JP2007285585A - 熱処理炉およびそれを用いたセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】被熱処理物や匣などに低い温度のガスが当たることを防止することができ、炉内における温度ばらつきを小さくすることができる熱処理炉を得る。
【解決手段】熱処理炉10の炉本体12内に、ガス供給管22とU字状のヒータ26とを形成する。ガス供給管22にガスを噴出するためのガス噴出孔を形成し、ガス噴出孔から噴出する雰囲気ガスがヒータ26に直接当たるように、ガス供給管22とヒータ26とを配置する。炉内にセラミック積層体を載置した匣32を置き、ガス供給管22から雰囲気ガスを炉内に供給しながら、ヒータ26で加熱することにより、セラミック積層体を熱処理する。このとき、雰囲気ガスは、ヒータ26で加熱された状態で炉内に供給される。
【選択図】図2
【解決手段】熱処理炉10の炉本体12内に、ガス供給管22とU字状のヒータ26とを形成する。ガス供給管22にガスを噴出するためのガス噴出孔を形成し、ガス噴出孔から噴出する雰囲気ガスがヒータ26に直接当たるように、ガス供給管22とヒータ26とを配置する。炉内にセラミック積層体を載置した匣32を置き、ガス供給管22から雰囲気ガスを炉内に供給しながら、ヒータ26で加熱することにより、セラミック積層体を熱処理する。このとき、雰囲気ガスは、ヒータ26で加熱された状態で炉内に供給される。
【選択図】図2
Description
この発明は、熱処理炉およびそれを用いたセラミック電子部品の製造方法に関し、特にたとえば、セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品を製造するためのセラミック成形体を焼成するために用いられる熱処理炉と、それを用いたセラミック電子部品の製造方法に関する。
従来の熱処理炉として、たとえば図9および図10に示すように、バッチ式焼成炉がある。バッチ式焼成炉1は、円環状の空洞部を有する炉本体2を含む。炉本体2の空洞部には、複数のU字状のヒータ3が配置される。ヒータ3は、たとえば炉本体2の天板部から吊り下げられるようにして取り付けられる。さらに、炉本体2の内周側壁および外周側壁には、ガス供給管4が形成される。ガス供給管4は、U字状のヒータ3の間隙からガスを噴出する位置に形成される。また、炉本体2の天板部には、被熱処理物を熱処理したときに発生する排ガスを排出するための排出管5が形成される。
炉本体2内の空洞部において、炉床6上に被熱処理物を載置した匣7が置かれる。そして、ガス供給管4から雰囲気ガスを炉本体2内に供給するとともに、ヒータ3に通電することによって、被熱処理物が加熱処理される。このとき、炉床6を回転させることにより、炉内の温度ばらつきが小さくなるとともに、雰囲気ガスの分布も均一化される。それにより、炉内の熱処理条件が均一化され、安定した品質の製品を得ることができる(特許文献1参照)。
しかしながら、このような従来の熱処理炉では、ヒータの間隙から雰囲気ガスが噴出する構造であるため、低い温度のままのガスが被熱処理物に当たることになり、炉内において温度ばらつきが生じることによって被熱処理物が均質に焼結されず、不良率の増加の原因となる。また、低い温度のガスが匣に当たることにより、被熱処理物を載せた匣に割れが発生し、コストアップの原因となる。さらに、炉床の回転により炉内の雰囲気が撹拌されて温度ばらつきが小さくなり、雰囲気ガスの分布が均一化されるものの、低い温度のガスが直接供給されることによって、炉内の温度ばらつきを小さくするのにも限界があり、製品の特性ばらつきが発生するなど、品質が不安定となる要因となっている。
それゆえに、この発明の主たる目的は、被熱処理物や匣などに低い温度のガスが当たることを防止することができ、炉内における温度ばらつきを小さくすることができる熱処理炉を提供することである。
この発明は、被熱処理物を熱処理するための熱処理炉であって、炉本体と、炉本体内にガスを供給するために設置されるガス噴出孔を備えたガス供給部と、被熱処理物を加熱するために炉本体内に設置されるヒータとを含み、ガス供給部から噴出したガスが直接ヒータに当たるようにガス供給部とヒータが配置されていることを特徴とする、熱処理炉である。
このような熱処理炉において、ガス供給部のガス噴出孔と、被熱処理物または被熱処理物を載置する匣を直線で結んだ間にヒータを配置することができる。
また、この発明は、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を上述の熱処理炉に収容して熱処理することを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。
このような熱処理炉において、ガス供給部のガス噴出孔と、被熱処理物または被熱処理物を載置する匣を直線で結んだ間にヒータを配置することができる。
また、この発明は、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を上述の熱処理炉に収容して熱処理することを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。
ガス供給部から噴出したガスが直接ヒータに当たることにより、ガスが加熱された状態で炉内に供給される。それにより、被熱処理物やそれを載せる匣などに温度の低いガスが当たらず、炉内において温度ばらつきが発生しにくくなる。それにより、温度ばらつきが小さい炉内において、被熱処理物を熱処理することができる。
ガス供給部のガス噴出孔と、被熱処理物または被熱処理物を載置する匣を直線で結んだ間にヒータを配置することにより、ガス噴出孔から噴出したガスが直接ヒータに当たり、加熱されたガスが炉内に供給される。
このような熱処理炉を用いて、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を熱処理することにより、温度ばらつきが小さい状態で熱処理され、均質な焼結体を得ることができる。
ガス供給部のガス噴出孔と、被熱処理物または被熱処理物を載置する匣を直線で結んだ間にヒータを配置することにより、ガス噴出孔から噴出したガスが直接ヒータに当たり、加熱されたガスが炉内に供給される。
このような熱処理炉を用いて、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を熱処理することにより、温度ばらつきが小さい状態で熱処理され、均質な焼結体を得ることができる。
この発明によれば、低い温度のガスが被熱処理物やそれを載せる匣などに直接当たることが防止され、炉内における温度ばらつきが小さくなって均質な焼結体を得ることができるとともに、匣の割れなどの発生率を小さくすることができる。また、低温ガスの供給による炉内の温度ばらつきが発生しにくくなるため、被熱処理物を均一な条件で熱処理することができ、製品の特性ばらつきが少なく、品質の安定したセラミック電子部品を得ることができる。
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための最良の形態の説明から一層明らかとなろう。
図1はこの発明の熱処理炉の一例を示す縦断面図であり、図2はその横断面図である。熱処理炉10は、炉本体12を含む。炉本体12は、たとえば矩形の箱形に形成され、側壁12aと天板12bとで構成される。炉本体12の内部には空洞部14が形成され、下方には開口16が形成される。
さらに、熱処理炉10は、炉床18を含む。炉床18は矩形に形成され、その上面には矩形の凸部18aが形成される。炉床18は、たとえば昇降装置(図示せず)に取り付けられる。この昇降装置で炉床18を上昇させることにより、炉床18に形成された凸部18aが炉本体12の開口16に嵌め込まれる。これらの炉本体12と炉床18との間には、炉本体12と炉床18とで形成される室を外部と遮断するためのシール材20が形成される。
炉本体12の内部には、ガス供給部としての複数のガス供給管22が形成される。ガス供給管22は、天板12bから空洞部14内に挿通される。そして、ガス供給管22には、空洞部14の内側に向かって、ガスを噴出するための複数のガス噴出孔24が形成される。さらに、炉本体12の内部には、複数のヒータ26が形成される。これらのヒータ26は、たとえばU字状に形成され、天板12bから吊り下げられるようにして取り付けられる。
ヒータ26は、図3および図4に示すように、ガス供給管22のガス噴出孔24の正面に配置される。つまり、ガス供給管22のガス噴出孔24から噴出するガスがヒータ26の発熱部に直接当たるように、ガス供給管22とヒータ26とが配置される。ヒータ26は、ガス供給管22のガス噴出孔24と、後述のセラミック積層体30またはセラミック積層体30を載置する匣32を直線で結んだ間に配置される。さらに、炉本体12の天板12bには、被熱処理物の熱処理を行なったときに発生する排ガスを排出するためのガス排出管28が形成される。
この熱処理炉10を用いて、たとえば卑金属の内部電極を備えるチップ型積層コンデンサなどの被熱処理物が熱処理される。チップ型積層コンデンサを形成するために、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層したセラミック積層体30が準備される。セラミック積層体30は匣32に載置されて、空洞部14内に多段に配置される。そして、セラミック積層体30を例えば窒素雰囲気において350℃で加熱し、バインダを燃焼させた後、N2のキャリアガスにH2,H2O,エアーを加えた雰囲気ガスを供給し、1300℃で2時間焼成することにより、セラミック焼結体が得られる。
このとき、ヒータ26に通電されることにより、ヒータ26が発熱して炉内が加熱される。そして、ガス供給管22のガス噴出孔24から雰囲気ガスが噴出し、発熱したヒータ26に直接雰囲気ガスが当てられる。それにより、雰囲気ガスは加熱され、温度の上昇した雰囲気ガスが炉内に供給される。このように、炉本体12の内部に加熱された雰囲気ガスが供給されるとともに、ヒータ26によって加熱されることにより、セラミック積層体30は焼成される。セラミック積層体30の焼成時に発生する排ガスは、ガス排出管28から排出される。
このように、この熱処理炉10では、セラミック積層体30の焼成時に、雰囲気ガスがヒータ26で加熱されて炉内に供給されるため、セラミック積層体30や匣32に温度の低い雰囲気ガスが直接当たらない。そのため、炉内における温度ばらつきが小さくなり、セラミック積層体30を均質に焼結させることができ、不良が発生しにくい。また、セラミック積層体30を載せた匣32についても、温度の低い雰囲気ガスが直接当たらないため、割れが発生しにくく、匣32の破損によるコストアップを防止することができる。さらに、ガス供給管22から供給される雰囲気ガスがヒータ26で加熱されることにより、炉内の温度ばらつきが発生しにくく、炉内の温度ばらつきが小さい状態でセラミック積層体30を焼成することができるため、得られた焼結体の特性ばらつきを少なくすることができる。
このように、ガス供給管22のガス噴出孔24から噴出する雰囲気ガスが直接ヒータ26に当たるように、ガス供給管22とヒータ26とを配置することにより、低温の雰囲気ガスが炉内に噴出することによる弊害を除去することができる。このようなガス供給管22とヒータ26の配置は、図5および図6に示すような炉床が回転する熱処理炉においても適用することができる。
この熱処理炉40は、内周側壁42a、外周側壁42bおよび天板42cからなる炉本体42を含む。この炉本体42の内部には、円環状の空洞部44が形成され、その下方に円環状の開口46が形成される。さらに、天板42cには、ガス排出管48が形成される。また、熱処理炉40は、円板状の炉床50を含み、炉床50には開口46に対応した円環状の凸部50aが形成される。
炉床50は、昇降装置(図示せず)に取り付けられる。この昇降装置で炉床50を上昇させることにより、凸部50aが炉本体42の開口46に嵌め込まれる。これらの炉本体42と炉床50との間に、炉本体42と炉床50とで形成される室を外部と遮断するためのシール材52が形成される。
炉本体42の内部には、内周壁42aおよび外周壁42bに沿って、図1に示す熱処理炉10と同様に、ガス噴出孔24を有する複数のガス供給管22が形成される。さらに、炉本体42の内部には、複数のU字状のヒータ26が天板42cから吊り下げられるようにして取り付けられる。ここで、ヒータ26は、図3および図4に示すように、ガス供給管22のガス噴出孔24の正面に配置される。つまり、ガス供給管22のガス噴出孔24から噴出するガスがヒータ26の発熱部に直接当たるように、ガス供給管22とヒータ26とが配置される。ヒータ26は、ガス供給管22のガス噴出孔24と、後述のセラミック積層体30またはセラミック積層体30を載置する匣32を直線で結んだ間に配置される。
このような熱処理炉40を用いて、チップ型積層コンデンサを作製する場合、セラミック積層体30が匣32に載置され、炉床50の凸部50a上に匣32が多段に配置される。そして、炉床50を回転させながら、ヒータ26による加熱によりセラミック積層体30が焼成される。このとき、ガス供給管22から空洞部44内に雰囲気ガスが供給されるが、ヒータ26がガス供給管22のガス噴出孔24の正面に配置されているため、雰囲気ガスが加熱された状態で空洞部44内に供給される。そのため、炉本体42内の温度ばらつきを小さくすることができ、セラミック積層体30を均質に焼結できるとともに、匣32の破損を防止することができる。
なお、熱処理炉の形式としては、特定のものに限定されるものではなく、たとえばトンネル型の連続熱処理炉などにも、この発明のガス供給管とヒータとの関係を適用することができる。このように、雰囲気ガスを炉本体内に供給しながら、ヒータによって被熱処理物を熱処理する熱処理炉であれば、この発明を適用することができる。
また、図3では、ヒータは、ガス供給管のガス噴出孔と、セラミック積層体またはセラミック積層体を載置する匣を直線で結んだ間に配置されたが、この位置関係に限定されるものではない。例えば、ガス供給管とヒータは一直線上に配置しても、ガス供給管のガス噴出孔をセラミック積層体または匣に向けずに、ヒータに直接当たるようにガスを噴出させる構成としてもよい。
また、図3では、ヒータは、ガス供給管のガス噴出孔と、セラミック積層体またはセラミック積層体を載置する匣を直線で結んだ間に配置されたが、この位置関係に限定されるものではない。例えば、ガス供給管とヒータは一直線上に配置しても、ガス供給管のガス噴出孔をセラミック積層体または匣に向けずに、ヒータに直接当たるようにガスを噴出させる構成としてもよい。
図1および図2に示す熱処理炉を用いて、チップ型積層コンデンサ用のセラミック積層体を匣に載置し、5段となるようにして炉床上に匣を配置した。そして、ガス供給管から雰囲気ガスを供給しながら、ヒータに通電して、1320℃で2時間積層体を焼成した。なお、比較のために、図3,図4に示す本発明のガス供給管とヒータとの配置を採用した場合と、図7,図8に示す比較例のガス供給管とヒータとの配置を採用した場合について、実際の温度を測定した。比較例においては、U字状のヒータの発熱部の間から空洞部内に直接雰囲気ガスが供給されるように、ガス供給管とヒータとを配置した。温度の測定は、1段、3段、5段の匣の中央部に温度測定リングを置くことにより、それぞれの位置における温度を測定した。そして、その結果と、ばらつき(最高温度と最低温度の差)を表1に示した。
また、先に述べた製造方法により得られた外径寸法がL1.6mm×W0.8mm×T0.8mmのチップ型積層コンデンサについて、特性を測定した。このとき、1段、3段、5段の匣の中央部に置かれたセラミック積層体を各段から20個ずつ抽出して、特性の測定を行なった。測定する特性としては、焼成温度に強く依存する特性として、静電容量と絶縁抵抗とを測定した。そして、その結果と、ばらつき(最高値と最低値の差)を表2に示した。なお、表2において、絶縁抵抗値IRの対数値log(IR/Ω)を示した。
さらに、雰囲気ガスが直接匣に当たる比較例のガス供給方式と、本発明の雰囲気ガスをヒータに当ててから空洞部内に供給するガス供給方式とを比較し、匣の使用回数による匣割れの発生頻度を測定した。測定は、匣の使用回数を変えて、100個の匣のうちの割れが発生した個数を測定し、その結果を表3に示した。
表1からわかるように、本発明のガス供給管とヒータの配置を採用した熱処理炉では、比較例のガス供給管とヒータの配置を採用した熱処理炉に比べて、温度ばらつきが約1/3になった。また、表2からわかるように、本発明のガス供給管とヒータの配置を採用した熱処理炉では、比較例のガス供給管とヒータの配置を採用した熱処理炉に比べて、チップ型積層コンデンサの特性ばらつきも低減した。さらに、表3からわかるように、本発明のガス供給管とヒータの配置を採用した熱処理炉では、比較例のガス供給管とヒータの配置を採用した熱処理炉に比べて、匣の使用回数が増えても、匣割れ数が減少することが確認された。
10,40 熱処理炉
12,42 炉本体
14,44 空洞部
18,50 炉床
22 ガス供給管
24 ガス噴出孔
26 ヒータ
30 セラミック積層体
32 匣
12,42 炉本体
14,44 空洞部
18,50 炉床
22 ガス供給管
24 ガス噴出孔
26 ヒータ
30 セラミック積層体
32 匣
Claims (3)
- 被熱処理物を熱処理するための熱処理炉であって、
炉本体と、
前記炉本体内にガスを供給するために設置されるガス噴出孔を備えたガス供給部と、
前記被熱処理物を加熱するために前記炉本体内に設置されるヒータとを含み、
前記ガス供給部から噴出したガスが直接前記ヒータに当たるように前記ガス供給部と前記ヒータが配置されていることを特徴とする、熱処理炉。 - 前記ガス供給部の前記ガス噴出孔と、前記被熱処理物または前記被熱処理物を載置する匣を直線で結んだ間に前記ヒータが配置されたことを特徴とする、請求項1に記載の熱処理炉。
- 内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を請求項1または請求項2に記載の熱処理炉に収容して熱処理することを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
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- 2006-04-14 JP JP2006112708A patent/JP2007285585A/ja active Pending
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