JP2007318108A5

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Publication number: JP2007318108A5
Application number: JP2007115522A
Authority: JP
Filing date: 2007-04-25
Publication date: 2010-06-17
Anticipated expiration: 2027-04-25

Claims

絶縁表面を有する基板を有し、
前記絶縁表面上の全面に素子分離領域及び素子領域を含む半導体層を有し、
前記素子領域はソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含み、
前記素子分離領域及び前記素子領域は接しており、
前記素子分離領域は第１の不純物元素及び第２の不純物元素を含み、
前記第１の不純物元素は酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上であり、
前記第２の不純物元素は前記ソース領域及び前記ドレイン領域と逆の導電型を前記素子分離領域に付与する不純物元素であり、
前記素子分離領域は前記チャネル形成領域より結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
請求項１において、
前記素子分離領域及び前記素子領域上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に導電層を有し、前記導電層は前記絶縁層を介して前記素子分離領域及び前記素子領域上に亘って設けられることを特徴とする半導体装置。
絶縁表面を有する基板を有し、
前記絶縁表面上の全面に素子分離領域、前記素子分離領域を介して隣接する第１の素子領域、及び第２の素子領域を含む半導体層を有し、
前記第１の素子領域は第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を含み、
前記第２の素子領域は第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を含み、
前記第１のソース領域、前記第１のドレイン領域、前記第２のソース領域、及び前記第２のドレイン領域は同じ導電型であり、
前記素子分離領域は第１の不純物元素及び第２の不純物元素を含み、
前記第１の不純物元素は酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上であり、
前記第２の不純物元素は前記第１のソース領域、前記第１のドレイン領域、前記第２のソース領域、及び前記第２のドレイン領域と逆の導電型を前記素子分離領域に付与する不純物元素であり、
前記素子分離領域は前記第１のチャネル形成領域及び前記第２のチャネル形成領域より結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
請求項３において、
前記素子分離領域、前記第１の素子領域及び前記第２の素子領域上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に導電層を有し、前記導電層は前記絶縁層を介して前記素子分離領域及び前記第１の素子領域、又は前記素子分離領域及び前記第２の素子領域上に亘って設けられることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記素子分離領域に含まれる前記第１の不純物元素の濃度は、１×１０^２０ｃｍ^−３以上４×１０^２２ｃｍ^−３未満であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記素子分離領域は希ガス元素を含むことを特徴とする半導体装置。
絶縁表面を有する基板を有し、
前記絶縁表面上の全面に第１の素子分離領域、前記第１の素子分離領域を介して隣接する第１の素子領域、第２の素子分離領域、及び前記第２の素子分離領域を介して隣接する第２の素子領域を含む半導体層を有し、
前記第１の素子分離領域は前記第２の素子分離領域と接しており、
前記第１の素子領域は第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を含み、
前記第２の素子領域は第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を含み、
前記第１のソース領域及び前記第１のドレイン領域はｎ型の不純物領域であり、
前記第２のソース領域及び前記第２のドレイン領域はｐ型の不純物領域であり、
前記第１の素子分離領域は酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上の第１の不純物元素及びｐ型を前記第１の素子分離領域に付与する不純物元素を含み、
前記第２の素子分離領域は前記第１の不純物元素及びｎ型を前記第２の素子分離領域に付与する不純物元素を含み、
前記第１の素子分離領域及び前記第２の素子分離領域は前記第１のチャネル形成領域及び前記第２のチャネル形成領域より結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
請求項７において、
前記第１の素子領域、前記第１の素子分離領域、前記第２の素子分離領域、及び前記第２の素子領域上に絶縁層を有し、
前記絶縁層上に導電層を有し、前記導電層は前記絶縁層を介して前記第１の素子領域、前記第１の素子分離領域、前記第２の素子分離領域、及び前記第２の素子領域上に亘って設けられることを特徴とする半導体装置。
請求項７又は８において、
前記第１の素子分離領域及び前記第２の素子分離領域に含まれる前記第１の不純物元素の濃度は、１×１０^２０ｃｍ^−３以上４×１０^２２ｃｍ^−３未満であることを特徴とする半導体装置。
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記第１の素子分離領域及び前記第２の素子分離領域は希ガス元素を含むことを特徴とする半導体装置。