KR20230148374A - 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 - Google Patents
공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230148374A KR20230148374A KR1020237033221A KR20237033221A KR20230148374A KR 20230148374 A KR20230148374 A KR 20230148374A KR 1020237033221 A KR1020237033221 A KR 1020237033221A KR 20237033221 A KR20237033221 A KR 20237033221A KR 20230148374 A KR20230148374 A KR 20230148374A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- region
- polishing
- modulation function
- pressure
- Prior art date
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 38
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 20
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
Abstract
Description
도 2는 연마 장치의 개략적인 상면도를 예시한다.
도 3은 기판의 개략적인 저면도를 예시한다.
도 4a-4c는 캐리어 헤드의 상이한 챔버들에 대한 압력 대 시간의 그래프들을 예시한다.
도 5는 모터 전류 신호를 처리하는 방법의 흐름도를 예시한다.
도 6은 샘플 전력 스펙트럼을 예시한다.
다양한 도면들에서 유사한 참조 부호들은 유사한 요소들을 나타낸다.
Claims (20)
- 컴퓨터 프로그램 제품으로서,
명령어들을 갖는 비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체를 포함하고,
상기 명령어들은 하나 이상의 컴퓨터로 하여금:
연마 시스템의 캐리어 헤드로 하여금, 제1 변조 함수에 의해 변조된 제1 압력을 기판의 연마 동안 상기 기판의 제1 영역에 인가하게 하고;
상기 연마 시스템의 상기 캐리어 헤드로 하여금, 상기 제1 변조 함수에 직교하는 제2 변조 함수에 의해 변조된 제2 압력을 상기 기판의 상이한 제2 영역에 인가하게 하고;
인-시튜 마찰 모니터링 시스템으로부터, 측정된 값들의 시퀀스를 수신하고;
상기 제1 변조 함수를 상기 제2 변조 함수와 구별하는 것에 기초하여, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역으로부터의 상기 측정된 값의 시퀀스에 대한 상대 기여도를 결정하게 하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제1항에 있어서,
하부 층을 노출시키기 위해 상부 층이 상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역 중 어느 것이 먼저 소거되고 있는지를 결정하고;
상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역 중 어느 것이 먼저 소거되고 있는지에 기초하여 연마 파라미터를 조정하기 위한 명령어들을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제1항에 있어서,
상기 제1 변조 함수는 제1 주파수를 갖는 제1 주기 파형을 포함하고, 상기 제2 변조 함수는 상이한 제2 주파수를 갖는 제2 주기 파형을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제3항에 있어서,
상기 측정된 값들의 시퀀스의 전력 스펙트럼을 결정하고, 상기 제1 주파수에 대응하는 상기 스펙트럼의 제1 영역에 대한 제1 전력을 식별하고 상기 제2 주파수에 대응하는 상기 스펙트럼의 제1 영역에 대한 제2 전력을 식별하기 위한 명령어들을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제4항에 있어서,
상기 전력 스펙트럼을 결정하는 것은 상기 측정된 값들의 시퀀스에 대해 푸리에 변환을 수행하는 것을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제1항에 있어서,
상기 상부 층 및 상기 하부 층의 상대 마찰 계수를 나타내는 하나 이상의 파라미터를 저장한 것을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제6항에 있어서,
제1 값 및 제2 값을 생성하기 위해, 상기 제1 변조 함수 및 상기 제2 변조 함수 각각으로의 상기 측정된 값들의 시퀀스의 스칼라 사영을 결정하기 위한 명령어들을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제7항에 있어서,
상기 하나 이상의 파라미터는 상기 하부 층이 더 낮은 마찰 계수를 갖는다는 것을 나타내고, 상기 제1 값이 상기 제2 값에 비해 감소하는 것에 기초하여 상기 제1 영역이 상기 제2 영역 이전에 소거되고 있다는 것을 결정하기 위한 명령어들을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제7항에 있어서,
상기 하나 이상의 파라미터는 상기 하부 층이 더 높은 마찰 계수를 갖는다는 것을 나타내고, 상기 제1 값이 상기 제2 값에 비해 증가하는 것에 기초하여 상기 제1 구역이 상기 제2 구역 이전에 소거되고 있다는 것을 결정하기 위한 명령어들을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제7항에 있어서,
상기 하나 이상의 파라미터는 상기 하부 층이 더 낮은 마찰 계수를 갖는다는 것을 나타내고, 명령어들은 상기 제2 값이 상기 제1 값에 비해 감소하는 것에 기초하여 상기 제2 영역이 상기 제1 영역 이전에 소거되고 있다는 것을 결정하기 위한 것인, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제7항에 있어서,
상기 하나 이상의 파라미터는 상기 하부 층이 더 높은 마찰 계수를 갖는다는 것을 나타내고, 명령어들은 상기 제2 값이 상기 제1 값에 비해 증가하는 것에 기초하여 상기 제2 영역이 상기 제1 영역 이전에 소거되고 있다는 것을 결정하기 위한 것인, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제1항에 있어서,
연마 레시피로부터 제1 공칭 압력 및 제2 공칭 압력을 수신하기 위한 명령어들을 포함하고, 상기 제1 변조 함수에 의해 변조되는 상기 제1 압력의 평균은 상기 제1 공칭 압력과 동일하고, 상기 제2 변조 함수에 의해 변조되는 상기 제2 압력의 평균은 상기 제2 공칭 압력과 동일한, 컴퓨터 프로그램 제품. - 제12항에 있어서,
상기 제1 공칭 압력에 기초하여 제1 상부 압력 값 및 제1 하부 압력 값, 및 상기 제2 공칭 압력에 기초하여 제2 상부 압력 값 및 제2 하부 압력 값을 계산하기 위한 명령어들을 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품. - 연마 방법으로서,
기판을 캐리어 헤드를 이용하여 연마 패드의 연마 표면에 대하여 유지하는 단계;
상기 기판과 상기 연마 패드 사이의 상대 운동을 생성하는 단계;
제1 변조 함수에 의해 변조된 제1 압력을 상기 기판의 제1 영역에 인가하는 단계;
상기 제1 변조 함수에 직교하는 제2 변조 함수에 의해 변조된 제2 압력을 상기 기판의 제2 영역에 인가하는 단계;
상기 기판의 연마 동안, 측정된 값들의 시퀀스를 생성하기 위해 인-시튜 마찰 모니터링 시스템으로 상기 기판을 모니터링하는 단계; 및
상기 제1 주파수를 상기 제2 주파수와 구별하는 것에 기초하여, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역으로부터의 상기 측정된 값의 시퀀스에 대한 상대 기여도를 결정하는 단계
를 포함하는, 방법. - 제14항에 있어서,
상기 인-시튜 마찰 모니터링 시스템은, 플래튼 토크 모니터링 시스템, 또는 모터 전류 모니터링 시스템을 포함하는, 방법. - 제14항에 있어서,
상기 제1 영역은 상기 기판의 중앙 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 상기 기판의 에지 영역을 포함하는, 방법. - 제14항에 있어서,
하부 층을 노출시키기 위해 상부 층이 상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역 중 어느 것이 먼저 소거되고 있는지를 결정하는 단계; 및
상기 제1 영역 또는 상기 제2 영역 중 어느 것이 먼저 소거되고 있는지에 기초하여 연마 파라미터를 조정하는 단계를 포함하는, 방법. - 제14항에 있어서,
상기 제1 변조 함수 및 상기 제2 변조 함수는 상기 연마 시스템의 다른 이동 부분들의 변조 함수들에 직교하는, 방법. - 연마 시스템으로서,
연마 패드를 지지하기 위한 플래튼;
기판을 상기 연마 패드에 대해 유지하기 위한 캐리어 헤드 - 상기 캐리어 헤드는 독립적으로 조정가능한 압력들을 상기 기판의 복수의 상이한 영역들에 인가하도록 구성됨 -;
상기 캐리어 헤드와 상기 플래튼 사이의 상대 운동을 생성하기 위한 모터;
값들의 시퀀스를 생성하기 위한 인-시튜 마찰 모니터링 시스템; 및
제어기를 포함하고, 상기 제어기는,
상기 캐리어 헤드로 하여금, 제1 변조 함수에 의해 변조된 제1 압력을 기판의 연마 동안 상기 기판의 제1 영역에 인가하게 하고;
상기 캐리어 헤드로 하여금, 상기 제1 변조 함수에 직교하는 제2 변조 함수에 의해 변조된 제2 압력을 상기 기판의 상이한 제2 영역에 인가하게 하고;
인-시튜 마찰 모니터링 시스템으로부터, 측정된 값들의 시퀀스를 수신하고;
상기 제1 변조 함수를 상기 제2 변조 함수와 구별하는 것에 기초하여, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역으로부터의 상기 측정된 값의 시퀀스에 대한 상대 기여도를 결정하도록 구성되는, 시스템. - 제19항에 있어서,
상기 인-시튜 모터 마찰 모니터링 시스템은, 캐리어 헤드 토크 모니터링 시스템, 플래튼 토크 모니터링 시스템, 또는 모터 전류 모니터링 시스템을 포함하는, 시스템.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020247036165A KR20240161701A (ko) | 2021-03-03 | 2022-02-22 | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163155917P | 2021-03-03 | 2021-03-03 | |
US63/155,917 | 2021-03-03 | ||
PCT/US2022/017266 WO2022187025A1 (en) | 2021-03-03 | 2022-02-22 | Pressure signals during motor torque monitoring to provide spatial resolution |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020247036165A Division KR20240161701A (ko) | 2021-03-03 | 2022-02-22 | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230148374A true KR20230148374A (ko) | 2023-10-24 |
KR102747336B1 KR102747336B1 (ko) | 2024-12-31 |
Family
ID=83116771
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020237033221A KR102747336B1 (ko) | 2021-03-03 | 2022-02-22 | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 |
KR1020247036165A KR20240161701A (ko) | 2021-03-03 | 2022-02-22 | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020247036165A KR20240161701A (ko) | 2021-03-03 | 2022-02-22 | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20220281060A1 (ko) |
JP (1) | JP2024511716A (ko) |
KR (2) | KR102747336B1 (ko) |
CN (1) | CN117083152A (ko) |
TW (1) | TWI815332B (ko) |
WO (1) | WO2022187025A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102747336B1 (ko) * | 2021-03-03 | 2024-12-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005501410A (ja) * | 2001-08-21 | 2005-01-13 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 周波数解析に基づく監視を含むcmpプロセス |
US20130280827A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-24 | Dominic J. Benvegnu | Method of controlling polishing using in-situ optical monitoring and fourier transform |
KR20170007160A (ko) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
KR20170071609A (ko) * | 2011-04-29 | 2017-06-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 제거 프로파일을 생성하기 위한 폴리싱 파라미터들의 선택 |
KR20190066590A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치, 및 연마 방법 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6129610A (en) * | 1998-08-14 | 2000-10-10 | International Business Machines Corporation | Polish pressure modulation in CMP to preferentially polish raised features |
JP2002103203A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-09 | Sony Corp | ヘッド研磨装置及びヘッド研磨方法 |
US20020090889A1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-07-11 | Crevasse Annette M. | Apparatus and method of determining an endpoint during a chemical-mechanical polishing process |
US6664557B1 (en) * | 2001-03-19 | 2003-12-16 | Lam Research Corporation | In-situ detection of thin-metal interface using optical interference |
US6991514B1 (en) * | 2003-02-21 | 2006-01-31 | Verity Instruments, Inc. | Optical closed-loop control system for a CMP apparatus and method of manufacture thereof |
KR20070104686A (ko) * | 2003-06-06 | 2007-10-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전기화학적 기계적 폴리싱을 위한 전도성 폴리싱 아티클 |
US7160178B2 (en) * | 2003-08-07 | 2007-01-09 | 3M Innovative Properties Company | In situ activation of a three-dimensional fixed abrasive article |
US7727049B2 (en) * | 2003-10-31 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Friction sensor for polishing system |
US7040958B2 (en) * | 2004-05-21 | 2006-05-09 | Mosel Vitelic, Inc. | Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer |
TWI352645B (en) * | 2004-05-28 | 2011-11-21 | Ebara Corp | Apparatus for inspecting and polishing substrate r |
US7226339B2 (en) * | 2005-08-22 | 2007-06-05 | Applied Materials, Inc. | Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing |
US7409260B2 (en) * | 2005-08-22 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate thickness measuring during polishing |
JP5006883B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2012-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 加工終点検知方法および加工装置 |
US7998358B2 (en) * | 2006-10-31 | 2011-08-16 | Applied Materials, Inc. | Peak-based endpointing for chemical mechanical polishing |
JP5730747B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-06-10 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ並びに研磨方法および装置 |
US20110124269A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-05-26 | Mitsuo Tada | Eddy current sensor and polishing method and apparatus |
US8190285B2 (en) * | 2010-05-17 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Feedback for polishing rate correction in chemical mechanical polishing |
US9308618B2 (en) * | 2012-04-26 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Linear prediction for filtering of data during in-situ monitoring of polishing |
US8992286B2 (en) * | 2013-02-26 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Weighted regression of thickness maps from spectral data |
JP6105371B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2017-03-29 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
JP6394569B2 (ja) * | 2015-11-06 | 2018-09-26 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 |
US11577362B2 (en) * | 2018-03-14 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner cut rate monitoring |
KR102512133B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2023-03-22 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 캐리어 및 그 제어방법 |
CN113613837B (zh) * | 2019-04-05 | 2023-09-22 | 胜高股份有限公司 | 研磨头、研磨装置及半导体晶圆的制造方法 |
JP2021091033A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | キオクシア株式会社 | 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法 |
KR102747336B1 (ko) * | 2021-03-03 | 2024-12-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 |
US11980995B2 (en) * | 2021-03-03 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Motor torque endpoint during polishing with spatial resolution |
JP2023538198A (ja) * | 2021-03-05 | 2023-09-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | コスト関数または予想される将来のパラメータ変化を使用した、基板研磨中の処理パラメータの制御 |
JP2023127044A (ja) * | 2022-03-01 | 2023-09-13 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドおよび研磨装置 |
JP2023127050A (ja) * | 2022-03-01 | 2023-09-13 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドおよび研磨装置 |
US20230390886A1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Applied Materials, Inc. | Monitoring of acoustic events on a substrate |
-
2022
- 2022-02-22 KR KR1020237033221A patent/KR102747336B1/ko active IP Right Grant
- 2022-02-22 US US17/677,895 patent/US20220281060A1/en active Pending
- 2022-02-22 CN CN202280025107.4A patent/CN117083152A/zh active Pending
- 2022-02-22 JP JP2023553454A patent/JP2024511716A/ja active Pending
- 2022-02-22 US US17/677,893 patent/US20220281059A1/en active Pending
- 2022-02-22 KR KR1020247036165A patent/KR20240161701A/ko active Application Filing
- 2022-02-22 WO PCT/US2022/017266 patent/WO2022187025A1/en active Application Filing
- 2022-03-03 TW TW111107699A patent/TWI815332B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005501410A (ja) * | 2001-08-21 | 2005-01-13 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 周波数解析に基づく監視を含むcmpプロセス |
KR20170071609A (ko) * | 2011-04-29 | 2017-06-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 제거 프로파일을 생성하기 위한 폴리싱 파라미터들의 선택 |
US20130280827A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-24 | Dominic J. Benvegnu | Method of controlling polishing using in-situ optical monitoring and fourier transform |
KR20170007160A (ko) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
KR20190066590A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치, 및 연마 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202240326A (zh) | 2022-10-16 |
US20220281060A1 (en) | 2022-09-08 |
KR102747336B1 (ko) | 2024-12-31 |
TWI815332B (zh) | 2023-09-11 |
CN117083152A (zh) | 2023-11-17 |
JP2024511716A (ja) | 2024-03-15 |
WO2022187025A1 (en) | 2022-09-09 |
KR20240161701A (ko) | 2024-11-12 |
US20220281059A1 (en) | 2022-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9308618B2 (en) | Linear prediction for filtering of data during in-situ monitoring of polishing | |
US11969855B2 (en) | Filtering during in-situ monitoring of polishing | |
US20240116152A1 (en) | Switching control algorithms on detection of exposure of underlying layer during polishing | |
US9205527B2 (en) | In-situ monitoring system with monitoring of elongated region | |
JP7354131B2 (ja) | 化学機械研磨中の振動のモニタリング | |
CN115008335A (zh) | 使用成本函数或预期的未来参数变化对基板抛光期间的处理参数的控制 | |
US11980995B2 (en) | Motor torque endpoint during polishing with spatial resolution | |
KR102747336B1 (ko) | 공간 분해능을 제공하기 위한 모터 토크 모니터링 동안의 압력 신호들 | |
WO2013162832A1 (en) | User-input functions for data sequences in polishing endpoint detection | |
US20140030956A1 (en) | Control of polishing of multiple substrates on the same platen in chemical mechanical polishing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20230926 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20240829 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20241211 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20241223 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20241224 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |