JP2007335828A - 導電性ボール配置用マスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導電性ボールをベースの所定の位置に精度良く配置できるようにする。
【解決手段】メイン金属層２０Ａと第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂとからなり、導電性ボール収容貫通孔１５を有するマスクである。メイン金属層２０Ａは、第１面２１及びその反対側の面である第２面２２と、第１面２１と第２面２２との間にわたって形成され導電性ボール収容貫通孔１５の一部に該当する貫通孔２５Ａとを有し、その貫通孔２５Ａにおいて導電性ボール２００の最大径部分に対応する。第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂは、メイン金属層２０Ａの第１面２１及び第２面２２の各面に対して設けられ、メイン金属層２０Ａの貫通孔２５Ａに対応し導電性ボール収容貫通孔１５の他の一部に該当する貫通孔３５ａ，３５ｂを有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体ウェハ等のベースの所定の位置に導電性ボールを配置するためのマスク及びその製造方法に関するものである。

半導体ウェハ等のベースに設けられた複数（多数）の電極に対して各種の電子部品（その接続端子）が接続されるために、例えば、次のようなことが行われている。
ベースに設けられた複数の電極に対して半田ボール（半田によって形成された微小なボール）が各々配置され、その半田ボール（導電性ボール）が配置されたベース全体が加熱されることによって、その各半田ボールが溶解し、それが冷却され固化することによって、その各半田ボールがベースの各電極に対して接着する。
こうして、その半田（半田ボール）が、各電極における接続端子となる。
そして、その各接続端子に対して、各種の電子部品（その接続端子）が接続される。

上述のようにベースの各電極に対して接続端子を形成する際の一部の工程として、ベースの各電極に対して半田ボールを配置するために、例えば、特許文献１のようなマスクが使用されている。
そのマスクは、第１面及びその反対側の面である第２面と、第１面と第２面との間にわたって形成された貫通孔（半田ボール収容貫通孔）とを有している。各貫通孔は、ベース（基板）に設けられた各電極に対応して形成されている。
そして、そのマスクがベースに対してセットされ（重ねられ）、そのマスクの上に多数の半田ボールが供給され、その各半田ボールが各貫通孔に収容される。
こうして、各電極に対して半田ボールが配置される。

ところで、半導体等を用いた電子装置については、近年ますます小型化及び高密度化が図られており、その一環として、ベース自体が小型化されるとともに、ベースに設けられた電極間の距離がより短くされようとしている。例えば、現在のところ、隣接する電極間の距離（両電極の中心同士の間の距離）は、１５０μｍ程度とされている。

ベースに設けられた電極間の距離（正確には、そのうち隣接する電極間の距離）が短いほど、各半田ボールは、各電極（その中央位置）に対して精度良く配置される必要がある。
それは、隣接する電極間の距離が短いほど、各半田ボールの位置が本来の位置（電極の中央位置）からずれた場合に、その半田ボール同士が接触して電気的に短絡が生ずるおそれが高くなるからである。
すなわち、前述したようにベース（その各電極）に対して半田ボールが配置された状態でベースが加熱され各半田ボールが溶解した際には、その半田ボールの高さが低くなるとともに、その半田ボールはベースの面方向に広がる。このため、半田ボールが本来の位置からずれて配置された場合には、加熱され溶解した際に、隣接する半田ボール同士が接触してしまうことが生じるおそれがあるのである。
特開２００４−３２７５３６公報

本発明は、導電性ボールをベースの所定の位置に精度良く配置することができるマスク及びその製造方法を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、請求項１に係る発明は、導電性ボール収容貫通孔を有し、ベースに対して重ねられた状態で当該導電性ボール収容貫通孔に導電性ボールが収容されることによって、当該導電性ボールが前記ベースの所定の位置に配置されるマスクであって、第１面及びその反対側の面である第２面と、前記第１面と前記第２面との間にわたって形成され前記導電性ボール収容貫通孔の一部に該当する貫通孔とを有し、その貫通孔において前記導電性ボールの最大径部分に対応するメイン層と、前記メイン層の第１面及び第２面の少なくとも一方の面に対して設けられ、前記メイン層の貫通孔に対応し前記導電性ボール収容貫通孔の他の一部に該当する貫通孔を有するサブ層とを有する、導電性ボール配置用マスクである。

メイン層の材質の代表例として金属がある（その場合、メイン層はメイン金属層ということができる）。しかしながら、メイン層は必ずしも金属によって形成される必要はなく、強度の強い（耐久性の高い）他の物質によって形成されていてもよい。
サブ層については、メイン層（その第１面及び第２面の少なくとも一方の面）の全面に設けられる態様に限らず、部分的に欠落した態様の場合も含まれる。

導電性ボールの代表例として、半田ボール（半田によって形成された微小のボール状のもの）がある。しかしながら、導電性ボールとしては、それに限らず、他の金属を中心部分に有し、その金属を半田が覆っているものや、全体が他の金属等によって形成されているものでもよい。

この導電性ボール配置用マスクは、ベースに対してセットされ（重ねられ）、その導電性ボール収容貫通孔に導電性ボールが収容されることによって、導電性ボールがベースの所定の位置に配置される。なお、この導電性ボール配置用マスクがベースに対して重ねられるという概念には、ベースに対して載置されるという態様に限らず、ベースに対して近接した状態とされるという態様も含まれる。このこと等のため、この導電性ボール配置用マスクとベースとの間に隙間がない場合に限らず、ベースとの間に隙間がある場合も含まれる。
この導電性ボール配置用マスクは、メイン層及び少なくとも１つのサブ層を有しており、各層に形成された貫通孔によって導電性ボール収容貫通孔が形成される。そして、メイン層の貫通孔において導電性ボールの最大径部分に対応する。
ここで、貫通孔が形成される材料の厚さが薄いほど、その貫通孔の実際の寸法については、その貫通孔の設定値との間における寸法の誤差（その誤差は寸法公差といわれている）が小さくなる。すなわち、貫通孔は、薄い材料に形成される場合ほど、設定値に近い寸法に形成されるのである。
この導電性ボール配置用マスクでは、導電性ボールの最大径部分に対応するものがメイン層であり、メイン層の貫通孔が導電性ボールの最大径部分の寸法に対応するように設定される。そして、メイン層の厚さは導電性ボール配置用マスク全体の厚さよりも薄いため、メイン層のみの１層で導電性ボール配置用マスクが形成される場合と比較して、貫通孔の寸法公差が小さくなる。
このため、この導電性ボール配置用マスクでは、ベースの所定の位置に対して、精度良く導電性ボールを配置することができるのである。

請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明の導電性ボール配置用マスクであって、前記第１面は、前記ベースに対して重ねられる側の面であり、前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも一部は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かうにつれて徐々に大径になる、導電性ボール配置用マスクである。

「前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも一部は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かうにつれて徐々に大径になる」を限定した態様として、「前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも前記第２面の側の一部は、前記第１面の側から前記第２面に到るにつれて徐々に大径になる」や、「前記メイン層の前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面に到るにつれて徐々に大径になる」がある。

この発明の導電性ボール配置用マスクでは、請求項１に係る発明の導電性ボール配置用マスクの作用及び効果に加えて、次の作用及び効果が得られる。
すなわち、メイン層の貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも一部が第１面の側から第２面の側に向かうにつれて徐々に大径になるため、一般的に、この導電性ボール配置用マスクでは、導電性ボールが収容されやすいこととなる。

請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明の導電性ボール配置用マスクであって、前記第１面は、前記ベースに対して重ねられる側の面であり、前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも一部は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かうにつれて徐々に小径になる、導電性ボール配置用マスクである。

「前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも一部は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かうにつれて徐々に小径になる」を限定した態様として、「前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも前記第１面の側の一部は、前記第１面から前記第２面に向かうにつれて徐々に小径になる」や、「前記メイン層の前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面に到るにつれて徐々に小径になる」がある。

この発明の導電性ボール配置用マスクでは、請求項１に係る発明の導電性ボール配置用マスクの作用及び効果に加えて、次の作用及び効果が得られる。
すなわち、メイン層の貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも第１面の側の一部が第１面から第２面に向かうにつれて徐々に小径になるため、一般的に、この導電性ボール配置用マスクでは、一旦導電性ボール収容貫通孔に収容された導電性ボールがその導電性ボール収容貫通孔から抜け出ることが防止されることとなる。

請求項４に係る発明は、第１面及びその反対側の第２面並びに前記第１面と前記第２面との間にわたって形成された貫通孔を有するメイン層を用意する段階と、前記メイン層の第１面及び第２面のうちの少なくとも一方の面であるサブ層形成面に対して、前記メイン層の貫通孔に対応する貫通孔を有するサブ層を形成するサブ層形成段階とを有し、前記サブ層形成段階は、前記サブ層形成面に対して光硬化性フィルムを配設する光硬化性フィルム配設段階と、前記メイン層の貫通孔に対応する部分が光透過阻止部であり、それ以外のうち少なくとも前記光透過阻止部の周囲の部分が光透過部であるフォトレジストを前記光硬化性フィルムに対して配設してフォトレジスト配設体を形成するフォトレジスト配設段階と、前記フォトレジストの側から前記フォトレジスト配設体に対して光を照射して、前記光硬化性フィルムのうち前記光透過部に対応する部分を硬化させる光照射段階と、前記フォトレジスト配設体から前記フォトレジストを除去してフォトレジスト除去体を形成するフォトレジスト除去段階と、前記フォトレジスト除去体における前記光硬化性フィルムのうち前記光透過阻止部に対応する部分を溶解用液によって溶解させる溶解段階とを有する、導電性ボール配置用マスクの製造方法である。

この発明の導電性ボール配置用マスクの製造方法では、次のようにして、導電性ボール配置用マスクが製造される。
まず、第１面と第２面との間にわたって形成された貫通孔を有するメイン層が用意される。
次に、光硬化性フィルム配設段階において、メイン層のサブ層形成面に対して、光硬化性フィルムが配設される。
次に、フォトレジスト配設段階において、光硬化性フィルムに対してフォトレジストが配設されて、フォトレジスト配設体が形成される。フォトレジストのうちメイン層の貫通孔に対応する部分が光透過阻止部であり、それ以外のうち少なくとも前記光透過阻止部の周囲の部分が光透過部である。
次に、光照射段階において、フォトレジストの側からフォトレジスト配設体に対して光が照射されることによって、光硬化性フィルムのうちフォトレジストの光透過部に対応する部分のみが光を受け、その部分が硬化する。
次に、フォトレジスト除去段階において、フォトレジスト配設体からフォトレジストが除去されてフォトレジスト除去体が形成される。
次に、溶解段階において、フォトレジスト除去体における光硬化性フィルムのうち光透過阻止部に対応する部分（硬化した部分以外の部分）が溶解する。
こうして、メイン層の貫通孔に対応する貫通孔を有するサブ層が、メイン層のサブ層形成面に形成される。
必要に応じて、メイン層のもう１つのサブ層形成面に上述の一連の工程が繰り返されて、もう１つのサブ層が形成される。
こうして、この発明では、請求項１に係る発明の導電性ボール配置用マスクが容易に製造され得る。

請求項５に係る発明は、第１面及びその反対側の第２面並びに前記第１面と前記第２面との間にわたって形成された貫通孔を有するメイン層を用意する段階と、前記メイン層の第１面及び第２面のうちの少なくとも一方の面であるサブ層形成面に対して、前記メイン層の貫通孔に対応し当該貫通孔より若干大きい貫通孔を有するサブ層を形成するサブ層形成段階とを有し、前記サブ層形成段階は、前記サブ層形成面に対して光硬化性フィルムを配設する光硬化性フィルム配設段階と、前記メイン層の貫通孔に対応し当該貫通孔よりも若干大きい部分が光透過部であり、それ以外のうち少なくとも前記光透過部の周囲の部分が光透過阻止部であるフォトレジストを前記光硬化性フィルムに対して配設してフォトレジスト配設体を形成するフォトレジスト配設段階と、前記フォトレジストの側から前記フォトレジスト配設体に対して光を照射して、前記光硬化性フィルムのうち前記光透過部に対応する部分を硬化させてめっき阻止部を形成する光照射段階と、前記フォトレジスト配設体から前記フォトレジストを除去してフォトレジスト除去体を形成するフォトレジスト除去段階と、前記フォトレジスト除去体における前記光硬化性フィルムのうち前記めっき阻止部以外の部分を溶解用液によって溶解させ、前記サブ層形成面のうち前記めっき阻止部が形成されている部分以外の部分を露出させるサブ層形成面露出段階と、前記サブ層形成面のうち露出した部分に対してめっきによって金属層を形成するめっき段階と、前記めっき阻止部を溶解用液によって溶解させる溶解段階とを有する、導電性ボール配置用マスクの製造方法である。

この発明の導電性ボール配置用マスクの製造方法では、次のようにして、導電性ボール配置用マスクが製造される。
まず、第１面と第２面との間にわたって形成された貫通孔を有するメイン層が用意される。
次に、光硬化性フィルム配設段階において、メイン層のサブ層形成面に対して、光硬化性フィルムが配設される。
次に、フォトレジスト配設段階において、光硬化性フィルムに対してフォトレジストが配設されて、フォトレジスト配設体が形成される。フォトレジストのうちメイン層の貫通孔に対応し当該貫通孔よりも若干大きい部分が光透過部であり、それ以外のうち少なくとも前記光透過部の周囲の部分が光透過阻止部である。
次に、光照射段階において、フォトレジストの側からフォトレジスト配設体に対して光が照射されることによって、光硬化性フィルムのうちフォトレジストの光透過部に対応する部分のみが光を受け、その部分が硬化して、めっき阻止部が形成される。
次に、フォトレジスト除去段階において、フォトレジスト配設体からフォトレジストが除去されてフォトレジスト除去体が形成される。
次に、サブ層形成面露出段階において、フォトレジスト除去体における光硬化性フィルムのうちめっき阻止部以外の部分（光透過阻止部に対応する部分）が溶解し、サブ層形成面のうちめっき阻止部が設けられている部分以外の部分が露出する。
次に、めっき段階において、サブ層形成面のうち露出した部分に対して、めっきによって金属層（サブ層）が形成される。
次に、溶解段階において、めっき阻止部が溶解用液によって溶解し、その部分に貫通孔が形成される。
こうして、メイン層の貫通孔に対応し当該貫通孔より若干大きい貫通孔を有するサブ層が、メイン層のサブ層形成面に形成される。
必要に応じて、メイン層のもう１つのサブ層形成面に上述の一連の工程が繰り返されて、もう１つのサブ層が形成される。
こうして、この発明では、請求項１に係る発明の導電性ボール配置用マスク（サブ層の貫通孔はメイン層の貫通孔より若干大きい）が容易に製造され得る。

［実施形態１］
次に、本発明の実施形態１について、図１〜図３に基づいて説明する。
図１に示すように、この導電性ボール配置用マスク１０Ａは、半導体ウェハ等のベース１００に対して使用される。ベース１００には複数（多数）の電極１１０が設けられている。
図１及び図３に示すように、この導電性ボール配置用マスク１０Ａは、複数（多数）の導電性ボール収容貫通孔１５を有している。各導電性ボール収容貫通孔１５は、ベース１００の各電極１１０に対応している。

導電性ボール配置用マスク１０Ａがベース１００に対して所定の位置関係で重ねられることによって、図３に示すように、各導電性ボール収容貫通孔１５がベースの各電極１１０（その位置）に合致する。
その状態で、各導電性ボール収容貫通孔１５に半田ボール２００（導電性ボール）が収容されることによって、ベース１００の各電極１１０に対して半田ボール２００が配置される（これらのことは後に詳述する）。
半田ボール２００は、半田によって形成された微小なボールであり、少なくともほぼ球状（すなわち、球状又はほぼ球状）をしている。半田ボール２００の直径は、例えば、８０〜５００μｍである。

図２及び図３に示すように、この導電性ボール配置用マスク１０Ａは、メイン金属層２０Ａ（メイン層）と、２つのサブ層（第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂ）から形成されている。

メイン金属層２０Ａは、薄板状又は薄膜状をしている。メイン金属層２０Ａは、ステンレス鋼，ニッケル，ニッケル合金等の金属によって形成されている。
メイン金属層２０Ａは第１面２１及び第２面２２を有している。ベース１００に載置される側の面（下面）のことを第１面２１といい、その反対側の面（上面）のことを第２面２２ということとする。

第１サブ層３０ａは、メイン金属層２０Ａの第１面２１に対して設けられている。
第２サブ層３０ｂは、メイン金属層２０Ａの第２面２２に対して設けられている。
第１サブ層３０ａについては、メイン金属層２０Ａの第１面２１の全面に及んでいる場合、及び、メイン金属層２０Ａの第１面２１の全面には及んでおらず、そのうちの一部が欠落している場合がある。第２サブ層３０ｂについても同様である。
第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂも、薄板状又は薄膜状をしている。第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂは、合成樹脂（アクリル系，エポキシ系等）によって形成されている。

なお、第１サブ層３０ａの下面に、複数（多数）の突起状の脚部が形成されていてもよい。その場合は、導電性ボール配置用マスク１０Ａがベース１００に対して載置されて重ねられた際に、第１サブ層３０ａ（導電性ボール配置用マスク１０Ａ）のうち脚部が形成されていない部分とベース１００との間に隙間が生ずる。
一方、脚部が形成されておらず、導電性ボール配置用マスク１０Ａがベース１００に対して載置されて重ねられた際に、第１サブ層３０ａ（導電性ボール配置用マスク１０Ａ）とベース１００とが接触する態様でもよい（図３には、その場合が示されている）。

メイン金属層２０Ａの厚さは、例えば、５０〜１５０μｍである。
第１サブ層３０ａの厚さ（脚部が形成されている場合は、その脚部を含む）及び第２サブ層３０ｂの厚さは、ともに、例えば、５０〜２００μｍである。
導電性ボール配置用マスク１０Ａ全体の厚さは、例えば、１５０〜５５０μｍである。

各導電性ボール収容貫通孔１５は、メイン金属層２０Ａ並びに第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂにわたって形成されている。
すなわち、メイン金属層２０Ａに複数の貫通孔２５Ａが形成され、第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂにも、各々、複数の貫通孔３５ａ，３５ｂが形成されている。貫通孔２５Ａ，貫通孔３５ａ，貫通孔３５ｂは、いずれも導電性ボール収容貫通孔１５の一部に該当し、各貫通孔２５Ａ，貫通孔３５ａ，貫通孔３５ｂによって各導電性ボール収容貫通孔１５が形成されているといえる。

メイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａは円形状をしており、各貫通孔２５Ａの位置は、ベース１００に設けられた各電極１１０の位置に対応している。
第１サブ層３０ａの各貫通孔３５ａ及び第２サブ層３０ｂの各貫通孔３５ｂも円形状をしており、それら各貫通孔３５ａ，３５ｂの位置は、メイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａの位置に対応している。
こうして、前述したように、各導電性ボール収容貫通孔１５の位置は、ベース１００の各電極１１０の位置に対応しているのである。

図３に示すように、メイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａの直径は、半田ボール２００の直径に対応している。すなわち、半田ボール２００の直径よりも若干大きな直径を有している。具体的には、例えば、半田ボール２００の直径よりも２０μｍ程度大きな直径を有するように設定されている。
第１サブ層３０ａの各貫通孔３５ａ及び第２サブ層３０ｂの各貫通孔３５ｂの直径は、メイン金属層２０Ａの貫通孔２５Ａの直径よりも若干大きくなるように設定されている。

そして、導電性ボール配置用マスク１０Ａが水平なベース１００（その上面）に対してセットされた状態（所定の位置関係で載置されて重ねられた状態）で、導電性ボール収容貫通孔１５に半田ボール２００が収容された際（その際、半田ボール２００は電極１１０の上に載置される）に、メイン金属層２０Ａの貫通孔２５Ａが、半田ボール２００の中央高さ部分である最大径部分（縦断面において水平方向に最も大径となる部分）に対応する。
また、上述の際に、電極１１０（その上面）と導電性ボール配置用マスク１０Ａの最も上の面（第２サブ層３０ｂの上面）との間の距離は、半田ボール２００の高さ（直径）の０．８倍〜１．４倍である。
メイン金属層２０Ａ，第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂの厚みと、半田ボール２００の直径との間には、そのような寸法関係がある。すなわち、半田ボール２００の直径に対応して、そのように各層（メイン金属層２０Ａ，第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂ）の厚みが設定されている。

ベース１００（図１）には複数の位置決め用標識（図示省略）が設けられており、それらに対応して、導電性ボール配置用マスク１０Ａにも複数の位置決め用標識（図示省略）が設けられている。

次に、この導電性ボール配置用マスク１０Ａの製造方法について、図１０Ａ〜図１０Ｃに基づいて説明する。
まず、メイン金属層２０Ａ（図１０Ａ）が、次のいずれかの公知の方法又はその他の方法で製造される。
第１の方法としては、金属板（２０Ａ）が用意され、その金属板（２０Ａ）の所定の各部位にレーザが照射されて、貫通孔２５Ａが形成される。
第２の方法としては、金属板（２０Ａ）が用意され、エッチングによって、その金属板（２０Ａ）の所定の各部位に、所定の大きさの貫通孔２５Ａが形成される。すなわち、金属板（２０Ａ）の両面にマスクが配設され、エッチング液に浸される。そのマスクには、金属板（２０Ａ）のうち各貫通孔２５Ａが形成される部分に対応して、開口が形成されている。こうして、金属板（２０Ａ）のうちマスクの各開口によって露出する部分が腐食して、その部分に貫通孔２５Ａが形成される。
第３の方法としては、電鋳法がある。すなわち、所定の母型が用意され、その母型の表面のうち、メイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａが形成される部位にレジストが配設される。その状態で、その母型の表面に対して電気めっきが行われ、そのめっきの層が所定の厚みになった状態で、そのめっきの層が母型から剥離される。こうして、所定の部位に所定の大きさの貫通孔２５Ａを有する金属板（メイン金属層２０Ａ）が形成される。

次に、メイン金属層２０Ａの第１面２１に対して、以下のように、第１サブ層３０ａが形成される。この場合、その第１面２１が、本発明のサブ層形成面に該当する。
まず、図１０Ａに示すように、メイン金属層２０Ａ（金属板）の第１面２１に対して、光硬化性フィルム４０Ａが貼着される。この段階が光硬化性フィルム配設段階である。
光硬化性フィルム４０Ａは、アクリル系，エポキシ系等の合成樹脂によって形成されており、光が照射されることによって硬化する性質を有している。

次に、同じく図１０Ａに示すように、光硬化性フィルム４０Ａに対して、フォトレジスト５０Ａが載置（配設）される。こうして、３層体（フォトレジスト配設体）（符号省略）が形成される。この段階がフォトレジスト配設段階である。
フォトレジスト５０Ａのうちメイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａに対応する部分は光透過阻止部５５とされており（すなわち、黒色をしており）、それ以外の部分は光透過部５６とされている（すなわち、透明である）。
なお、フォトレジスト５０Ａのうちメイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａに対応する部分以外の部分のすべてが光透過部５６である態様（上述）のほか、メイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａに対応する部分の周囲の部分のみが光透過部５６である、という態様でもよい。
メイン金属層２０Ａ及びフォトレジスト５０Ａのうち各々相互に対応する位置に複数の位置決め用標識（図示省略）が設けられており、それら各位置決め用標識同士が合致するように、フォトレジスト５０Ａが光硬化性フィルム４０Ａに対して貼着される。こうして、フォトレジスト５０Ａは、光硬化性フィルム４０Ａに対して、上述した所定の位置関係で貼着される。

次に、同じく図１０Ａに示すように、その３層体に対して、フォトレジスト５０Ａの側から、光が照射される。この段階が光照射段階である。
これによって、フォトレジスト５０Ａのうちの光透過部５６を光が透過し、光硬化性フィルム４０Ａのうちの光透過部５６に対応する部分に光が到達し、その部分が、硬化するとともにメイン金属層２０Ａ（第１面２１）に対して強固に固着する。こうして、硬化合成樹脂層４６（第１サブ層３０ａ）が形成される（図１０Ｂも参照）。
一方、光硬化性フィルムのうちの光透過阻止部５５に対応する部分（メイン金属層２０Ａの貫通孔２５Ａに対応する部分）には光が到達せず、その部分は硬化しない。それを未硬化部分４１（図１０Ｂ）ということとする。

次に、図１０Ｂに示すように、上述の３層体（フォトレジスト配設体）からフォトレジスト５０Ａ（図１０Ａ）が取り外され（除去され）、メイン金属層２０Ａ及び光硬化性フィルム４０Ａの２層体（フォトレジスト除去体）（符号省略）が形成される。この段階がフォトレジスト除去段階である。

次に、その２層体は、溶解用液（例えば、0.8〜1.3wt％の無水炭酸ナトリウム水溶液）に浸漬される。こうして、図１０Ｂ→図１０Ｃに示すように、その溶解用液によって光硬化性フィルム４０Ａのうちの未硬化部分４１が溶解し、硬化合成樹脂層４６（第１サブ層３０ａ）に貫通孔３５ａが形成される。この段階が溶解段階である。
硬化合成樹脂層４６は本来的に貫通孔３５ａを有しており、その貫通孔３５ａに詰まっていた未硬化部分４１が溶解することによって、その貫通孔３５ａが露出状態となる、ともいえる。

以上のようにして、図１０Ｃに示すように、メイン金属層２０Ａの第１面２１に対して、貫通孔２５Ａに対応する貫通孔３５ａを有する第１サブ層３０ａが形成される。

次に、上述の２層体（符号省略）が上下反転され、上述と同様にして、メイン金属層２０Ａの第２面２２に対して第２サブ層３０ｂ（図１０Ｃでは２点鎖線で仮想的に示されている）が形成される。
こうして、導電性ボール配置用マスク１０Ａ（図３）が製造される。

次に、この導電性ボール配置用マスク１０Ａの使用方法について、図１及び図３に基づいて説明する。
以下のようにして、半導体ウェハ等のベース１００（図１）の電極１１０に対して、接続端子が形成される。そのうちの一部の工程のために、この導電性ボール配置用マスク１０Ａが使用される。

まず、予め、半導体ウェハ等のベース１００の各電極１１０に接着剤が付着される。その際、電極１１０にのみ接着剤が付着するように、所定のマスクが使用される。
次に、図１及び図３に示すように、ベース１００に対して、導電性ボール配置用マスク１０Ａがセット（載置）される。すなわち、導電性ボール配置用マスク１０Ａは、ベース１００（その上面）に対して重ねられる。
その際、ベース１００の各位置決め用標識（前述）と導電性ボール配置用マスク１０Ａの各位置決め用標識（前述）とが合致するようにされる。こうして、前述したように、ベース１００と導電性ボール配置用マスク１０Ａとの相対的位置関係が所定のものにされる。すなわち、ベース１００の各電極１１０に、導電性ボール配置用マスク１０Ａの各導電性ボール収容貫通孔１５が合致する。

次に、図３に示すように、多数の半田ボール２００が、導電性ボール配置用マスク１０Ａの上面に対して供給され、その各半田ボール２００は、専用のブラシ又はスキージ等で、導電性ボール配置用マスク１０Ａの上面において移動される。
それによって、各半田ボール２００は、導電性ボール配置用マスク１０Ａの各導電性ボール収容貫通孔１５に収容される。
こうして、各電極１１０に対して半田ボール２００が配置される。各半田ボール２００は、接着剤（前述）によって、各電極１１０に対して仮に接着する。

その後、ベース１００から導電性ボール配置用マスク１０Ａが取り除かれ、温風によってベース１００とともに半田ボール２００が加熱される。それによって半田ボール２００が溶解する。
その後に、ベース１００とともに半田ボール２００が冷却されることによって、半田ボール２００が固化する。
こうして、その半田（半田ボール２００）が、電極１１０における接続端子となる。

次に、この導電性ボール配置用マスク１０Ａの作用及び効果について、図３に基づいて説明する。
前述したように、この導電性ボール配置用マスク１０Ａは、メイン金属層２０Ａ並びに第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂの３層構造をしており、導電性ボール配置用マスク１０Ａ全体の厚さで半田ボール２００の高さ（直径）に対応する。
このため、メイン金属層２０Ａのみの１層で半田ボール２００の高さ（直径）に対応する場合と比較して（すなわち、導電性ボール配置用マスク１０Ａ全体の厚さと比較して）、メイン金属層２０Ａの厚さが薄くされ得る。
このため、メイン金属層２０Ａの貫通孔２５Ａの大きさの寸法公差が安定する。

すなわち、前述したように、メイン金属層２０Ａの貫通孔２５Ａの直径は半田ボール２００の直径よりも若干大きい（例えば半田ボール２００の直径よりも２０μｍ程度大きい）ように設定されているのであるが、前述したメイン金属層２０Ａの製造工程（第１〜第３のいずれの方法でも）において、その実際の貫通孔２５Ａには、その所定の設置値との間における寸法の誤差（その誤差は寸法公差といわれている）が生ずる。
ここで、その寸法公差は、貫通孔２５Ａが形成される材料（この場合、メイン金属層２０Ａ）の厚さが厚いほど大きく、厚さが薄いほど小さくなる。
そして、この導電性ボール配置用マスク１０Ａでは、半田ボール２００の直径（縦断面における水平方向の直径）に対応するものがメイン金属層２０Ａであり、メイン金属層２０Ａの厚さは導電性ボール配置用マスク１０Ａ全体の厚さよりも薄いため、メイン金属層２０Ａのみの１層で導電性ボール配置用マスク１０Ａが形成される場合と比較して、貫通孔２５Ａの寸法公差が小さくなる。
このため、この導電性ボール配置用マスク１０Ａでは、各電極１１０（その中央位置）に対して、精度良く半田ボール２００を配置することができるのである。

［実施形態２］
次に、本発明の実施形態２の導電性ボール配置用マスク１０Ｂについて、図２及び図３に基づいて説明する。
この実施形態２は実施形態１の変更例であり、実施形態１との相違点を中心に説明する。対応する要素については同一の又は対応する符号を付して、その説明を適宜省略する。このことは以下同様である。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｂにおいては、第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂも、金属によって形成されている。その点において、実施形態１の導電性ボール配置用マスク１０Ａと相違する。金属としては、ステンレス鋼，ニッケル，ニッケル合金等がある。
そして、導電性ボール配置用マスク１０Ｂにおいても、実施形態１の導電性ボール配置用マスク１０Ａと同様の作用及び効果が得られる。

次に、この導電性ボール配置用マスク１０Ｂの２種類の製造方法について説明する。
導電性ボール配置用マスク１０Ｂの第１の製造方法は、次のとおりである。図１１Ａ〜図１１Ｅに基づいて説明する。

まず、メイン金属層２０Ａ（図１１Ａ）が、実施形態１の場合と同様に製造される。
次に、メイン金属層２０Ａの第１面２１に対して、以下のように、第１サブ層３０ａが形成される。この場合、その第１面２１が、本発明のサブ層形成面に該当する。

まず、図１１Ａに示すように、メイン金属層２０Ａ（金属板）の第１面２１に対して、光硬化性フィルム４０Ｂが貼着される。この段階が光硬化性フィルム配設段階である。
光硬化性フィルム４０Ｂは、アクリル系，エポキシ系等の合成樹脂によって形成されており、光が照射されることによって硬化する性質を有している。

次に、同じく図１１Ａに示すように、光硬化性フィルム４０Ｂに対して、フォトレジスト５０Ｂが載置（配設）される。こうして、３層体（フォトレジスト配設体）（符号省略）が形成される。この段階がフォトレジスト配設段階である。
フォトレジスト５０Ｂのうちメイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａに対応する部分は光透過部５６とされており（すなわち、透明であり）、それ以外の部分は光透過阻止部５５とされている（すなわち、黒色をしている）。各光透過部５６は、対応する各貫通孔２５Ａよりも若干大きなものとされている。
なお、フォトレジスト５０Ｂのうちメイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａに対応する部分以外の部分のすべてが光透過阻止部５５である態様（上述）のほか、メイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａに対応する部分の周囲の部分のみが光透過阻止部５５である、という態様でもよい。
実施形態１の場合と同様に、メイン金属層２０Ａ及びフォトレジスト５０Ｂのうち各々相互に対応する位置に複数の位置決め用標識（図示省略）が設けられており、それら各位置決め用標識同士が合致するように、フォトレジスト５０Ｂが光硬化性フィルム４０Ｂに対して貼着される。こうして、フォトレジスト５０Ｂは、光硬化性フィルム４０Ｂに対して、上述した所定の位置関係で貼着される。

次に、同じく図１１Ａに示すように、その３層体に対して、フォトレジスト５０Ｂの側から光が照射される。この段階が光照射段階である。
これによって、フォトレジスト５０Ｂのうちの光透過部５６を光が透過し、光硬化性フィルム４０Ｂのうちの光透過部５６に対応する部分に光が到達して、その部分が、硬化するとともにメイン金属層２０Ａ（第１面２１）に対して強固に固着する。こうして、合成樹脂のめっき阻止部４７が形成される（図１１Ｂも参照）。
一方、光硬化性フィルム４０Ｂのうちの光透過阻止部５５に対応する部分には光が到達せず、その部分は硬化しない。それを未硬化部分４２（図１１Ｂ）ということとする。
各めっき阻止部４７は、メイン金属層２０Ａの各貫通孔２５Ａに対応してメイン金属層２０Ａの上に形成され、各貫通孔２５Ａよりも若干大きな形状を有している。このため、各めっき阻止部４７は、そのうちの各貫通孔２５Ａよりも大きな部分（円環状をなす）において、メイン金属層２０Ａに対して固着する。

次に、図１１Ｂに示すように、上述の３層体（フォトレジスト配設体）からフォトレジスト５０Ｂ（図１１Ａ）が取り外され（除去され）、メイン金属層２０Ａ及び光硬化性フィルム４０Ｂの２層体（フォトレジスト除去体）（符号省略）が形成される。この段階がフォトレジスト除去段階である。

次に、その２層体は、溶解用液（例えば、0.8〜1.3wt％の無水炭酸ナトリウム水溶液）に浸漬される。
こうして、図１１Ｂ→図１１Ｃに示すように、その溶解用液によって光硬化性フィルム４０Ｂのうちの未硬化部分４２が溶解し、メイン金属層２０Ａの第１面２１のうち、めっき阻止部４７が設けられている部分以外の部分（光透過阻止部５５に対応する部分）が露出する。この段階がサブ層形成面露出段階である。

次に、図１１Ｃ→図１１Ｄに示すように、メイン金属層２０Ａの第１面２１（サブ層形成面）のうち露出した部分に対して、電気めっきによって、ニッケル等からなる金属層３２（第１サブ層３０ａ）が形成される。この段階がめっき段階である。
すなわち、メイン金属層２０Ａの第１面２１の側に対して電気めっきが行われることによって、図１１Ｄに示すように、第１面２１のうち露出している部分（めっき阻止部４７が設けられていない部分）に金属層３２（第１サブ層３０ａ）が形成される。一方、めっき阻止部４７（合成樹脂）には、金属層（３２）は形成されない。
こうして、メイン金属層２０Ａ並びに金属層３２及びめっき阻止部４７の２層体（符号省略）が形成される。

次に、その２層体は、溶解用液（例えば、2.5〜3.5wt％の水酸化ナトリウム水溶液、又は、5〜10vol％のアミン系剥離剤水溶液）に浸漬される。
こうして、図１１Ｄ→図１１Ｅに示すように、その溶解用液によってめっき阻止部４７が溶解し、金属層３２（第１サブ層３０ａ）に貫通孔３５ａが形成される。この段階が溶解段階である。
金属層３２は本来的に貫通孔３５ａを有しており、その貫通孔３５ａに詰まっていためっき阻止部４７が溶解することによって、その貫通孔３５ａが露出状態となる、ともいえる。

以上のようにして、図１１Ｅに示すように、メイン金属層２０Ａの第１面２１に対して、貫通孔２５Ａに対応し貫通孔２５Ａよりも若干大径の貫通孔３５ａを有する第１サブ層３０ａが形成される。

次に、上述の２層体（符号省略）が上下反転され、上述と同様にして、メイン金属層２０Ａの第２面２２に対して第２サブ層３０ｂ（図１１Ｅでは２点鎖線で仮想的に示されている）が形成される。
こうして、導電性ボール配置用マスク１０Ｂ（図３）が製造される。

導電性ボール配置用マスク１０Ｂの第２の製造方法は、次のとおりである。
第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂ（図２及び図３）は、メイン金属層２０Ａと同様に製造される。すなわち、レーザ，エッチング，電鋳法等によって製造される。
メイン金属層２０Ａと同様に、第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂにも、各々相互に対応する複数の位置決め用標識（図示省略）が設けられている。
そして、第１サブ層３０ａの位置決め用標識がメイン金属層２０Ａの位置決め用標識に合致するようにして、第１サブ層３０ａが、メイン金属層２０Ａの第１面２１に貼着される。
同様にして、第２サブ層３０ｂが、メイン金属層２０Ａの第２面２２に貼着される。
こうして、この導電性ボール配置用マスク１０Ｂが製造される。

なお、この実施形態２の変形例として、第１サブ層３０ａ及び第２サブ層３０ｂのうちのいずれか一方が実施形態１のように合成樹脂によって形成され、他方が実施形態２のように金属によって形成されている、という態様がある。

［実施形態３］
次に、本発明の実施形態３の導電性ボール配置用マスク１０Ｃについて、図４に基づいて説明する。この実施形態３は実施形態１又は２の変更例であり、実施形態１等との相違点を中心に説明する。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｃのメイン金属層２０Ｃの貫通孔２５Ｃは、第２面２２（上面）から第１面２１（下面）に到るにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしている。
この導電性ボール配置用マスク１０Ｃでは、メイン金属層２０Ｃの貫通孔２５Ｃのうち、半田ボール２００の中央高さ部分に対応する高さ部分が、半田ボール２００の直径に対応する（例えば半田ボール２００の直径よりも２０μｍ程度大きい）ように設定されている。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｃでは、メイン金属層２０Ｃの貫通孔２５Ｃが第２面２２（上面）から第１面２１（下面）に向かうにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしているため、逆にいうと、第１面２１（下面）から第２面２２（上面）に向かうにつれて徐々に大径となる。
このため、この導電性ボール配置用マスク１０Ｃでは、一般的に、導電性ボール収容貫通孔１５に半田ボール２００を収容しやすいという利点がある。

［実施形態４］
次に、本発明の実施形態４の導電性ボール配置用マスク１０Ｄについて、図５に基づいて説明する。この実施形態４も実施形態１又は２の変更例であり、実施形態１等との相違点を中心に説明する。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｄのメイン金属層２０Ｄの貫通孔２５Ｄは、第１面２１（下面）から第２面２２（上面）に到るにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしている。
この導電性ボール配置用マスク１０Ｄでは、メイン金属層２０Ｄの貫通孔２５Ｄのうち最も上の部分、すなわち、貫通孔２５Ｄのうちメイン金属層２０Ｄの第２面２２（上面）の部分が、半田ボール２００の直径に対応する（例えば半田ボール２００の直径よりも２０μｍ程度大きい）ように設定されている。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｄでは、メイン金属層２０Ｄの貫通孔２５Ｄが第１面２１（下面）から第２面２２（上面）に向かうにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしているため、一般的に、一旦導電性ボール収容貫通孔１５に収容された半田ボール２００がその導電性ボール収容貫通孔１５から抜け出ることが防止される。

［実施形態５］
次に、本発明の実施形態５の導電性ボール配置用マスク１０Ｅについて、図６に基づいて説明する。この実施形態５は、実施形態１又は２と関連する形態であり、実施形態１等との相違点を中心に説明する。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｅは、メイン金属層２０Ｅとサブ層３０との２層構造を有している。メイン金属層２０Ｅの第１面２１（下面）にサブ層３０が形成されている。サブ層３０は、合成樹脂又は金属によって形成されている。
メイン金属層２０Ｅの厚さは、例えば、５０〜３５０μｍである。サブ層３０の厚さは、例えば、５０〜２００μｍである。導電性ボール配置用マスク１０Ｅ全体の厚さは、例えば、１００〜５５０μｍである。
そして、導電性ボール配置用マスク１０Ｅが水平なベース１００（その表面）に対してセット（載置）された際に、半田ボール２００の中央高さ部分（縦断面において水平方向に最も大径となる部分）がメイン金属層２０Ｅに対応するようにされている。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｅでも、実施形態１等と同様の作用及び効果が得られる。
すなわち、この導電性ボール配置用マスク１０Ｅでも、メイン金属層２０Ｅの厚さは導電性ボール配置用マスク１０Ｅ全体の厚さよりも薄いため、メイン金属層２０Ｅの貫通孔２５Ｅの大きさの寸法公差が安定する。このため、この導電性ボール配置用マスク１０Ｅでは、各電極１１０（その中央位置）に対して、精度良く半田ボール２００を配置することができる。

［実施形態６］
次に、本発明の実施形態６の導電性ボール配置用マスク１０Ｆについて、図７に基づいて説明する。この実施形態６は、実施形態５の変更例であり、実施形態５との相違点を中心に説明する。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｆは、メイン金属層２０Ｆとサブ層３０との２層構造を有している。サブ層３０は、メイン金属層２０Ｆの第２面２２（上面）に形成されている。すなわち、実施形態６の導電性ボール配置用マスク１０Ｆは、実施形態５の導電性ボール配置用マスク１０Ｅが上下反転された構造を有している。
そして、この実施形態６の導電性ボール配置用マスク１０Ｆでも、実施形態５の導電性ボール配置用マスク１０Ｅと同様の作用及び効果が得られる。

［実施形態７］
次に、本発明の実施形態７の導電性ボール配置用マスク１０Ｇについて、図８に基づいて説明する。この実施形態７も実施形態５の変更例であり、実施形態５との相違点を中心に説明する。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｇのメイン金属層２０Ｇの貫通孔２５Ｇは、第２面２２（上面）から第１面２１（下面）に到るにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしている。
この導電性ボール配置用マスク１０Ｇでは、メイン金属層２０Ｇの貫通孔２５Ｇのうち、半田ボール２００の中央高さ部分に対応する高さ部分が、半田ボール２００の直径に対応する（例えば半田ボール２００の直径よりも２０μｍ程度大きい）ように設定されている。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｇでは、メイン金属層２０Ｇの貫通孔２５Ｇが第２面２２（上面）から第１面２１（下面）に向かうにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしているため、この導電性ボール配置用マスク１０Ｇでも、半田ボール２００を収容しやすいという利点がある。

［実施形態８］
次に、本発明の実施形態８の導電性ボール配置用マスク１０Ｈについて、図９に基づいて説明する。この実施形態８も実施形態５の変更例であり、実施形態５との相違点を中心に説明する。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｈのメイン金属層２０Ｈの貫通孔２５Ｈは、第１面２１（下面）から第２面２２（上面）に到るにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしている。
この導電性ボール配置用マスク１０Ｈでは、メイン金属層２０Ｈの貫通孔２５Ｈのうち最も上の部分、すなわち、貫通孔２５Ｈのうちメイン金属層２０Ｈの第２面２２（上面）の部分が、半田ボール２００の直径に対応する（例えば半田ボール２００の直径よりも２０μｍ程度大きい）ように設定されている。

この導電性ボール配置用マスク１０Ｈでも、メイン金属層２０Ｈの貫通孔２５Ｈが第１面２１（下面）から第２面２２（上面）に向かうにつれて徐々に小径になるようにテーパ状をしているため、一旦導電性ボール収容貫通孔１５に収容された半田ボール２００がその導電性ボール収容貫通孔１５から抜け出ることが防止される。

なお、上述のものはあくまで本発明の数例の実施形態に過ぎず、それによって本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の範囲は特許請求の範囲の記載及びその精神に基づいて定められるのであり、本発明に含まれる態様として、その範囲内で種々の変更及び修正をされたものがあり得ることは、当業者にとって明らかである。

例えば、各実施形態の特徴を任意に組み合わせた態様が考えられる。
また、サブ層（第１サブ層及び／又は第２サブ層）の貫通孔もテーパ状（上方から下方に向かうにつれて小径又は大径になる）とされていてもよい。
また、メイン金属層及び／又はサブ層（第１サブ層及び／又は第２サブ層）の貫通孔のうちの中途高さ位置から上方の部分が、下方から上方に向かうにつれて徐々に小径又は大径となっていてもよい。
メイン金属層及び／又はサブ層（第１サブ層及び／又は第２サブ層）の貫通孔のうちの中途高さ位置から下方の部分が、下方から上方に向かうにつれて徐々に小径又は大径となっていてもよい。
また、メイン金属層及び／又はサブ層（第１サブ層及び／又は第２サブ層）の貫通孔のうち、第１の中途高さ位置と第２の中途高さ位置との間の部分が、下方から上方に向かうにつれて徐々に小径又は大径となっていてもよい。

また、メイン金属層及び／又はサブ層（第１サブ層及び／又は第２サブ層）の貫通孔のうちの中途高さ位置から上方の部分が上方から下方に向かうにつれて徐々に小径となり、その中途高さ位置から下方の部分が上方から下方に向かうにつれて徐々に大径となるという２重のテーパ状であってもよい。
逆に、メイン金属層及び／又はサブ層（第１サブ層及び／又は第２サブ層）の貫通孔のうちの中途高さ位置から上方の部分が上方から下方に向かうにつれて徐々に大径となり、その中途高さ位置から下方の部分が上方から下方に向かうにつれて徐々に小径となるという２重のテーパ状であってもよい。

また、１つのメイン層及び１つ又は２つのサブ層からなる２層又は３層の態様に限らず、それらに対して他の１つ又は複数の層が付加された態様もあり得る。

本発明の実施形態１の導電性ボール配置用マスク及びその使用方法を示す斜視図である。 本発明の実施形態１及び２の導電性ボール配置用マスクを示す分解斜視図である。 本発明の実施形態１及び２の導電性ボール配置用マスクを示す縦断面図である。 本発明の実施形態３の導電性ボール配置用マスクを示す縦断面図である。 本発明の実施形態４の導電性ボール配置用マスクを示す縦断面図である。 本発明の実施形態５の導電性ボール配置用マスクを示す縦断面図である。 本発明の実施形態６の導電性ボール配置用マスクを示す縦断面図である。 本発明の実施形態７の導電性ボール配置用マスクを示す縦断面図である。 本発明の実施形態８の導電性ボール配置用マスクを示す縦断面図である。 本発明の実施形態１の導電性ボール配置用マスクの製造方法の一段階を示す縦断面図である。 本発明の実施形態１の導電性ボール配置用マスクの製造方法の次の段階を示す縦断面図である。 本発明の実施形態１の導電性ボール配置用マスクの製造方法の次の段階を示す縦断面図である。 本発明の実施形態２の導電性ボール配置用マスクの製造方法の一段階を示す縦断面図である。 本発明の実施形態２の導電性ボール配置用マスクの製造方法の次の段階を示す縦断面図である。 本発明の実施形態２の導電性ボール配置用マスクの製造方法の次の段階を示す縦断面図である。 本発明の実施形態２の導電性ボール配置用マスクの製造方法の次の段階を示す縦断面図である。 本発明の実施形態２の導電性ボール配置用マスクの製造方法の次の段階を示す縦断面図である。

符号の説明

１０Ａ〜１０Ｈ 導電性ボール配置用マスク
１５ 導電性ボール収容貫通孔
２０Ａ〜２０Ｈ メイン金属層（メイン層）
２１ 第１面
２２ 第２面
２５Ａ〜２５Ｈ 貫通孔
３０ａ 第１サブ層（サブ層）
３０ｂ 第２サブ層（サブ層）
３０ サブ層
３５ａ，３５ｂ 貫通孔
４０Ａ，４０Ｂ 光硬化性フィルム
４７ めっき阻止部
５０Ａ，５０Ｂ フォトレジスト
５５ 光透過阻止部
５６ 光透過部
１００ ベース
１１０ 電極
２００ 半田ボール（導電性ボール）

Claims (5)

1. 導電性ボール収容貫通孔を有し、ベースに対して重ねられた状態で当該導電性ボール収容貫通孔に導電性ボールが収容されることによって、当該導電性ボールが前記ベースの所定の位置に配置されるマスクであって、
   第１面及びその反対側の面である第２面と、前記第１面と前記第２面との間にわたって形成され前記導電性ボール収容貫通孔の一部に該当する貫通孔とを有し、その貫通孔において前記導電性ボールの最大径部分に対応するメイン層と、
   前記メイン層の第１面及び第２面の少なくとも一方の面に対して設けられ、前記メイン層の貫通孔に対応し前記導電性ボール収容貫通孔の他の一部に該当する貫通孔を有するサブ層と
   を有する、導電性ボール配置用マスク。
2. 請求項１に記載の導電性ボール配置用マスクであって、
   前記第１面は、前記ベースに対して重ねられる側の面であり、
   前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも一部は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かうにつれて徐々に大径になる、
   導電性ボール配置用マスク。
3. 請求項１に記載の導電性ボール配置用マスクであって、
   前記第１面は、前記ベースに対して重ねられる側の面であり、
   前記メイン層の前記貫通孔のうちのその厚み方向における少なくとも一部は、前記第１面の側から前記第２面の側に向かうにつれて徐々に小径になる、
   導電性ボール配置用マスク。
4. 第１面及びその反対側の第２面並びに前記第１面と前記第２面との間にわたって形成された貫通孔を有するメイン層を用意する段階と、
   前記メイン層の第１面及び第２面のうちの少なくとも一方の面であるサブ層形成面に対して、前記メイン層の貫通孔に対応する貫通孔を有するサブ層を形成するサブ層形成段階とを有し、
   前記サブ層形成段階は、
   前記サブ層形成面に対して光硬化性フィルムを配設する光硬化性フィルム配設段階と、
   前記メイン層の貫通孔に対応する部分が光透過阻止部であり、それ以外のうち少なくとも前記光透過阻止部の周囲の部分が光透過部であるフォトレジストを前記光硬化性フィルムに対して配設してフォトレジスト配設体を形成するフォトレジスト配設段階と、
   前記フォトレジストの側から前記フォトレジスト配設体に対して光を照射して、前記光硬化性フィルムのうち前記光透過部に対応する部分を硬化させる光照射段階と、
   前記フォトレジスト配設体から前記フォトレジストを除去してフォトレジスト除去体を形成するフォトレジスト除去段階と、
   前記フォトレジスト除去体における前記光硬化性フィルムのうち前記光透過阻止部に対応する部分を溶解用液によって溶解させる溶解段階と
   を有する、導電性ボール配置用マスクの製造方法。
5. 第１面及びその反対側の第２面並びに前記第１面と前記第２面との間にわたって形成された貫通孔を有するメイン層を用意する段階と、
   前記メイン層の第１面及び第２面のうちの少なくとも一方の面であるサブ層形成面に対して、前記メイン層の貫通孔に対応し当該貫通孔より若干大きい貫通孔を有するサブ層を形成するサブ層形成段階とを有し、
   前記サブ層形成段階は、
   前記サブ層形成面に対して光硬化性フィルムを配設する光硬化性フィルム配設段階と、
   前記メイン層の貫通孔に対応し当該貫通孔よりも若干大きい部分が光透過部であり、それ以外のうち少なくとも前記光透過部の周囲の部分が光透過阻止部であるフォトレジストを前記光硬化性フィルムに対して配設してフォトレジスト配設体を形成するフォトレジスト配設段階と、
   前記フォトレジストの側から前記フォトレジスト配設体に対して光を照射して、前記光硬化性フィルムのうち前記光透過部に対応する部分を硬化させてめっき阻止部を形成する光照射段階と、
   前記フォトレジスト配設体から前記フォトレジストを除去してフォトレジスト除去体を形成するフォトレジスト除去段階と、
   前記フォトレジスト除去体における前記光硬化性フィルムのうち前記めっき阻止部以外の部分を溶解用液によって溶解させ、前記サブ層形成面のうち前記めっき阻止部が形成されている部分以外の部分を露出させるサブ層形成面露出段階と、
   前記サブ層形成面のうち露出した部分に対してめっきによって金属層を形成するめっき段階と、
   前記めっき阻止部を溶解用液によって溶解させる溶解段階と
   を有する、導電性ボール配置用マスクの製造方法。

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