JP2007280978A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、SiCを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、SiC基板1の{0001}面に、アライメントマーク2を形成する工程と、アライメントマーク2に基づき、転写マスクとSiC基板1との位置合わせを行いSiC基板1上に所定のパターンを形成する工程とを備える。
【選択図】図1
Description
図1に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図を示す。本実施の形態では、図1に示すように、SiC基板1の(0001)面に、凹部のアライメントマーク2を形成している。
実施の形態1では、図1に示すようにSiC基板1の表面が(0001)面であり、当該表面に半導体装置を形成することになる。しかし、SiCを基板に用いて半導体装置を製造する場合、基板に高品質のエピタキシャル成長を行わせるためには、(0001)面に対して<11−20>方向にオフカットされた面を基板表面に用いるのが良いことが知られている。そのため、(0001)面に対して<11−20>方向にオフカットされた面にアライメントマークが設けられるとともに半導体装置が形成されことになる。
Claims (4)
- SiCを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、
前記基板の{0001}面に、アライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークに基づき、転写マスクと前記基板との位置合わせを行い前記基板上に所定のパターンを形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - {0001}面からオフカットされたSiCを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、
前記基板の表面に凹部又は凸部を形成した後にエピタキシャル成長を行い、ファセット面の{0001}面を形成する工程と、
前記ファセット面の{0001}面に、アライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークに基づき、転写マスクと前記基板との位置合わせを行い前記基板上に所定のパターンを形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - {0001}面からオフカットされたSiCを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、
前記基板の表面に凹部又は凸部を形成した後にエッチングを行い、ファセット面の{0001}面を形成する工程と、
前記ファセット面の{0001}面に、アライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークに基づき、転写マスクと前記基板との位置合わせを行い前記基板上に所定のパターンを形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 請求項2乃至請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記アライメントマークは、前記{0001}面の垂直方向に、異方性エッチングを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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