JP2007325434A - 充放電保護回路、該充放電保護回路を組み込んだバッテリーパック、該バッテリーパックを用いた電子機器 - Google Patents

充放電保護回路、該充放電保護回路を組み込んだバッテリーパック、該バッテリーパックを用いた電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】消費電流を抑え且つチップ面積も大きくしなくても済み、放電制御用FETの劣化を防ぐことができ、充電時間の短縮が可能な充放電保護回路技術。
【解決手段】過充電検出回路11、過放電検出回路12、充電過電流検出回路13、放電過電流検出回路21、充放電路に直列に設けられた充電制御用FETQ1および放電制御用FET Q2を有し、過充電および充電過電流を検出した場合に充電制御用FET Q1をOFFにし、過放電および放電過電流を検出した場合に放電制御用FET Q2をOFFにする。過放電検出時に充電器が接続された場合、過放電復帰遅延時間経過後、放電制御用FETを強制的にONする。過放電状態が継続する場合、さらに過放電検出遅延時間経過後、放電制御用FETをOFFし、放電制御用FETのONとOFFを繰り返してパルス充電する。
【選択図】図1

Description

本発明は、Liイオン2次電池などの充放電保護回路に関し、特に、消費電流を抑え且つチップ面積も大きくしなくても済み、放電制御用FETの劣化を防ぐことができ、充電時間を短縮することが可能な充放電保護回路、該充放電保護回路を組み込んだバッテリーパック、該バッテリーパックを用いた各種電子機器に関するものである。
従来、Liイオン2次電池の充放電保護回路は多数提案されている。図5は、特開2002−176730号公報(特許文献1)に記載された従来の半導体装置のブロック図と、その半導体装置を使用したバッテリーパック内部の保護回路を示す図である。
同図に示すように、バッテリーパックAの主要部を構成部する半導体装置(充放電保護回路)1は、おおまかには過充電検出回路11と過放電検出回路12と放電過電流検出回路13と短絡検出回路14と発振回路16とカウンタ17とロジック回路18,20とレベルシフト回路19と充電過電流検出回路21と遅延時間短縮回路23から構成されている。
以下、従来の半導体装置(充放電保護回路)1における基本的な動作を説明する。
過充電検出回路11または過放電検出回路12または放電過電流検出回路13または充電過電流検出回路21または短絡検出回路14により、過充電または過放電または放電過電流または充電過電流または短絡を検出すると、発振回路16が動作を開始し、カウンタ17が計数を始める。
そして、カウンタ17によりそれぞれの検出時に予め設定されている遅延時間をカウントすると、過充電または充電過電流の場合は、ロジック回路(ラッチなど)18、レベルシフト19を通してCout出力がローレベルになり充電制御用FET Q1をオフにし、過放電,放電過電流,または短絡の場合はロジック回路20を通してDout出力がローレベルになり放電制御用FET Q2をオフにする。
また、バッテリーパックに充電器が接続され、充電電流が流れると、放電制御用FET Q2のソース電圧よりも、充電制御用FET Q1のソース電圧が低くなる。放電制御用FET Q2のソース電圧は半導体装置のVss端子電圧であり、充電制御用FET Q1のソース電圧は、半導体装置のV−端子に抵抗が接続されているが、V−端子がハイインピーダンスであるため、ほぼ半導体装置のV−端子電圧と等しくなる。
従って充電電流が流れると、Vss端子電圧よりもV−端子電圧が低くなる。V−端子電圧がVss端子電圧よりも、設定されたある電圧(充電過電流検出電圧)だけ低くなると充電過電流を検出し、Cout出力をローレベルにして充電制御用FET Q1をOFFさせる。充電過電流値Iと充電過電流検出電圧Vchgdetと放電制御用FET Q2、充電制御用FET Q1のON抵抗Ron1、Ron2との関係は以下のようになる。
I=Vchgdet/(Ron1+Ron2)
以上が過充電、過放電、充電過電流、放電過電流、短絡が検出された場合の従来の充放電保護回路の基本動作である。
遅延時間短縮回路23の機能と回路構成について簡単に説明しておく。通常、過充電検出回路11による過充電検出時の遅延時間は1s以上であるため、テスト時間が長くなってしまうという問題がある。
そこで、半導体装置1もしくは保護回路基板などのテストを行うときに、テスト端子(TEST端子)をローレベルに固定することによって、発振回路16の出力周波数を高くし、遅延時間を短くすることでテスト時間を短縮することができる。本構成は、過充電、過放電、放電過電流または充電過電流のいずれの検出時にも有効であるが、特に遅延時間が大きい過充電検出時に有効性が大きい。
発振回路16は、例えば定電流インバータとコンデンサを使ったリングオシレータで構成される。そして、リングオシレータの発振周波数は、定電流源の定電流値とコンデンサの値とインバータのスレッショルドによって決まるので、遅延時間を短縮するためには、テスト端子の信号をローレベルにすることによって、(a)定電流源の定電流値を増加させる、(b)コンデンサの容量値を実質的に低下させる、(c)リングオシレータを構成する定電流インバータのスレッショルドを変えるなどの方法がある。
なお、上記のように発振回路16の発振周波数を変えるのではなく、カウンタ17から出力を取り出す位置(段)を変えることによっても遅延時間を短縮する方法もある。具体的な回路構成の詳細は特許文献1に開示されている。
特開2002−176730号公報
図5に示す従来の充放電保護回路において、過放電状態からの復帰は、充電器を接続することによって行われる。充電器を接続したときに、VDD端子電圧が過放電検出電圧以下の場合は、放電制御用FET Q2の寄生ダイオードを介して充電電流が流れ、VDD端子電圧が過放電検出電圧よりも高くなった時点で、Dout端子は“H”レベルになり、放電制御用FET Q2をONすることによって放電可能状態になる。充電器を接続したときに、VDD端子電圧が過放電検出電圧よりも高い場合は、直ちにDout端子は“H”レベルになる。
従来技術においては、充電器が接続されたことを認識させるためのPINを用いたり、コンパレータを用いたりすることで充電器復帰を実現できる。しかし、PINを増やすことは端子が充電器およびIC側にも必要となる為非現実的である。また、コンパレータを用いることはチップ面積が大きくなり消費電流の増大にもつながる為好ましくない。
そこで、本発明の目的は、既存のPINを使い既存の回路を利用し放電制御用FETを強制的にONさせることにより、消費電流を抑え且つチップ面積も大きくしなくても済み、充電器接続時の放電制御用FETの劣化を防ぐことができ、充電時間を短縮することが可能な充放電保護回路(請求項1〜4)、該充放電保護回路を組み込んだバッテリーパック(請求項5)、該バッテリーパックを用いた各種電子機器(請求項6〜10)を提供することである。
本発明は、上記目的を達成するために、次のような構成を採用した。以下、請求項毎の構成を述べる。
請求項1に記載された発明は、過充電検出回路、過放電検出回路、充電過電流検出回路、放電過電流検出回路、充放電路に直列に設けられた充電制御用FETおよび放電制御用FETを具備し、前記過充電検出回路で過充電を検出した場合および前記充電過電流検出回路で充電過電流を検出した場合に前記充電制御用FETをOFFにし、前記過放電検出回路で過放電を検出した場合および前記放電過電流検出回路で放電過電流を検出した場合に前記放電制御用FETをOFFにすることにより、2次電池を過充電、過放電、充電過電流、または放電過電流から保護する充放電保護回路であって、過放電検出時に充電器が接続された場合、第1の所定の時間(過放電復帰遅延時間)経過後、前記放電制御用FETを強制的にONすることを特徴としている。
請求項2に記載された発明は、請求項1記載の充放電保護回路において、前記放電制御用FETをONした後、第2の所定時間(過放電検出遅延時間)経過後、前記放電制御用FETをOFFすることを特徴としている。
請求項3に記載された発明は、請求項2記載の充放電保護回路において、前記放電制御用FETをOFFした後、電池セル電圧の値が過放電検出電圧以下の場合、前記第1の所定の時間経過後の放電制御用FETのONと前記第2の所定時間経過後の放電制御用FETのOFFを繰り返すことを特徴とし、請求項4記載の発明は、請求項2記載の充放電保護回路において、前記第1の所定時間および第2の所定時間は、内部回路,充電器,過放電復帰遅延時間,過放電検出遅延時間の温度特性のバラツキを考慮して決められる時間であることを特徴としている。
請求項5記載の発明は、請求項1〜4のいずれか1項に記載された充放電保護回路を組み込んだことを特長とするバッテリーパックであり、請求項6記載の発明は、請求項5記載のバッテリーパックを用いた電子機器であり、請求項7記載の発明は、請求項5記載のバッテリーパックを用いた携帯電話であり、請求項8記載の発明は、請求項5記載のバッテリーパックを用いた携帯ゲーム機であり、請求項9記載の発明は、請求項5記載のバッテリーパックを用いたデジタルカメラであり、請求項10記載の発明は、請求項5記載のバッテリーパックを用いた携帯用音響機器である。
本発明によれば、低消費電流で、且つチップ面積が小さく、充電器接続時の放電制御用FETの劣化を防ぐことができ、充電時間を短縮することが可能な充放電保護回路および該充放電保護回路を内蔵した各種電子機器を実現できる。以下、請求項毎の効果を述べる。
請求項1〜4記載の発明によれば、電池セル電圧が過放電検出電圧以下で放電制御用FETがOFFしている場合であっても、充電器を接続されたことで放電制御用FETを強制的にONさせることができる。従来の充放電保護回路によれば、放電制御用FETがOFFしている状態で充電器を接続して充電する際、まず放電制御用FETの寄生ダイオードで充電を行うが、放電制御用FETの寄生ダイオードでの充電では該放電制御用FETの劣化が進んでしまうという問題があったが、本発明によれば、放電制御用FETを強制的にONさせることで劣化を抑制し、効率のよい短時間充電が可能となる。さらに充電器接続検出用の余分の端子を不要としているため、低消費電流且つチップ面積が小さくすることが可能である。
請求項5〜10記載の発明によれば、請求項1〜4の充放電保護回路を用いた応用技術として、近年普及しているバッテリーパック、電子機器、携帯電話、携帯ゲーム機、デジタルカメラ、携帯用音響機器に適用できる。
図1は、本発明に係る充放電保護回路を説明するための図である。
本発明は、同図に示すように、先に図5を用いて説明した従来の半導体装置(充放電保護回路)に、新たに「充電器接続復帰回路26」を追加したものである。
図1に示す本発明に係る半導体装置1は、おおまかには「過充電検出回路11」と「過放電検出回路12」と「放電過電流検出回路13」と「短絡検出回路14」と「充電過電流検出回路21」と「発振回路16」と「カウンタ回路17」と「遅延時間短縮回路23」と「充電器接続復帰回路26」とから構成されている。
なお、本実施例では、半導体装置(充放電保護回路)1に従来の如きTEST端子(図5参照)は設けず、端子数を1個削減している。本実施例では、テストモード時は、TEST端子にローレベルの信号を印加する代わりに、V−端子に通常では印加されない所定値の信号(例えば、−3V)を遅延時間短縮回路23に印加することにより、図5で説明したのと同様の方法(定電流源の定電流値の増加、コンデンサ容量の実質的な低下、定電流インバータのスレッショルドを変える、カウンタの出力段を変えるなど)により遅延時間を短縮するようにしている。
本発明は、上記構成において、基本的には上述した図5に示した従来回路と同様な充放電保護動作を行うものであるが、新たに充電器接続復帰回路26を設けることにより、次のように放電制御用FET Q2のONとOFFを制御するようにしたものである。
本発明における充電器接続復帰回路26では、充電過電流検出回路21の内部回路の信号である「充電器接続信号」と、遅延時間短縮回路23の内部回路の信号である「遅延時間短縮信号」と、過放電検出回路12からの検出信号である「過放電検出信号」と、過放電復帰遅延時間経過後と過放電検出遅延時間経過後に反転する「過放電確認信号」とを用いることによって、過放電検出時に充電器が接続された場合、過放電復帰遅延時間経過後、前記放電制御用FETを強制的にONにし、その後、過放電検出遅延時間経過後、前記放電制御用FETをOFFにし、その後、さらに電池セル電圧の値が過放電検出電圧以下の状態が継続する場合、前記過放電復帰遅延時間経過後の放電制御用FETのONと過放電検出遅延時間経過後の放電制御用FETのOFFとを繰り返すようにしたものである。ここで、過放電復帰遅延時間と過放電検出遅延時間は、内部回路,充電器,過放電復帰遅延時間,過放電検出遅延時間の温度特性のバラツキを考慮して決められる時間である。
以下、充電器接続復帰回路26によって行われる処理の詳細な説明を行う。
充電過電流検出回路21の内部信号である充電器接続信号は、充電器が接続されると“H”レベルになり充電器が接続されていない時は“L”レベルになる。
遅延時間短縮回路23の内部信号である遅延時間短縮信号は、遅延時間が短縮されるときは“L”レベルになり、遅延時間が短縮されていない時は“H”レベルになる。
過放電検出回路(VD2)12の内部信号である過放電検出信号は、過放電を検出すると“H”レベルとなり、過放電を検出していないときは“L”レベルとなる。
過放電検出回路(VD2)12の内部信号から得られる過放電検出確認信号は、過放電を検出し過放電検出遅延時間(tVDET2)後に“H”レベルとなり、過放電を検出していないときは“L”レベルとなる。
以下、本発明の充電器接続復帰回路26によって行われる充電器復帰制御についての実施例を、図2A〜図2Cを用いて説明する。
<図2A:過充電未検出,過放電未検出,過電流未検出,充電器未接続時>>
過充電、過放電、過電流を検出していない状態(通常状態)においては、充電制御用FET Q1および放電制御用FET Q2は共にONしている。充電器接続信号は、充電器が接続されていないので“L”レベルになる。
遅延時間短縮信号は“H”レベルになる(テストモードではないすなわち遅延時間短縮モードではない)。そのときM1の入力には“H”レベルと“L”レベルが入力されるためM1の出力はNANDより“H”レベルが出力される。
過放電検出信号は過放電を検出していないので“L”レベルになり、M2の入力にはM1の出力の“H”レベルと過放電検出信号の“L”レベルが入力されるため、M2の出力はNANDより“H”レベルが出力される。
M3の入力にはM2の出力が入力されるため“H”レベルが入力される。M3はインバータのためM3の出力は“L”レベルが出力される。
過放電検出確認信号は過放電を検出していない状態では“L”レベルになり、EXNORにはM3の出力“L”レベルと過放電検出確認信号の“L”レベルが入力されるため、M4の出力は“H”レベルとなりカウンタは動かず停止している。従って、このような通常状態では、充電制御用FET Q1および放電制御用FET Q2は共にONを継続する。
<図2B:過放電検出かつ充電器未接続時>
過放電を検出している状態においては、充電器未接続であるので充電器接続信号は“L”レベル、遅延時間短縮信号は“H”レベル(テストモードではないすなわち遅延時間短縮モードではない)よりM1の入力には“L”レベルと“H”レベルが入力されるため、M1の出力はNANDより“H”レベルが出力される。
過放電を検出している状態であるため、過放電検出信号は“H”レベルとなる。M2の入力にはM1の出力の“H”レベルと過放電検出信号の“H”レベルが入力されるため、M2の出力はNANDより“L”レベルが出力される。
M3の入力にはM2の出力が入力されるため“L”レベルが入力される。M3はインバータのためM3の出力は“H”レベルが出力される。M4の入力にはM3の出力である“H”レベルと過放電確認信号の“L”レベルが入力され、カウンタを動かし、ある所定時間(過放電検出遅延時間)が経過すると過放電検出確認信号が“H”レベルとなり、カウンタを停止させ且つ放電制御用FET Q2をOFFさせる。ここである所定時間(過放電検出遅延時間)経過後、過放電検出確認信号を反転させるのには、カウンタである所定時間(過放電検出遅延時間)を計測したタイミングで過放電検出確認信号を出力するフリップフロップを反転するようにすればよい。
<図2C:過放電検出かつ充電器接続時>
過放電を検出している状態で充電器を接続した状態では、M1の入力には充電器接が接続されているため充電器接続信号の“H”レベルと遅延時間短縮信号の“H”レベルが入力されM1の出力はNANDより“L”レベルが出力される。
過放電を検出している状態であるため過放電検出信号は“H”レベルによりM2の入力にはM1の出力の“L”レベルと過放電検出信号の“H”レベルが入力される。M2の出力はNANDより“H”レベルが出力される。M3の入力にはM2の出力が入力されるため“H”レベルが入力される。M3はインバータのためM3の出力は“L”レベルが出力される。
過放電検出確認信号は過放電を検出している状態であるため“H”レベルであることから、M4のEXNORにはM3の出力の“L”レベルと過放電検出確認信号の“H”レベルが入力され、カウンタを動かし、ある所定時間(過放電復帰遅延時間)経過後に放電制御用FET Q2を強制的にONさせることができる。ここである所定時間(過放電復帰遅延時間)経過後、過放電検出確認信号を反転させるのには、カウンタである所定時間(過放電復帰遅延時間)を計測したタイミングで過放電検出確認信号を出力するフリップフロップを反転するようにすればよい。
ただし、電池セル電圧が過放電検出電圧以下の場合は過放電検出遅延時間後に放電制御用FET Q2をOFFさせるが、前述の通り充電器が接続されている時は過放電復帰遅延時間後に放電制御用FET Q2を強制的にONさせる。
このように、過放電検出電圧以下で充電器が接続されている時は、過放電検出遅延時間経過後の放電制御用FETのOFFと過放電復帰遅延時間経過後の放電制御用FETのONの繰り返しによるパルス充電方式となる。内部回路や充電器の温度特性のバラツキやICの温度特性のバラツキを考慮して過放電検出遅延時間と過放電復帰遅延時間の設定時間を変えることでパルス幅を変えることができる。
次に、図4に示す充電器接続時のタイミングチャートを説明する。
図4に示すように、VDDレベルが過放電検出電圧以上(VDET2以上)で過充電検出以下においてはDout出力からは“H”レベルが出力される。“H”レベルが出力されるとDoutに接続されている放電制御用FET Q2はONし充放電可能状態となる。
VDDレベルが過放電検出電圧以下(VDET2以下)になると、内部のカウンタ17を経由し過放電検出遅延時間(tVDET2)後にDout出力からは“L”レベルが出力される。“L”レベルが出力されるとDoutに接続されている放電制御用FET Q2をOFFさせ、放電禁止状態となる。過放電検出状態において充電器が接続されていない時、V−端子は内部回路によりVDDレベルまで引き上げられる。
上記状態において充電器が接続されると、V−端子は一旦充電過電流検出電圧以下(VDET4以下)になる。充電過電流(VDET4)を検出すると、充電過電流の検出信号と遅延時間短縮信号と過放電検出信号、過放電検出確認信号にて過放電を検出している状態から復帰させる。
その際、過放電復帰遅延時間(tVREL2)後に放電制御用FET Q2をONさせる。VDDレベルが過放電検出遅延時間経っても過放電検出電圧以上(VDET2以上)にならない時は過放電検出遅延時間(tVDET2)後に放電制御用FET Q2(Dout)をOFFさせる。
DoutがOFFした時に充電器がつながっていると上記動作の繰り返しとなるため、過放電復帰遅延時間(tVREL2)後に再度放電制御用FET Q2をONさせる。
以上の繰り返しにより、VDDレベルが過放電検出電圧以上(VDET2以上)になるまで過放電復帰遅延時間(tVREL2)と過放電検出遅延時間(tVDET2)によるパルス充電方式となる。
従来の充電方法においては、充電器側の設定によるが、充電器を接続すると初期充電が開始される。その後、一旦充電を停止(図4の「充電停止」参照)して電池セル電圧をチェックする。電池セル電圧をチェック後、再充電を開始する。
しかし、過放電検出電圧以下(VDET2以下)において充電を停止している状態の場合、過放電検出電圧以下(VDET2以下)であるので放電制御用FET Q2はOFFしているため、電池セル電圧をモニタすることができないことがあるという問題があった。
しかしながら、上述した本発明によると、その際、内部回路、充電器側の温度特性のバラツキ、過放電復帰遅延時間の温度特性バラツキ、過放電検出遅延時間の温度特性バラツキなどを考慮した所定時間(過放電復帰遅延時間(tVREL2))経過後、充電停止状態にある放電制御用FET Q2を強制的にONさせて電池セル電圧を監視することが可能となり、上記従来の問題が解消される。
また、上記実施例に係る充放電保護回路は、これをバッテリーパックに組み込んだり、該バッテリーパックを各種電子機器、携帯電話、携帯ゲーム機、デジタルカメラ、携帯用音響機器などに内蔵させたりして広く利用することができる。
次に、充電器接続時に放電制御用FET Q2を制御する他の方法として、充電器が接続されたことを直接認識できる端子を設けることで充電器接続復帰は可能である。図3A〜図3Cは、充電器が接続されたことを認識できる端子を設けた場合の動作を説明するための図である。
<図3A:過放電未検出,充電器未接続時>
充電器接続信号を通常“L”レベルに固定し、充電器のPACK+側の信号を受け、充電器が接続されると“H”レベルを出力できるようにすると、過充電検出レベル以下で過放電検出レベル以上であると、非過放電検出信号(過放電が検出されない場合に“H”レベル、過放電が検出された場合に“L”レベルなる信号)からは“H”レベルが出力される。
充電器が接続されていない状態だと充電器接続信号からは“L”レベルが出力される為、M1の出力は“L”レベルが出力される。M2の入力に“L”レベルが入力され、M2の出力は“H”レベルとなり、Nチャネルの放電制御用FET Q2をONさせることができる。
<図3B:過放電検出かつ充電器未接続時>
過放電検出状態においては非過放電検出信号より“L”レベルが出力され、充電器が接続されていない状態では充電器接続信号からは“L”レベルが出力される。M1の入力は“L”レベルと“L”レベルであるのでその出力は“H”レベルとなる。従って、インバータM2の出力は“L”レベルとなり放電制御用FET Q2をOFFさせる。
<図3C:過放電検出かつ充電器接続時>
過放電検出状態で充電器が接続されると、非過放電検出信号は“L”レベル、充電器接続信号からは“H”レベルが出力される。そのとき、M1の出力は“L”レベルが出力される。M2の出力は“H”レベルが出力され放電制御用FETをONさせることができる。
本発明に係る半導体装置(充放電保護回路)のブロック図と、その半導体装置を使用したバッテリーパック内部の保護回路を示す図である。 過充電未検出,過放電未検出,過電流未検出かつ充電器未接続時における充電器復帰制御を説明するための図である。 過放電検出かつ充電器未接続時における充電器復帰制御を説明するための図である。 過放電検出かつ充電器接続時における充電器復帰制御を説明するための図である。 充電器接続検知端子を備えた場合の過放電未検出かつ充電器未接続時における放電制御用FETの制御を説明するための図である。 充電器接続検知端子を備えた場合の過放電検出かつ充電器未接続時における放電制御用FETの制御を説明するための図である。 充電器接続検知端子を備えた場合の過放電検出かつ充電器接続時における放電制御用FETの制御を説明するための図である。 本発明に係る充電器接続時のタイミングチャートを説明する。 従来技術に係る半導体装置(充放電保護回路)のブロック図と、その半導体装置を使用したバッテリーパック内部の保護回路を示す図である。
符号の説明
1:半導体装置(充放電保護回路)
11:過充電検出回路
12:過放電検出回路
13:放電過電流検出回路
14:短絡検出回路
15:異常充電器検出回路
16:発振回路
17:カウンタ
18,20:ロジック回路(ラッチ)
19:レベルシフト回路
21:充電過電流検出回路
23:遅延時間短縮回路
26:充電器接続復帰回路
Q1:充電制御用FET
Q2:放電制御用FET
SW:スイッチ
TEST:テスト端子

Claims (10)

  1. 過充電検出回路、過放電検出回路、充電過電流検出回路、放電過電流検出回路、充放電路に直列に設けられた充電制御用FETおよび放電制御用FETを具備し、前記過充電検出回路で過充電を検出した場合および前記充電過電流検出回路で充電過電流を検出した場合に前記充電制御用FETをOFFにし、前記過放電検出回路で過放電を検出した場合および前記放電過電流検出回路で放電過電流を検出した場合に前記放電制御用FETをOFFにすることにより、2次電池を過充電、過放電、充電過電流、または放電過電流から保護する充放電保護回路であって、
    過放電検出時に充電器が接続された場合、第1の所定の時間(過放電復帰遅延時間)経過後、前記放電制御用FETを強制的にONすることを特徴とする充放電保護回路。
  2. 請求項1記載の充放電保護回路において、
    前記放電制御用FETをONした後、第2の所定時間(過放電検出遅延時間)経過後、前記放電制御用FETをOFFすることを特徴とする充放電保護回路。
  3. 請求項2記載の充放電保護回路において、
    前記放電制御用FETをOFFした後、電池セル電圧の値が過放電検出電圧以下の場合、前記第1の所定の時間経過後の放電制御用FETのONと前記第2の所定時間経過後の放電制御用FETのOFFを繰り返すことを特徴とする充放電保護回路。
  4. 請求項2記載の充放電保護回路において、
    前記第1の所定時間および第2の所定時間は、内部回路,充電器,過放電復帰遅延時間,過放電検出遅延時間の温度特性のバラツキを考慮して決められる時間であることを特徴とする充放電保護回路。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載された充放電保護回路を組み込んだことを特長とするバッテリーパック。
  6. 請求項5記載のバッテリーパックを用いた電子機器。
  7. 請求項5記載のバッテリーパックを用いた携帯電話。
  8. 請求項5記載のバッテリーパックを用いた携帯ゲーム機。
  9. 請求項5記載のバッテリーパックを用いたデジタルカメラ。
  10. 請求項5記載のバッテリーパックを用いた携帯用音響機器。
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