JP2007304599A - 薄膜トランジスタ基板、それを含む液晶表示パネル、及びその液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示パネルは。下部基板上に形成されたゲートライン、ゲートラインと電気的に絶縁状態で交差するデータライン、ゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに接続されゲートラインを遮蔽するように形成された反射電極を含む薄膜トランジスタ基板と、下部基板と対向する上部基板上に形成されたカラーフィルタ及び反射電極と電界を形成する共通電極を含み、薄膜トランジスタ基板と液晶を挟んで対向するカラーフィルタ基板を含む。
【選択図】図2
Description
下部基板1上には絶縁膜6により覆われたゲートライン4を挟んで第1サブ画素領域の反射電極8及び画素電極10Aが第2サブ画素領域の画素電極10Bと対向するように形成される。
このように上部基板11上に形成された共通電極12(または、反射電極8)とゲートライン4との間に形成される電界によって、液晶分子の配列が反射電極8(または、ゲートライン4)の縁部で反転される。これにより、反射電極8の縁部と残り領域の液晶分子12の配列が異なることとなり、反射電極8の縁部から光が漏れ出てフリッカのように見える問題点がある。特に、光漏れ現象はゲートライン4を挟んで隣り合う画素電極10A、10Bに相異なる極性のデータ電圧を供給するラインインバージョン方式の場合に目立つ傾向にある。
そして、前記カラーフィルタ基板は前記カラーフィルタ上に一側端及び他側端が前記反射電極と重なるオーバーコート層をさらに含むように構成できる。
また、前記薄膜トランジスタ基板は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に絶縁状態で重なって第1ストレージキャパシタを形成するストレージ電極と、前記ストレージ電極に接続され前記ゲートラインの一側端に隣接した第1ストレージラインと、前記画素電極と電気的に絶縁状態で重なって第2ストレージキャパシタを形成し前記ゲートラインの他側端に隣接した第2ストレージラインをさらに含むように構成できる。
そして、前記薄膜トランジスタ基板は前記データラインより広い幅で前記データラインと重なるシールドパターンをさらに含むように構成できる。
一方、前記薄膜トランジスタ基板は前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に絶縁状態で重なって第1ストレージキャパシタを形成するストレージ電極と、前記ストレージ電極に接続され前記ゲートラインの一側端に隣接した第1ストレージラインと、前記画素電極と電気的に絶縁状態で重なって第2ストレージキャパシタを形成し前記ゲートラインの他側端に隣接した第2ストレージラインをさらに含み、前記シールドパターンは前記第2ストレージラインに電気的に接続されるように構成できる。
前記技術的課題を達成するため、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は下部基板上に形成されたゲートライン、 前記ゲートラインと電気的に絶縁状態で交差するデータライン、 前記ゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続され前記ゲートラインを遮蔽するように形成された反射電極を含む薄膜トランジスタ基板を設ける段階と、前記下部基板と対向する上部基板上に形成されたカラーフィルタ、前記反射電極と電界を形成する共通電極を含むカラーフィルタ基板を設ける段階と、液晶を挟むように前記薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板を結合する段階とを含むことを特徴とする。
具体的に、前記シールドパターンを形成する段階は前記第2ストレージラインと電気的に接続されるように形成する段階であることが好ましい。
前記技術的課題を解決すること以外に、本発明の他の特徴及び利点は添付した図面を参照して実施例に対する詳細な説明を通じて明らかになる。
図2及び図3は本発明に係る半透過型液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板を示す平面図及び断面図である。
図2及び図3に示す薄膜トランジスタ基板160は、互いに交差するように形成されたゲートライン102及びデータライン104と、ゲートライン102及びデータライン104と接続された薄膜トランジスタ(TFT)と、薄膜トランジスタ(TFT)と接続され各サブ画素領域(SPA)に形成された画素電極122と、薄膜トランジスタ(TFT)に接続され各サブ画素領域(SPA)の反射領域(RA)と透過領域(TA)を定義する反射電極124と、画素電極に充電されたビデオ信号を安定的に維持できるようにする第1及び第2ストレージキャパシタとを備える。
第1ストレージキャパシタは画素電極122と接続されたドレイン電極110がゲート絶縁膜112を挟んでストレージ電極134と重なって形成される。ここで、ストレージ電極134は第1ストレージライン132から突出して形成される。
また、第2ストレージライン136はデータライン104と重なるように形成されたシールドパターン138と所定間隔で離間して形成される。このようなシールドパターン138は、データライン104と広い幅でデータライン104と重なって形成することにより、データライン104と画素電極122との間の光漏れを遮断できる。
カラーフィルタ基板150は上部基板111上に形成されたカラーフィルタ152と、カラーフィルタ152上に積層されたオーバーコート層154及び共通電極156を備える。
オーバーコート層154は反射領域(RA)で液晶層を2回経由して出射する外部光と、透過領域(TA)で液晶層を1回経由して出射する内部光の光経路差を補償する。このため、オーバーコート層154は、透過領域でカラーフィルタ152を露出させる透過ホール158を有するように形成される。または、光経路差を補償すると共に、カラーフィルタ152間の段差を補償するため、オーバーコート層154の一部を貫通する透過ホール158を有するように形成される。
このようなオーバーコート層154上には透明導電物質よりなる共通電極156が形成される。
図6a及び図6bに示したように、下部基板101上にゲートライン102、ゲートライン102に接続されたゲート電極106、ゲートライン106に隣接した第1及び第2ストレージライン132、136、第1ストレージライン132に接続されたストレージ電極134、第2ストレージライン136に隣接したシールドパターン138を含む第1導電パターン群が形成される。
図8a及び図8bに示すように、第2導電パターン群が形成されたゲート絶縁膜112上に無機保護膜118と、無機保護膜118上にエンボス形状の表面を有する有機保護膜126を形成する。
具体的に、有機保護膜126上にスパッタリングなどの蒸着方法を通じて、エンボス形状を維持するように透明導電層を形成し、その透明導電層をフォトリソグラフィ工程と食刻工程でパターニングすることにより、各サブ画素領域に画素電極122を形成する。画素電極122は、コンタクトホール120を介してドレイン電極110に接続される。透明導電層としては、酸化スズ(Tin Oxide : TO)、酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxide : ITO)、酸化亜鉛インジウム(Indium Zinc Oxide : IZO)、スズ酸化亜鉛インジウム(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO)などを用いることができる。
具体的に、画素電極が形成された有機保護膜126上に、エンボス形状を維持しつつ反射金属層を積層する。反射金属層としては、Al、INdなどのように反射率が高い金属を用いることができる。次いで、反射金属層をフォトリソグラフィ工程及び食刻工程でパターニングすることにより、各サブ画素領域毎に反射電極124を含む第4導電パターン群を形成する。
以上述べた内容を通じて、当業者ならば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能である。従って、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されることではなく、特許請求の範囲によって定まるべきである。
102: ゲートライン
104:データライン
106:ゲート電極
108:ソース電極
110:ドレイン電極
112:ゲート絶縁膜
114:活性層
116:オーミック接触層
118、126:保護膜
120:コンタクトホール
122:画素電極
124:反射電極
132、136:ストレージライン
134:ストレージ電極
138:シールドパターン
150:カラーフィルタ基板
152:カラーフィルタ
154:オーバーコート層
156:共通電極
158:透過ホール
160:薄膜トランジスタ基板
SPA:サブ画素領域
TA:透過領域
RA:反射領域
Claims (20)
- 下部基板上に形成されたゲートライン、前記ゲートラインと電気的に絶縁状態で交差するデータライン、前記ゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続され前記ゲートラインを遮蔽するように形成された反射電極を含む薄膜トランジスタ基板と、
前記下部基板と対向する上部基板上に形成されたカラーフィルタ及び前記反射電極と電界を形成する共通電極を含み、前記薄膜トランジスタ基板と液晶を挟んで対向するカラーフィルタ基板と、
を含むことを特徴とする液晶表示パネル。 - 前記薄膜トランジスタと接続された画素電極をさらに含むことを特徴とする請求項1に液晶表示パネル。
- 前記カラーフィルタ基板は、
前記カラーフィルタ上に一側端及び他側端が前記反射電極と重なるオーバーコート層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示パネル。 - 前記薄膜トランジスタ基板は、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に絶縁状態で重なって第1ストレージキャパシタを形成するストレージ電極と、
前記ストレージ電極に接続され前記ゲートラインの一側端に隣接した第1ストレージラインと、
前記画素電極と電気的に絶縁状態で重なって第2ストレージキャパシタを形成し前記ゲートラインの他側端に隣接した第2ストレージラインをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示パネル。 - 前記第2ストレージラインは前記データライン方向に隣接した2つの画素電極と全て重なることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示パネル。
- 前記薄膜トランジスタ基板は、
前記データラインより広い幅で前記データラインと重なるシールドパターンをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の液晶表示パネル。 - 前記薄膜トランジスタ基板は、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に絶縁状態で重なって第1ストレージキャパシタを形成するストレージ電極と、
前記ストレージ電極に接続され前記ゲートラインの一側端に隣接した第1ストレージラインと、
前記画素電極と電気的に絶縁状態で重なって第2ストレージキャパシタを形成し前記ゲートラインの他側端に隣接した第2ストレージラインをさらに含み、
前記シールドパターンは前記第2ストレージラインと電気的に接続されることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示パネル。 - 基板上に形成されたゲートラインと、
前記ゲートラインと電気的に絶縁状態で交差するデータラインと、
前記ゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続され前記ゲートラインを遮蔽するように形成された反射電極と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 前記薄膜トランジスタに接続された画素電極をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に絶縁状態で重なって第1ストレージキャパシタを形成するストレージ電極と、
前記ストレージ電極に接続され前記ゲートラインの一側端に隣接した第1ストレージラインと、
前記画素電極と電気的に絶縁状態で重なって第2ストレージキャパシタを形成し前記ゲートラインの他側端に隣接した第2ストレージラインをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記第2ストレージラインは前記データライン方向に隣接した2つの画素電極と全て重なることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記データラインより広い幅で前記データラインと重なるシールドパターンをさらに備えることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に絶縁状態で重なって第1ストレージキャパシタをなすストレージ電極と、
前記ストレージ電極に接続され前記ゲートラインの一側端に隣接した第1ストレージラインと、
前記画素電極と電気的に絶縁状態で重なって第2ストレージキャパシタを形成し前記ゲートラインの他側端に隣接した第2ストレージラインをさらに含み、
前記シールドパターンは前記第2ストレージラインと電気的に接続されることを特徴とする請求項12に記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記第2ストレージラインは極性が異なるデータ信号が供給される画素電極の間に位置することを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 下部基板上に形成されたゲートライン、前記ゲートラインと電気的に絶縁状態で交差するデータライン、前記ゲートライン及びデータラインと接続された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続され前記ゲートラインを遮蔽するように形成された反射電極を含む薄膜トランジスタ基板を用意する段階と、
前記下部基板と対向する上部基板上に形成されたカラーフィルタ及び前記反射電極と電界を形成する共通電極を含むカラーフィルタ基板を設ける段階と、
液晶を挟むように前記薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板とを結合する段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタ基板を設ける段階は、
前記基板上にゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタとを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタを覆うように保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に前記薄膜トランジスタと接続された画素電極を形成する段階と、
前記ゲートラインと重なる反射電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示パネルの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタ基板を設ける段階は、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に絶縁状態で重なって第1ストレージキャパシタを形成するストレージ電極、前記ストレージ電極に接続され前記ゲートラインの一側端に隣接した第1ストレージライン、前記画素電極と電気的に絶縁状態で重なって第2ストレージ キャパシタを形成し前記ゲートラインの他側端に隣接した第2ストレージラインを前記ゲートラインと同一平面上に同一金属で形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示パネルの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタ基板を設ける段階は、
前記データラインより広い幅で前記データラインと重なるシールドパターンを前記ゲートラインと同一平面上に同一金属で形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示パネルの製造方法。 - 前記シールドパターンを形成する段階は
前記第2ストレージラインと電気的に接続されるように形成する段階であることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示パネルの製造方法。 - 前記カラーフィルタ基板を設ける段階は、
前記上部基板上にカラーフィルタを形成する段階と、
前記カラーフィルタ上に一側端及び他側端が前記反射電極と重なるオーバーコート層を形成する段階と、
前記オーバーコート層が形成された上部基板上に前記共通電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示パネルの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011227263A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100846958B1 (ko) * | 2007-05-11 | 2008-07-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7956411B2 (en) * | 2008-01-15 | 2011-06-07 | Fairchild Semiconductor Corporation | High aspect ratio trench structures with void-free fill material |
TWI381230B (zh) * | 2008-01-31 | 2013-01-01 | Hannstar Display Corp | 液晶顯示器之畫素結構 |
RU2457524C2 (ru) * | 2008-04-22 | 2012-07-27 | Шарп Кабусики Кайся | Жидкокристаллический дисплей |
KR101542840B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2015-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
KR101609727B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2016-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
KR101600887B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2016-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 |
US8976094B2 (en) | 2011-05-05 | 2015-03-10 | Apple Inc. | Display edge seal improvement |
CN105988251A (zh) * | 2015-03-05 | 2016-10-05 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR102576999B1 (ko) * | 2016-07-05 | 2023-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004077544A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2005004206A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型アレー基板とこの製造方法及びこれを有する液晶表示装置 |
JP2006011399A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100339332B1 (ko) * | 1999-02-08 | 2002-06-03 | 구본준, 론 위라하디락사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
KR100587217B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법 |
JP3895952B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2007-03-22 | 日本電気株式会社 | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100801153B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2008-02-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100439649B1 (ko) | 2002-08-14 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
TW563258B (en) * | 2002-10-01 | 2003-11-21 | Au Optronics Corp | Pixel structure and fabricating method thereof |
JP4614726B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2011-01-19 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US7379135B2 (en) | 2004-05-28 | 2008-05-27 | Fujitsu Limited | Transflective liquid crystal display |
KR100647774B1 (ko) * | 2004-11-04 | 2006-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 폴리 실리콘형 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004077544A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2005004206A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型アレー基板とこの製造方法及びこれを有する液晶表示装置 |
JP2006011399A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011227263A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
US20140361256A1 (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device including an auxiliary electrode |
US9252384B2 (en) * | 2013-06-11 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device including an auxiliary electrode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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