JP2007299667A - 電子放出源の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】まず、ガラス基板1上にカソード電極層2が形成される。次に、カソード電極層2上に絶縁層3が形成される。その後、絶縁層3に開口部が形成される。次に、開口部内に電子放出材料4が形成される。その後、電子放出材料4が焼結され、絶縁層3と電子放出材料4との間に空隙が形成される。
【選択図】図7
Description
(実施の形態1)
図1〜図13を用いて、本発明の実施の形態の電子放出源の製造方法を説明する。本実施の形態の電子放出源は、FEDの背面パネルに設置されるものである。
工程1:カソード層2の形成(図1参照)
図1に示されるように、ガラス基板1の上面上に透明導電膜が形成される。透明導電性膜としては、たとえばITO(Indium Tin Oxide)膜が用いられる。ITO膜は、カソード層2となる膜である。また、ITO膜は、スパッタ法によって形成される。その後、フォトリソグラフィ等の方法を用いて、ITO膜がパターニングされる。それにより、カソード層2がライン状に形成される。
次に、図2に示されるように、ガラス基板1およびカソード層2を覆うようにたとえば感光性ガラスペーストがスクリーン印刷によって形成される。この後、150℃で30分間、乾燥工程が実行される。それにより、ガラスペーストが乾燥させられる。その結果、膜厚30μmの乾燥膜が得られる。ここで、乾燥膜の膜厚は、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚などよって様々である。そのため、所望の膜厚が得られるように、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚が調整される。また、本実施の形態においては、乾燥膜の膜厚が30μmであるが、後述される焼成工程を経て絶縁層と電子放出材料とが分離しさえすれば、乾燥膜の膜厚は、30μmに限定されず、いかなる値であってもよい。
次に、図3に示されるように、感光性ガラスペーストからなる絶縁層3に、フォトリソグラフィの方法を用いて、開口部3aが形成される。本実施の形態においては、感光性ガラスペーストはネガ型の感光性を有する。そのため、露光された部分が、光硬化し、現像後に残存する。また、開口部3aの断面形状においては、カソード層2の表面における径よりも絶縁層3の表面における径の方が小さい。つまり、開口部3aは、いわゆる逆テーパー形状を有している。開口部3aが逆テーパー形状に形成される理由は次のようなものである。
次に、図4に示されるように、感光性ガラスペースト内に含有される樹脂成分、主にはエチルセルロースが、大気中350℃で、焼成される。その結果、エチルセルロースは焼失する。さらに、550℃まで温度が上昇し、一旦、ガラスが軟化する。その後、感光性ガラスペーストは、室温まで冷却される。その結果、均質な絶縁層3が得られる。このとき、絶縁層3の膜厚は、エチルセルロースの焼失に起因して、12μm程度になっている。また、絶縁層3のパターン形状は縮小される。膜厚の減少およびパターン形状の縮小の程度は、感光性ガラスペースト中のエチルセルロースの含有率および焼成温度に依存している。
次に、電子放出材料としてのカーボンナノチューブを含有したペーストが、スクリーン印刷法によって、ガラス基板1上に塗布される。カーボンナノチューブペーストはカーボンナノチューブの他にエチルセルロースおよびターピネオールなどを含有している。また、ペースト中には、鉛ガラス微粒子、銀微粒子、または、ニッケル微粒子が含有されていてもよい。
次に、図6に示されるように、絶縁層3の開口部3a内の領域以外の領域に形成された電子放出材料4が研磨によって除去される。研磨のために回転ベルト形式自動研磨機が使用される。その研磨機においては、約#1000番の研磨テープが、ゴムローラーに巻きつけられている。研磨時には、カーボンナノチューブ膜上に水を流しながら研磨テープがゴムローラーとともに回転させられる。この研磨機によって研磨面が平坦化される。その結果、絶縁層3の上面上の電子放出材料4が全て除去され、開口部3a内に埋め込まれた電子放出材料4の表面が周囲の絶縁層3表面と同じ高さに位置付けられる。
次に、電子放出材料4としてのカーボンナノチューブ膜内に含有される樹脂成分、主にはエチルセルロースが、焼成される。エチルセルロースは、大気中で350の温度で焼失する。したがって、電子放出材料4の温度が、550℃まで上げられた後、室温まで下げられる。その間に、カーボンナノチューブ膜中の樹脂が焼失する。そのため、カーボンナノチューブ膜の体積は減少する。その結果、図7に示されるように、カーボンナノチューブ膜の膜厚が減少し、周囲の絶縁層3の表面よりも低い位置にカーボンナノチューブ膜の表面が位置付けられる。
次に、溶剤に樹脂が溶解したペーストが、スクリーン印刷等を用いて、絶縁層3の開口部3bに充填され、樹脂5が形成される。このとき、開口部3bの領域以外の領域にペーストが塗布され、前述の工程6における電子放出材料4の研磨方法と同じ方法で、樹脂が研磨され、開口部3b内に樹脂5が残存させられる。
図9に示されるように、絶縁層3および樹脂5を連続して覆うように、絶縁層3および樹脂5上に導電性材料が形成される。導電性材料は、後述されるパターニング工程を経て導電性膜としてのゲート電極層6になる。本実施の形態では、ゲート電極層6は、AL膜からなり、スパッタリング法によって形成され、0.3μmという膜厚を有している。
導電性材料が、ゲート電極層6として機能するように、通常のリソグラフィの工程を用いて、ストライプ状にパターニングされる。ただし、この工程では、ゲート電極層のみがパターニングされ、ゲート電極層6に接続された電子取出部は形成されない。
図11に示されるように、樹脂5が350度の大気中で1時間焼成される。それにより、樹脂5が焼失する。このとき、樹脂5はゲート電極層6となるAL膜で被覆されているが、AL膜に微小なピンホールを開けながら蒸発することが確認されている。図11においては、便宜上、ゲート電極層6と電子放出材料4との間には空隙が設けられている描画が行なわれているが、実際の完全に樹脂5が焼失した状態では、ピンホールを多数含んだAL膜7が電子放出材料4の上面に密着している。
図12に示されるように、本実施の形態においては、ピンホールを多数含んだAL膜7の除去に粘着テープが使用される。ピンホールを多数含んだAL膜7に粘着テープを貼り付け、その粘着テープを引き剥がす。それにより、脆くなったAL膜7のみが粘着テープに付着して除去される。その結果、絶縁層3の上面上に、絶縁層3の開口部3bのパターン形状と同一のパターン形状の開口部を有するゲート電極層6が残存する。
図13に示されるように、本実施の形態においては、電子放出材料4としてスクリーン印刷されたカーボンナノチューブ膜が使用されている。そのため、良好な電界電子放出を得るために、レーザ照射による表面活性化処理が実行される。YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザの3倍高調波が、100mJ/cm2のエネルギー密度で、電子放出材料4に照射される。その結果、カーボンナノチューブ膜の表面に、電子放出特性が良好な起毛したカーボンナノチューブが得られる。
本実施の形態の電子放出源の製造方法は、実施形態1の電子放出源の製造方法とほぼ同様である。そのため、以下においては、本実施の形態の電子放出源の製造方法と実施の形態1の電子放出源の製造方法とが異なる点のみが説明される。
実施の形態1においては、ゲート電極層としてスパッタによって形成された金属薄膜が用いられているが、金属薄膜の代わりに金属電極層が用いられてもよい。これによれば、電子放出材料の上に樹脂などを形成する必要がない。そのため、電子放出材料の表面の汚染を防止することができる。その結果、良好な電子放出特性を得ることが可能になる。
次に、絶縁層3上にゲート電極層となる導電層の一例の金属電極層9が形成される。本実施の形態において使用される金属電極層9およびそれに対応する電子放出材料4が、図14に示されている。金属電極層9には複数の電子放出用開口部9aが形成されている。電子放出用開口部9aのそれぞれは、平面的に見て、電子放出材料4のサイズよりも小さなサイズを有している。つまり、金属電極層9は、複数の貫通孔を有する導電性メッシュ電極層である。そのため、ゲート電極層による電子ビームの収束および偏向作用が画素ごとに発生することはない。その結果、金属電極層9の設置のために、高い精度で位置合わせを行なう必要がない。
実施の形態1の電子放出源の製造方法におけるゲート電極層のパターニング方法においては、金属薄膜がスパッタによって形成され、かつ、犠牲層である樹脂の熱分解によってゲート電極層としては不要な部分の金属薄膜が除去される。
本実施の形態の電子放出源の製造方法においては、ゲート電極層の形成工程において、電子放出材料上に樹脂などの材料が形成される必要がない。そのため、電子放出材料の特性を劣化させることがない。さらに、ゲート電極層は、絶縁層の平面形状に一致するような平面形状に、自己整合的に形成される。そのため、絶縁層とゲート電極層との位置合わせ(アライメント)誤差が発生しない。
まず、ガラス基板1の上面上に透明導電膜が形成される。透明導電膜としては、たとえばITO膜が用いられる。ITO膜は、カソード層2となる膜である。ITO膜は、スパッタによって形成される。TIO膜の膜厚は、たとえば0.3μmである。その後、フォトリソグラフィ等の方法を用いて、ITO膜がパターニングされ、カソード層2がライン状に形成される。
ガラス基板1のほぼ全面上に、カソード層2を覆うように、たとえば感光性ガラスペーストがスクリーン印刷によって形成される。その後、150℃で30分間、乾燥工程が実行される。それにより、膜厚が5μmである乾燥膜が得られる。乾燥膜の膜厚は、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等によって決定される。そのため、乾燥膜の膜厚が所望の値になるように、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚などが調整される。また、本実施の形態においては、膜厚が5μmである乾燥膜が形成されるが、カソード層2とゲート電極層との間の絶縁性を確保することができる乾燥膜であれば、膜厚はその値に限定されず、いかなる値であってもよい。この乾燥膜が第1絶縁層21となる。
ガラス基板1のほぼ全面上に、カソード層2および第1絶縁層21を覆うように、たとえば感光性ガラスペーストがスクリーン印刷によって形成される。その後、150℃の温度で30分間、乾燥工程が実行され、膜厚が30μmである乾燥膜が得られる。この乾燥膜の膜厚も、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等を考慮して決定される。そのため、ペーストの粘度、固形分比、スクリーン版のメッシュワイヤ径、および乳剤厚等が、所望の膜厚の乾燥膜が得られるように調整される。また、本実施の形態においては、膜厚が30μmである乾燥膜が説明されているが、後述される焼成工程を経て絶縁層と電子放出材料との分離が生じさえすれば、乾燥膜の膜厚は、30μmに限ったものではない。
次に、感光性ガラスペースト内に含有される樹脂成分、主にエチルセルロースが、大気雰囲気中で350℃の温度で焼成される。それにより、エチルセルロースは焼失する。その後、ガラスペースト中のガラスの軟化点より高い温度である550℃まで感光性ガラスペーストが熱せられる。それにより、ガラスペースト中のガラスが軟化する。その後、ガラスペーストは、室温まで冷却される。その結果、均質な絶縁層3が得られる。このとき、絶縁層3に関しては、エチルセルロースの焼失に起因した体積収縮によって、膜厚が12μm程度まで減少し、パターン形状が縮小される。この膜厚の減少およびパターン形状の縮小の程度は、感光性ガラスペースト中のエチルセルロースの含有率および焼成温度に依存する。
本実施の形態においては、電子放出材料として、カーボンナノチューブを含有したペーストが、スクリーン印刷によって、開口部21a,3a,3b内に埋め込まれるとともに、第2絶縁層3上に形成される。カーボンナノチューブペーストは、カーボンナノチューブの他にエチルセルロースおよびターピネオールなどを含有している。また、ペーストは、鉛ガラス微粒子、銀微粒子、またはニッケル微粒子を含有してもよい。
本工程においては、絶縁層3の開口部3aおよび3bが設けられている領域以外の領域に形成された電子放出材料4が研磨によって除去される。すなわち、第2絶縁層3上の電子放出材料4が研磨によって除去される。研磨のために回転ベルト形式自動研磨機が使用される。その研磨機においては、#1000番の研磨テープがゴムローラーに巻き付けられている。研磨時には、研磨テープが電子放出材料4に圧着され、電子放出材料4上に水を流しながら、研磨テープが、ゴムローラーとともに回転させられる。この研磨機を使用することによって、研磨面が平坦に仕上げられる。そのため、絶縁層3上の電子放出材料は、全て除去され、開口部3aおよび3b内に埋め込まれた電子放出材料4の表面は、周囲の絶縁層3の表面と同じ高さに位置付けられる。
電子放出材料4の一例としてのカーボンナノチューブ膜内に含有される樹脂成分、主にはエチルセルロースが、大気雰囲気中で、350℃の温度で焼成される。それにより、エチルセルロースは焼失する。また、樹脂成分は、550℃の温度で熱処理され、その後、室温まで冷却される。これにより、カーボンナノチューブ膜中の樹脂が焼失する。そのため、カーボンナノチューブ膜の体積は小さくなる。そのため、図29および図30に示されるように、カーボンナノチューブ膜の膜厚が減少する。その結果、周囲の絶縁層3の上面よりも低い位置にカーボンナノチューブ膜の上面が位置付けられる。一方、カーボンナノチューブ膜は、面内方向にも収縮する。そのため、カーボンナノチューブ膜と第1絶縁層21および第2絶縁層3とは面内方向において分離される。さらに、絶縁層は550℃の雰囲気中で軟化する。それにより、絶縁層3に表面張力が生じる。前述の処理によって、カソード電極層2上に位置する電子放出材料4を内包する開口部300が形成される。開口部300は、平面形状が楕円形の貫通孔である。また、絶縁層21上に位置する電子放出材料4を挟む開口部3000が形成される。開口部3000はスリット形状を有している。
本実施の形態においては、導電体含有ペーストとして、銀微粒子が含有されたペーストが使用されている。銀含有ペーストが転写ローラー上に塗布され、転写ローラーが第2絶縁層3上を転がる。それにより、最も高く位置付けられた第二絶縁層3の上面のみに導電膜が転写される。その後、焼成工程が実行され、銀含有ペーストに含有されている樹脂成分が消失する。その結果、銀からなる連続膜が形成される。その連続膜がゲート電極層22となる。
Claims (9)
- 基板上にカソード層を形成するステップと、
前記カソード層上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に開口部を形成するステップと、
前記開口部内に電子放出材料を形成するステップと、
前記電子放出材料を焼結して前記絶縁層と前記電子放出材料との間に空隙を形成するステップとを備えた、電子放出源の製造方法。 - 前記電子放出材料を形成するステップは、
前記開口部に電子放出材料を充填するステップと、
前記電子放出材料を乾燥させるステップと、
前記絶縁層上の前記電子放出材料を研磨によって除去するとともに、前記絶縁層および前記電子放出材料の上面を平坦化するステップとを含む、請求項1に記載の電子放出源の製造方法。 - 前記絶縁層を形成するステップにおいては、前記絶縁層が原材料のペーストの印刷および乾燥の繰り返しによって形成される、請求項1に記載の電子放出源の製造方法。
- 前記電子放出材料が、カーボンナノチューブを含む、請求項1に記載の電子放出源の製造方法。
- 前記絶縁層上にゲート電極層を形成するステップをさらに備え、
前記ゲート電極層を形成するステップは、
前記絶縁層と前記電子放出材料との間の空隙に樹脂を充填するステップと、
前記樹脂を乾燥させるステップと、
前記絶縁層上の前記樹脂を研磨によって除去し、前記絶縁層および前記樹脂の上面を平坦化するステップと、
平坦化された前記絶縁層および前記樹脂上の上面に導電性膜を形成するステップと、
前記樹脂を熱処理によって分解させるステップと、
前記樹脂上に形成されていた導電性膜を除去するステップとを含む、請求項1に記載の電子放出源の製造方法。 - 前記導電性膜を除去するステップにおいては、前記導電性膜に粘着テープが貼り付けられ、その後、前記粘着テープが前記導電性膜とともに引き剥がされる、請求項5に記載の電子放出源の製造方法。
- 前記絶縁層上にゲート電極層を形成するステップをさらに備え、
前記ゲート電極層を形成するステップにおいては、前記所定の形状にパターニングされた導電性メッシュ電極層が、前記絶縁層上に貼り付けられる、請求項1に記載の電子放出源の製造方法。 - 前記ゲート電極層を形成するステップをさらに備え、
前記ゲート電極層を形成するステップは、前記絶縁層上にのみ導電体含有ペーストをローラによって塗布するステップを含む、請求項1に記載の電子放出源の製造方法。 - 前記絶縁層を形成するステップは、
画素に対応する第1貫通孔を有する第1の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の絶縁層の第1貫通孔に対応する位置に前記第1貫通孔と同一の形状の第2貫通孔を有する第2の絶縁層を形成するステップとを含む、請求項1に記載の電子放出源の製造方法。
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