JP2007503709A - さまざまな周波数のrf電力の変調を用いた高アスペクト比エッチング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に基板が置かれる(404)。エッチャントガスが処理チャンバに供給される(408)。第1エッチングステップが行われ(412)、ここで第1周波数、第2周波数、および第3周波数は第1エッチングステップとしての電力設定である。第2エッチングステップが行われ(416)、ここで第1周波数、第2周波数、および第3周波数は異なる電力設定である。オプションとして第3エッチングステップも提供されえる(420)。
【選択図】図4
Description
Claims (16)
- マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法であって、
RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に前記基板を置くこと、
エッチャントガスを前記処理チャンバに供給すること、
前記第1周波数が第1電力レベルであり、前記第2周波数が第2電力レベルであり、前記第3周波数が第3電力レベルであり、ここで前記第1電力および前記第2または前記第3電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、ここで前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、第1エッチングステップを行うこと、および
前記第1周波数が第4電力レベルであり、前記第2周波数が第5電力レベルであり、前記第3周波数が第6電力レベルであり、ここで前記第4および前記第6電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、前記第5電力はゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、ここで前記第2エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、第2エッチングステップを行うこと
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記エッチングすべきレイヤは誘電体レイヤである方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記誘電体レイヤは単一のレイヤである方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記単一のレイヤは均質なレイヤである方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の方法であって、第7、第8、および第9電力のうちの少なくとも2つがゼロより大きく、条件は、前記第7電力が前記第4電力と等しくないこと、前記第8電力が前記第5電力と等しくないこと、および前記第9電力が前記第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、ここで前記第3エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第2深さより大きい第3深さまでエッチングする、第3エッチングステップを行うことをさらに含む方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の方法であって、前記第1周波数は100kHzおよび10MHzの間であり、前記第2周波数は10MHzから約35MHzの間であり、および前記第3周波数は40MHzより高い方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の方法であって、前記第1周波数は約2MHzであり、前記第2周波数は約27MHzであり、および前記第3周波数は約60MHzである方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の方法であって、前記エッチャントガスは、フルオロカーボンおよびハイドロフルオロカーボンプラズマからなるグループから選択される成分ガスを備える方法。
- 請求項1に記載の方法によって形成される半導体デバイス。
- 基板上の誘電体レイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法であって、
RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に前記基板を置くこと、
エッチャントガスを前記処理チャンバに供給すること、
前記第1周波数、前記第2周波数、および前記第3周波数を用いて前記エッチングレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、第1エッチングステップを行うこと、
前記第1周波数、前記第2周波数、および前記第3周波数を用いて、前記周波数のうちの少なくとも1つを前記第1エッチングにおいて用いられたのと異なる電力レベルにして、前記エッチングレイヤ中にフィーチャを前記第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、第2エッチングステップを行うこと、および
前記第1周波数、前記第2周波数、および前記第3周波数を用いて、前記周波数のうちの少なくとも1つを前記第2エッチングにおいて用いられたのと異なる電力レベルにして、前記エッチングレイヤ中にフィーチャを前記第2深さより大きい第3深さまでエッチングする、第3エッチングステップを行うこと
を含む方法。 - 請求項10に記載の方法であって、前記エッチングすべきレイヤは誘電体レイヤである方法。
- 請求項11に記載の方法であって、前記誘電体レイヤは単一のレイヤである方法。
- 請求項12に記載の方法であって、前記単一のレイヤは均質なレイヤである方法。
- 請求項10〜13のいずれかに記載の方法であって、前記第1周波数は100kHzおよび10MHzの間であり、前記第2周波数は10MHzから約35MHzの間であり、および前記第3周波数は40MHzより高い方法。
- マスクを通して基板上のエッチングレイヤ内へフィーチャをエッチングする装置であって、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁、
基板を前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内で支持する基板支持、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を制御する圧力レギュレータ、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を供給する少なくとも1つの電極、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内にガスを供給するガス吸気口、および
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャからガスを排気するガス出口
を備えるプラズマ処理チャンバと、
前記ガス吸気口と流体連通するガスソースと、
第1周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する第1電力ソース、
前記第1周波数とは異なる第2周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する第2電力ソース、
前記第1周波数および前記第2周波数とは異なる第3周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する第3電力ソース、および
前記ガス吸気口、前記第1電力ソース、前記第2電力ソース、および前記第3電力ソースに制御可能に接続されたコントローラであって、
少なくとも1つのプロセッサ、および
コンピュータで読み取り可能な媒体であって、
エッチャントガスを前記ガス吸気口を通して導入するコンピュータで読み取り可能なコード、
第1エッチングステップを実行するコンピュータで読み取り可能なコードであって、前記ステップは、
前記第1電力ソースから第1電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、
前記第2電力ソースから第2電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、
前記第3電力ソースから第3電力レベルにおいてエネルギーを供給することであって、前記第1電力レベルおよび前記第3電力レベルはゼロより大きく、前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、エネルギーを供給すること
を含み、
第2エッチングステップを実行するコンピュータで読み取り可能なコードであって、前記ステップは、
前記第1電力ソースから第4電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、
前記第2電力ソースから第5電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、
前記第3電力ソースから第6電力レベルにおいてエネルギーを供給することであって、前記第1電力レベルおよび前記第3電力レベルはゼロより大きく、前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングするよう用いられ、前記第4および第6電力レベルのうちの少なくとも1つはゼロより大きく、前記第5電力レベルはゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、前記第2エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、エネルギーを供給すること
を含むコントローラ
を備える装置。 - 請求項15に記載の装置であって、前記第1周波数は100kHzおよび10MHzの間であり、前記第2周波数は10MHzから約35MHzの間であり、および前記第3周波数は40MHzより高い装置。
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