CN101071243A - 薄膜晶体管基板、液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管基板、液晶显示面板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种能够防止闪烁并提高反射系数的液晶显示面板，包括薄膜晶体管基板和滤色器基板。所述薄膜晶体管基板包括栅极线、数据线、与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管、与薄膜晶体管相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖栅极线的至少一部分。所述滤色器基板具有滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场。在所述薄膜晶体管基板与所述滤色器基板之间设置有液晶。所述反射电极将液晶与栅极信号相屏蔽。

Description

薄膜晶体管基板、液晶显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板，更具体地，涉及一种能够防止闪烁并提高反射系数的薄膜晶体管基板、一种包括所述薄膜晶体管基板的液晶显示面板以及一种制造所述液晶显示面板的方法。
背景技术
液晶显示(LCD)设备使用液晶的电学和光学特性来显示图像。LCD设备包括：LCD面板，用于通过像素矩阵来显示图像；驱动电路，用于驱动LCD面板；以及背光单元，用于向LCD面板提供光。从小型显示设备到大型显示设备(例如移动通信终端、笔记本计算机、监视器和LCD电视)，LCD设备都得到了广泛的使用。
LCD设备可以根据光源类型而分为如下类型：使用内部光线的透射型、使用外部光线的反射型以及使用内部光线和外部光线的透反射型。如果外部光线充足，那么透反射LCD设备以反射模式显示图像，如果外部光线不足，则处于使用背光单元的透射模式下。因此，透反射LCD设备减小了功耗，并且不受使用外部光线的限制。
如图1所示，透反射LCD设备具有如下结构：下层基板1面对上层基板11，其间设置有光学补偿弯曲(OCB)模式的液晶分子20。
在下层基板1上，第一子像素区的透反射电极8和像素电极10A面对第二子像素区的像素电极10B，其间设置有栅极线4，所述栅极线被绝缘层6覆盖。
上层基板11上形成有：黑色矩阵2，将各个子像素区彼此分开；滤色器16，形成于每一个子像素区中；外涂层14，在反射区和透射区中具有不同的厚度；以及公共电极12，相对于像素电极10A、10B和反射电极8形成垂直电场。
由于公共电极12(或反射电极8)和栅极线4之间形成了电场，所以液晶分子20的排列发生变化，例如，在反射电极8的边缘处(或栅极线4)发生反转。由于反射电极8的边缘处的液晶分子20的排列与其它区域中不同，反射电极8的边缘会发生光泄漏，从而产生了闪烁。在线反转方案中(即向其间设置有栅极线4的相邻像素电极10A和10B提供不同极性的数据电压)，光泄漏更加严重。
如果为了防止光泄漏，加宽黑色矩阵2使其与第一子像素区部分重叠，从而阻挡反射电极8的边缘，则由于反射电极8的有效面积减小，导致反射系数降低。
发明内容
本发明的实施例提供一种能够防止闪烁并提高反射系数的薄膜晶体管(TFT)基板、一种包括所述TFT基板的LCD以及一种制造所述LCD面板的方法。
根据本发明实施例，LCD面板包括TFT基板、滤色器基板。所述TFT基板包括栅极线、数据线、与栅极线和数据线相连的TFT、与TFT相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖栅极线的至少一部分。所述滤色器基板面对所述薄膜晶体管基板，并包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场。在所述薄膜晶体管基板与所述滤色器基板之间设置有液晶。反射电极将液晶与栅极信号相屏蔽。
LCD面板还包括与TFT相连的像素电极。
滤色器基板还包括外涂层，所述外涂层具有与所述反射电极重叠的第一端和第二端。所述外涂层形成于滤色器之上。
TFT基板还包括：存储电极，通过与TFT的漏电极相绝缘地重叠，形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，通过与像素电极相绝缘地重叠，形成第二存储电容器。所述第二存储线与栅极线的第二端相邻。
第二存储线与在数据线长度方向上彼此相邻的至少两个像素电极重叠。
TFT基板还包括屏蔽图案，所述屏蔽图案与数据线重叠，并具有比数据线宽的宽度。
TFT基板还包括：存储电极，通过与TFT的漏电极相绝缘地重叠，形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，通过与像素电极相绝缘地重叠，形成第二存储电容器。所述第二存储线与栅极线的第二端相邻，其中屏蔽图案与所述第二存储线电连接。
根据本发明的实施例，一种TFT基板包括形成在基板上的栅极线、绝缘地与所述栅极线交叉的数据线、与所述栅极线和数据线相连的TFT以及与所述TFT相连的反射电极，其中形成所述反射电极以覆盖栅极线的至少一部分，从而屏蔽所述栅极线。
第二存储线位于被提供具有不同极性的数据信号的两个像素电极之间。
根据本发明的实施例，一种制造LCD面板的方法包括：提供TFT基板，所述TFT基板包括栅极线、数据线、与栅极线和数据线相连的TFT、与TFT相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖栅极线的至少一部分；提供滤色器基板，所述滤色器基板包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场；以及将所述TFT基板与所述滤色器相结合，在其间设置有液晶。
提供TFT基板包括：在基板上形成栅极线和数据线以及与所述栅极线和数据线相连的TFT；形成钝化层，以覆盖TFT；在所述钝化层上形成与所述TFT相连的像素电极；以及形成与所述栅极线重叠的反射电极。
提供TFT基板还包括使用与栅极线相同的金属，在与栅极线相同的平面上，形成：存储电极，通过与TFT的漏电极相绝缘地重叠，形成第一存储电容器；第一存储线，与所述存储电极相连，并与栅极线的第一端相邻；以及第二存储线，通过与像素电极相绝缘地重叠，形成第二存储电容器，并与栅极线的第二端相邻。
提供TFT基板还包括形成屏蔽图案，所述屏蔽图案与数据线重叠，并具有比数据线宽的宽度。使用与栅极线相同的金属，在与栅极线相同的平面上，形成所述屏蔽图案。
屏蔽图案与第二存储线电连接。
提供滤色器基板包括：在基板上形成滤色器；在滤色器上形成外涂层，所述外涂层具有与反射电极重叠的第一端和第二端；以及在形成有外涂层的基板上形成公共电极。
附图说明
根据下文结合附图的详细描述，本发明的典型实施例将会变得更加明显，附图中：
图1是示出了传统的透反射LCD面板的剖面图；
图2是示出了根据本发明实施例的透反射LCD面板的TFT基板的平面图；
图3是示出了图2中沿着线I-I’和II-II’得到的TFT基板的剖面图；
图4是示出了根据本发明实施例的透反射LCD面板的TFT基板的平面图；
图5是示出了根据本发明实施例的LCD面板的剖面图，所述LCD面板包括图3所示TFT基板和滤色器基板；
图6A和6B是用于描述根据本发明实施例的TFT基板中第一导电图案组的制造过程的平面图和剖面图；
图7A和7B是用于描述根据本发明实施例的TFT基板中第二导电图案组和半导体图案组的制造过程的平面图和剖面图；
图8A和8B是用于描述包根据本发明实施例的TFT基板中无机钝化层和有机钝化层的制造过程的平面图和剖面图；
图9A和9B是用于描述根据本发明实施例的TFT基板中第三导电图案组的制造过程的平面图和剖面图；以及
图10A和10B是用于描述根据本发明实施例的TFT基板中第四导电图案组的制造过程的平面图和剖面图。
具体实施方式
将参考附图对本发明的典型实施例进行描述。然而，本发明可以以多种不同的形式具体实现，而且不应解释为受到这里提及的实施例的限制。
图2和3是示出了根据本发明实施例的透反射LCD设备的TFT基板的平面图和剖面图。
参考图2和3，TFT基板160包括：彼此交叉的栅极线102和数据线104、与栅极线102和数据线104相连的TFT、在每一个子像素区SPA中形成的像素电极122、与TFT相连的反射电极124以及第一和第二存储电容器。所述第一和第二电容器维持充电到像素电极的视频信号的稳定性。反射电极124和像素电极122限定了每一个子像素区SPA中的反射区RA和透射区TA。
数据线104通过TFT向像素电极122和反射电极124提供数据信号。栅极线102向TFT的栅电极106提供栅极信号。栅极线102的一侧与第一存储线132相邻地形成，栅极线102的另一侧与第二存储线136相邻地形成。
TFT包括：与栅极线102相连的栅电极106；与栅电极106重叠的有源层114，其间设置有栅绝缘层112；与数据线104和有源层114的一部分相连的源电极108；以及与有源层114的另一部分相连的漏电极110。TFT还包括欧姆接触层116，用于源电极108、漏电极110和有源层114之间的欧姆接触。在下层基板101上，以相同的金属形成栅电极106和栅极线102。有源层114和欧姆接触层116沉积在栅绝缘层112上，并以与数据线104相同的金属来形成源电极108和漏电极110。源电极108和漏电极110可以与数据线104形成在相同平面上。TFT通过接触孔120与像素电极122和反射电极124相连，其中接触孔120穿过在TFT上形成的无机钝化层118和有机钝化层126。TFT响应栅极线102的栅极信号，向像素电极122和反射电极124提供数据线104的数据信号。
像素电极122形成于每一个子像素区SPA的有机钝化层126上，并且通过接触孔120与漏电极110相连。像素电极122由具有高透射系数的透明导电材料形成，并透射来自背光单元的内部光线。将不同极性的视频信号向其间设置有第二存储线136的、在上下方向上相邻的像素电极122充电(例如，参见图2)。因此，相邻的像素电极122可以以指定的间隔彼此分离，从而它们不会彼此影响。例如，其间设置有第二存储线136的、在上下方向上相邻的像素电极122彼此分开大约7μm至20μm。
反射电极124形成于每一个子像素区SPA的反射区RA中，并且通过在其下形成的像素电极122与漏电极110相连。每一个子像素区SPA中形成有反射电极124的区域被定义为反射区RA，而没有形成反射电极124的区域被定义为透射区TA。反射电极124由具有高反射系数的导电材料形成，并反射外部光线。为了改进反射效率，有机钝化层126可以具有浮雕表面，从而其上形成的反射电极124也具有浮雕表面。例如，参考图2，反射电极124的外部与数据线104的一侧重叠，并与TFT重叠。由于TFT的沟道部分受到反射电极124的保护，所以不需要额外的黑色矩阵。反射电极124与第一和第二存储线132和136之间的栅极线102重叠，并且与第二存储线136与栅极线102相邻的一侧重叠。因此，由于栅极线102的栅极信号受到反射电极124的屏蔽，在反射电极124的整个区域中都不会出现液晶分子排列的扭曲。就是说，由于根据本发明实施例的LCD设备不需要额外的黑色矩阵以防止液晶分子发生扭曲，因而提高了反射系数。另外，例如，当维持反射系数不变时，本发明实施例的LCD设备所具有的透射系数相比于传统的LCD设备提高了大约20％或更多。此外，由于本发明实施例的LCD设备能够防止光泄漏，因而避免了光泄漏所导致的闪烁。
第一和第二存储电容器维持充电到像素电极122的视频信号的稳定，直到充电下一个信号。
形成第一存储电容器，从而与像素电极122相连的漏电极110与存储电极134重叠，而在漏电极110与存储电极134之间设置有栅绝缘层112。存储电极134从第一存储线132伸出。
形成第二存储电容器，从而像素电极122与第二存储线136重叠，而在像素电极122与第二存储线136之间设置有栅绝缘层112、无机钝化层118和有机钝化层126。第二存储线136与栅极线102平行，并且与在上下方向上(即数据线104的方向上)彼此相邻的像素电极122重叠。
第二存储线136以给定的间隔与重叠于数据线104的屏蔽图案138相分离。由于屏蔽图案138以比数据线104宽的宽度与数据线104重叠，所以能够防止数据线104与像素电极122之间发生光泄漏。
如图4所示，屏蔽图案138可以包括与数据线104重叠的屏蔽部分138b和与栅极线102平行的第二存储线部分138a。可以将第二存储线部分138a与屏蔽部分138b电连接以形成联合的形状。公共电压是LCD设备的驱动期间的参考电压，或是通过第二存储线部分138a提供给屏蔽图案138的存储电压。在这种情况下，屏蔽图案138防止了数据线104与像素电极122之间的光泄漏，并且屏蔽了数据线104的视频信号，借此抑制了由于数据线104与像素电极122之间的寄生电容所导致的耦合现象。
屏蔽部分138b增大了以与屏蔽部分138b电联合的形式而形成的第二存储线部分138a的面积。第二存储线部分138b与像素电极122之间的重叠区域增大了第二存储电容器的电容。结果，与第二存储电容器增大的电容成反比的反冲电压减小。如果存储电极134的面积减小，那么第二存储电容器减小了由于第一存储电容器减小的电容而增大的反冲电压。
如图5所示，图3或4所示的TFT基板160与包括滤色器152的滤色器基板150结合在一起。液晶层被设置在TFT基板160与滤色器基板150之间。参考图5，图3所示的TFT基板160与滤色器基板150结合在一起，从而形成LCD面板。
滤色器基板150包括：在上层基板111上形成的滤色器152，以及在滤色器152上沉积的外涂层154和公共电极156。
按照限定了红(R)、绿(G)和蓝(B)子像素的R、G和B子像素区SPA，在上层基板111上形成滤色器152。
外涂层154对所发射的外部光线与所发射的内部光线之间的光路差进行补偿，其中外部光线经过反射区RA中的液晶层两次，而内部光线经过透射区TA中的液晶层一次。为此，外涂层154具有通孔158，用于暴露透射区TA中的滤色器152。可选择地，外涂层154具有通孔158，用于贯穿外涂层154的一部分，以便对光路差进行补偿，并对滤色器152之间的阶梯差(stepped difference)进行补偿。
外涂层154的末端与相邻于第二存储线136的反射电极124重叠，外涂层154的另一端与存储电极134相邻，并与反射电极124重叠。结果，液晶的排列类似于上下对称的结构。
例如，公共电极156包括形成于外涂层154之上的透明导电材料。
图6A至10B是示出了TFT基板的制造过程的平面图和剖面图。通过示例对图2所示的TFT基板的制造过程进行描述。
如图6A和6B所示，在下层基板101上形成第一导电图案组，包括：栅极线102、与栅极线102相连的栅电极106、与栅极线102相邻的第一和第二存储线132和136、与第一存储线132相连的存储电极134以及与第二存储线136相邻的屏蔽图案138。
更具体地，例如，通过溅射等沉积方法在下层基板101上形成栅金属层。栅金属层可以由金属组成的单层结构来形成，例如，所述金属可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、钕化铝(AlNd)、铝(Al)、铬(Cr)、Mo合金、Cu合金或Al合金；或是以由这些金属的结合而组成的多层结构来形成。接下来，通过光刻和蚀刻处理，在栅金属层上形成图案，从而形成第一导电图案组，包括栅极线102、栅电极106、第一和第二存储线132和136、存储电极134和屏蔽图案138。
参考图7A和7B，在其上形成有第一导电图案组的下层基板101上形成栅绝缘层112。在栅绝缘层112上形成第二导电图案组，包括数据线104、源电极108和漏电极110。在第二导电图案组下形成半导体图案组，包括有源层114和与第二导电图案组重叠的欧姆接触层116。通过使用衍射曝光掩模或半音掩模(half-tone mask)的一个掩模过程，形成半导体图案组和第二导电图案组。
具体地，在其上形成有第一导电图案组的下层基板101上依次形成：栅绝缘层112、无定形硅层、掺杂(n+或p+)无定形硅层以及源/漏金属层。例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料用作栅绝缘层112。以由金属组成的单一金属层结构或由这些金属的结合而组成的多层结构来形成源/漏金属层，例如，所述金属可以是Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金。在源/漏金属层上沉积光致抗蚀剂，通过使用衍射曝光掩模的光刻处理对光致抗蚀剂进行曝光并显影，从而形成具有阶梯覆盖层的第一和第二光致抗蚀剂图案。第一光致抗蚀剂图案位于将要形成半导体图案组和第二导电图案组的区域中。第二光致抗蚀剂图案具有比第一光致抗蚀剂图案薄的厚度，并且位于将要形成TFT沟道的区域中。通过使用光致抗蚀剂图案的蚀刻处理在源/漏金属层上形成图案，形成第二导电图案组和第二导电图案组之下的半导体图案组。第二导电图案组中的源电极108和漏电极110彼此电连接。
通过使用氧(O2)等离子体的灰化处理(ashing process)，减小第一光致抗蚀剂图案的厚度，并去除第二光致抗蚀剂图案。通过使用灰化后的第一光致抗蚀剂图案的蚀刻处理，去除通过去除第二光致抗蚀剂图案而暴露的第二导电图案组和第二导电图案组下面的欧姆接触层116，从而将源电极108与漏电极110彼此分离，并暴露有源层114。
通过剥离处理，去除残留在源/漏金属图案上的第一光致抗蚀剂图案。
参考图8A和8B，在其上形成有第二导电图案组的栅绝缘层112上形成无机钝化层118。接下来，在无机钝化层118上形成具有浮雕表面的有机钝化层126。
更具体地，在其上形成有第二导电图案组的栅绝缘层112上形成无机钝化层118。无机钝化层118可以由与栅绝缘层相同的无机绝缘材料形成。在无机钝化层118上形成具有浮雕表面的有机钝化层126。有机钝化层126包括树脂，例如包括碱溶性基团、光敏化合物(PAC)、溶剂和添加剂(例如，助粘剂或表面活性剂)。通过使用光刻处理和蚀刻处理在无机钝化层118和有机钝化层126上形成图案，形成接触孔120，所述接触孔120通过贯穿无机钝化层118和有机钝化层126而暴露漏电极110。
参考图9A和9B，在有机钝化层126上形成包括像素电极的第三导电图案组。
更具体地，通过如溅射等沉积方法在有机钝化层126上形成透明导电层，以保持浮雕形状。通过使用光刻处理和蚀刻处理在透明导电层上形成图案，在每一个子像素区中形成像素电极122。像素电极122通过接触孔120与漏电极110相连。例如，锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)可以用作透明导电层。
参考图10A和10B，在第三导电图案组上形成包括反射电极124的第四导电图案组。
更具体地，在维持浮雕形状的同时，在其上形成有像素电极122的有机钝化层126上沉积反射金属层。如Al或AlNd等具有高反射系数的金属用作反射金属层。通过使用光刻处理和蚀刻处理在反射金属层上形成图案，在每一个子像素区中形成包括反射电极124的第四导电图案组。
虽然本发明的实施例已经用于透反射LCD设备，然而本发明不限于此，而且可以用于例如反射LCD设备。第二存储线可以与反射电极重叠。另外，虽然反射电极已经被描述为形成于像素电极之上，可以将像素电极形成于反射电极之上，或将像素电极和反射电极形成在同一个层上。
如上所述，根据本发明实施例的TFT基板和具有该基板的LCD设备具有由反射电极覆盖的栅极线。因此，能够防止由栅极信号导致的反射电极边缘处发生液晶的不均匀排列。结果，能够防止闪烁并提高反射率。
此外，由于根据本发明实施例的TFT基板和包括该基板的LCD设备通过使用反射电极、存储线和屏蔽图案来防止光泄漏，因此不需要额外的黑色矩阵。结果，由于不需要用于形成黑色矩阵的掩模处理，制造过程得以简化且制造成本得以降低。此外，提高了产量和孔径比。
虽然已经参考本发明特定的典型实施例对本发明进行了示出和描述，本领域的技术人员可以理解，在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的前提下，可以对这些实施例进行形式和细节上的各种修改。

Claims (20)

1.一种液晶显示面板，包括：
第一基板，包括：栅极线、数据线、与所述栅极线和数据线相连的薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖所述栅极线的至少一部分；
第二基板，面对第一基板，并包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场；以及
液晶，设置在所述第一基板与所述第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，还包括与薄膜晶体管相连的像素电极。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，还包括外涂层，其中所述外涂层包括与所述反射电极重叠的第一端和第二端。
4.根据权利要求2所述的液晶显示面板，还包括：
存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；
第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及
第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器。
5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其中所述第二存储线与在所述数据线长度方向上彼此相邻的至少两个像素电极重叠。
6.根据权利要求2所述的液晶显示面板，还包括与所述数据线重叠的屏蔽图案，其中所述屏蔽图案的宽度比所述数据线的宽度宽。
7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，还包括：
存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极相绝缘地重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；
第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及
第二存储线，与所述像素电极相绝缘地重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器；
其中所述屏蔽图案与所述第二存储线电连接。
8.一种薄膜晶体管基板，包括：
在基板上形成的栅极线；
与所述栅极线交叉的数据线，其中所述数据线与所述栅极线绝缘；
与所述栅极线和所述数据线相连的薄膜晶体管；以及
反射电极，与所述薄膜晶体管相连，并覆盖所述栅极线的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，还包括与薄膜晶体管相连的像素电极。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，还包括：
存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；
第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及
第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二存储线与在所述数据线长度方向上彼此相邻的至少两个像素电极重叠。
12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，还包括与所述数据线重叠的屏蔽图案，其中所述屏蔽图案的宽度比所述数据线的宽度宽。
13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管基板，还包括：
存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；
第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及
第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器；
其中所述屏蔽图案与所述第二存储线电连接。
14.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二存储线位于被提供具有不同极性的数据信号的两个像素电极之间。
15.一种制造液晶显示面板的方法，包括：
提供第一基板，所述第一基板包括：栅极线、数据线、与所述栅极线和数据线相连的薄膜晶体管、以及与所述薄膜晶体管相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖所述栅极线的至少一部分；
提供第二基板，所述第二基板包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场；以及
将所述第一与第二基板相结合，在所述第一基板与所述第二基板之间设置有液晶。
16.根据权利要求15所述的方法，其中提供第一基板包括：
在第一基板上形成栅极线和数据线以及与所述栅极线和所述数据线相连的薄膜晶体管；
形成钝化层，以覆盖薄膜晶体管；
在所述钝化层上形成像素电极，其中所述像素电极与所述薄膜晶体管相连；以及
形成与所述栅极线重叠的反射电极。
17.根据权利要求16所述的方法，其中提供第一基板还包括：
使用与所述栅极线相同的金属，在与所述栅极线相同的平面上，形成与所述薄膜晶体管的漏电极重叠的存储电极，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；
形成第一存储线，其中所述第一存储线与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及
形成与所述像素电极重叠的第二存储线，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器。
18.根据权利要求17所述的方法，其中提供第一基板还包括：形成与所述数据线重叠的屏蔽图案，其中所述屏蔽图案的宽度比所述数据线的宽度宽，而且使用与所述栅极线相同的金属，在与所述栅极线相同的平面上，形成所述屏蔽图案。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述屏蔽图案与所述第二存储线电连接。
20.根据权利要求15所述的方法，其中提供第二基板包括：
在第二基板上形成滤色器；
在滤色器上形成外涂层，其中所述外涂层包括与所述反射电极重叠的第一端和第二端；以及
在形成有外涂层的第二基板上形成公共电极。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105988251A (zh) * 2015-03-05 2016-10-05 群创光电股份有限公司 显示面板及显示装置
CN107577097A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 三星显示有限公司 液晶显示器

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846958B1 (ko) * 2007-05-11 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US7956411B2 (en) * 2008-01-15 2011-06-07 Fairchild Semiconductor Corporation High aspect ratio trench structures with void-free fill material
TWI381230B (zh) * 2008-01-31 2013-01-01 Hannstar Display Corp 液晶顯示器之畫素結構
BRPI0822402A2 (pt) * 2008-04-22 2015-06-16 Sharp Kk Dispositivo de monitor de cristal líquido
KR101542840B1 (ko) * 2008-09-09 2015-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
KR101609727B1 (ko) * 2008-12-17 2016-04-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
KR101600887B1 (ko) * 2009-07-06 2016-03-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
JP5477140B2 (ja) * 2010-04-19 2014-04-23 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
US8976094B2 (en) 2011-05-05 2015-03-10 Apple Inc. Display edge seal improvement
KR102072798B1 (ko) * 2013-06-11 2020-02-04 삼성디스플레이 주식회사 보조 전극을 포함하는 유기 발광 소자
KR101908383B1 (ko) 2018-04-25 2018-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100339332B1 (ko) * 1999-02-08 2002-06-03 구본준, 론 위라하디락사 멀티도메인 액정표시소자
KR100587217B1 (ko) * 2000-12-29 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그제조방법
JP3895952B2 (ja) * 2001-08-06 2007-03-22 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
KR100801153B1 (ko) * 2001-12-31 2008-02-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP4196611B2 (ja) * 2002-08-09 2008-12-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100439649B1 (ko) 2002-08-14 2004-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법
TW563258B (en) * 2002-10-01 2003-11-21 Au Optronics Corp Pixel structure and fabricating method thereof
KR101041088B1 (ko) * 2003-06-10 2011-06-13 삼성전자주식회사 반사-투과형 어레이 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 갖는액정 표시 장치
JP4614726B2 (ja) * 2003-11-25 2011-01-19 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4873882B2 (ja) * 2004-05-21 2012-02-08 三洋電機株式会社 液晶表示装置
US7379135B2 (en) 2004-05-28 2008-05-27 Fujitsu Limited Transflective liquid crystal display
KR100647774B1 (ko) * 2004-11-04 2006-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리 실리콘형 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105988251A (zh) * 2015-03-05 2016-10-05 群创光电股份有限公司 显示面板及显示装置
CN107577097A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 三星显示有限公司 液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
JP5063180B2 (ja) 2012-10-31
JP2007304599A (ja) 2007-11-22
US8035108B2 (en) 2011-10-11
US20070262315A1 (en) 2007-11-15
KR20070109521A (ko) 2007-11-15

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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