JP2007501716A - 三次元固定砥粒物品のインサイチュ活性化 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (57)
- a)砥粒表面および対向する表面を含む三次元固定砥粒物品と、
b)前記固定砥粒物品の前記砥粒表面に隣接する第1の表面を含む基板と、
c)前記固定砥粒物品の前記対向する表面が隣接する支持アセンブリと、
を含み、
垂直力が前記基板、前記固定砥粒物品、および前記基板の前記第1の表面と前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間に接触圧力を形成する前記支持アセンブリに適用されると、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面で高侵食力の領域と、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面で低侵食力の領域とを形成するように前記支持アセンブリは選択され、相対運動が前記基板の前記第1の表面と前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間に生じ、
少なくとも高侵食力は前記固定砥粒物品を活性化するのに十分なものであり、前記低侵食力は前記高侵食力より小さい、三次元固定砥粒物品のインサイチュ活性化のための装置。 - 前記砥粒表面が複数の砥粒複合体を含む請求項1に記載の装置。
- 前記支持アセンブリ少なくとも1つのスペーサを含む請求項1に記載の装置。
- 前記支持アセンブリが、プラテン、弾性層および剛性層を含む請求項1に記載の装置。
- 前記支持アセンブリが、
a)前記プラテンと前記弾性層、
b)前記弾性層と前記剛性層、および
c)前記剛性層と前記固定砥粒物品
のうち少なくとも1つとの間に介在された少なくとも1つのスペーサを更に含む請求項4に記載の装置。 - 前記プラテン、前記弾性層、前記剛性層、および前記プラテンと前記固定砥粒物品の間に配置された任意の層のうち少なくとも1つが、空間調整された厚さを有している請求項4に記載の装置。
- 前記プラテン、前記弾性層、前記剛性層、および前記プラテンと前記固定砥粒物品の間に配置された任意の層のうち少なくとも1つが、空間調整された機械的特性を有している請求項4に記載の装置。
- 前記基板が、半導体ウェハ、シリコンウェハ、ガラス、酸化物またはセラミックのうち少なくとも1つを含む請求項1に記載の装置。
- 前記高侵食力の領域が、低侵食力の領域を含むギャップにより分離された、高侵食の第1の領域と高侵食の第2の領域とを含む請求項1に記載の装置。
- 前記高侵食力の第1の領域における前記侵食力が、前記高侵食力の第2の領域における侵食力と実質的に同じである請求項9に記載の装置。
- 前記ギャップが少なくとも約6ミリメートルである請求項9に記載の装置。
- 前記ギャップが少なくとも約19ミリメートルである請求項9に記載の装置。
- 前記三次元固定砥粒物品を前記支持アセンブリに対して進めるインデクシング機構を更に含む請求項1に記載の装置。
- 前記基板の前記第1の表面と、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間の界面に存在している加工液を更に含む請求項1に記載の装置。
- 前記加工液が錯化剤を含む請求項14に記載の装置。
- 前記錯化剤が多座錯化剤を含む請求項15に記載の装置。
- 前記錯化剤がアミノ酸およびキレート化剤からなる群より選択される請求項14に記載の装置。
- 前記加工液が緩衝液を含む請求項14に記載の装置。
- 前記加工液が、カルボン酸官能基と、アミンおよびハロゲン化物からなる群より選択される第2の官能基との両方を含む有機化合物を含む請求項14に記載の装置。
- a)砥粒表面および対向する表面を含む三次元固定砥粒物品と、
b)前記固定砥粒物品の前記砥粒表面に隣接する第1の表面を含む基板と、
c)支持アセンブリと
を含み、
垂直力が前記基板、前記固定砥粒物品、および前記基板の前記第1の表面と前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間に接触圧力を形成する前記支持アセンブリに適用されると、前記支持アセンブリは、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面で高侵食力の領域と、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面で低侵食力の領域とを形成するための手段を含み、相対運動が前記基板の前記第1の表面と前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間に生じ、
少なくとも高侵食力は前記固定砥粒物品を活性化するのに十分なものであり、前記低侵食力は前記高侵食力より小さい、三次元固定砥粒物品のインサイチュ活性化のための装置。 - 前記砥粒表面が複数の砥粒複合体を含む請求項20に記載の装置。
- 少なくとも1つのスペーサを更に含む請求項20に記載の装置。
- 前記支持アセンブリが、プラテン、弾性層および剛性層を含む請求項20に記載の装置。
- 前記高侵食力の領域が、低侵食力の領域を含むギャップにより分離された、高侵食の第1の領域と高侵食の第2の領域とを含む請求項20に記載の装置。
- 前記固定砥粒物品を前記支持アセンブリに対してインデクシングするための手段を更に含む請求項20に記載の装置。
- 前記基板の前記第1の表面と、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間の界面に存在している加工液を更に含む請求項20に記載の装置。
- 前記加工液が錯化剤を含む請求項26に記載の装置。
- 前記錯化剤が多座錯化剤を含む請求項27に記載の装置。
- 前記錯化剤がアミノ酸およびキレート化剤からなる群より選択される請求項27に記載の装置。
- 前記加工液が緩衝液を含む請求項26に記載の装置。
- 前記加工液が、カルボン酸官能基と、アミンおよびハロゲン化物からなる群より選択される第2の官能基との両方を含む有機化合物を含む請求項26に記載の装置。
- 前記第2の官能基が、前記カルボン酸官能基に対してアルファ位置にある請求項31に記載の装置。
- 前記有機化合物が、L−プロリン、グリシン、アラニン、アルギニンおよびリシンからなる群より選択される請求項31に記載の装置。
- a)第1の表面を含む基板を提供することと、
b)砥粒表面および対向表面を含む三次元固定砥粒物品を提供することと、
c)前記固定砥粒物品の前記対向表面を支持アセンブリと接触させることと、
d)前記基板の前記第1の表面を前記固定砥粒物品の前記砥粒表面と接触させることと、
e)垂直力を前記基板、前記固定砥粒物品および前記支持アセンブリに適用することにより、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面と、前記基板の前記第1の表面との間に接触圧力を形成することと、
f)前記基板の前記第1の表面と前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間に相対運動をもたらすことと
を含み、前記適用された垂直力および前記基板の前記第1の表面と前記砥粒表面の間の前記相対運動によって、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面に侵食力を形成し、高侵食力の領域と低浸食力の領域を形成するように前記支持アセンブリを選択し、少なくとも前記高侵食力が前記固定砥粒物品を活性化させるのに十分であり、前記低侵食力が前記高浸食力より低い、三次元固定砥粒物品のインサイチュ活性化する方法。 - 前記砥粒表面が複数の砥粒複合体を含む請求項34に記載の方法。
- 前記砥粒複合体の少なくとも一部が、前記高侵食力の領域から前記低侵食力の領域まで動くように、前記固定砥粒物品を前記支持アセンブリに対してインデクシングすることを更に含む請求項34に記載の方法。
- 前記高侵食力の領域における砥粒複合体および前記低侵食力の領域における砥粒複合体により前記基板の前記第1の表面が修正されている請求項34に記載の方法。
- 前記支持アセンブリ少なくとも1つのスペーサを含む請求項34に記載の方法。
- 前記支持アセンブリが、プラテン、弾性層および剛性層を含む請求項34に記載の方法。
- 前記支持アセンブリが、
a)前記プラテンと前記弾性層、
b)前記弾性層と前記剛性層、および
c)前記剛性層と前記固定砥粒物品
のうち少なくとも1つとの間に介在された少なくとも1つのスペーサを更に含む請求項39に記載の方法。 - 前記プラテン、前記弾性層、前記剛性層、および前記プラテンと前記固定砥粒物品の間に配置された任意の層のうち少なくとも1つが、空間調整された厚さを有している請求項39に記載の方法。
- 前記プラテン、前記弾性層、前記剛性層、および前記プラテンと前記固定砥粒物品の間に配置された任意の層のうち少なくとも1つが、空間調整された機械的特性を有している請求項39に記載の方法。
- 前記基板が、半導体ウェハ、シリコンウェハ、ガラス、酸化物またはセラミックのうち少なくとも1つを含む請求項34に記載の方法。
- 前記高侵食力の領域が、低侵食力の領域を含むギャップにより分離された、高侵食の第1の領域と高侵食の第2の領域とを含む請求項34に記載の方法。
- 前記高侵食力の第1の領域における前記侵食力が、前記高侵食力の第2の領域における侵食力と実質的に同じである請求項44に記載の方法。
- 前記ギャップの幅が少なくとも約6ミリメートルである請求項44に記載の方法。
- 前記ギャップの幅が少なくとも約19ミリメートルである請求項44に記載の方法。
- 前記基板の前記第1の表面と、前記固定砥粒物品の前記砥粒表面との間の界面に加工液を供給することを更に含む請求項34に記載の方法。
- 前記加工液が錯化剤を含む請求項48に記載の方法。
- 前記錯化剤が多座錯化剤を含む請求項49に記載の方法。
- 前記錯化剤がアミノ酸およびキレート化剤からなる群より選択される請求項49に記載の方法。
- 前記加工液が緩衝液を含む請求項48に記載の方法。
- 前記加工液が、カルボン酸官能基と、アミンおよびハロゲン化物からなる群より選択される第2の官能基との両方を含む有機化合物を含む請求項48に記載の方法。
- 前記第2の官能基が、前記カルボン酸官能基に対してアルファ位置にある請求項53に記載の方法。
- 前記有機化合物が、L−プロリン、グリシン、アラニン、アルギニンおよびリシンからなる群より選択される請求項53に記載の方法。
- 前記第2の官能基が、前記カルボン酸官能基に対してアルファ位置にある請求項19に記載の装置。
- 前記有機化合物が、L−プロリン、グリシン、アラニン、アルギニンおよびリシンからなる群より選択される請求項19に記載の装置。
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