosphors for use in led applications |
US7497973B2 (en) * | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
WO2006098450A1 (ja) | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | 発光装置、白色発光装置、照明装置及び画像表示装置 |
US7329371B2 (en) * | 2005-04-19 | 2008-02-12 | Lumination Llc | Red phosphor for LED based lighting |
JP2012033945A (ja) * | 2005-05-24 | 2012-02-16 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライトおよびディスプレイ |
JP5098221B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2012-12-12 | 三菱化学株式会社 | 発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライトおよびディスプレイ |
JP2007049114A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 発光装置とその製造方法 |
US9412926B2 (en) | 2005-06-10 | 2016-08-09 | Cree, Inc. | High power solid-state lamp |
US7501753B2 (en) * | 2005-08-31 | 2009-03-10 | Lumination Llc | Phosphor and blends thereof for use in LEDs |
US7859182B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-12-28 | Lumination Llc | Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor |
JP4832995B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2011-12-07 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
US20070052342A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
BRPI0620413A2 (pt) | 2005-12-21 | 2011-11-08 | Cree Led Lighting Solutions | dispositivo de iluminação e método de iluminação |
US7560046B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-07-14 | General Electric Company | Scintillator material and radiation detectors containing same |
US8513875B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
TWI460880B (zh) | 2006-04-18 | 2014-11-11 | Cree Inc | 照明裝置及照明方法 |
US9084328B2 (en) * | 2006-12-01 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US7780871B2 (en) * | 2006-04-26 | 2010-08-24 | Wei-Hung Lo | Inorganic light-emitting materials for UV solid light source |
US20070262288A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Soshchin Naum | Inorganic fluorescent powder as a solid light source |
KR20090048640A (ko) * | 2006-08-23 | 2009-05-14 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 및 조명 방법 |
EP2074475B1 (en) * | 2006-10-18 | 2014-01-08 | Koninklijke Philips N.V. | Illumination system and display device |
US8133461B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-03-13 | Intematix Corporation | Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation |
US8475683B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-07-02 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates |
US8529791B2 (en) | 2006-10-20 | 2013-09-10 | Intematix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
US9120975B2 (en) | 2006-10-20 | 2015-09-01 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
US20110150735A1 (en) * | 2006-11-01 | 2011-06-23 | Lawrence Livermore National Security, Llc. | Fabrication of Transparent Ceramics Using Nanoparticles Synthesized Via Flame Spray Pyrolysis |
US8029155B2 (en) | 2006-11-07 | 2011-10-04 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
JP5367218B2 (ja) | 2006-11-24 | 2013-12-11 | シャープ株式会社 | 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法 |
US9441793B2 (en) * | 2006-12-01 | 2016-09-13 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
JP2008140704A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | Ledバックライト |
US8333907B2 (en) | 2007-01-17 | 2012-12-18 | Utc Fire & Security Corporation | Articles using persistent phosphors |
US7959827B2 (en) * | 2007-12-12 | 2011-06-14 | General Electric Company | Persistent phosphor |
US7900705B2 (en) * | 2007-03-13 | 2011-03-08 | Schlumberger Technology Corporation | Flow control assembly having a fixed flow control device and an adjustable flow control device |
US7708968B2 (en) * | 2007-03-26 | 2010-05-04 | General Electric Company | Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same |
US7625502B2 (en) * | 2007-03-26 | 2009-12-01 | General Electric Company | Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same |
US7608829B2 (en) * | 2007-03-26 | 2009-10-27 | General Electric Company | Polymeric composite scintillators and method for making same |
CN101711325B (zh) * | 2007-05-08 | 2013-07-10 | 科锐公司 | 照明装置和照明方法 |
TWI429731B (zh) * | 2007-07-16 | 2014-03-11 | Lumination Llc | 由4價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體 |
TWI363085B (en) * | 2007-07-26 | 2012-05-01 | Univ Nat Chiao Tung | A novel phosphor and fabrication of the same |
US8545723B2 (en) * | 2007-12-12 | 2013-10-01 | General Electric Company | Persistent phosphor |
KR20090085880A (ko) * | 2008-02-05 | 2009-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체 및 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 |
US8703016B2 (en) | 2008-10-22 | 2014-04-22 | General Electric Company | Phosphor materials and related devices |
US8329060B2 (en) * | 2008-10-22 | 2012-12-11 | General Electric Company | Blue-green and green phosphors for lighting applications |
US8461535B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-06-11 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Phase stable rare earth garnets |
US8562161B2 (en) | 2010-03-03 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | LED based pedestal-type lighting structure |
US8632196B2 (en) | 2010-03-03 | 2014-01-21 | Cree, Inc. | LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features |
US10359151B2 (en) | 2010-03-03 | 2019-07-23 | Ideal Industries Lighting Llc | Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics |
US8882284B2 (en) | 2010-03-03 | 2014-11-11 | Cree, Inc. | LED lamp or bulb with remote phosphor and diffuser configuration with enhanced scattering properties |
US9500325B2 (en) * | 2010-03-03 | 2016-11-22 | Cree, Inc. | LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features |
US9316361B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration |
US9024517B2 (en) | 2010-03-03 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters |
US9310030B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-04-12 | Cree, Inc. | Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern |
US9057511B2 (en) | 2010-03-03 | 2015-06-16 | Cree, Inc. | High efficiency solid state lamp and bulb |
US9062830B2 (en) | 2010-03-03 | 2015-06-23 | Cree, Inc. | High efficiency solid state lamp and bulb |
US9625105B2 (en) * | 2010-03-03 | 2017-04-18 | Cree, Inc. | LED lamp with active cooling element |
US8931933B2 (en) * | 2010-03-03 | 2015-01-13 | Cree, Inc. | LED lamp with active cooling element |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
US8324798B2 (en) * | 2010-03-19 | 2012-12-04 | Nitto Denko Corporation | Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants |
TWI394827B (zh) * | 2010-04-20 | 2013-05-01 | China Glaze Co Ltd | 螢光材料與白光發光裝置 |
US8593062B2 (en) | 2010-04-29 | 2013-11-26 | General Electric Company | Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them |
US8912498B2 (en) * | 2010-05-10 | 2014-12-16 | University Of Tennessee Research Foundation | Halide scintillator for radiation detection |
US8896197B2 (en) | 2010-05-13 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | Lighting device and method of making |
KR101244187B1 (ko) | 2010-06-16 | 2013-03-18 | 관동대학교산학협력단 | YAG : Ce 형광체 분말 제조 방법 |
US10451251B2 (en) | 2010-08-02 | 2019-10-22 | Ideal Industries Lighting, LLC | Solid state lamp with light directing optics and diffuser |
CN102376860A (zh) | 2010-08-05 | 2012-03-14 | 夏普株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
WO2012053924A1 (ru) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Vishnyakov Anatoly Vasilyevich | Люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света |
US9068701B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Lamp structure with remote LED light source |
US9234655B2 (en) | 2011-02-07 | 2016-01-12 | Cree, Inc. | Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
KR101337999B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2013-12-06 | 조성매 | 단일상 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드 |
CN102910637B (zh) * | 2011-08-05 | 2014-11-05 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 稀土硅酸盐纳米粉体的制备方法 |
CA2848917A1 (en) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | General Electric Company | Phosphor materials and related devices |
CN102604634B (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-28 | 南通南京大学材料工程技术研究院 | 一种白光led用黄色荧光粉 |
AT512588B1 (de) * | 2012-03-12 | 2014-12-15 | Zizala Lichtsysteme Gmbh | Lichtquellenmodul mit Laserlichtquelle sowie Fahrzeugscheinwerfer |
CN102618274A (zh) * | 2012-03-13 | 2012-08-01 | 湖南信多利新材料有限公司 | 一种led用绿色荧光粉及其制备方法 |
JP6158167B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2017-07-05 | 株式会社東芝 | 固体シンチレータ、放射線検出器、および放射線検査装置 |
US9488359B2 (en) | 2012-03-26 | 2016-11-08 | Cree, Inc. | Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures |
US8506104B1 (en) | 2012-03-28 | 2013-08-13 | General Electric Company | Phosphors for LED lamps |
US9353917B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-05-31 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
US20150225644A1 (en) * | 2012-12-06 | 2015-08-13 | Anatoly Vasilyevich Vishnyakov | Luminescent material for solid-state sources of white light |
CN103013514A (zh) * | 2012-12-22 | 2013-04-03 | 广州有色金属研究院 | 一种铈离子激活的绿色荧光粉 |
JP6103042B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2017-03-29 | 日立金属株式会社 | 蛍光材料、シンチレータ、並びに放射線変換パネル |
DE102013109313A1 (de) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh | Verbesserter Granatleuchtstoff und Verfahren zu dessen Herstellung |
US10074781B2 (en) | 2013-08-29 | 2018-09-11 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including multiple red phosphors that exhibit good color rendering properties with increased brightness |
WO2015045260A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体及びこれを用いた発光装置、照明光源、照明装置 |
JP6384893B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2018-09-05 | 株式会社光波 | 単結晶蛍光体及び発光装置 |
US9360188B2 (en) | 2014-02-20 | 2016-06-07 | Cree, Inc. | Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements |
CN104031645B (zh) * | 2014-06-20 | 2016-08-17 | 东华大学 | 一种白光led用橙黄色荧光粉及其制备方法 |
CN106796822B (zh) * | 2014-09-25 | 2019-02-22 | 株式会社东芝 | 闪烁体、闪烁体阵列、放射线检测器和放射线检查装置 |
CN104312587B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-02-08 | 东华大学 | 一种具有红光发射的Lu2MgCa2Si3O12:Ce3+荧光膜的制备方法 |
DE102014226591A1 (de) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Osram Gmbh | Lichtmodul und Verfahren zur Bereitstellung von wellenlängenkonvertiertem Licht im roten Spektralbereich sowie Projektionsvorrichtung dazu |
DE102015110258A1 (de) | 2015-06-25 | 2016-12-29 | Osram Gmbh | Leuchtstoff, Verfahren zum Herstellen eines Leuchtstoffs und Verwendung eines Leuchtstoffs |
JP6273637B1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-02-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ファイバー光源、内視鏡および内視鏡システム |
WO2018008284A1 (ja) | 2016-07-04 | 2018-01-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プロジェクター装置 |
CN107849448B (zh) | 2016-07-04 | 2022-04-15 | 松下知识产权经营株式会社 | 荧光体以及发光装置 |
DE102016116016A1 (de) | 2016-08-29 | 2018-03-01 | Osram Gmbh | Leuchtstoff, Verwendung eines Leuchtstoffs und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs |
CN108018040A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-11 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种荧光陶瓷材料、其制备方法以及一种低色温白光led |
KR20200048233A (ko) | 2018-10-29 | 2020-05-08 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치의 제조 방법 |
JP2021165368A (ja) * | 2020-02-18 | 2021-10-14 | エボニック オペレーションズ ゲーエムベーハー | 抗菌性を有するコーティングを作製するための組成物 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11199781A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 色変換シート及びそれを用いた発光装置 |
JP2003505583A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光物質装置、波長変換注入成形材および光源 |
JP2003505582A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 光源用発光物質および発光物質を有する光源 |
JP2003064358A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを用いた発光素子、並びに画像表示装置、照明装置 |
WO2003021691A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device |
JP2004529252A (ja) * | 2001-06-01 | 2004-09-24 | ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 広域スペクトルテルビウム含有ガーネット蛍光物質及びこれを組み込んだ白色光源 |
JP2004300409A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Nantex Industry Co Ltd | Tag型磁気光学結晶の蛍光素材とその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4550256A (en) * | 1983-10-17 | 1985-10-29 | At&T Bell Laboratories | Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material |
US6013199A (en) | 1997-03-04 | 2000-01-11 | Symyx Technologies | Phosphor materials |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US6252254B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
US6335548B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
DE19934126A1 (de) * | 1999-07-23 | 2001-01-25 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle |
US6552487B1 (en) | 1999-10-27 | 2003-04-22 | Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Phosphor for light sources, and associated light source |
US6409938B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-06-25 | The General Electric Company | Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG |
US6538371B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-25 | The General Electric Company | White light illumination system with improved color output |
KR100784573B1 (ko) * | 2000-05-29 | 2007-12-10 | 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 | 발광다이오드에 기반을 둔 백색광을 방출하는 조명 기구 |
JP3747845B2 (ja) | 2000-12-25 | 2006-02-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法 |
US7189340B2 (en) | 2004-02-12 | 2007-03-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device |
DE10223988A1 (de) | 2002-05-29 | 2003-12-18 | Siemens Ag | Leuchtstoffpulver, Verfahren zum Herstellen des Leuchtstoffpulvers und Leuchtstoffkörper mit dem Leuchtstoffpulver |
US6936857B2 (en) * | 2003-02-18 | 2005-08-30 | Gelcore, Llc | White light LED device |
US7723740B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2003
- 2003-10-29 US US10/696,637 patent/US7094362B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-10-25 EP EP04796388A patent/EP1678273A2/en not_active Withdrawn
- 2004-10-25 JP JP2006538159A patent/JP2007510040A/ja active Pending
- 2004-10-25 WO PCT/US2004/035400 patent/WO2005044947A2/en active Application Filing
- 2004-10-25 CN CNA2004800319986A patent/CN1922286A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11199781A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 色変換シート及びそれを用いた発光装置 |
JP2003505583A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光物質装置、波長変換注入成形材および光源 |
JP2003505582A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 光源用発光物質および発光物質を有する光源 |
JP2004529252A (ja) * | 2001-06-01 | 2004-09-24 | ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 広域スペクトルテルビウム含有ガーネット蛍光物質及びこれを組み込んだ白色光源 |
JP2003064358A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを用いた発光素子、並びに画像表示装置、照明装置 |
WO2003021691A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device |
JP2004300409A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Nantex Industry Co Ltd | Tag型磁気光学結晶の蛍光素材とその製造方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4838727B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2011-12-14 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源 |
JP2007515527A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 蛍光体及びかかる蛍光体を有する光源 |
JP2010538413A (ja) * | 2007-08-27 | 2010-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光出力装置 |
WO2009113379A1 (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 株式会社東芝 | 固体シンチレータ、放射線検出器およびx線断層写真撮影装置 |
US8083968B2 (en) | 2008-03-10 | 2011-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid scintillator, radiation detector, and X-ray tomographic imaging apparatus |
JP2012072331A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Toshiba Corp | 固体シンチレータ用材料、固体シンチレータ、およびそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置 |
JP2013112818A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Chi Mei Corp | 蛍光材料およびこれを用いた発光装置 |
JP2019054286A (ja) * | 2013-11-08 | 2019-04-04 | ルミマイクロ コーポレーション リミテッドLumimicro Corp. Ltd. | 発光装置 |
JP2016219519A (ja) * | 2015-05-18 | 2016-12-22 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
KR102579649B1 (ko) | 2015-07-08 | 2023-09-18 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광장치 |
KR20220106920A (ko) * | 2015-07-08 | 2022-08-01 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광장치 |
JP6273595B1 (ja) * | 2016-03-08 | 2018-02-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
US11050005B2 (en) | 2016-03-08 | 2021-06-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Phosphor and light emitting device |
WO2017154830A1 (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
WO2018042949A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
JPWO2018042949A1 (ja) * | 2016-08-29 | 2019-06-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
US10611959B2 (en) | 2016-08-29 | 2020-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Phosphor and light emitting device |
WO2018230207A1 (ja) * | 2017-06-15 | 2018-12-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガーネット珪酸塩、ガーネット珪酸塩蛍光体、並びにガーネット珪酸塩蛍光体を用いた波長変換体及び発光装置 |
JPWO2018230207A1 (ja) * | 2017-06-15 | 2020-04-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガーネット珪酸塩、ガーネット珪酸塩蛍光体、並びにガーネット珪酸塩蛍光体を用いた波長変換体及び発光装置 |
JP2017222868A (ja) * | 2017-07-06 | 2017-12-21 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | テルビウム含有アルミネート系黄緑色〜黄色発光蛍光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005044947A2 (en) | 2005-05-19 |
WO2005044947A3 (en) | 2005-09-01 |
EP1678273A2 (en) | 2006-07-12 |
CN1922286A (zh) | 2007-02-28 |
US7094362B2 (en) | 2006-08-22 |
US20050093442A1 (en) | 2005-05-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7094362B2 (en) | Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics | |
US7274045B2 (en) | Borate phosphor materials for use in lighting applications | |
US6765237B1 (en) | White light emitting device based on UV LED and phosphor blend | |
JP5143549B2 (ja) | Ledに使用するための蛍光体及びそれらの混合物 | |
US7442326B2 (en) | Red garnet phosphors for use in LEDs | |
US7252787B2 (en) | Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics | |
US7906790B2 (en) | Full spectrum phosphor blends for white light generation with LED chips | |
US7229573B2 (en) | Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation | |
US7026755B2 (en) | Deep red phosphor for general illumination applications | |
JP4760082B2 (ja) | 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法 | |
US20060231851A1 (en) | Red phosphor for LED based lighting | |
US7439668B2 (en) | Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality | |
US20060049414A1 (en) | Novel oxynitride phosphors | |
JP2009516774A (ja) | 照明用途において使用するための電荷補償窒化物蛍光体 | |
US8440104B2 (en) | Kimzeyite garnet phosphors | |
KR20120063923A (ko) | 알카리 토류 포스포러스 나이트라이드계 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치 | |
US20110127905A1 (en) | Alkaline earth borate phosphors | |
KR101047775B1 (ko) | 형광체 및 발광소자 | |
TWI509051B (zh) | 螢光粉、其製造方法、及發光裝置 | |
KR100906923B1 (ko) | 형광체, 코팅 형광체 조성물, 형광체 제조방법 및 발광소자 | |
KR20120129329A (ko) | 적색 형광체 및 이를 포함하는 발광장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110704 |