JP2007310182A - 電気泳動表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透光性溶媒107中に帯電性と色の異なる2種類の粒子を分散した電気泳動インクを単位セル111中に充填する。対向電極103,積層された下部電極104及び上部電極105の間に電圧を印加することにより、下部電極104と上部電極105上の絶縁層110が設けられた第1の開口部106a及び第2の開口部106bに帯電した荷電粒子108a及び荷電粒子108bを移動し、2粒子の集合拡散状態を制御することにより、単位セル111で4色の表示色を得る。下部電極104を単位セル111全体を覆う反射層とすることができるため、開口率を大きく反射率を大きくすることができる。
【選択図】図1
Description
104は、一平面全体を覆って配置された拡散反射電極とするものである。
114で拡散反射して視点129(図1参照)側に戻ってくる。上部電極105に反射率の高い金属材料を用いることもできる。その場合には、反射層114と同様に上部電極
105も凹凸形状となるようにし、光拡散性を持たせることが望ましい。第1の絶縁層
110aが十分に薄い場合には、凹凸層113の凹凸に合わせて上部電極105にも凹凸形状が形成される。また、上部電極105も下部電極104と同様に多層構造として機能を分離してもよい。
101に対して対向電極103が配置された側に設けて屈折により光を拡散させてもよい。また或いは、絶縁層110中に屈折率の異なる透光性の粒子を分散させることで光拡散性を持たせても良い。
(Indium Zinc Oxide),ITZO,SnO2等を用いることができる。
(Thin Film Transistor)を形成する場合の耐薬品性を向上するために、樹脂コートすることが望ましい。
109形成後に絶縁層110を形成することで、隔壁109のコートに兼用することができる。
108が電気泳動インク中を分散したり、対向電極103や第1の開口部106aや第2の開口部106bに集中したりして、様々な色を表して画像を表示させるものである。以下具体的に説明する。
108bとして青色を用いているため、この混合した状態では、黒色となる。
108aは、下部電極104に設けられた第1の開口部106aに集まり、負に帯電した青色の荷電粒子108bは対向電極103側に集まる(図3(b))。このとき、視点
129からは主に青色の荷電粒子108bが見えるようになるため、この単位セル111は青色の表示となる。
0.05μm 以上10μm以下が望ましい。小さな粒径の荷電粒子108を用いると、単位セル111のセルギャップを小さくでき、そのため、単位セル111の面積も小さくすることができて、高解像度化が可能となる。セルギャップtは、単位セルサイズR以下とすることが望ましく、R/4以下とすることが望ましい。また、粒子直径Dは、セルギャップtよりも十分小さい必要があり、t/5以上t/200以下、さらに好ましくは、t/10以上t/100以下とすることが望ましい。例えば、単位セル111が600ppi の場合は、単位セルサイズRが42μmであるため、セルギャップは42μm以下、好ましくは10μm以下とすることが望ましい。さらに、セルギャップ10μmの場合、粒子直径0.05μm以上2μm以下、より好ましくは0.1μm以上1μm以下の粒子を用いることが望ましい。また一方では、粒径の大きな荷電粒子108を用いると、荷電粒子
108同士、荷電粒子108と電極面等の壁面との間に働く付着力がブラウン運動による拡散力よりも大きくなり、電極に集まった粒子が、電圧を切った後も分散せずに集まっているメモリ性が発現しやすくなり望ましい。メモリ性を発現するためには、粒子直径0.5μm以上、より好ましくは1μm以上の粒子を用いることが望ましい。
105の3つの電極と、帯電性及び色の異なる2種類の粒子により、1つの単位セル111で黒,白,第1の粒子色(赤),第2の粒子色(青)の4色を表示することができる。さらに、荷電粒子108の開口部106への集まり具合を制御することで、これら4色の中間の色を形成し、また階調を表現してもよい。この荷電粒子108の開口部106への集まり具合は、印加する電圧、或いは、印加する電圧のシーケンスにより制御することができる。また或いは、単位セル111の表示は4色とし、回りの単位セル111と組み合わせて面積階調によって階調を表示することもできる。面積階調を用いる場合には、単位セルの大きさを一定とせず、大きなセルと小さなセルと設け、これらの組み合わせで表示できる階調数を大きくしてもよい。
106aまたは第2の開口部106bまたは対向電極103に集まっていた荷電粒子108が粒子同士の静電反発力で分散するようにすることが望ましい。また、対向電極103に集まっていた荷電粒子108も、第1の開口部106a及び第2の開口部106bを共通電圧とした場合に粒子同士の静電反発力で分散するようにすることが望ましいが、荷電粒子108が透光性の場合には荷電粒子108を通して透光性溶媒107中に分散した他方の粒子と混色できるためメモリ性があってもよい。このようにメモリ性がある場合には、第1の荷電粒子を視点129側にするか、第2の荷電粒子を視点129側にするかによって、黒色の色目或いは濃度が変わる場合があり、この差を階調表示に用いることもできる。
ここで応答時間Tは、最長粒子移動距離Lと駆動電圧Vを用いて以下の関係にある。
すなわち駆動電圧が一定ならば、応答時間Tは最長移動距離Lの二乗に比例して大きくなる。このように画素内で最長移動距離Lが短くなるように第1の開口部106a及び第2の開口部106bそれぞれを配置することが望ましい。
108の移動距離が短くなる方向に突起を配置することが望ましい。
110を粒子直径の2倍以上、好ましくは5倍以上の厚さにすると、粒子集合状態において粒子が開口部106内に収納され開口部106からはみ出る粒子108を低減でき、実質的な開口率を大きくできるため、反射率,コントラスト比を高めることが出来る。
108が開口部106により強く集まる電場分布が形成され、応答速度を速くすることができる。
120a及び第2のメモリ素子の画像信号メモリ120b、さらにはそれぞれトランジスタ121c,トランジスタ121dのゲートに接続されている。トランジスタ121c,トランジスタ121dのドレインないしソースの一方はそれぞれ基準電圧線119a,基準電圧線119bに接続され、ドレインないしソースの他方は下部電極104及び上部電極105に接続されている。下部電極104及び上部電極105に相対して対向電極103が設けられている。下部電極104及び上部電極105は、それぞれ表示素子122a,122bに接続されている。ここでは、対向電極103の電圧を一定とし共通電圧とした。第1のメモリ素子の画像信号メモリ120aは下部電極104に加える電圧を記憶し、第2のメモリ素子の画像信号メモリ120bは上部電極105に加える電圧を記憶する。
Transistor)を用いた。TFTとしては、アモルファスシリコンTFT,ポリシリコン
TFT、を用いることができる。或いは、有機半導体を用いた有機TFTを用いることもできる。
SAm,SBmがそれぞれ基準電圧線119a及び基準電圧線119bの駆動波形に対応している。書換え期間135は画像信号メモリ120の状態の更新、すなわち表示画像情報の更新を行い、リフレッシュ期間137には画像信号メモリ120に保持された表示画像情報のリフレッシュを行う。つまり書換え期間135に複数のメモリ素子である画像信号メモリを同時にリフレッシュし、その後、新たな画像データを書込むことを行う。一方、保持期間136は、画面の走査を休止して、画像信号メモリの状態に応じて決まる各画素の表示状態を保持する期間である。保持期間136の長さは、画像信号メモリ120の電圧の保持時間によって決まり、トランジスタのオフ電圧以下となる前に、リフレッシュ期間137を挿入する。画像を書換えない期間は、リフレッシュ期間137と保持期間136
を繰り返す。保持期間136は、走査線の走査を停止し、基準電圧線119aには−VG、基準電圧線119aには+VGを印加した状態を保持しているため、以下書換え期間
135とリフレッシュ期間137の波形について説明する。
106bから離れる力が加わる。続いて、下部電極104と上部電極105の電圧は共通電位(ここでは0Vとしている)となる。第1の開口部106aおよび第2の開口部106bから離れた荷電粒子108は、お互いの静電反発力を受けて透光性溶媒107中に分散する。ゲートパルス信号134が、OFFになった後、基準電圧線119a及び基準電圧線119bの電位は第1の開口部106aおよび第2の開口部106bに粒子を集める駆動電圧VG (基準電圧線119aには−VG、基準電圧線119aには+VG)となる。このとき、画像信号メモリ120aと画像信号メモリ120bは、トランジスタ121cとトランジスタ121dをOFFにするようにリセットされており、下部電極104と上部電極105は、共通電位となっている。
105がONとなって赤の表示となり、(m−1)ライン選択期間131において、走査線(m−1)番目、信号線n番目の画素は、下部電極104と上部電極105がともに
OFFとなって黒表示に、(m+1)ライン選択期間133において、走査線(m+1)番目、信号線n番目の画素は、下部電極104と上部電極105がともにONとなって白表示になる。実際の駆動波形は画像信号に応じて波形が変わる。
118bの電位は、書込む画像信号がオンかオフかによって2状態の電位(ON,OFF)のうちいずれかが、ゲートパルス信号134の立下りの時点で選択され、画像信号メモリ120a及び画像信号メモリ120bに書込まれる。
119aには−VG、基準電圧線119aには+VG)となる。ゲートパルス信号134の立下りの時点で信号線の電位がサンプリングされ、画像信号メモリ120a及び画像信号メモリ120bに書込まれる。画像信号メモリ120aまたは画像信号メモリ120bにON信号が書込まれると、対応したトランジスタ121cまたはトランジスタ121dがONとなり、下部電極104または上部電極105には、基準電圧線119a及び基準電圧線119bの駆動電圧が印加されて、第1の開口部106aまたは第2の開口部106bに粒子が集まってくる。
TFTを用いて作成でき、作成が容易となり、またそのため、プラスチック基板等の耐熱性の低い基板を用いても表示装置を作成することができる。
103の電圧を駆動する必要がなく、駆動が簡単になる。またさらに、画像表示装置全体に単一の電気泳動インク100を封入することでカラー表示ができ、画像表示装置の組み立てが容易である。電気泳動インク100を隔壁109内に封入する場合に、隔壁109を熱可塑性の材料を用いてその一部を欠いて穴を設け、封入前は穴を通じて隣接する単位セル111と繋いでおき、透明基板101を基板102側に貼り付ける際に熱を加えて穴を塞いでもよい。
(G)の荷電粒子108cと負に帯電したマゼンタ色(M)の荷電粒子108dを用いた。緑色の補色であるマゼンタの粒子を用いることにより、緑色の荷電粒子108cとマゼンタ色の荷電粒子108dが混合した状態では黒となる。
103への集合や、インク中への分散があり、各サブ画素領域において図3(a)〜(d)と同様に粒子が移動されモノクロからフルカラーまでの色を表現できる。
113を形成し、その上にスパッタリングにより下部電極104としてAlとITOを積層して堆積した後、続いて、SiO2 からなる絶縁層110aをプラズマCVD法により堆積した。その後、上部電極105としてITOをスパッタリングして、フォトリソグラフィーおよびウェットエッチングによりにパターン加工した。次に、カルドポリマー重合体からなる高さ5μm,幅5μmの隔壁層を格子状にパターニングして隔壁109を形成した。さらに、SiO2 からなる絶縁層110bをプラズマCVD法により堆積した後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングにより開口部を加工した。隔壁109間に2種類の荷電粒子108を分散させた透光性溶媒107で満たした後、ITO透光性導電膜を形成した基板101と一体化して封止して画像表示装置を得た。本画像装置は、解像度400ppi とし、画素を50μmピッチの正方格子とした。本画像表示装置は、対向電極103を0Vに維持し、下部電極104及び上部電極105を+/−10Vで変調することで透光性溶媒107に分散させた荷電粒子108が開口部106の近傍に集合した状態と画素全面に分散した状態を画素毎に切替えることで、黒,白,赤,青の4色の画像表示を行った。
μmとしても、荷電粒子108を開口部106に集めることが可能となった。セルギャップが狭いため、高解像度化も可能であり、さらに600ppi の解像度を実現できることも確認した。画素毎が隔壁109によって仕切られていることにより、粒子の画素間の移動による擾乱が阻止され好適である。
113を形成し、その上に下部電極104としてAlとITOを積層してスパッタリングにより堆積した後、続いて、SiO2からなる絶縁層110aをプラズマCVD法により堆積した。その後、上部電極105としてITOをスパッタリングして、ITOをフォトリソグラフィーおよびウェットエッチングによりにパターン加工した。次に、カルドポリマー重合体からなる高さ5μm,幅5μmの隔壁層を格子状にパターニングして隔壁109を形成した。さらに、SiO2からなる絶縁層110bをプラズマCVD法により堆積した後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングにより開口部を加工した。隔壁109間に2種類の電気泳動インク100を滴下し、ITO透光性導電膜を形成した基板101と一体化して封止して画像表示装置を得た。本画像装置は、解像度300ppi とし、画素を85μmピッチの正方格子とした。この画素は2個のサブ画素で構成され、サブ画素は、42×85μmのサイズとした。本画像表示装置は、対向電極103を0Vに維持し、下部電極104及び上部電極105を+/−10Vで変調することで透光性溶媒107に分散させた粒子108が開口部106の近傍に集合した状態と画素全面に分散した状態を画素毎に切替えた。
113を形成し、その上に下部電極104としてAlとITOを積層してスパッタリングにより堆積した後、続いて、SiO2 からなる絶縁層110aをプラズマCVD法により堆積した。その後、上部電極105としてITOをスパッタリングして、ITOをフォトリソグラフィーおよびウェットエッチングによりにパターン加工した。次に、カルドポリマー重合体からなる高さ5μm,幅5μmの隔壁層を格子状にパターニングして隔壁109を形成した。さらに、SiO2 からなる絶縁層110bをプラズマCVD法により堆積した後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングにより開口部を加工した。隔壁109間に2種類の荷電粒子108を分散させた透光性溶媒107で満たした後、ITO透光性導電膜を形成した基板101と一体化して封止して画像表示装置を得た。本画像装置は、解像度600ppi とし、画素を42μmピッチの正方格子とした。本画像表示装置は、対向電極103を0Vに維持し、下部電極104及び上部電極105を+/−10Vで変調することで透光性溶媒107に分散させた粒子108が開口部106の近傍に集合した状態と画素全面に分散した状態を画素毎に切替えることで、白黒4階調の画像表示を行った。
120b…画像信号メモリ、121a,121b,121c,121d…トランジスタ、122a,122b…表示素子、123…走査線駆動回路、124…信号線駆動回路、
125…基準電圧線駆動回路、126…タイミングコントローラ、127…表示部、128…パネル部、129…視点、131…(m−1)ライン選択期間、132…mライン選択期間、133…(m+1)ライン選択期間、134…ゲートパルス信号、135…書換え期間、136…保持期間、137…リフレッシュ期間、138…リセット期間、139…書込み期間。
Claims (19)
- 一対の基板と、
第1の画素電極と前記第1の画素電極上に配置された第2の画素電極とが形成された前記一対の基板の一方基板と、
前記一方基板に対向して配置され、対向電極が形成された他方基板と、
前記一方基板と前記他方基板間の間隙を複数の画素領域に分割する複数の隔壁と、
前記一方基板と前記他方基板と隔壁とで囲まれた画素領域に複数充填され、且つ色と帯電極性が異なる2種類の荷電粒子と、
前記第1の画素電極と前記第2の画素電極間に形成され、第1の絶縁部と前記第1の画素電極上に存在する第1の開口部とを有する第1の絶縁層と、
前記第2の画素電極上に形成され、第2の絶縁部と第2の開口部とを有する第2の絶縁層と、を有し、
前記第1の画素電極と前記対向電極間、及び前記第2の画素電極と前記対向電極間の電位差を制御して画像表示を行う画像表示装置。 - 一対の基板と、
第1の画素電極及び第2の画素電極が形成された前記一対の基板の一方基板と、
前記一方基板に対向して配置され、対向電極が形成された他方基板と、
前記一方基板と前記他方基板間の間隙を複数の画素領域に分割する複数の隔壁と、
前記一方基板と前記他方基板と隔壁とで囲まれた画素領域に複数充填され、且つ色は同じで、帯電極性の異なる2種類の荷電粒子と、
前記第1の画素電極と前記第2の画素電極間に形成され、第1の絶縁部と前記第1の画素電極上に存在する第1の開口部とを有する第1の絶縁層と、
前記第2の画素電極上に形成され、第2の絶縁部と第2の開口部とを有する第2の絶縁層と、を有し、
前記第1の画素電極と前記対向電極間、及び前記第2の画素電極と前記対向電極間の電位差を制御して画像表示を行う画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記荷電粒子が前記第1の開口部に集合した状態と、前記第2の開口部に集合した状態と、前記対向電極上に集合した状態と、前記画素領域全体に分散された状態とを切替えて画像表示する画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記第1の画素電極は、拡散反射電極であり、前記画素領域内の一平面全体を覆って配置された画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記対向電極は、前記他方基板上全体にわたって形成された画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記荷電粒子が、液体中または気体中に分散されている画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記第1の開口部は前記第1の絶縁層内に複数配置され、前記第2の開口部は前記第2の絶縁層内に複数配置されている画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記第1の画素電極を駆動する第1の駆動素子と、
前記第2の画素電極を駆動する第2の駆動素子とを有し、
前記第1の駆動素子と前記第2の駆動素子のオフ抵抗が、前記第1の画素電極と前記第2の画素電極との間の抵抗よりも大きい画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記第1の画素電極に加える電圧を記憶する第1のメモリ素子と、
前記第2の画素電極に加える電圧を記憶する第2のメモリ素子とを有する画像表示装置。 - 請求項1または請求項2記載の画像形成装置において、
前記画素領域は、複数の信号線と前記複数の信号線と交差して配置された複数の走査線とで囲まれた領域であり、
前記画素領域内には複数のメモリ素子と、前記複数のメモリ素子のそれぞれに接続された基準電圧線と、を有し、
前記基準電圧線に入力される電圧信号の駆動波形は、画像データの書換え期間と、前記画像データの保持期間とを有し、
前記書換え期間に前記複数のメモリ素子を同時にリフレッシュした後、新たな画像データを書込む画像形成装置。 - 一対の基板と、
第1の画素電極及び第2の画素電極が形成された前記一対の基板の一方基板と、
前記一方基板に対向して配置され、対向電極が形成された他方基板と、
前記一方基板と前記他方基板間の間隙を複数の画素領域に分割する複数の隔壁と、
前記一方基板と前記他方基板と隔壁とで囲まれたサブ画素領域に複数充填され、且つ色と帯電極性が異なる2種類の荷電粒子と、
前記第1の画素電極と前記第2の画素電極間に形成され、第1の絶縁部と前記第1の画素電極上に存在する第1の開口部とを有する第1の絶縁層と、
前記第2の画素電極上に形成され、第2の絶縁部と第2の開口部とを有する第2の絶縁層と、を有し、
2つの前記サブ画素領域を画素とした場合、前記2つのサブ画素領域の一方のサブ画素領域は、加法混合における3原色の中から選んだ2色の荷電粒子が充填され、
前記2つのサブ画素領域の他方のサブ画素領域は、前記一方のサブ画素に含まれない残りの1色の原色の荷電粒子と原色に対して補色の関係にある荷電粒子とが充填され、
前記第1の画素電極と前記対向電極間、及び前記第2の画素電極と前記対向電極間の電位差を制御して画像表示を行う画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記荷電粒子が前記第1の開口部に集合した状態と、前記第2の開口部に集合した状態と、前記対向電極上に集合した状態と、前記画素全体に分散された状態とを切替えて画像表示する画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記第1の画素電極は、拡散反射電極であり、前記画素内の一平面全体を覆って配置された画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記対向電極は、前記他方基板上全体にわたって形成された画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記荷電粒子が、液体中または気体中に分散されている画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記第1の開口部は前記第1の絶縁層内に複数配置され、前記第2の開口部は前記第2の絶縁層内に複数配置されている画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記第1の画素電極を駆動する第1の駆動素子と、
前記第2の画素電極を駆動する第2の駆動素子とを有し、
前記第1の駆動素子と前記第2の駆動素子のオフ抵抗が、前記第1の画素電極と前記第2の画素電極との間の抵抗よりも大きい画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記第1の画素電極に加える電圧を記憶する第1のメモリ素子と、
前記第2の画素電極に加える電圧を記憶する第2のメモリ素子とを有する画像表示装置。 - 請求項11記載の画像形成装置において、
前記画素は、複数の信号線と前記複数の信号線と交差して配置された複数の走査線とで囲まれた領域であり、
前記画素内には複数のメモリ素子と、前記複数のメモリ素子のそれぞれに接続された基準電圧線と、を有し、
前記基準電圧線に入力される電圧信号の駆動波形は、画像データの書換え期間と、前記画像データの保持期間とを有し、
前記書換え期間に前記複数のメモリ素子を同時にリフレッシュした後、新たな画像データを書込む画像形成装置。
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