JP2007309700A - ギャップ裕度の評価装置 - Google Patents

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祐二 松井
Shigeki Karashi
茂樹 唐司
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喜美雄 山田
Manabu Aoki
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Abstract

【課題】比較的簡便な装置構成でギャップ裕度を正確に評価でき、かつ真空中、冷媒中及び高磁場雰囲気中でも使用可能なギャップ裕度の評価装置を提供する。
【解決手段】ギャップ距離に応じて形状が変化する片持ち梁状の金属接点4と導通距離に応じた抵抗変化を測定可能な抵抗膜6とからなるギャップ裕度評価センサを2つの構造材1,2間に設置する。金属接点4と抵抗膜6間の電気抵抗を電気抵抗測定部9にて測定し、得られた電気抵抗値から構造材1,2が接触するまでのギャップ裕度を評価する。静電容量式変位センサと組み合わせて構造材1,2間の傾きを加味したギャップ裕度の評価を行うこともできる。
【選択図】図1

Description

本発明は、2つの構造材間のギャップ裕度を評価する装置に係り、特に、真空、極低温、高磁場雰囲気などの環境下にも適用可能なセンサ構造に関する。
2つの構造材の間に存在するギャップの裕度(2つの構造材が接触するまでの距離的余裕度)を評価する方法としては、従来より静電容量式変位センサを利用したものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。静電容量式変位センサは、ギャップを介して配置される2つの構造体の表面に2枚1組の電極を設置し、この電極間の静電容量Cを測定するものである。電極間の静電容量Cは、電極間距離dと反比例する(C=k/d、ただしkは比例定数)ので、このセンサと用いればギャップ距離d(≒電極間距離d)の絶対値を算出することができ、算出したギャップ距離dから2つの構造材が接触するまでの裕度を評価できる。
なお、特許文献1に開示の静電容量式変位センサは、電極間距離の測定に関するダイナミックレンジの拡大を実現するものであり、ダイナミックレンジの拡大を阻害する要因の1つである被測定対象の電気的状態によって変化する分布容量Cを打ち消すためのマイナス静電容量−Cm1を作成して静電容量Cに並列に接続するものである。
特開2004−170163号公報
特許文献1に開示の静電容量式変位センサは、ギャップ距離の絶対値を測定することを目的としているため測定部の構成が複雑であり、単に2つの構造材間のギャップ裕度を評価する装置として用いるには品質が過剰であり、コストの点から不適切である。即ち、被測定対象が、例えば断熱槽を構成する内槽と外槽の間のギャップである場合のように、ギャップ距離が設計値から多少ずれても大きな問題が発生しない場合には、ギャップ距離の絶対値を高精度に測定する必要はなく、構造材同士の接触を前兆段階で把握するためのギャップ裕度を評価できれば充分であるので、ギャップ距離の絶対値を測定可能な特許文献1に開示の静電容量式変位センサを用いたのでは、無駄が多い。
また、特許文献1に開示の静電容量式変位センサは、電極間の静電容量Cを測定する構成であるため、電極間の比誘電率に応じて定数kの値が変化し、測定の過程で電極間の比誘電率が変化する被測定対象について適用した場合、定数kの設定を電極間の比誘電率が変化するたびにやり直さなくてはならず、使用が面倒であるという問題もある。即ち、真空容器や冷媒貯留槽からなる断熱槽の製作過程及び使用過程での各容器間のギャップ裕度を継続的に評価しようとする場合、断熱槽の製作過程及び使用過程によっては、電極の間に空気が存在することもあれば、液体窒素・液体ヘリウムなどの冷媒が存在することもあれば、真空状態となることもあるので、そのたびに定数kの設定をやり直さなくてはならず、使用が面倒である。
さらに、特許文献1に開示の静電容量式変位センサは、電極間の静電容量Cを測定する構成であるため、電極間の電気的状態の変化や磁場の影響を受けやすく、例えば超電導装置のように高磁場雰囲気中で使用した場合、ギャップ裕度を正確に求めることが難しいという問題や、センサからの信号の取り出しに微小な信号を取り出すことができる同軸ケーブルを用いる必要があることから、ケーブルの熱容量が大きく、例えば超電導装置のように液体窒素・液体ヘリウムなどの冷媒が封入された被測定対象に適用した場合、冷媒が蒸発により失われやすいという問題もある。
本発明は、このような従来技術の不備を解決するためになされたものであって、その目的は、比較的簡便な装置構成でギャップ裕度を正確に評価でき、かつ真空中、冷媒中、及び高磁場雰囲気中でも使用可能なギャップ裕度の評価装置を提供することにある。
本発明は、前記の課題を解決するため、第1に、ギャップを有するものとして設計されている2つの構造材間のギャップ裕度を評価する装置であって、前記2つの構造材の一方に一端が取り付けられた片持ち梁状の金属接点と、他方の構造材に取り付けられ、前記2つの構造材間のギャップ距離が所定値以下になったときに前記金属接点の先端部が接触する抵抗膜と、前記金属接点と前記抵抗膜との間の電気抵抗値を測定する電気抵抗測定部とを備え、前記電気抵抗測定部にて測定された前記電気抵抗値から前記2つの構造材が接触するまでのギャップ裕度を評価するという構成にした。
かかる構成のギャップ裕度の評価装置は、図1(1)に示すように、構造材のギャップが十分に大きく裕度が大きいときには、金属接点4と絶縁フィルム5上の抵抗膜6は電気的に接触していないので両者間の抵抗は無限大となる。図1(2)に示すように、構造材のギャップ距離が狭まり、裕度が小さくなると、金属接点4と抵抗膜6とが電気的に導通し、両者間の抵抗が測定可能となる。ただし、接触開始時点では、抵抗膜6の面上において金属接点4の接触点からケーブル7と接続点までの通電距離10aが長いので、金属接点4と抵抗膜6間の抵抗値は大きい。図1(3)に示すように、さらにギャップ距離が狭まり、裕度がいっそう小さくなると、金属接点4が弾性変形して抵抗膜6上における通電距離10bが短くなるので、金属接点4と抵抗膜6間の抵抗値は小さくなる。ギャップ距離と抵抗値との関連性を予め測定し、両者の関連性が記録しておけば、金属接点4と抵抗膜6間の抵抗測定値からギャップ距離を求めることができる。よって、一方の構造材に設置した金属接点4と他方の構造材に設置した抵抗膜6間の抵抗測定値からギャップ間の裕度を評価することができる。
また、前記構成のギャップ裕度の評価装置は、図1に示すように、金属接点4、金属接点4を構造材1に取付けるための絶縁ホルダ3、構造材2に貼り付けられる絶縁フィルム5、絶縁フィルム5上に形成された抵抗膜6をもってセンサ部を構成できるので、金属接点4はステンレスやアルミニウムや銅など、絶縁ホルダ3はポリテトラフルオロエチレンやFRPなど、絶縁フィルム5はポリイミドなど、抵抗膜6は酸化チタンなど、非磁性で極低温に耐えうる材料を選定して製作することにより、極低温かつ高磁場環境下でも安定して使用できる。
さらに、前記構成のギャップ裕度の評価装置は、抵抗膜6の電気抵抗を測定するので、ケーブル7及びケーブル8として細い被覆線を使用できるので、静電容量変位センサや超音波式センサを使用する場合に必須となる同軸ケーブルを用いる場合に比べて、配線が外部から被測定部に持ち込む熱侵入量を著しく小さくすることができ、冷媒を使用する被測定対象にも適用できる。また、測定装置としては、テスタ程度の簡便な抵抗測定器9を備えればよいので、静電容量変位センサ等に比べて装置構成を格段に簡略化できる。
本発明は、前記の課題を解決するため、第2に、ギャップを有するものとして設計されている2つの構造材間のギャップ裕度を評価する装置であって、前記2つの構造材の一方に一端が取り付けられた片持ち梁状の金属接点と、他方の構造材に取り付けられ、前記2つの構造材間のギャップ距離が所定値以下になったときに前記金属接点の先端部が接触する抵抗膜と、前記金属接点と前記抵抗膜との間の電気抵抗値を測定する電気抵抗測定部と、前記2つの構造材のそれぞれに設けられた電極をもって構成される静電容量式変位センサと、当該静電容量式変位センサにおける各電極間の静電容量値を測定する静電容量測定部とを備え、前記電気抵抗測定部にて測定された前記電気抵抗値から前記2つの構造材が接触するまでのギャップ裕度を評価すると共に、前記静電容量測定部にて測定された前記静電容量値から前記2つの構造材間に存在するギャップ距離の絶対値を求めるという構成にした。
かかる構成のギャップ裕度の評価装置は、図10(1)に示すように、静電容量式変位センサ74の電極が接触した場合には、電極間が導通するので静電容量は無くなってしまう。この場合は、電極間の導通を確認すれば、明らかに構造材が接触している(ギャップが消滅している)と判断でき、導通センサの設置位置から接触箇所も明瞭に判定できる。
図10(2)に示すように、いずれの静電容量式変位センサも接触していない場合には、静電容量式変位センサの容量を測定できる状態になる。ギャップ裕度評価用センサ71が導通し、構造材1と構造材2のギャップ裕度が小さくなった判定できたときには、センサ71でセンサ設置位置におけるギャップ距離d71の絶対値を評価する。ギャップ距離d71と静電容量式変位センサ72の電極間距離d72はほぼ等しいと考え、静電容量C72と電極間距離d72の関連性を表す係数k(ここで、C72=k/d72)を算出する。同一面内に設置した電極間において、流体の有無と流体の種類、及び、電気的状況となどが同じであると考えてよい場合には、面内の係数kはどの場所でも一定であると考え、センサ73及びセンサ74の係数kは、センサ72のkと同一値を用いる。それぞれの位置における容量C73、C74を測定すれば、電極間距離d73、d74を算出できる。このような測定評価をすれば、同一面内の直線状に配置した複数のセンサの測定値から、上記直線における2面間のギャップの傾きを算出することができる。このような手順で、図10(3)に示すように、0°−180°上の傾きを表すベクトル75と、90°−270°上の傾きベクトル76を合成すると、面全体の傾きベクトル77を算出することができる。ギャップ面を構成する構造材1と構造材2の寸法、面全体の傾きベクトル、及び面内のどこか1箇所のギャップ距離の絶対値が解れば、面内でギャップが最小となる箇所と最小ギャップ距離を推定できる。
本発明によれば、構造材間に存在する流体の有無や流体の種類に影響を受けることなく、比較的簡便な装置構成でギャップ裕度を評価できる装置を提供できるので、構造材の接触を予兆段階で把握することが可能となる。また、本発明によれば、構造材のギャップ裕度が最小となる箇所及び最小ギャップ距離を推定できるので、構造材の接触を回避する運転操作及び接触箇所の解体修理の方針策定を支援できる。
以下、本発明の第1実施形態を、図1〜図9を参照しながら説明する。本例のギャップ裕度評価装置は、ギャップ距離に応じて形状が変化する片持ち梁状の金属接点と導通距離に応じた抵抗変化を測定可能な抵抗膜とからなるセンサを2つの構造材間に設置し、金属接点と抵抗膜間の電気抵抗を測定することにより、センサ設置箇所のギャップ裕度を評価することを特徴とするものである。
図1に示すように、本例のギャップ裕度評価装置は、一方の構造材1に絶縁ホルダ3を介して一端が取り付けられた片持ち梁状の金属接点4と、他方の構造材2に絶縁フィルム5を介して貼り付けられた抵抗膜6と、金属接点4及び抵抗膜6の各端子部から引き出されたケーブル7,8と、これら各ケーブル7,8の先端部が接続され、前記各端子部間の電気抵抗値を測定する電気抵抗測定器9とをもって、センサ部が構成されている。
以下、本例のギャップ裕度評価装置を用いて超電導装置を構成する各構成材間のギャップ裕度を評価する方法について説明する。
図2に示すように、超電導装置は、超電導機器27を液体ヘリウム温度で稼働させるため、超電導機器27が内槽25の内部に設置されている。また、液体ヘリウム温度の内槽25と室温の温度差を確保するため、装置全体が真空容器21の内部に設置され、さらに、真空容器21から内槽25への熱輻射を防止するため、真空容器21と内槽25との間には、輻射シールド23が設けられている。真空容器21、輻射シールド23及び内槽は、加重支持体22、24、26などの最低限の箇所で接触している。また、これら3つの槽の貫通部は、トランスファーチューブ28など必要最小限の部分に限定されている。
図2において、符号31〜38は、図1に示した絶縁ホルダ3、金属接点4、絶縁フィルム5及び抵抗膜6から構成されるギャップ裕度評価センサを示している。このうち、ギャップ裕度評価センサ31〜34は、超電導機器27と内槽25との間のギャップ距離を評価するためのものであり、超電導機器27の上面と内槽25の天板下面とに設置されている。また、ギャップ裕度評価センサ35〜38は、内槽25と輻射シールド23との間のギャップ距離を評価するためのものであり、内槽25の天板上側と輻射シールド23の天板下側とに設置されている。ギャップ裕度評価センサ31〜34の配線ケーブルは、超電導機器27を内槽25の内部に設置する製造過程で内槽25の側壁に取り付けられたコネクタ41に接続され、このコネクタ41は、内槽25を輻射シールド23の内部に設置する製造過程で輻射シールド23の側壁に取り付けられたコネクタ42と多芯ケーブルで接続され、このコネクタ42は、輻射シールド23を真空容器21の内部に設置する製造過程で真空容器21の側壁に取り付けられたコネクタ43と多芯ケーブルで接続される。一方、ギャップ裕度評価センサ35〜38の配線ケーブルは、内槽25を輻射シールド23の内部に設置する製造過程で輻射シールド23の側壁に取り付けられたコネクタ45に接続され、このコネクタ45は、輻射シールド23を真空容器21の内部に設置する製造過程で真空容器21の側壁に取り付けられたコネクタ46と多芯ケーブルで接続される。したがって、コネクタ43に外部コネクタ44を接続することにより、ギャップ裕度評価センサ31〜34の検出信号を取り出すことができ、また、コネクタ46に外部コネクタ47を接続することにより、ギャップ裕度評価センサ35〜38の検出信号を取り出すことができる。
図3は、第1実施形態に係るギャップ裕度評価装置の回路構成図であり、超電導装置の製造過程が内槽25の組立てまで進み、内槽25の胴部25bに天板25aを溶接する際における超電導機器27の上部と天板25aとの間のギャップ裕度を評価する状態を示している。図3に至るまでに、内槽の底板25cの上に加重支持体26を取付け、その上に超電導機器27を設置し、内槽の底板25cと内槽の胴部25bを溶接している。超電導機器27の上部に、絶縁フィルム5と抵抗膜6からなるギャップ裕度評価センサ下部31b〜34bを取り付け、配線ケーブルをコネクタ41に接続してある。内槽の天板25aの下側には、絶縁ホルダ3と金属接点4からなるギャップ裕度評価センサ上部31a〜34aが取り付けてあり、これらの配線ケーブルもコネクタ44に接続してある。内槽25の胴部25bと天板25aの溶接が始めると、内槽25の内部にアクセスすることはできなくなり、溶接による熱変形が発生しても内部の状態を目視確認することすら難しい状態となる。
ギャップ裕度評価センサ31〜34とギャップ裕度評価装置の切替え器51とは、コネクタ41、コネクタ41に接続された外部コネクタ44、外部コネクタ44に備えられた多芯ケーブル57を介して接続される。測定の時間間隔、センサのスキャン順序、センサへの印加電圧E[V]などの設定値は、測定開始前にキーボード、マウスなどからなる入力部54から制御・記録部55に入力しておく。切替え器51は、ギャップ裕度評価センサ31〜34を選択的に抵抗測定器52に接続するものであって、入力部54から入力された時間間隔で各センサ31〜34をスキャンしていく。抵抗測定器52は、測定センサに電圧E[V]を印加したときの電流I[A]を測定する。測定電流が予め定めておいたノイズレベル未満の時には、ギャップ裕度評価センサ31〜34の抵抗は無限大であると判断し、センサ設置位置のギャップ間には十分な裕度があると判定する。電流値I[A]が測定できる場合には、
R[Ω]=E[V]/I[A]
の式に基づいて、ギャップ裕度評価センサ31〜34の抵抗を算出する。抵抗−ギャップ距離換算部53には、予め測定しておいた抵抗−ギャップ距離の関連を示す校正曲線が記憶されており、抵抗測定器52で算出した抵抗値に基づき、測定センサ設置箇所のギャップ距離を算出する。記録・制御部55では、測定時刻、センサ番号、抵抗値、ギャップ裕度(裕度あり/ギャップ距離)、作業状態(溶接中/真空排気中/冷却中/稼働中/・・・)などの項目を記録していく。評価中に、1つ以上のセンサでノイズレベルを超える電流値I[A]を測定した場合には、警報・表示部56で注意音を奏鳴するとともに、注意報の内容を画面表示する。また、ギャップ距離の算出値が予め定めておいた警報のしきい値未満になった場合には、警報音を奏鳴し、警報内容を画面表示する。
図4は、内槽の胴部25bと天板25aの溶接作業中に、超電導機器27の上面と内槽の天板25aとの間のギャップ裕度を評価したときに表示される注意報表示の一例である。超電導装置の90°方向に設置したセンサ32に電圧を印加したときの電流値がノイズレベルより大きくなったので、画面の90°付近に接触注意を表すマーク61が表示されるとともに、センサの取付け位置とギャップ距離を明示するプロンプト62が表示されている。
また、図5は、さらに溶接作業を継続し、180°方向に設置したセンサ33からも注意報が発令され、90°方向に設置したセンサ32から警報が発令されたときの警報表示画面の一例である。センサ33でも電流値がノイズレベルより大きくなったので、接触注意を表すマーク65とセンサ位置・ギャップ距離を明示するプロンプト66が表示されている。同時に、90°方向に設置したセンサ32位置でのギャップ距離が警報のしきい値を下回ったので、接触が近いという警報を表すマーク63とセンサ位置・ギャップ距離を明示するプロンプト64も表示されている。
図6は、上述した溶接作業中のギャップ裕度の変化をトレンド表示させた画面の一例である。各センサの電流値がノイズレベル以下のときには、裕度ありの項目の中央付近にトレンド値を表示している。電流値がノイズレベルを超え、ギャップ距離が算出できるようになると、ギャップ距離を表示させている。このトレンド表示は、操作者が、ギャップ裕度の時間変化を把握したり、これからのギャップ裕度の変化予測をしたりする場合に有効な表示である。
ギャップ間の裕度が小さくなり、超電導機器27の上面と内槽25の天板25aとが接触する危険性が高まったので、熱変形量が小さくなるように溶接作業をやり直し、製造過程を完成させた。次の過程では、図2に示す真空容器21内部の空気を真空排気した。真空排気中に、超電導機器27の上部と内槽25の天板25aの間に設置したギャップ裕度評価センサ31〜34、及び内槽25の天板25aと輻射シールド23の天板23aの間に設置したセンサ35〜38で、超電導機器27−内槽25間、及び、内槽25−輻射シールド23間のギャップ裕度を評価したが、真空排気中はギャップ裕度の低下はなかった。
さらに次の過程では、トランスファーチューブ28を経由して、内槽25の内部を液体窒素で冷却した。液体窒素注液中にも、超電導機器27−内槽25間、及び、内槽25−輻射シールド23間のギャップ裕度を評価した。評価中に、内槽25−輻射シールド23間の45°位置に取付けたギャップ裕度評価センサ35の評価結果から、注意報が発令された。図7は、この注意報の画面表示例である。超電導機器27−内槽25間、及び、内槽25−輻射シールド23間のギャップ裕度を同時に評価しているので、画面内に2つの被測定ギャップが表示されている。接触注意を表すマーク67とセンサ位置・ギャップ距離を明示するプロンプト68が表示されている。このときの内槽25−輻射シールド23間のギャップ裕度トレンド変化を図8に示す。45°に設置したセンサ位置でのギャップ距離が減少している。操作者が、入力部54から表示指示した外挿線69は、注意報発令後のギャップ距離の平滑化曲線を外挿したものである。外挿線69とギャップ距離0.0mmが交差する時刻を算出し、接触予想時刻をプロンプト70に表示している。
操作者は、このまま液体窒素の注液を続けると、内槽とシールドが接触すると判断した。液体窒素の注液では内槽25の温度勾配が急峻になるため熱変形量が大きいと考え、冷却方法について、内槽25全体を穏やかに冷却できる窒素ガス冷却に変更した。図9は、このときのギャップ裕度を示すトレンドグラフであり、時刻T1で冷却方法を液体窒素注液から窒素ガス冷却に変更している。図9の例では、冷却法変更の効果があって、ギャップ裕度の低下を抑えることができたことを示している。
その後、内槽25内の窒素を追い出し、液体ヘリウムで冷却する過程、超電導機器27に大電流を通電して稼働させる過程に進んだ。どちらの過程でも、超電導機器27−内槽25間、及び、内槽25−輻射シールド23間のギャップ裕度を評価したが、問題となるような裕度低下は観察されなかった。超電導機器27に大電流を通電する過程では、大きな電磁力が構造材に働いてギャップ裕度が低下する可能性があり、裕度が低下した場合には通電電流の上昇速度を遅くして構造材の変形量を小さくすることを考えていた。しかし、通電時にギャップ裕度が低下しなかったので、最大の上昇速度で通電電流を定格電流まで上昇させることができた。
次に、本発明の第2実施形態を、図10〜図12を参照しながら説明する。本例のギャップ裕度評価装置は、1個以上のギャップ裕度評価センサと複数の静電容量式変位センサを組合せて、2つの構造材が形成する面全体のギャップ裕度を評価することを特徴とするものである。
図10は、構造材1,2の間に設けられたギャップ裕度評価センサ71と静電容量式変位センサ72,73,74の構成と配列とを示す図である。この図から明らかなように、ギャップ裕度評価センサ71は、第1実施形態に係るギャップ裕度評価センサ31〜38と同様に、一方の構造材に絶縁ホルダ3を介して一端が取り付けられた片持ち梁状の金属接点4と、他方の構造材2に絶縁フィルム5を介して貼り付けられた抵抗膜6とから構成されている。これに対して、静電容量式変位センサ72,73,74は、一方の構造材に絶縁フィルム72a,73a,74aを介して設定された第1電極72b,73b,74bと、他方の構造材2に絶縁フィルム72c,73c,74cを介して設定された第2電極72d,73d,74dとから構成されている。
図11は、第2実施形態に係るギャップ裕度評価装置の回路構成図であり、内槽25の天板上部と輻射シールド23の天板下部との間のギャップ裕度を評価する状態を示している。内槽25の天板上部中央には、ギャップ裕度評価センサの下部81bと静電容量式変位センサの下部82bが近接して取り付けられ、内槽25の天板の外周付近の0°、90°、180°、270°の位置には、静電容量式変位センサの下部83b〜86bが取付けられている。また、輻射シールド23の天板23aの対応位置には、ギャップ裕度評価センサの上部81aと静電容量式変位センサの上部82a〜86aとが取り付けられている。
センサ81〜85の信号は、コネクタ87に接続されており、このコネクタ87にギャップ面裕度評価装置90の多芯ケーブル89の先に設けたコネクタ88を接続することにより、ギャップ裕度の評価が可能になる。測定の時間間隔、センサのスキャン順序、センサへの印加電圧E[V]などの設定値は、測定開始前にキーボード、マウスなどからなる入力部98から制御・記録部99に入力しておく。ギャップ裕度評価センサは1個しか取付けていないので、センサ81からのケーブルは常に抵抗測定部92に接続されている。抵抗測定部92は、ギャップ裕度評価センサ81の抵抗を測定し、ギャップ裕度評価センサ81の抵抗が無限大であると判断したときは、センサ設置位置のギャップ間には十分な裕度があると判定する。ギャップ裕度評価センサ81の抵抗が有効な値として算出できたときには、抵抗−ギャップ距離換算部93に記憶させている校正曲線に基づき、測定センサ設置箇所のギャップ距離d81を算出する。
ギャップ裕度評価センサ81の抵抗が有効値として算出できたときには、静電容量式変位センサ82〜86の測定を行う。まず、測定装置の切替え器94を導通チェッカー97に接続する。切替え器91は静電容量式変位センサ82〜86を順番にスキャンしていく。導通しているセンサを1つでも発見した場合には、構造材の接触が確定したと判断し、警報・表示部100で接触確定音を奏鳴するとともに、接触確定位置を画面表示する。
静電容量式変位センサ82〜86の全てのセンサが導通していないことを確認したら、切替え器94を静電容量測定部95に接続し、静電容量式変位センサ82〜86の静電容量を測定する。静電容量式変位センサ82の電極間距離d82とギャップ裕度評価センサ81のギャップ距離d81とは同じであると考え、静電容量式変位センサ82の静電容量を静電容量C82とギャップ裕度評価センサ81のギャップ距離d81とから、電極間距離と静電容量の関連性を表す係数k(ここで、C82=k/d81)を算出する。同一面内に設置した電極間において、流体の有無と流体の種類、及び、電気的状況となどが同じであると考えてよい場合には、面内の係数kはどの場所でも一定であると考え、静電容量式変位センサ83〜86の係数kは、静電容量式変位センサ82のkと同一値を用いる。それぞれの位置における容量C83〜C86を測定すれば、電極間距離d83〜d86を算出できる。
静電容量式変位センサ83、82、85の電極間距離d83,d82,d85から図10(3)に示すような0°−180°上のギャップ面間の傾きを表すベクトル75を算出することができる。また、静電容量式変位センサ84、82、86の電極間距離d84,d82,d86から90°−270°上の面間の傾きベクトル76を算出することができる。ベクトル75とベクトル76を合成すると、面全体の傾きベクトル77を算出することができる。内槽25の天板、及び、輻射シールド23の天板は、どちらも円形をした平板であるため、面全体の傾きベクトルの方向で、内槽25の天板の外径に相当する点が面内におけるギャップ最小箇所であると評価できる。また、ギャップ裕度評価センサ81位置におけるギャップ距離d81と、面全体の傾きベクトル、及び、内槽25の天板の外径が解っているので、最小ギャップ距離を算出することが可能である。
記録・制御部99では、測定時刻、センサ番号、抵抗値、導通の有無、静電容量、最小ギャップ位置、最小ギャップ距離などの項目を記録していく。評価中に、ギャップ裕度評価センサ81の抵抗が有効値として算出でき、静電容量式変位センサ82〜86の全てのセンサが導通していないことを確認したら、警報・表示部100で注意音を奏鳴するとともに、注意報の内容を画面表示する。
図12は、内槽25の天板と輻射シールド23の天板のギャップ裕度を評価したときに表示された注意報表示の一例である。天板の中心付近に設置したギャップ裕度評価センサ81において有効な抵抗値が測定されたことと、中心位置におけるギャップ距離を明示するプロンプト101が表示されている。また、面内の最小ギャップ位置付近を示すマーク102、及び、最小ギャップ距離と最小ギャップ位置を明示するプロンプト103が表示されている。
図13は、接触が生じた場合における表示の一例である。ギャップ裕度評価センサ81において有効な抵抗値が測定されたことと、中心位置におけるギャップ距離を明示するプロンプト104が表示されている。また、接触確定と接触センサを示すマーク105、及び、接触センサの位置を明示するプロンプト106が表示されている。
第1実施形態に係るギャップ裕度評価センサの構造とこれを用いたギャップ裕度の評価原理を示す説明図である。 被測定対象である超電導装置の構造とセンサの設置位置とを示す図である。 第1実施形態に係るギャップ裕度評価装置の回路構成を示す図である。 接触注意報の画面表示の一例を示す図である。 接触警報の画面表示の一例を示す図である。 ギャップ裕度の時間変化を例示するトレンドグラフである。 接触注意報の画面表示の他の例を示す図である。 ギャップ裕度の時間変化と進展予測とを例示するトレンドグラフである。 ギャップ裕度の時間変化の他の例を示すトレンドグラフである。 第2実施形態に係るギャップ裕度評価センサ及び静電容量式変位センサの構造とこれを用いたギャップ面の最小裕度の評価原理とを示す説明図である。 第2実施形態に係るギャップ裕度評価装置の回路構成を示す図である。 接触注意報の画面表示の一例を示す図である。 接触確定警報の画面表示の一例を示す図である。
符号の説明
1,2 構造材
4 金属接点
6 抵抗膜
9 抵抗計測器
21 真空容器
23 輻射シールド
25 内槽
27 超電導機器
31〜38 ギャップ裕度評価センサ
41〜47 コネクタ
50 ギャップ裕度評価装置
52 抵抗計測器
53 抵抗−ギャップ距離換算部
54 入力部
55 制御・記録部
56 警報・表示部
71 ギャップ裕度評価センサ
72〜74 静電容量式変位センサ

Claims (8)

  1. ギャップを有するものとして設計されている2つの構造材間のギャップ裕度を評価する装置であって、
    前記2つの構造材の一方に一端が取り付けられた片持ち梁状の金属接点と、他方の構造材に取り付けられ、前記2つの構造材間のギャップ距離が所定値以下になったときに前記金属接点の先端部が接触する抵抗膜と、前記金属接点と前記抵抗膜との間の電気抵抗値を測定する電気抵抗測定部とを備え、
    前記電気抵抗測定部にて測定された前記電気抵抗値から前記2つの構造材が接触するまでのギャップ裕度を評価することを特徴とするギャップ裕度の評価装置。
  2. ギャップを有するものとして設計されている2つの構造材間のギャップ裕度を評価する装置であって、
    前記2つの構造材の一方に一端が取り付けられた片持ち梁状の金属接点と、他方の構造材に取り付けられ、前記2つの構造材間のギャップ距離が所定値以下になったときに前記金属接点の先端部が接触する抵抗膜と、前記金属接点と前記抵抗膜との間の電気抵抗値を測定する電気抵抗測定部と、前記2つの構造材のそれぞれに設けられた電極をもって構成される静電容量式変位センサと、当該静電容量式変位センサにおける各電極間の静電容量値を測定する静電容量測定部とを備え、
    前記電気抵抗測定部にて測定された前記電気抵抗値から前記2つの構造材が接触するまでのギャップ裕度を評価すると共に、前記静電容量測定部にて測定された前記静電容量値から前記2つの構造材間に存在するギャップ距離の絶対値を求めることを特徴とするギャップ裕度の評価装置。
  3. 前記電気抵抗測定部に前記抵抗膜を流れる電流の電流値を測定する電流測定手段を備えると共に、当該電流測定手段にて測定された前記電流値から前記2つの構造材間のギャップ裕度を判定する判定部と、当該判定部の判定結果を表示する表示部とを備え、
    前記判定部は、前記金属接点と前記抵抗膜との間に予め定められた一定電圧を印加したときに測定される前記電流値がノイズレベルに相当する所定の電流値未満であったとき、ギャップに裕度があると判定して、その判定結果を前記表示部に表示することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のギャップ裕度の評価装置。
  4. 前記電気抵抗測定部に前記抵抗膜を流れる電流の電流値を測定する電流測定手段を備えると共に、当該電流測定手段にて測定された前記電流値から前記2つの構造材間のギャップ裕度を判定する判定部と、前記電気抵抗測定部にて測定された前記電気抵抗値から前記2つの構造材間のギャップ距離を求める電気抵抗値−ギャップ距離換算部と、当該電気抵抗値−ギャップ距離換算部にて求められた前記2つの構造材間のギャップ距離を表示する表示部とを備え、
    前記判定部は、前記金属接点と前記抵抗膜との間に予め定められた一定電圧を印加したときに測定される前記電流値がノイズレベルに相当する所定の電流値以上であったとき、ギャップの裕度が小さくなったと判定して、前記電気抵抗値−ギャップ距離換算部にて求められたギャップ距離を前記表示部に表示することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のギャップ裕度の評価装置。
  5. 前記電気抵抗値−ギャップ距離換算部に、電気抵抗値とギャップ距離との関係を示す校正曲線が記憶された校正曲線記憶部を付設し、前記電気抵抗値−ギャップ距離換算部は、前記計測部にて測定された前記電気抵抗値に相当するギャップ距離を前記校正曲線記憶部に記憶された前記校正曲線から求めることを特徴とする請求項4に記載のギャップ裕度の評価装置。
  6. 前記電気抵抗値−ギャップ距離換算部から出力されるギャップ距離データを順次取り込み、当該ギャップ距離データの時間変化からギャップ距離が0となる時刻を推測するギャップ距離変化予測部を備え、当該ギャップ距離変化予測部にて求められた前記ギャップ距離が0となる時刻を前記表示部に表示することを特徴とする請求項4に記載のギャップ裕度の評価装置。
  7. 前記2つの構造材のそれぞれに、複数の前記静電容量式変位センサを構成するための複数の電極を設けたことを特徴とする請求項2に記載のギャップ裕度の評価装置。
  8. 前記複数の静電容量式変位センサについて電極間の導通の有無を検査する導通検査部と、当該導通検査部の検査結果を表示する表示部とを備え、
    前記導通検査部から少なくとも1つの前記静電容量式変位センサについて電極間に導通が生じているとの検査結果が出力されたとき、導通しているとの検査結果が得られた前記静電容量式変位センサの設置位置を前記表示部に表示することを特徴とする請求項7に記載のギャップ裕度の評価装置。
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KR101366725B1 (ko) 2012-01-03 2014-02-25 주식회사 엘지실트론 멜트갭 제어 시스템 및 이를 포함한 실리콘 단결정 성장 장치
KR101679071B1 (ko) 2010-01-28 2016-11-24 주식회사 엘지실트론 멜트갭 제어 시스템, 이를 포함하는 단결정 성장방법

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