JP2007329830A - 電力増幅装置及び通信装置並びに電力増幅器の調整方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイアス電圧の印加に応じて誘電率が変化する誘電体層を用いた可変容量コンデンサを整合回路22に用いた、高周波信号を増幅する電力増幅器と、前記電力増幅器の利得を検出する利得検出手段と、前記電力増幅器の消費電流を検出する消費電流検出手段と、前記電力増幅器の出力側の負荷状態を変化させたときの、初期バイアス電圧及び各負荷状態における前記電力増幅器の利得,消費電流及び前記高周波信号の歪みに対する最適なバイアス電圧の値と、を予め記憶したメモリ24と、前記利得検出手段により検出した利得と、前記消費電流検出手段により検出した消費電流とから、前記メモリに基づき決定される最適なバイアス電圧の値を前記可変容量コンデンサに印加するバイアス電圧制御手段と、を含む通信装置である。
【選択図】図1
Description
電力増幅器23は、入力整合回路と入力整合回路に接続された電力を増幅するためのトランジスタとを含むIC26と、IC26の出力側に接続された可変整合回路22とから成る。この例では、IC26は、入力側に入力側整合回路を、出力側に電力を増幅するトランジスタを配置して成り、入力側整合回路は、電力増幅器23の入力側負荷(通常50Ω)とトランジスタの入力側負荷とを整合させている。
利得検出回路は、電力増幅器23の入力側と出力側とに接続されており、それぞれの電力を検出し電力差を算出することで、IC26と可変整合回路22とから成る電力増幅器23の利得を検出することができる。電力の検出には、カプラーとレベル検出器とから構成されたものが一般的に用いられている。
消費電流検出回路は、IC26に接続された電流検出器21から成る。なお、Vddは、IC26を駆動する電圧である。
メモリ24には、以下の(1)〜(4)のステップにより、予め電力増幅器23の出力側の負荷を変動させたときの各負荷状態におけるバイアス電圧の値、電力増幅器23の利得、及び電力増幅器23の消費電流とを測定して記憶させるとともに、各負荷状態における電力増幅器23の利得、消費電流、高周波信号の歪みを目標値に補正するためのバイアス電圧の補正値を記憶させる。なお、負荷(インピーダンス)は電圧定在波比(VSWR:voltage standing wave ratio)と位相とで表すことができる。このため、負荷状態を変化させるときには、VSWRを同一として位相を変化させ、次にVSWRを変化させて、同様に位相を変化させる、という作業を繰り返す。ここで、VSWRとは、反射特性を表したもので、入射した電圧信号(入射波)と反射して戻ってくる電圧信号(反射波)とにより生じる電圧定在波における最大値と最小値の比である。
まず、電力増幅器23の出力側の負荷状態を一定として、バイアス電圧の値を変化させ、各バイアス電圧の値を印加したときの、電力増幅器23の利得,消費電流及び高周波信号の歪み(以下、電力増幅器23の特性ということがある)を測定する。
ステップ(1)の一定の負荷状態で測定した結果から、電力増幅器23の利得,消費電流及び高周波信号の歪みが、予め定めた条件を満たす目標値となるときのバイアス電圧の値を、(1)の負荷状態における補正値として記憶する。
次に、電力増幅器23の出力側の負荷状態を変化させて、ステップ(1),(2)を行ない、各負荷状態における補正値を記憶する。
ステップ(1),(3)で測定した結果から、各負荷状態におけるバイアス電圧の値と電力増幅器23の利得及び消費電流との関係を記憶する。
次に、メモリ24に記憶させる内容のうち、特に重要なバイアス電圧の補正値を決定するステップであるステップ(3)について、さらに具体的に説明する。具体例として、本発明の電力増幅装置を、中心周波数1880MHzである北米PCS(Personal Communication Service)帯のCDMA(Code Division Multiple Access)端末に用いられる移動体通信端末の送信回路に適用した場合を例に説明する。
バイアス制御回路は、可変容量コンデンサCt1,Ct2それぞれのバイアス供給回路BIに接続された端子V1,V2を有している。バイアス供給回路は、初期設定状態においては、電力増幅器23の出力側の負荷を50Ωとしたときの補正値のバイアス電圧を端子V1,V2から印加するが、実際の使用時においては、利得検出回路,消費電流検出回路から利得,消費電流を得て、その状態におけるバイアス電圧の値と利得と消費電流との組み合わせから、現在の負荷状態の絶対値を判定し、表1に示すようなバイアス電圧の補正値を端子V1,V2から印加する。これにより、消費電流と利得との変動傾向の判断が不要となり、負荷変動に対する制御を早く、かつ、安定して行うことができる。
2:下部電極層
31、32、33、34:導体ライン
4:誘電体層
5:上部電極層
61、62、63、64、65、66、67、68:薄膜抵抗
7:絶縁層
8:引き出し電極層
9:保護層
10:半田拡散防止層
111、112、113、114:半田端子部
C1、C2、C3、C4、C5:可変容量素子
Ct1、Ct2:可変容量コンデンサ
B11、B12、B13:第1バイアスライン
B21、B22、B23:第2バイアスライン
R11、R12、R13、R21、R22、R23:抵抗成分
V1、V2、VI、V0:バイアス端子
Claims (4)
- バイアス電圧の印加に応じて誘電率が変化する誘電体層を具備する可変容量コンデンサを用いた可変整合回路を含む、高周波信号を増幅する電力増幅器と、
前記電力増幅器の利得を検出する利得検出回路と、
前記電力増幅器の消費電流を検出する消費電流検出回路と、
前記電力増幅器の出力側の負荷状態を変化させたときの各負荷状態における前記バイアス電圧の値、前記電力増幅器の利得、及び前記電力増幅器の消費電流と、前記各負荷状態における前記電力増幅器の利得、消費電流及び前記高周波信号の歪みを目標値に補正するためのバイアス電圧の補正値と、を予め記憶したメモリと、
前記利得検出回路により検出した利得と前記消費電流検出回路により検出した消費電流とから、前記メモリに記憶された内容に基づき、前記負荷状態を判別し、その負荷状態における前記補正値を得て、前記可変容量コンデンサに印加する前記バイアス電圧を前記補正値に設定するバイアス電圧制御回路と、を含む電力増幅装置。 - 前記可変容量コンデンサは、
前記誘電体層と、前記誘電体層を挟持する一対の電極とから成る、複数個の可変容量素子が直列接続されており、
複数個の前記可変容量素子の一対の電極のいずれか一方にそれぞれ接続された、抵抗成分又はインダクタ成分の少なくとも一方を含むバイアス供給回路を有する請求項1に記載の電力増幅装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の電力増幅装置を高周波信号の電力増幅に用いる通信装置。
- バイアス電圧の印加に応じて誘電率が変化する誘電体層を具備する可変容量コンデンサを用いた可変整合回路を含む、高周波信号を増幅する電力増幅器の調整方法であって、下記(1)〜(4)のステップを予め行ない、前記電力増幅器の利得及び消費電流の測定値と、測定時のバイアス電圧の値とから、(4)で記憶した内容に基づき前記電力増幅器の出力側の負荷状態を判別し、(2),(3)で記憶した内容に基づき判別した負荷状態におけるバイアス電圧の補正値を得て、前記可変容量コンデンサに印加する前記バイアス電圧を前記補正値に設定することで、前記電力増幅器の利得,消費電流及び前記高周波信号の歪みを目標値とする電力増幅器の調整方法。
(1)前記電力増幅器の出力側の負荷状態を一定として、バイアス電圧の値を変化させ、各バイアス電圧の値を印加したときの、前記電力増幅器の利得,消費電流及び高周波信号の歪みを測定する。
(2)(1)で測定した結果から、前記電力増幅器の利得,消費電流及び高周波信号の歪みが、予め定めた条件を満たす目標値となるときのバイアス電圧の値を、(1)の負荷状態における補正値として記憶する。
(3)前記電力増幅器の出力側の負荷状態を変化させて、(1),(2)を行ない、各負荷状態における補正値を記憶する。
(4)(1),(3)で測定した結果から、各負荷状態におけるバイアス電圧の値と前記電力増幅器の利得及び消費電流との関係を記憶する。
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