JP2007285725A - 薄膜ポアソン比の測定方法及び測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜ポアソン比の測定方法は基板上に堆積された薄膜のポアソン比を測定する方法である。薄膜の面内方向における二軸熱応力の温度勾配と、薄膜に垂直な方向における膜厚に沿った熱膨張歪と、膜厚の弾性率と、基板の熱膨張係数を測定又は算出し、これらを所定の式に導入して演算する。
上述の薄膜ポアソン比の測定方法を実行する装置である。二軸熱応力の温度勾配を求めるため基板の曲率測定を行うレーザー光測定手段と、熱膨張歪を求めるX線反射率測定手段と、基板と薄膜を加熱及び冷却する熱処理手段と、基板と薄膜を収容し内部に不活性ガスを充填・排出する試料収容器と、所定の式に従って演算処理をする演算処理手段と、を備える。
【選択図】なし
Description
特に、ポアソン比は、薄膜デバイスの信頼性を予測するときに、他の重要な機械的及び熱機械的性質に、直接的に且つ大きく影響を与えることが知られている。
また、これらの手法では、仮定されたポアソン比及び/又はポアソン比を含む弾性率を用いたデータが、一般的に用いられている。
上記薄膜の面内方向における二軸熱応力の温度勾配(Δσf/ΔT)と、上記薄膜に垂直な方向における膜厚に沿った熱膨張歪(Δd/dΔT)と、上記膜厚の弾性率(Er)と、上記基板の熱膨張係数(αs)を測定又は算出し、
これらを次式(A)
上記二軸熱応力の温度勾配(Δσf/ΔT)を求めるための上記基板の曲率測定を行うレーザー光測定手段と、
上記熱膨張歪(Δd/dΔT)を求めるX線反射率測定手段と、
上記基板及び薄膜を加熱及び冷却する熱処理手段と、
上記基板及び薄膜を収容するとともに、その内部に不活性ガスを充填及び排出できる試料収容器と、
上記(A)式に従って演算処理を実行する演算処理手段と、を備えることを特徴とする。
同図に示すように、本発明の薄膜ポアソン比の測定方法では、基板20上に堆積された薄膜10のポアソン比を測定するに当たり、まず、
(a)薄膜10を図示しない加熱装置で加熱しながら、薄膜10にレーザ光を入射しその反射レーザー光を計測することにより、薄膜10の面内方向における二軸熱応力の温度勾配(Δσf/ΔT)を求め、
(b)且つ薄膜10にX線を入射してその反射X線を計測することにより薄膜10に垂直な方向における膜厚に沿った熱膨張歪(Δd/dΔT)を求める。
同図に示すように、基板20上の薄膜10に対し、平行レーザー光群(A,B)を同時に照射し、これらの反射レーザー光をCCDなどで検出する。位置のズレ(B−B’)から、次式(1)
よって、薄膜10内の二軸熱応力Δσf/ΔTは、次の(1)’式
図3(A)に示すように、薄膜10に対してX線を入射してその干渉現象を利用することにより、薄膜10の膜厚を測定することができる。
なお、図3(B)に示すように、薄膜10の膜厚が増加すると、フリンジが短周期化するので、これにより、膜厚の増減を計測できる。
薄膜面内の方向及び膜面に垂直な方向の熱膨張率に顕著な差がない場合、Δd/d及び膜面に垂直な方向の弾性及び熱歪の変化における関係は、次式(2)式
そして、薄膜10のポアソン比が等方的である場合(νf=νxz=νyz=νxy)、式(1)’及び(2)を変形すると、薄膜10のポアソン比νfは、次の(3)式
即ち、1/Er=(1−νf 2)+(1−νp 2)/Epが成立する。但し、νp及びEpは、インデンタプローブのポアソン比及びヤング率である。
一般的に、測定にはダイアモンドのプローブが用いられ、薄膜10に比べて、そのポアソン比νp(=0.07)はかなり小さく、ヤング率Ep(=1141GPa)は極めて大きい。ゆえに、ヤング率Efは、Ef=(1−νf 2)Erで与えられる。
結果的に、薄膜10のポアソン比及び熱膨張率が等方的ならば、薄膜10のポアソン比(νf)をΔσf/ΔT、Δd/dΔT及びErから、次の式(A)から求めることができる。
薄膜の厚さが50nm未満では、原子間力顕微鏡法を用いた測定を行う必要があり、膜厚が10μmを超えると、光の共集光法や熱機械分析法などの他の測定法でも対処可能となる。
また、基板の厚さとしては、典型的には、薄膜の膜厚の10〜10万倍である。
図4は、本発明の薄膜ポアソン比の測定装置の一実施形態を示す装置図である。
同図において、この薄膜ポアソン比測定装置は、レーザー源32とCCD検出器から成るレーザー光測定手段と、X線源42とX線集光ミラー44と結晶46と検出器48から成るX線反射率測定手段と、基板20と薄膜10を加熱・冷却する熱処理手段(図示せず)を備えている。
また、上記演算処理手段は、上記(A)式に従って演算処理を行う。
20 基板
32 レーザー源
34 CCD検出器
42 X線源
44 X線集光ミラー
46 結晶
48 検出器
Claims (7)
- 上記二軸熱応力の温度勾配(Δσf/ΔT)を上記基板の曲率測定によって求め、上記膜厚に沿った熱膨張歪(Δd/dΔT)をX線反射法によって求め、上記膜厚の弾性率(Er)をナノインデンテーションによって求めることを特徴とする請求項1に記載の薄膜ポアソン比の測定方法。
- 上記薄膜の膜厚dが10〜1000nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜ポアソン比の測定方法。
- 上記基板の厚さが薄膜の膜厚10〜10万倍であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つの項に記載の薄膜ポアソン比の測定方法。
- 上記薄膜が、有機材料、無機材料、金属材料、セラミックス及び生物材料から成る群より選ばれた少なくとも1種のものから成ることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つの項に記載の薄膜ポアソン比の測定方法。
- 上記基板が、有機材料、無機材料、金属材料、セラミックス及び生物材料から成る群より選ばれた少なくとも1種のものから成ることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つの項に記載の薄膜ポアソン比の測定方法。
- 請求項2〜6のいずれか1つの項に記載の薄膜ポアソン比の測定方法を実行する装置であって、
上記二軸熱応力の温度勾配(Δσf/ΔT)を求めるための上記基板の曲率測定を行うレーザー光測定手段と、
上記熱膨張歪(Δd/dΔT)を求めるX線反射率測定手段と、
上記基板及び薄膜を加熱及び冷却する熱処理手段と、
上記基板及び薄膜を収容するとともに、その内部に不活性ガスを充填及び排出できる試料収容器と、
上記(A)式に従って演算処理を実行する演算処理手段と、を備えることを特徴とする薄膜ポアソン比の測定装置。
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