JP2007318068A - 半導体素子のコンタクト形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1ハードマスク膜を有する多数の導電ラインが形成されたシリコン基板を設け、導電ラインを覆うようにシリコン基板上に層間絶縁膜を形成し、導電ラインの第1ハードマスク膜が露出するように層間絶縁膜をCMP処理し、層間絶縁膜の一部の厚さを除去し、層間絶縁膜の一部の厚さが除去された基板結果物上に第2ハードマスク膜を形成し、導電ラインの第1ハードマスク膜が露出するように第2ハードマスク膜をCMP処理し、該第2ハードマスク膜のコンタクト形成領域に形成された部分をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、ハードマスクパターンをエッチング障壁として利用して層間絶縁膜をエッチングして、基板のコンタクト形成領域をオープンさせ、コンタクト形成領域を埋め込むように導電膜を蒸着し、導電ラインの第1ハードマスク膜が露出するように導電膜と残留したハードマスクパターンとを除去する。
【選択図】 図9E
Description
まず、本発明の技術的原理を説明すると、本発明はランディングプラグコンタクト及びストレージノードコンタクトの形成の際、ポリシリコンハードマスクパターンを層間絶縁膜上のみに形成させてゲートライン及びビットラインの全体がオープンされるようにする。
2 ゲート絶縁膜
3 ゲート導電膜
4 ゲートハードマスク窒化膜
5 ゲートライン
6 接合領域
7 第1スペーサ窒化膜
8 第1層間絶縁膜
9 ハードマスク用第1ポリシリコン膜
9a 第1ポリシリコンハードマスクパターン
11 コンタクトホール
12 プラグ用ポリシリコン膜
12a ランディングプラグコンタクト
13 絶縁膜
14 バリヤ膜
15 導電膜
16 ビットラインハードマスク窒化膜
17 ビットライン
18 第2スペーサ窒化膜
19 第2層間絶縁膜
21a ストレージノードコンタクト
22 ハードマスク用第2ポリシリコン膜
22a 第2ポリシリコンハードマスクパターン
Claims (34)
- 第1ハードマスク膜を有する多数の導電ラインが形成されたシリコン基板を設けるステップと、
前記導電ラインを覆うようにシリコン基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記導電ラインの第1ハードマスク膜が露出するように層間絶縁膜をCMP(Chemical Mechanical Polishing)処理するステップと、
前記層間絶縁膜の一部の厚さを除去するステップと、
前記層間絶縁膜の一部の厚さが除去された基板結果物上に第2ハードマスク膜を形成するステップと、
前記導電ラインの第1ハードマスク膜が露出するように第2ハードマスク膜をCMP処理するステップと、
前記CMP処理された第2ハードマスク膜のコンタクト形成領域に形成された部分をエッチングしてハードマスクパターンを形成するステップと、
前記ハードマスクパターンをエッチング障壁として利用して層間絶縁膜をエッチングして、基板のコンタクト形成領域をオープンさせるステップと、
前記オープンされたコンタクト形成領域を埋め込むように導電膜を蒸着するステップと、
前記導電ラインの第1ハードマスク膜が露出するように導電膜と残留したハードマスクパターンとを除去するステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子のコンタクト形成方法。 - 前記導電ラインはゲートラインまたはビットラインであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記オープンされたコンタクト形成領域はゲートライン間の接合領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記オープンされたコンタクト形成領域はビットライン間のランディングプラグコンタクト領域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記層間絶縁膜の一部の厚さを除去するステップは、前記第1ハードマスク膜の上段部側面のみ露出するように遂行することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記層間絶縁膜は100〜1000Åを除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜で形成し、前記層間絶縁膜は酸化膜で形成し、前記第2ハードマスク膜はポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記層間絶縁膜をCMP処理するステップは、前記第1ハードマスク膜と層間絶縁膜との研磨選択比が1:10〜1:200であるスラリを使用して遂行することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜からなり、前記層間絶縁膜は酸化膜からなることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第2ハードマスク膜をCMP処理するステップは、前記第1ハードマスク膜と第2ハードマスク膜との研磨選択比が1:10〜1:200であるスラリを使用して遂行することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜からなり、前記第2ハードマスク膜はポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記オープンされた領域を埋め込む導電膜は、ランディングプラグコンタクト形成の場合にはポリシリコン膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記オープンされた領域を埋め込む導電膜は、ストレージノードコンタクト形成の場合には、ポリシリコン膜またはタングステン膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記導電膜と残留したハードマスクパターンとを除去するステップは、エッチバック処理またはCMP処理で遂行することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 第1ハードマスク膜を有する多数のゲートライン及び接合領域が形成されたシリコン基板を設けるステップと、
前記ゲートラインを覆うようにシリコン基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲートラインの第2ハードマスク膜が露出するように層間絶縁膜をCMP処理するステップと、
前記層間絶縁膜の一部の厚さを除去するステップと、
前記層間絶縁膜の一部の厚さが除去された基板結果物上に第2ハードマスク膜を形成するステップと、
前記ゲートラインの第1ハードマスク膜が露出するように第2ハードマスク膜をCMP処理するステップと、
前記CMP処理されたハードマスク膜のコンタクト形成領域に形成された部分をエッチングしてハードマスクパターンを形成するステップと、
前記ハードマスクパターンをエッチング障壁として利用して層間絶縁膜をエッチングしてゲートライン間の接合領域をオープンさせるステップと、
前記オープンされた領域を埋め込むようにゲートライン及び層間絶縁膜上に導電膜を蒸着するステップと、
前記ゲートラインの第1ハードマスク膜が露出するように導電膜と残留したポリシリコンハードマスクとを除去するステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子のコンタクト形成方法。 - 前記層間絶縁膜の一部の厚さを除去するステップは、前記第1ハードマスク膜の上段部側面のみ露出するように遂行することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記層間絶縁膜は、300〜1000Åを除去することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜で形成し、前記層間絶縁膜は酸化膜で形成し、前記第2ハードマスク膜はポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記層間絶縁膜をCMP処理するステップは、前記第1ハードマスク膜と層間絶縁膜との研磨選択比が1:10〜1:200であるスラリを使用して遂行することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜からなり、前記層間絶縁膜は酸化膜からなることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第2ハードマスク膜をCMP処理するステップは、前記第1ハードマスク膜と第2ハードマスク膜との研磨選択比が1:10〜1:200であるスラリを使用して遂行することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜からなり、前記第2ハードマスク膜はポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項21に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記オープンされた領域を埋め込む導電膜は、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記導電膜と残留したハードマスクパターンとを除去するステップは、エッチバック処理またはCMP処理で遂行することを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 第1ハードマスク膜を有するビットラインが形成されたシリコン基板を設けるステップと、
前記ビットラインを覆うようにシリコン基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記ビットラインの第1ハードマスク膜が露出するように層間絶縁膜をCMP処理するステップと、
前記層間絶縁膜の一部の厚さを除去するステップと、
前記層間絶縁膜の一部の厚さが除去された基板結果物上に第2ハードマスク膜を形成するステップと、
前記ビットラインの第1ハードマスク膜が露出するように第2ハードマスク膜をCMP処理するステップと、
前記CMP処理された第2ハードマスク膜のコンタクト形成領域に形成された部分をエッチングしてハードマスクパターンを形成するステップと、
前記ハードマスクパターンをエッチング障壁として利用して層間絶縁膜をエッチングしてビットライン間の領域をオープンさせるステップと、
前記オープン地域を埋め込むようにビットライン及び層間絶縁膜上に導電膜を蒸着するステップと、
前記ビットラインの第1ハードマスク膜が露出するように導電膜と残留したハードマスクパターンとを除去するステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子のコンタクト形成方法。 - 前記層間絶縁膜の一部の厚さを除去するステップは、前記第1ハードマスク膜の上段部側面のみ露出するように遂行することを特徴とする請求項25に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記層間絶縁膜は、100〜1000Åを除去することを特徴とする請求項25に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜で形成し、前記層間絶縁膜は酸化膜で形成し、前記第2ハードマスク膜はポリシリコン膜で形成することを特徴とする請求項25に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記層間絶縁膜をCMP処理するステップは、前記第1ハードマスク膜と層間絶縁膜との研磨選択比が1:10〜1:200であるスラリを使用して遂行することを特徴とする請求項25に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜からなり、前記層間絶縁膜は酸化膜からなることを特徴とする請求項29に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第2ハードマスク膜をCMP処理するステップは、前記第1ハードマスク膜と第2ハードマスク膜との研磨選択比が1:10〜1:200であるスラリを使用して遂行することを特徴とする請求項25に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記第1ハードマスク膜は窒化膜からなり、前記第2ハードマスク膜はポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項31に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記オープンされた領域を埋め込む導電膜は、ポリシリコン膜またはタングステン膜であることを特徴とする請求項25に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
- 前記導電膜と残留したハードマスクパターンとを除去するステップは、エッチバック処理またはCMP処理で遂行することを特徴とする請求項25に記載の半導体素子のコンタクト形成方法。
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