JP2005326378A - 薄膜の硬度または弾性率測定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】CVD法やPVD法などによって基材の表面に形成された炭素系硬質膜等の薄膜の硬度と弾性率を正確に測定することのできる薄膜の硬度及び弾性率測定方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成された薄膜に圧子を押込み、その押込み深さから前記薄膜の硬度と弾性率を測定するに際して、前記圧子の押込み深さを前記薄膜の膜厚に対して2〜50%の範囲内に規定して前記薄膜の硬度と弾性率を測定することを特徴とする。
【選択図】なし
【解決手段】基材の表面に形成された薄膜に圧子を押込み、その押込み深さから前記薄膜の硬度と弾性率を測定するに際して、前記圧子の押込み深さを前記薄膜の膜厚に対して2〜50%の範囲内に規定して前記薄膜の硬度と弾性率を測定することを特徴とする。
【選択図】なし
Description
本発明は、基材の表面に形成された薄膜の硬度もしくは弾性率を測定する方法に関する。
近年、金属製機械部品の摩耗や表面損傷を防ぐために、機械部品の表面に例えばチタン複合膜、ダイヤモンドライクカーボン膜(以下「DLC膜」と称す)等の硬質薄膜がCVD法、プラズマCVD法、イオンビーム形成法、イオン化蒸着法、スパッタリング等の方法によって形成されることがある。このような硬質薄膜の硬度や弾性率を測定して薄膜の物性を評価する場合、例えばJIS(日本工業規格)で規定されているロックウェル硬さ測定法やビッカース硬さ測定法を用いて硬質薄膜の硬度を測定した場合には、圧子の先端が薄膜を突き抜けたりすることがあり、基材の影響を受け易いという問題がある。また、圧子の押込み深さを薄膜の膜厚範囲内にするためには、圧子への押込み荷重を軽荷重にする必要があるが、圧子の形状を光学顕微鏡で測定することができないという問題もある。そこで、圧子にローディングされる荷重を準静的に変化させ、そのときの圧子の位置(変位)と荷重との関係から薄膜の硬度と弾性率を測定する方法が下記文献1に開示されている。
特開2001−349815号公報
しかしながら、特許文献1に開示された方法では、圧子先端部の形状の差異によってローディング時とアンローディング時の仕事量を正確に求めることが極めて難しいという問題があった。
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであり、CVD法やPVD法などによって基材の表面に形成された炭素系硬質膜等の薄膜の硬度もしくは弾性率を正確に測定することのできる薄膜の硬度または弾性率測定方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであり、CVD法やPVD法などによって基材の表面に形成された炭素系硬質膜等の薄膜の硬度もしくは弾性率を正確に測定することのできる薄膜の硬度または弾性率測定方法を提供することを目的とするものである。
上記の目的を達成するために、本発明に係る薄膜の硬度または弾性率測定方法は、基材の表面に形成された薄膜に圧子を押込み、その押込み深さから前記薄膜の硬度もしくは弾性率を測定するに際して、前記圧子の押込み深さを前記薄膜の膜厚に対して2〜50%の範囲内とすることを特徴とする。
本発明に係る薄膜の硬度または弾性率測定方法において、前記圧子の押込み深さは前記薄膜の膜厚に対して2〜30%の範囲内であることが好ましい。また、前記圧子はダイヤモンド圧子であって、その形状がビッカース型圧子またはベルコビッチ型圧子であることが好ましい。さらに、シリコン単結晶〔100〕面上における前記圧子の押込み量は50〜60nm(荷重:1mN時)であることが好ましい。
本発明に係る薄膜の硬度または弾性率測定方法において、前記圧子の押込み深さは前記薄膜の膜厚に対して2〜30%の範囲内であることが好ましい。また、前記圧子はダイヤモンド圧子であって、その形状がビッカース型圧子またはベルコビッチ型圧子であることが好ましい。さらに、シリコン単結晶〔100〕面上における前記圧子の押込み量は50〜60nm(荷重:1mN時)であることが好ましい。
また、前記薄膜は炭素系硬質膜であってもよく、測定する薄膜の膜厚は0.2〜5μmの範囲内であることが望ましい。ここで、測定する薄膜の膜厚を0.2μm以上に限定した理由は、現状の測定装置では0.2μmより薄い膜厚を正確に測定することが困難だからであり、5μm以下とした理由は、5μmより膜厚が厚ければ他の方法でも測定が可能だからである。
また、本発明の方法で使用する測定装置としては、エリオニクス社 超微少硬度試験機ENT−1100aのほか、株式会社島津製作所 ダイナミック硬度計DUH−200などが挙げられる。若しくはそれらに準ずるようなフィッシャー社製微小硬度測定装置;フィッシャースコープH100Vを用いても可能で、この場合はビッカース圧子を用いて同様に硬度と弾性率を求めることができる。いずれの装置においても分解能がμN、押込み深さの分解能がnmであることが望ましい。
本発明に係る薄膜の硬度または弾性率測定方法によれば、圧子の押込み深さを薄膜の膜厚に対して2〜50%の範囲内としたことで、CVD法やPVD法などによって基材の表面に形成された炭素系硬質膜等の薄膜の硬度もしくは弾性率を正確に測定することができる。また、硬質薄膜の物性を精度良く測定することが可能になるので、耐久性に優れた機械部品用硬質薄膜を作成することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本発明に係る薄膜の硬度または弾性率測定方法では、図1または図2に示す形状のダイヤモンド圧子1を用い、このダイヤモンド圧子1に荷重を加えて試料内部への圧子の押込み深さを測定する。そして、図3に示すような荷重−押込み深さ曲線を得、得られた荷重−押込み深さ曲線を解析することにより、薄膜の硬度と弾性率を次式(1)及び(2)から求められる。
H=Pmax/A ‥‥‥(1)
E=(p/2A)1/2dP/dh ‥‥‥(2)
H;薄膜の硬度(GPa)
E;薄膜の弾性率(GPa)
h;圧子の変位量(押込み深さ)
dP/dh;アンローディング曲線の最大荷重時の傾き
本発明に係る薄膜の硬度または弾性率測定方法では、図1または図2に示す形状のダイヤモンド圧子1を用い、このダイヤモンド圧子1に荷重を加えて試料内部への圧子の押込み深さを測定する。そして、図3に示すような荷重−押込み深さ曲線を得、得られた荷重−押込み深さ曲線を解析することにより、薄膜の硬度と弾性率を次式(1)及び(2)から求められる。
H=Pmax/A ‥‥‥(1)
E=(p/2A)1/2dP/dh ‥‥‥(2)
H;薄膜の硬度(GPa)
E;薄膜の弾性率(GPa)
h;圧子の変位量(押込み深さ)
dP/dh;アンローディング曲線の最大荷重時の傾き
なお、図1に示す圧子は三角錐形のダイヤモンド圧子(Berkvich)であり、その側面の三角形の稜線間角度が115°である。また、図2に示す圧子は対面角が136°のダイヤモンド四角錘圧子(Vickers)であり、この圧子で試験面に窪みを付けたとき、用いた試験荷重を永久窪みの対角線長さから求めた永久窪みの表面積(mm-2)で除した値は、JISZ 2244で規定されるビッカース硬度になる。
本発明においては、圧子に荷重を負荷した時(ローディング時)と圧子から荷重を除荷した時(アンローディング時)の両サイクルで押込み深さを測定するが、1μm程度の微小領域でも測定できるため、硬質被膜の応用にはたいへん有効である。
圧子先端部の加工精度に極めて敏感であるので、ナノインデンテーションで超微小硬さを正確に測定する際の重要な要因の一つである。
ナノインデンテーションを使用した硬度および弾性率の測定は、公知の文献でも紹介されているが、本発明はその詳細な測定法を開示することで硬質薄膜の、より信頼性の高い物性値を得ることができる。
圧子先端部の加工精度に極めて敏感であるので、ナノインデンテーションで超微小硬さを正確に測定する際の重要な要因の一つである。
ナノインデンテーションを使用した硬度および弾性率の測定は、公知の文献でも紹介されているが、本発明はその詳細な測定法を開示することで硬質薄膜の、より信頼性の高い物性値を得ることができる。
(実施例1)
SUS440Cからなる供試体の表面に硬質薄膜としてDLCを成膜し、DLC膜の硬度及び弾性率を微小硬度計で測定した場合の実施例を以下に説明する。
この実施例1では、図4に示すように、SUS440Cからなる供試体2の表面に次の手法でDLC膜3を3.2μmの厚みで成膜した。このときの供試体2の表面粗さは0.01μmRa、母材の表面硬さは15GPaであった。
SUS440Cからなる供試体の表面に硬質薄膜としてDLCを成膜し、DLC膜の硬度及び弾性率を微小硬度計で測定した場合の実施例を以下に説明する。
この実施例1では、図4に示すように、SUS440Cからなる供試体2の表面に次の手法でDLC膜3を3.2μmの厚みで成膜した。このときの供試体2の表面粗さは0.01μmRa、母材の表面硬さは15GPaであった。
DLC膜3の成膜方法は、マグネトロンスパッタリング装置を使用し、供試体2の油分を洗浄後、アルゴンプラズマによるスパッタリング法を用いてボンバード処理を15分行った。その後、クロムターゲットから供試体に中間層のクロムを成膜した。この中間層の厚みは0.5μmである。連続して、第二層に形成させるカーボン層は、カーボンターゲットのスパッタ効率を増加させ、供試体2には負のバイアス電圧を印加しながら成膜した。この層の厚みは2.7μmである。
硬度と弾性率は、供試体2に付加するバイアス電圧を制御すること、あるいは導入するガスの分圧の制御を行いながら変化させることが可能である。膜厚はスパッタ時間でコントロールでき、DLC膜3の膜厚をコントロールすることが可能である。さらに、導入するガス(アルゴンや水素あるいはCH4などの炭化水素系ガス)の種類や分圧比を制御すれば、さらにDLC膜3の表面弾性率を目的にあった物性にすることができる。
上記の成膜方法で作成したDLC膜3の表面に窪み4を圧子1で形成し、窪み4の表面硬度をエリオニクス社製 超微少硬度試験機ENT−1100aで測定した。そして、その測定硬度を図5に示すグラフにプロットした。
図5に示すように、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率が2%を下回ると、超微小硬度計の測定値がばらつくことがわかる。したがって、DLC膜3の硬度を超微小硬度計で測定するときには、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率を2%以上とすることが望ましい。
図5に示すように、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率が2%を下回ると、超微小硬度計の測定値がばらつくことがわかる。したがって、DLC膜3の硬度を超微小硬度計で測定するときには、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率を2%以上とすることが望ましい。
(実施例2)
図4に示した供試体2に実施例1と同様の成膜装置を用いてDLC膜3を1.1μmの厚さで成膜した。そして、上記の成膜方法で作成したDLC膜3の表面に窪み4を圧子1で形成し、窪み4の表面硬度をエリオニクス社製 超微少硬度試験機ENT−1100aで測定した。そして、その測定硬度を図6に示すグラフにプロットした。
図4に示した供試体2に実施例1と同様の成膜装置を用いてDLC膜3を1.1μmの厚さで成膜した。そして、上記の成膜方法で作成したDLC膜3の表面に窪み4を圧子1で形成し、窪み4の表面硬度をエリオニクス社製 超微少硬度試験機ENT−1100aで測定した。そして、その測定硬度を図6に示すグラフにプロットした。
図6に示すように、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率が50%を上回ると、超微小硬度計の測定値がばらつくことがわかる。したがって、DLC膜3の硬度を超微小硬度計で測定するときには、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率を50%以下とすることが望ましい。
供試体2に付加するバイアス電圧を少なくし、かつ導入するメタンガスの分圧を高めて小さい弾性率を得た。膜厚はスパッタ時間を短くし、実施例1の約1/3の膜厚で成膜した。
供試体2に付加するバイアス電圧を少なくし、かつ導入するメタンガスの分圧を高めて小さい弾性率を得た。膜厚はスパッタ時間を短くし、実施例1の約1/3の膜厚で成膜した。
図7に、弾性率の測定例を示す。同図に示すように、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率が2.5%〜70%の範囲内を外れると、超微小硬度計の測定値がばらつくことがわかる。したがって、DLC膜3の弾性率を超微小硬度計で測定するときには、圧子1の押込み深さdとDLC膜3の膜厚tとの比率を2.5%〜70%の範囲内とすることが望ましい。また、硬度と弾性率の測定は、押込み抵抗が最小になる表面を有するバーコビッチ型圧子あるいはビッカース圧子を付帯した微小硬度計が望ましい。
また、膜厚によって押込み荷重条件を適宜変えて、荷重−除荷曲線から求めることができる押込み深さを前述の膜厚に対する比率内にすることができる。1μ以下の薄膜を測定するときは、押込み荷重を0.4〜20mNに適宜設定することが望ましく、膜厚の厚い場合や硬度が大きい場合は、押込み深さを深くするため、5000mN以上の押込み荷重を与えることが望ましい。
(実施例3)
Berkvich型の圧子形状であっても圧子先端の摩耗によって、薄膜の物性に差が現れる。さらに、使用するダイヤモンド圧子の先端の形状も重要である。その検証方法は補正係数を用いることもできるが、圧子先端の摩耗などの検出は、図8に示すように、シリコンの単結晶の表面において、押込み荷重1mNの条件で押込んだとき50〜60nmの押込み深さが確保できること、あるいは50mNの押込み荷重を負荷したとき0.45〜0.55μmの押込み深さが確保できる条件が望ましい。
Berkvich型の圧子形状であっても圧子先端の摩耗によって、薄膜の物性に差が現れる。さらに、使用するダイヤモンド圧子の先端の形状も重要である。その検証方法は補正係数を用いることもできるが、圧子先端の摩耗などの検出は、図8に示すように、シリコンの単結晶の表面において、押込み荷重1mNの条件で押込んだとき50〜60nmの押込み深さが確保できること、あるいは50mNの押込み荷重を負荷したとき0.45〜0.55μmの押込み深さが確保できる条件が望ましい。
上述のように、基材(供試体2)の表面に0.2〜5μmの膜厚で形成された薄膜にベルコビッチ型ダイヤモンド圧子またはビッカース型ダイヤモンド圧子を押し込み、その押込み深さを超微小硬度計で測定する際に、圧子の押込み深さを2〜50%、好ましくは2〜30%の範囲内とすることで、薄膜の硬度と弾性率を精度良く測定することが可能になるので、耐久性に優れた機械部品用硬質薄膜を作成することができる。
1 圧子
2 供試体
3 DLC膜
4 窪み
2 供試体
3 DLC膜
4 窪み
Claims (5)
- 基材の表面に形成された薄膜に圧子を押込み、その押込み深さから前記薄膜の硬度もしくは弾性率を測定するに際して、前記圧子の押込み深さを前記薄膜の膜厚に対して2〜50%の範囲内とすることを特徴とする薄膜の硬度または弾性率測定方法。
- 前記圧子の押込み深さを前記薄膜の膜厚に対して2〜30%の範囲内とすることを特徴とする請求項1記載の薄膜の硬度または弾性率測定方法。
- 前記圧子がダイヤモンド圧子であって、その形状がビッカース型圧子またはベルコビッチ型圧子であることを特徴とする請求項1または2記載の薄膜の硬度または弾性率測定方法。
- 請求項1〜3のいずれか一項記載の薄膜の硬度または弾性率測定方法において、シリコン単結晶〔100〕面上における前記圧子の押込み量を50〜60nm(荷重:1mN時)としたことを特徴とする薄膜の硬度または弾性率測定方法。
- 前記薄膜が炭素系硬質膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の薄膜の硬度または弾性率測定方法。
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2004
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