JP2007329406A - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】はんだ付け実装加熱前後の温度差により生じる樹脂封止部のたわみを低減するこができ、小型化・薄型化を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム１，２上に搭載した半導体素子３，４を樹脂封止する樹脂封止部９を備える半導体装置において、樹脂封止部９は、正面視矩形状の上面と該上面と対向する正面視矩形状の下面とを有し、上面及び下面の少なくとも一方の面の端辺９ａ，９ｅに、端辺９ａ，９ｅに沿う窪み部１０，１２を有することとする。
【選択図】図３

Description

本発明は、リードフレーム上に搭載した半導体素子を樹脂封止する樹脂封止部を備える半導体装置、及びそのような半導体装置を用いた電子機器に関する。

電気・電子部品としての半導体装置は、プリント基板等にはんだ付け実装されて使用される。このような半導体装置は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にてモールド（樹脂封止）されたものが多い。

ここで、一例として、二層モールドタイプの半導体装置の構造について、図１６〜図２２の従来例に係る半導体装置の構造を示す模式図を参照しながらその製造方法とともに説明する。

図１６は上面視形状を示す正面図であり、図１７は下面視形状を示す正面図であり、図１８及び図１９は側面視形状を示す側面図であり、図２０及び図２１は端子側側面視形状を示す側面図である。さらに、図２２は、図１７のＸ−Ｘ線に沿う断面図（図面の見易さを考慮し、断面部のハッチング及び内部構造は省略してある）である。

なお、図１７及び図１８は、従来例に係る半導体装置の概略構成を透視的に示す図であり、２次樹脂封止部にて覆われた内部構造を点線で示している。

まず、予め折り曲げ加工されたＣｕ合金またはＦｅ合金等の金属からなるリードフレーム１０１，１０２の先端部分（ヘッダー部）に、発光素子１０３と受光素子１０４とを各々個別にＡｇペースト等の導電性ペーストのダイボンド材（不図示）によってダイボンドして搭載する。そして、発光素子１０３と受光素子１０４とを、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１０１、受光素子側リードフレーム１０２）にＡｕ線等のワイヤ（発光素子側ワイヤ１０５、受光素子側ワイヤ１０６）でワイヤボンドして結線接続する。

次に、発光素子１０３の全体を、応力緩和用のシリコーン樹脂１０７によってプリコートして被覆する。そして、発光素子１０３と受光素子１０４とがダイボンドされたリードフレーム１０１，１０２を組み合わせ、スポット溶接またはローディングフレームセットすることにより、発光素子１０３と受光素子１０４とをそれぞれ位置決めして対向配置する。この状態で、発光素子１０３から受光素子１０４への光路が形成されるように、透光性エポキシ樹脂にて１次トランスファモールドを行って１次樹脂封止部１０８を形成する。そして、樹脂漏れした余分な箇所の樹脂バリを、バリ抜き用金型やブラスター等により機械的に除去するバリ取りを行い、隣接するリードフレーム間を支持し、トランスファモールド等の樹脂封止時の樹脂漏れを低減するよう設けられた補助リード部を切除するタイバーカットを行う。

このようにして１次樹脂封止部１０８を形成した後、外乱光の入射や内部からの光漏れをなくし、発光素子１０３から受光素子１０４への光信号を確実に伝達することができるように、１次樹脂封止部１０８の外周の全面に遮光性エポキシ樹脂による２次トランスファモールドを行って２次樹脂封止部１０９を形成する。その後、リードフレーム１０１，１０２の２次樹脂封止部１０９から外部に露出した部分に外装めっきを施し、タイバーカットを行う。さらに、パッケージから露出しているリードフレーム１０１，１０２を成形加工して外部端子とするフォーミングを行った後、外部端子間の絶縁性を評価するための絶縁耐圧試験、電気特性検査、外観検査、梱包の各工程を経て、図１６〜図２２に示す構造の半導体装置を完成する。

このような半導体装置をはんだ付け実装する場合には、実装時の加熱温度が比較的低いＳｎ−Ｐｂはんだがこれまで使用されていたが、近年では、鉛（Ｐｂ）を含めた環境負荷物質の使用を制限するＲｏＨＳ指令や廃棄物資源のリサイクル性を配慮し、Ｓｎ−Ｐｂはんだに代わり、ＳｎＡｇＣｕ等の無鉛はんだが使用されるようになってきている。

しかしながら、無鉛はんだは従来のＳｎ―Ｐｂはんだに比べて溶融温度が高く、はんだ付け実装時の加熱温度が高くなる傾向がある。

また、近年におけるデジタル家電や通信関連で採用されるプリント基板の高集積化により、搭載される半導体装置に対する小型・薄型化への要求は加速する傾向にある。

従って、小型・薄型化する半導体装置は、前述のはんだ実装時の加熱温度条件の高温化により、はんだ付け実装加熱前後の温度差による樹脂封止部のたわみが生じ易く、はんだ付け不良が発生し易いという問題があった。

特許文献１に開示された半導体装置では、樹脂封止部の中央部に溝状の凹部が形成されているため、樹脂封止部に凹部が形成されていない半導体装置に比べると前述のたわみは生じ難いが、その凹部下部にはリードフレームや発光素子等のデバイスが存在するため、肉厚のあるパッケージ構造が必要となり、小型化・薄型化に対応することが困難である。
特開昭５９−９８５６５公報

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、樹脂封止部の端辺部に窪み部を設けることにより、はんだ付け実装加熱前後の温度差により生じる樹脂封止部のたわみを低減するこができ、小型化・薄型化を実現することのできる半導体装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、本発明に係る半導体装置を搭載することにより、プリント基板等へ半導体装置を実装する際のはんだ不良が生じない高品質な電子機器を提供することを他の目的とする。

本発明に係る半導体装置は、リードフレーム上に搭載した半導体素子を樹脂封止する樹脂封止部を備える半導体装置において、前記樹脂封止部は正面視矩形状の上面と該上面と対向する正面視矩形状の下面とを有し、前記上面及び前記下面の少なくとも一方の面の端辺に、該端辺に沿う窪み部を有することを特徴とする。

この構成により、樹脂封止部が、上面及び下面の少なくとも一方の面の端辺部に窪み部による梁効果を有することとなる。つまり、窪み部を形成する複数面（交差部）が梁として作用し、樹脂封止部のたわみを抑制することとなる。よって、はんだ付け実装加熱前後の温度差により生じるたわみを低減でき、精度の良いはんだ付け実装を実現できる半導体装置となる。

また、窪み部は樹脂封止部の端辺部に設けてあり、樹脂封止部の中央付近に位置する半導体素子への窪み部形成による影響を考慮する必要がないので、小型化・薄型化を実現することができる。

本発明に係る半導体装置では、前記窪み部は、前記上面又は前記下面の長手方向の端辺に沿って設けてあることを特徴とする。

この構成により、樹脂封止部が、上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部に窪み部による梁効果を有することとなる。

本発明に係る半導体装置では、前記窪み部は、前記長手方向の端辺と該端辺と隣接する短手方向の一端辺とに沿うＬ字形としてあることを特徴とする。

この構成により、樹脂封止部が、上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と該端辺部と隣接する短手方向の一端辺部とに窪み部による梁効果を有することとなる。

また、樹脂封止部の成形の際には、Ｌ字形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れが収束されるので、流動性よく安定した成形を確保することができる。

本発明に係る半導体装置では、前記窪み部は、前記長手方向の端辺と該端辺と隣接する短手方向の両端辺とに沿うＵ字形としてあることを特徴とする。

この構成により、樹脂封止部が、上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と該端辺部と隣接する短手方向に沿う両端辺部とに窪み部による梁効果を有することとなる。

また、樹脂封止部の成形の際には、Ｕ字形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れが収束されるので、流動性よく安定した成形を確保することができる。

本発明に係る半導体装置では、前記長手方向の端辺の中央部は、前記短手方向の窪み部と平行に形成された窪み部を備えてＥ字形としてあることを特徴とする。

この構成により、樹脂封止部が、Ｕ字形を形成する上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と該端辺部と隣接する短手方向に沿う両端辺部とに加えて、Ｕ字形の底となる前記長手方向の端辺の中央部にも窪み部による梁効果を有することとなる。

また、樹脂封止部の成形の際には、Ｅ字形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れが収束されるので、流動性よく安定した成形を確保することができる。

本発明に係る半導体装置では、前記窪み部は、前記長手方向の端辺及び該端辺と隣接する短手方向の一端辺とで直角を挟む二辺をなす直角三角形としてあることを特徴とする。

この構成により、樹脂封止部が上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と短手方向に沿う端辺部とそれら端辺部を結ぶ傾斜部とに梁効果を有することとなる。

また、樹脂封止部の成形の際には、直角三角形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れを収束させて、流動性よく安定した成形を確保することができる。

本発明に係る半導体装置では、前記窪み部の窪み角度を９０度以上１８０度未満とすることを特徴とする。

この構成により、前記窪み部による確実な梁効果を樹脂封止部に備えることができる。

本発明に係る半導体装置では、前記窪み部は、前記上面又は下面の少なくとも一端辺の全長に沿うことを特徴とする。

本発明に係る半導体装置では、前記窪み部は、前記上面又は下面の少なくとも一端辺に間隔を空けて複数設けてあることを特徴とする。

本発明に係る電子機器は、上記した本発明に係る半導体装置が搭載してあることを特徴とする。

この構成により、樹脂封止部のたわみが抑制された半導体装置を搭載することから、プリント基板等へ半導体装置を実装する際のはんだ不良が生じない高品質な電子機器とすることができる。

本発明に係る半導体装置によれば、樹脂封止部の正面視矩形状の上面及び正面視矩形状の下面の少なくとも一方の面の端辺に、該端辺に沿う窪み部を有することから、上面及び下面の少なくとも一方の面の端辺部に窪み部による梁効果を有することとなるので、はんだ付け実装加熱前後の温度差により生じるたわみを低減することができるという効果を奏する。従って、精度の良いはんだ付け実装の実現が可能な半導体装置を提供できるという効果を奏する。

なお、本発明に係る半導体装置の窪み部は樹脂封止部の端辺部に設けてあるため、樹脂封止部の中央付近に位置する半導体素子への窪み部形成による影響を考慮する必要がなく、小型化・薄型化を実現することが可能である。

本発明に係る半導体装置によれば、窪み部は、上面又は下面の長手方向の端辺に沿って設けてあることから、樹脂封止部が、上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部に窪み部による梁効果を有するという効果を奏する。

本発明に係る半導体装置によれば、窪み部は、長手方向の端辺と該端辺と隣接する短手方向の一端辺とに沿うＬ字形としてあることから、樹脂封止部が、上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と該端辺部と隣接する短手方向の一端辺部とに窪み部による梁効果を有するという効果を奏する。

また、樹脂封止部の成形の際には、Ｌ字形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れを収束させて、流動性よく安定した成形を確保することができるという効果を奏する。

本発明に係る半導体装置によれば、窪み部は、長手方向の端辺と該端辺と隣接する短手方向の両端辺とに沿うＵ字形としてあることから、樹脂封止部が、上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と該端辺部と隣接する短手方向に沿う両端辺部とに窪み部による梁効果を有するという効果を奏する。

また、樹脂封止部の成形の際には、Ｕ字形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れを収束させて、流動性よく安定した成形を確保することができるという効果を奏する。

本発明に係る半導体装置によれば、Ｕ字形の窪み部を備えた長手方向の端辺の中央部は、短手方向の窪み部と平行に形成された窪み部を備えてＥ字形としてあることから、樹脂封止部が、Ｕ字形を形成する上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と該端辺部と隣接する短手方向に沿う両端辺部とに加えて、短手方向に沿う中央部にも窪み部による梁効果を有するという効果を奏する。

また、樹脂封止部の成形の際には、Ｅ字形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れを収束させて、流動性よく安定した成形を確保することができるという効果を奏する。

本発明に係る半導体装置によれば、窪み部は、長手方向の端辺及び該端辺と隣接する短手方向の一端辺とで直角を挟む二辺をなす直角三角形としてあることから、樹脂封止部が上面及び下面の少なくとも一方の面の長手方向に沿う端辺部と短手方向に沿う端辺部とそれら端辺部を結ぶ傾斜部とに梁効果を有するという効果を奏する。

また、樹脂封止部の成形の際には、直角三角形にあたる箇所に金型内の遮光性樹脂の流れを収束させて、流動性よく安定した成形を確保することができるという効果を奏する。

本発明に係る半導体装置によれば、窪み部の窪み角度を９０度以上１８０度未満としてあることから、窪み部による確実な梁効果を樹脂封止部に備えることができるという効果を奏する。

本発明に係る電子機器によれば、はんだ付け実装加熱前後の温度差により生じるたわみを低減することができる半導体装置を搭載することから、プリント基板等へ半導体装置を実装する際のはんだ不良が生じない高品質な電子機器を提供することができるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。

＜実施の形態１＞
図１〜図８は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する模式図である。図１は上面視形状を示す正面図であり、図２は下面視形状を示す正面図であり、図３及び図４は側面視形状を示す側面図であり、図５及び図６は端子側側面視形状を示す側面図である。さらに、図７は図６のＢ部分を拡大した図であり、図８は端子側側面を切断した（図２のＸ−Ｘ線に沿う）断面図（図面の見易さを考慮し、断面部のハッチング及び内部構造は省略してある）である。

なお、図２及び図３は、本実施の形態に係る半導体装置の概略構成を透視的に示す図であり、２次樹脂封止部にて覆われた内部を点線で示している。

本実施の形態に係る半導体装置は二重モールド構造となっており、具体的には例えば光結合半導体装置として構成されている。

つまり、本実施形態に係る半導体装置は、リードフレーム１，２と、リードフレーム１，２に各々個別に搭載される半導体素子（発光素子３、受光素子４）と、半導体素子３，４を樹脂封止する１次樹脂封止部８と、１次樹脂封止部８の外周を樹脂封止する２次樹脂封止部９とで構成されている。

半導体素子である発光素子３と受光素子４は、各々個別に導電性ペースト等のダイボンド材（不図示）にてリードフレーム１，２の先端部分にダイボンドしてある。そして、発光素子３と受光素子４は、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１、受光素子側リードフレーム２）にＡｕ線等のワイヤ（発光素子側ワイヤ５、受光素子側ワイヤ６）でワイヤボンドしてある。さらに、発光素子３は、全体が応力緩和用のシリコーン樹脂７によってプリコートして被覆されている。

１次樹脂封止部８は、光学的に位置決めされた発光素子３と受光素子４とを内包するように透光性樹脂による１次トランスファモールドを行って形成されるものである。なお、１次トランスファモールドにより樹脂漏れした余分な箇所の樹脂バリは、バリ抜き用金型やブラスター等により機械的にバリ取りしてある。

なお、１次樹脂封止部８の上面及び下面の正面視形状は、ともに矩形状としてある。

２次樹脂封止部９は、外乱光の入射や内部からの光漏れをなくして発光素子３から受光素子４への光信号を確実に伝達することができるように、１次樹脂封止部８の外周に遮光性樹脂による２次トランスファモールドを行って形成されるものである。

なお、２次樹脂封止部９は、矩形状の上面と矩形状の下面とを備え、上面及び下面の端辺に窪み部（上面側：１０，１１、下面側：１２，１３）を備えている。窪み部１０，１１，１２，１３を備えることにより、窪み部１０，１１，１２，１３による梁効果を有することができる。

つまり、窪み部１０，１１，１２，１３を設けることにより備わった複数面の交差部１０ｃ，１１ｃ，１２ｃ，１３ｃが、梁として作用するので、２次樹脂封止部９のたわみを抑制することが可能となる。従って、はんだ付け実装加熱前後の温度差により生じる樹脂封止部のたわみを低減することができ、精度の良いはんだ付け実装を実現できる半導体装置となる。

窪み部（上面側：１０，１１、下面側：１２，１３）はそれぞれ、上面又は下面の長手方向の端辺（上面側：９ａ，９ｂ、下面側：９ｅ，９ｆ）の全長に沿って設けてある。従って、２次樹脂封止部９の上面及び下面の長手方向に沿う各端辺９ａ，９ｂ，９ｅ，９ｆ部に窪み部１０，１１，１２，１３による梁効果を有することができる。

窪み部１０，１１，１２，１３の窪み角度は９０度以上１８０度未満としてあり、確実な梁効果を有するようにしてある。ここでいう窪み角度とは、図７にθで示すように、窪み部１１を形成する面１１ａ，１１ｂ同士がなす角度のことである。

さらに、２次樹脂封止部９から外部に露出したリードフレーム１，２の端部分は、外装めっき処理とタイバーカット処理とが施された後に、成形加工して外部端子とするフォーミング処理が施されてある。

＜実施の形態２＞
図９〜図１０は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。図９は、上面視形状を示す正面図であり、図１０は、下面視形状を示す正面図である。

本実施の形態に係る半導体装置の基本構成は、実施の形態1に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態1と同様に二重モールド構造となっており、光結合型半導体装置として構成されている。以下主に実施の形態1と異なる点について説明する。

本実施の形態では、２次樹脂封止部９は、実施の形態１と同様に、矩形状の上面と矩形状の下面とを備え、上面及び下面の端辺に窪み部（上面側：１４，１５、下面側：１６，１７）を備えている。窪み部１４，１５，１６，１７を備えることにより、窪み部１４，１５，１６，１７による梁効果を有するようになるので、たわみを抑制することができる。

本実施の形態では、窪み部（上面側：１４，１５、下面側：１６，１７）はそれぞれ、上面又は下面の長手方向の端辺（上面側：９ａ，９ｂ、下面側：９ｅ，９ｆ）の全長と隣接する短手方向の一端辺（上面側：９ｃ、下面側：９ｇ，９ｈ）とに沿うＬ字形としてある。従って、２次樹脂封止部９の上面及び下面の長手方向に沿う各端辺９ａ，９ｂ，９ｅ，９ｆ部と短手方向に沿う端辺９ｃ，９ｇ，９ｈ部とに、窪み部１４，１５，１６，１７による梁効果を有することができる。また、２次樹脂封止部９を形成する際には、金型内の遮光性樹脂の流れがＬ字形にあたる箇所１４，１５，１６，１７に収束されるので、流動性がよく安定した成形を確保できる。

なお、本実施形態では、上面と下面にそれぞれ２つのＬ字形の窪み部が（上面側：１４，１５、下面側：１６，１７）設けてあるが、上面と下面とでは、Ｌ字形の一辺となる短手方向に沿う窪み部（上面側：１４ａ，１５ａ、下面側：１６ａ，１７ａ）を備える位置が異なる。つまり、上面では、図９に示すように、２つのＬ字形の窪み部１４，１５は、Ｌ字形の一辺となる短手方向に沿う窪み部１４ａ，１５ａを同じ側の短手方向の端辺９ｃに備えているが、下面では、図１０に示すように、２つのＬ字形の窪み部１６，１７は、Ｌ字形の一辺となる短手方向に沿う窪み部１６ａ，１７ａを各々異なる側の短手方向の端辺９ｇ，９ｈに備えている。

窪み部１４，１５，１６，１７の窪み角度については、実施の形態１と同様に、９０度以上１８０度未満としてあり、確実な梁効果を有するようにしてある。

＜実施の形態３＞
図１１は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図であり、本実施の形態に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図となっている。

なお、２次樹脂封止部の上面は下面と同じに窪み部を備えているため、上面視形状を示す図は省略する。

本実施の形態に係る半導体装置の基本構成は、実施の形態１及び実施の形態２に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態1及び実施の形態２と同様に二重モールド構造となっており、光結合型半導体装置として構成されている。以下主に実施の形態１ないし実施の形態２と異なる点について説明する。

本実施の形態では、２次樹脂封止部９は、実施の形態１及び実施の形態２と同様に、矩形状の上面と矩形状の下面とを備え、上面及び下面の端辺に窪み部を（上面側：不図示、下面側：１８，１９）備えている。窪み部１８，１９を備えることにより、窪み部１８，１９による梁効果を有するようになるので、たわみを抑制することができる。

本実施の形態では、窪み部（上面側：不図示、下面側：１８，１９）はそれぞれ、上面又は下面の長手方向の端辺（上面側：不図示、下面側：９ｅ，９ｆ）の全長と隣接する短手方向の両端辺（上面側：不図示、下面側：９ｇ，９ｈ）とに沿うＵ字形としてある。従って、２次樹脂封止部９の上面及び下面の長手方向に沿う各端辺９ｅ，９ｆ部と短手方向に沿う両端辺９ｇ，９ｈ部に窪み部１８，１９による梁効果を有することができる。また、２次樹脂封止部９を形成する際には、金型内の遮光性樹脂の流れがＵ字形にあたる箇所１８，１９に収束されるので、流動性がよく安定した成形を確保できる。

窪み部１８，１９の窪み角度については、実施の形態１及び実施の形態２と同様に、９０度以上１８０度未満としてあり、窪み部１８，１９による確実な梁効果を有するようにしてある。

＜実施の形態４＞
図１２は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図であり、本実施の形態に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図となっている。

なお、２次樹脂封止部の上面は下面と同じに窪み部を備えているため、上面視形状を示す図は省略する。

本実施の形態に係る半導体装置の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態３に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態1ないし実施の形態３と同様に二重モールド構造となっており、光結合型半導体装置として構成されている。以下主に実施の形態１ないし実施の形態３と異なる点について説明する。

本実施の形態では、２次樹脂封止部９は、実施の形態１ないし実施の形態３と同様に、矩形状の上面と矩形状の下面とを備え、上面及び下面の端辺に窪み部を（上面側：不図示、下面側：２０，２１）を備えている。窪み部２０，２１を備えることにより、窪み部２０，２１による梁効果を有するようになるので、たわみを抑制することができる。

本実施の形態では、窪み部（上面側：不図示、下面側２０，２１）は、実施の形態３と同様のＵ字形の窪み部（図１１：１８，１９）のＵ字形の底（上面側：不図示、下面側１８ａ，１９ａ）となる長手方向の端辺（上面側：不図示、下面側：９ｅ，９ｆ）の中央部に、短手方向の窪み部（上面側：不図示、下面側：１８ｂ，１８ｃ，１９ｂ，１９ｃ）と平行な窪み部（上面側：不図示、下面側：２０ａ，２１ａ）を備えたＥ字形としてある。従って、２次樹脂封止部９の上面及び下面において、Ｕ字形を形成する長手方向に沿う端辺（上面側：不図示、下面側：９ｅ，９ｆ）部と短手方向に沿う両端辺（上面側：不図示、下面側：９ｇ，９ｈ）部に加えて、Ｕ字形の底（上面側：不図示、下面側１８ａ，１９ａ）となる前記長手方向の端辺（上面側：不図示、下面側：９ｅ，９ｆ）の中央部にも窪み部２０，２１による梁効果を有することができる。また、２次樹脂封止部９を形成する際には、金型内の遮光性樹脂の流れがＥ字形にあたる箇所２０，２１に収束されるので、流動性がよく安定した成形を確保できる。

窪み部２０，２１の窪み角度については、実施の形態１ないし実施の形態３と同様に、９０度以上１８０度未満としてあり、確実な梁効果を有するようにしてある。

＜実施の形態５＞
図１３は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図であり、本実施の形態に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図となっている。

なお、２次樹脂封止部の上面は下面と同じに窪み部を備えているため、上面視形状を示す図は省略する。

本実施の形態に係る半導体装置の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態４に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態1ないし実施の形態４と同様に二重モールド構造となっており、光結合型半導体装置として構成されている。以下主に実施の形態１ないし実施の形態４と異なる点について説明する。

本実施の形態では、２次樹脂封止部９は、実施の形態１ないし実施の形態４と同様に、矩形状の上面と矩形状の下面とを備え、上面及び下面の端辺に窪み部を（上面側：不図示、下面側：２２，２３）を備えている。窪み部２２，２３を備えることにより、窪み部２２，２３による梁効果を有するようになるので、たわみを抑制することができる。

本実施の形態では、窪み部（上面側：不図示、下面側：２２，２３）はそれぞれ、
上面又は下面の長手方向の端辺（上面側：不図示、下面側：９ｅ，９ｆ）及び隣接する短手方向の一端辺（上面側：不図示、下面側：９ｇ，９ｈ）とで直角を挟む二辺をなす直角三角形としてある。従って、２次樹脂封止部９の上面及び下面の長手方向に沿う端辺９ｅ，９ｆ部、短手方向に沿う端辺９ｇ，９ｈ部、及び長手方向に沿う端辺９ｅ，９ｆ部と短手方向に沿う端辺９ｇ，９ｈ部を結ぶ傾斜辺９ｉ，９ｊ部に窪み部２２，２３による梁効果を有することができる。また、２次樹脂封止部９を形成する際には、金型内の遮光性樹脂の流れが直角三角形にあたる箇所２２，２３に収束されるので、流動性がよく安定した成形を確保できる。

窪み部２２，２３の窪み角度については、実施の形態１ないし実施の形態４と同様に、９０度以上１８０度未満としてあり、確実な梁効果を有するようにしてある。

＜実施の形態６＞
図１４は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図であり、（Ａ）は本実施の形態に係る半導体装置の下面視形状を、（Ｂ）はＹ−Ｙ方向に沿う断面図（図面の見易さを考慮し、ハッチングは省略してある）を示している。

なお、２次樹脂封止部の上面は下面と同じに窪み部を備えているため、上面視形状を示す図は省略する。

本実施の形態に係る半導体装置の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態５に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態1ないし実施の形態５と同様に二重モールド構造となっており、光結合型半導体装置として構成されている。以下主に実施の形態１ないし実施の形態５と異なる点について説明する。

本実施の形態では、２次樹脂封止部９は、実施の形態１ないし実施の形態５と同様に、矩形状の上面と矩形状の下面とを備え、上面及び下面の端辺に窪み部（上面側：不図示、下面側：２４，２５，２６，２７）を備えている。窪み部２４，２５，２６，２７を備えることにより、窪み部２４，２５，２６，２７による梁効果を有するようになるので、たわみを抑制することができる。

本実施の形態では、上面又は下面の長手方向の各端辺（上面側：不図示、下面側：９ｅ，９ｇ）には、２つずつ窪み部（上面側：不図示、下面側：２４，２５，２６，２７）が間隔を空けて設けられてある。具体的には、窪み部２４，２５，２６，２７は長手方向の端辺９ｅ，９ｇの両端部Ｅ１，Ｅ２に設けられており、長手方向の端辺９ｅ，９ｇの両端部Ｅ１，Ｅ２は、中央部Ｃに対して一段窪んでいる。この点で、長手方向の端辺（図１〜図１２：９ａ，９ｂ，９ｅ，９ｇ）にその全長に沿う窪み部（図１〜図１２：１０〜２１）が設けられてある実施の形態１ないし実施の形態４と異なる。

窪み部２４，２５，２６，２７の窪み角度については、実施の形態１ないし実施の形態５と同様に、９０度以上１８０度未満としてあり、窪み部２４，２５，２６，２７による確実な梁効果を有するようにしてある。

＜実施の形態７＞
図１５は、本実施の形態に係る半導体装置の端子側側面を切断した断面図（図面の見易さを考慮し、断面部のハッチング及び内部構造は省略してある）である。

本実施の形態に係る半導体装置の基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態６に係る半導体装置と同様である。つまり、実施の形態1ないし実施の形態６と同様に二重モールド構造となっており、光結合型半導体装置として構成されている。以下主に実施の形態１ないし実施の形態６と異なる点について説明する。

本実施の形態では、１次樹脂封止部８の上面及び下面の端辺に窪み部（上面側：２８，２９、下面側：３０，３１）を備え、２次樹脂封止部９には窪み部を備えていない。つまり、１次樹脂封止部９の端辺に窪み部２８，２９，３０，３１による梁効果を有するようにしてある。１次樹脂封止部９に窪み部２８，２９，３０，３１を備えると、１次樹脂封止部８を形成する樹脂の膨張係数が、２次樹脂封止部９を形成する樹脂の膨張係数と異なる場合に生じるたわみを抑制することができる。

１次樹脂封止部８に設ける窪み部２８，２９，３０，３１は、本実施の形態１ないし本実施の形態７において２次樹脂封止部に設けた窪み部（図１〜図１４の１０〜２７）のいずれかと同様のものである。

なお、本実施形態及び実施の形態１から実施の形態７では、１次樹脂封止部８と２次樹脂封止部９のどちらか一方にのみ窪み部を備えているが、１次樹脂封止部８と２次樹脂封止部９の両方ともに窪み部を備えてもよい。１次樹脂封止部８と２次樹脂封止部９の両方に窪み部を設けると、たわみに対する抑制効果を相乗して向上させることができる。

＜実施の形態８＞
本実施の形態にかかる電子機器（不図示）は、実施の形態１ないし実施の形態７のいずれか一に記載した半導体装置を搭載したものである。樹脂封止部のたわみが抑制された半導体を搭載することから、はんだ付け不良のない高品質な電子機器とすることができる。

本発明の実施の形態１に係る半導体装置の上面視形状を示す正面図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の下面視形状を透視的に示す透視正面図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の側面視形状を示す側面図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の一方の端子側側面視形状を示す側面図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の他方の端子側側面視形状を示す側面図である。 図６において点線で囲まれたＢ部分を拡大した図である。 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の端子側側面を切断した（図２のＸ−Ｘ線に沿う）側面断面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の上面視形状を示す正面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図である。 本発明の実施の形態４に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図である。 本発明の実施の形態５に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図である。 本発明の実施の形態６に係る半導体装置の下面視形状を示す正面図（Ａ）と正面図（Ａ）のＹ−Ｙに沿う断面図（Ｂ）である。 本発明の実施の形態７に係る半導体装置の端子側側面を切断した側面断面図である。 従来例に係る半導体装置の上面視形状を示す正面図である。 従来例に係る半導体装置の下面視形状を透視的に示す透視正面図である。 従来例に係る半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。 従来例に係る半導体装置の側面視形状を示す側面図である。 従来例に係る半導体装置の一方の端子側側面視形状を示す側面図である。 従来例に係る半導体装置の他方の端子側側面視形状を示す側面図である。 従来例に係る半導体装置の端子側側面を切断した（図１７のＸ−Ｘ線に沿う）側面断面図である。

符号の説明

１ 発光素子側リードフレーム
２ 受光素子側リードフレーム
３ 発光素子
４ 受光素子
５ 発光素子側ワイヤ
６ 受光素子側ワイヤ
７ シリコーン樹脂
８ １次樹脂封止部
９ ２次樹脂封止部
９ａ、９ｂ、９e、９f 長手方向の端辺
９ｃ、９ｄ、 ９ｇ、９ｈ 短手方向の端辺
９ｉ、９ｊ 長手方向の端辺と短手方向の端辺とを結ぶ傾斜辺
１０、１１、１２、１３ 窪み部
１０ｃ、１１ｃ、１２ｃ、１３ｃ 窪み部を形成する面の交差部
１４、１５、１６、１７ 窪み部（Ｌ字形）
１４ａ、１５ａ、１６ａ、１７ａ 短手方向に沿う窪み部（Ｌ字形の一部分）
１８、１９ 窪み部（Ｕ字形）
１８ａ、１９ａ Ｕ字形の底
１８ｂ、１８ｃ、１９ｂ、１９ｃ 短手方向に沿う窪み部（Ｕ字形の一部分）
２０、２１ 窪み部（Ｅ字形）
２０ａ、２１ａ 短手方向に沿う窪み部と平行な窪み部（Ｅ字形の一部分）
２２、２３ 窪み部（直角三角形）
２４、２５、２６、２７，２８，２９，３０，３１ 窪み部

Claims (10)

1. リードフレーム上に搭載した半導体素子を樹脂封止する樹脂封止部を備える半導体装置において、
   前記樹脂封止部は正面視矩形状の上面と該上面と対向する正面視矩形状の下面とを有し、前記上面及び前記下面の少なくとも一方の面の端辺に、該端辺に沿う窪み部を有することを特徴とする半導体装置。
2. 前記窪み部は、前記上面又は前記下面の長手方向の端辺に沿って設けてあることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記窪み部は、前記長手方向の端辺と該端辺と隣接する短手方向の一端辺とに沿うＬ字形としてあることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 前記窪み部は、前記長手方向の端辺と該端辺と隣接する短手方向の両端辺とに沿うＵ字形としてあることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
5. 前記長手方向の端辺の中央部は、前記短手方向の窪み部と平行に形成された窪み部を備えてＥ字形としてあることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
6. 前記窪み部は、前記長手方向の端辺及び該端辺と隣接する短手方向の一端辺とで直角を挟む二辺をなす直角三角形としてあることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
7. 前記窪み部の窪み角度を９０度以上１８０度未満とすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置。
8. 前記窪み部は、前記上面又は前記下面の少なくとも一端辺の全長に沿うことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
9. 前記窪み部は、前記上面又は前記下面の少なくとも一端辺に間隔を空けて複数設けてあることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置が搭載してあることを特徴とする電子機器。

Images