JP2013065650A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、オフ基板を用いた場合にも、正確に写真製版の光学マスクの位置合わせを行うことができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板である炭化珪素半導体基板１を用いた炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ａ）炭化珪素半導体基板１上に、位置合わせマークとしての形状マーク８を作製する工程と、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、（ｃ）変形後の位置合わせマークとしての形状マーク１４に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に光学マスク１５の位置合わせを行う工程と、（ｄ）光学マスク１５を用いて、炭化珪素半導体基板１に対し写真製版を行う工程とを備え、工程（ｃ）において、あらかじめ取得した形状マーク１４の変形による位置合わせ基準位置の移動量１３に基づいて補正を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は炭化珪素半導体装置の製造方法に関し、特に、炭化珪素半導体装置の製造における写真製版工程において、光学マスクの位置合わせを行う方法に関するものである。

本明細書において炭化珪素基板とは、炭化珪素基板にデバイス用のエピタキシ成長を行った炭化珪素基板も含めるものとする。

炭化珪素基板上でエピタキシ成長を行う場合において、炭化珪素は複数のポリタイプを有することから、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜していないジャスト基板では、基板のポリタイプを引き継いだ単一ポリタイプの結晶成長が難しい。

この対策として、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板上で、いわゆるステップエピタキシ成長を行うことにより、良好なエピタキシ成長を得るという方法が開示されている（特許文献１参照）。

このため、エピタキシ成長を行う炭化珪素基板では、（０００１）Ｓｉ面から＜１１−２０＞方向に４度、もしくは８度のオフ角度の基板面を有するオフ基板が、既定標準的に用いられている。

一方、炭化珪素半導体装置の製造における写真製版工程においては、通常の半導体装置の製造と同様に、前工程で作製した構造に対して次工程の写真製版の光学マスクの位置合わせを行い、露光を行う必要がある。

この位置合わせのために、一般的には、それ以前の製造工程において位置合わせのための位置合わせマークを形成する。しかし、位置合わせマークの形状は写真製版工程、および、他の加工工程において変形してしまう。そのため、マーク形状の変形による位置合わせのずれを防ぐため、画像認識等により位置合わせマークの重心位置を求め、この重心位置を基準として、写真製版の光学マスクの位置合わせを行うことが一般的である。

炭化珪素半導体装置の製造においては、一般的には、炭化珪素基板をエッチングすることにより炭化珪素の凸凹の形状を形成し、これを位置合わせマークとして用いている。

オフ角度のないジャスト基板では、結晶方位が等価な対向する側面を有する位置合わせマークを形成することができ、これらは結晶方位が等価な側面であるため、マーク形状やマークの位置が変化するような工程を経ても、それぞれの変化は対称である。よって、位置合わせマークの重心位置にずれは生じず、位置合わせマークの変形等の影響を受けずにマスク位置合わせを行うことができる。

特開２００７−２８０９７８号公報

一方で、炭化珪素半導体装置の製造にはオフ基板が用いられているため、エッチング等により凸凹の形状を形成し位置合わせマークとする場合には、形成された位置合わせマークの対向する側面の結晶方位は、オフ角度の２倍異なることになる。

光学マスクの位置合わせは、異なる結晶方位の側面を有する位置合わせマークの重心位置を基準として行われることになる。

この結晶方位の異なる各側面は、位置合わせマークが形成された後、様々な加工工程を経ることにより、その形状が変形していく。ここで、結晶方位が異なるため、側面間での変化の度合いは非対称である。

炭化珪素基板は非常に堅牢であり、ほとんどの工程において位置合わせマーク自体の形状が消失することはないが、一部の工程では、位置合わせマークの形状やその位置が非対称に変化してしまう。例えば、イオン注入後の活性化アニール工程、酸化膜の形成工程および形成した酸化膜の除去工程により、位置合わせマークの形状やその位置が非対称に変化する。

このようにオフ基板では、位置合わせマークの対向する側面の結晶方位はオフ角度の２倍異なり、加工工程における各側面における形状の変化が非対称であることから、位置合わせマークの形状や位置の変化が、その重心位置の変化を生じさせることになる。

例えば、酸化速度は結晶方位面によって異なるため、酸化膜を成膜し、当該膜を除去した後の位置合わせマークの各側面の位置変化は、結晶方位によって差異が生じる。当該差異は、位置合わせマークの重心位置のずれを生じさせる。

重心位置のずれにより、以降の工程において、写真製版の光学マスクの位置合わせにずれが生じ、設計どおりの半導体装置を作製することが妨げられる。従って、半導体装置の特性の劣化、および、特性のばらつきが発生し、歩留まりが低下するという問題があった。

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、炭化珪素半導体装置の製造工程において、オフ基板を用いた場合にも、適切に写真製版の光学マスクの位置合わせを行うことができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ａ）前記オフ基板上に、位置合わせマークを作製する工程と、（ｂ）前記位置合わせマークの形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、（ｃ）変形後の前記位置合わせマークに基づいて、当該変形による影響を補正した位置に、光学マスクの位置合わせを行う工程と、（ｄ）前記光学マスクを用いて、前記オフ基板に対し写真製版を行う工程とを備え、前記工程（ｃ）において、あらかじめ取得した前記位置合わせマークの変形による位置合わせ基準位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする。

本発明によれば、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ａ）前記オフ基板上に、位置合わせマークを作製する工程と、（ｂ）前記位置合わせマークの形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、（ｃ）変形後の前記位置合わせマークに基づいて、当該変形による影響を補正した位置に、光学マスクの位置合わせを行う工程と、（ｄ）前記光学マスクを用いて、前記オフ基板に対し写真製版を行う工程とを備え、前記工程（ｃ）において、あらかじめ取得した前記位置合わせマークの変形による位置合わせ基準位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことにより、光学マスクの位置合わせのずれが生じることを防止することができ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を抑制し、ばらつきのない設計通りの装置を形成することができる。この結果、歩留まりの低下を低減する効果がある。

実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法のプロセスフローを示す断面図である。 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の変形例を示す断面図である。 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の、評価用パターン形状を上部からみた構造図である。

＜Ａ．実施の形態１＞
＜Ａ−１．構成＞
図１は、本実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法のプロセスフローを示す断面図である。

図１（ａ）は、位置合わせマークを形成するための写真製版工程を示すものであり、炭化珪素半導体基板１は、＜１１−２０＞方向にオフカットした（０００１）Ｓｉ面を有するオフ基板である。

炭化珪素半導体基板１に対し、光学マスク２を用いて写真製版を行う。この写真製版によって、炭化珪素半導体基板１上に、位置合わせマークを作製する部分を限定するマーク画像３に対応した、感光性レジスト５が形成される。位置合わせマークとは、オフ基板上に、エッチング等により形成された凸凹形状であり、炭化珪素半導体装置の製造工程において、光学マスク等とオフ基板との位置合わせの基準となるものである。

図１（ａ）に示すように、マーク画像３の中心線である中心線４が、感光性レジスト５の中心線である中心線６と対応している。

図１（ｂ）は、位置合わせマークが形成された工程を示すものであり、感光性レジスト５をエッチングマスクとして、炭化珪素半導体基板１上に、凸形状の形状マーク８（位置合わせマーク）が作製される。形状マーク８の一方の壁面７Ａ、他方の壁面７Ｂ、形状マーク８の中心線９が、図１（ｂ）のように規定される。ここで、中心線９は、形状マーク８の基準位置（位置合わせ基準位置）を示す線であるが、当該線は、例えば、形状マーク８の重心位置または座標中心位置に対応するものとすることができる。

図１（ｃ）は、形状マーク８の形状が変形した工程（変形後の形状マーク１４を図示する）を示すものであり、当該工程において、壁面７Ａが壁面１０Ａへ移動（変形）し、壁面７Ｂが壁面１０Ｂへ移動（変形）したことを示している。

壁面７Ａから壁面１０Ａへの移動量を移動量１１Ａ、壁面７Ｂから壁面１０Ｂへの移動量を移動量１１Ｂとする。

形状マーク１４の中心線１２は、変形前の形状マーク８の中心線９から移動したものであり、その移動量は移動量１３である。

図１（ｄ）は、形状マーク８の形状が変形した工程の後の工程でのマスク合わせの状況を示すものであり、他の光学マスク１５における、位置合わせマークに対応する部分のマーク画像１６が示されている。

変形した形状マーク１４の中心線１２は、形状マーク１４の本来の中心線９から移動量１３だけ移動したものであるので、光学マスク１５におけるマーク画像１６の中心線１７が、形状マーク１４の本来の中心線９に対応するように補正量１８分だけ位置を補正する。このようにして、光学マスク１５におけるマーク画像１６の位置が補正される。

＜Ａ−２．製造方法＞
次に、本発明の作製方法の工程を順に説明する。炭化珪素半導体装置の製造方法において、主に、写真製版のマスク位置合わせのための工程を順に説明する。

最初に、位置合わせマークを形成するための写真製版工程を行う。＜１１−２０＞方向にオフカットした炭化珪素半導体基板に感光性レジスト５を塗布後、写真製版に用いる光学マスク２を用いて、位置合わせマークを作製する部分をマーク画像３によって限定して露光を行う。

通常の半導体製造における現像、水洗、ベークを行い、マーク画像３が転写された感光性レジスト５を形成する。マーク画像３の中心線４は、感光性レジスト５の中心線６と一致する（図１（ａ））。

次の工程として、感光性レジスト５をエッチングマスクとして、例えば、ＣＦ₄を含むガスを放電させたプラズマエッチングにより、凸形状の炭化珪素基板からなる、形状マーク８（位置合わせマーク）を形成する。

ここで形状マーク８は、形状マーク８を規定する一方の壁面７Ａと、壁面７Ａに対面する他方の壁面７Ｂを有する。この状態では、凸形状の炭化珪素からなる形状マーク８の中心線９は、感光性レジスト５の中心線６、および、マーク画像３の中心線４と一致する（図１（ｂ））。

次に、通常の炭化珪素半導体装置を製造に必要な加工工程の後、たとえば、酸化膜の成膜工程、および、フッ酸を用いた酸化膜の除去工程を行う。当該工程は、位置合わせマークの形状変形を伴う工程である。

オフ基板では、対向する各側面（壁面７Ａおよび壁面７Ｂ）の結晶方位はオフ角度の２倍異なっており、酸化速度は結晶方位面によって異なっている。

このため、成膜した酸化膜の除去工程後、壁面７Ａは、移動量１１Ａだけ移動し壁面１０Ａとなるのに対し、壁面７Ｂは、移動量１１Ｂだけ移動し壁面１０Ｂとなる（図１（ｃ））。移動量１１Ａと移動量１１Ｂとは異なっており、位置合わせマークの形状が非対称に変形している。

酸化膜の成膜工程と酸化膜の除去工程とによる変形後の形状マーク１４の中心線１２は、移動量１１Ａと移動量１１Ｂとの差分の半分の量である移動量１３だけ、中心線９から移動している。つまり、変形前の中心線９より、移動量１３だけ中心線が移動した形状マーク１４に変形する。

ここで、完成した装置や、加工の形状を事前に解析して、変形前の形状マーク８の中心線９から、変形後の形状マーク１４の中心線１２に移動する移動量１３をあらかじめ取得しておく。例えば、上述のように移動量１１Ａと移動量１１Ｂとの差分の半分の量として算出したり、各側面における酸化速度をその変形量から取得し、酸化速度の差分に基づいて移動量を算出したりすることができる。さらに、算出した移動量に対応する量を補正量として設定する。以降の写真製版工程においては、この移動量１３（ずれ量）を打ち消すように、前述の補正量１８で補正して光学マスクの位置合わせを行う。

図１（ｄ）を参照しながら、上記の説明をさらに行う。写真製版用の他の光学マスク１５の位置合わせ時に、移動量１３に対応する補正量１８だけ光学マスク１５をずらして露光を行うことにより、形状マーク１４の位置合わせ基準位置（重心位置または座標中心位置）の変化の影響を受けることなく光学マスク１５の位置を合わせ、写真製版工程を行うことができる。

中心線１２から移動した移動量１３を打ち消すように光学マスク１５を補正量１８だけ移動して対応させることで、光学マスク１５のマーク画像１６の中心線１７は、移動量１３だけ移動した中心線１２ではなく、形状マーク１４の本来の中心線である中心線９に合わせることができる。

本実施の形態では、説明を簡単にするために一対一露光の例をしめしたが、縮小露光や、電子ビーム露光でも同様の方法を用いることができ、同様の効果があることはいうまでもない。

＜Ａ−３．変形例＞
本発明の変形例を図２に示す。図２は、図１（ｂ）までと同様の工程で作製した形状マーク８が、所定の工程で変形された場合を示す。変形の様子は図１（ｃ）とは異なっているが、図１の構成と対応する構成については同様の符合を付して説明する。

所定の工程を経て、壁面７Ａが壁面２０Ａへ移動し、壁面７Ｂが壁面２０Ｂへ移動したことを示している。壁面２０Ａは、壁面７Ａとは異なる角度の壁面に変形しており、また壁面２０Ｂも、壁面７Ｂとは異なる角度の壁面に変形している。なお、図２においては壁面７Ａおよび壁面７Ｂの下端を軸として移動した変形後の壁面２０Ａおよび壁面２０Ｂが示されているが、このような場合に限らず、壁面の形状に曲線を含むような壁面の変形を含む。

壁面７Ａから壁面２０Ａへの移動量を移動量３１Ａ、壁面７Ｂから壁面２０Ｂへの移動量を移動量３１Ｂとする。

形状マーク１４の中心線１２は、変形前の形状マーク８の中心線９から移動しており、その移動量は移動量１３である。

図１（ｃ）では、酸化工程および酸化膜除去工程で、形状マークの壁面が移動する例を示したが、イオン注入後の活性化アニール工程における高温の影響等で、形状マークの壁面の形状が変化する図２のような場合（すなわち、壁面の角度が変化するような場合）でも、本発明の効果を発揮することができる。

図２の場合にも、変形前の形状マーク８の中心線９から、変形後の形状マーク１４の中心線１２に移動する移動量１３をあらかじめ求める。例えば、各側面における酸化速度をその変化した体積量（体積変化量）から取得し、酸化速度の差分に基づいて移動量を算出する。図２の場合、移動量３１Ａと移動量３１Ｂとから、移動量１３を算出することができる。さらに、算出した移動量に対応する量を補正量として設定する。以後の写真製版工程においては、この移動量１３を、前述の補正量１８で補正してマスク合わせを行い露光を行うことにより、形状マークの非対称な変形の影響を受けることなく光学マスク１５の位置を合わせ、写真製版工程を行うことができる。

また本実施の形態では、図１（ｄ）において、中心線１２が移動した移動量１３に対応する補正量１８だけ光学マスク１５をずらして露光を行う方法を示したが、光学マスクの設計および作製時に、マーク画像１６を補正量１８だけずらした設計を行うこともできる。光学マスクの設計および作製時にマーク画像１６を補正量１８だけずらして設計すれば、位置合わせごとに修正を行う手順が省略でき、生産性が向上する効果がある。

また本実施の形態では、完成した装置や、加工の形状を事前に解析して、変形前の形状マーク８の中心線９から、変形後の形状マーク１４の中心線１２に移動する移動量１３を算出しておき、以後の写真製版工程において、この移動量１３に対応する補正量１８で光学マスク１５におけるマーク画像１６の位置を補正して、光学マスク１５の位置合わせを行う方法を示したが、壁面の移動量１１Ａおよび移動量１１Ｂは、加工工程の条件変化、例えば、酸化雰囲気や温度の変化により、影響を受ける。これらの影響で、中心線１２に移動する移動量１３も変動することになる。

そこで、壁面の移動量１１Ａおよび移動量１１Ｂの和を測定し、この合計値が増加、もしくは減少している場合には、移動量１３およびこれに対応する補正量１８を当該増減に対応して調整することができる。

当該調整には、あらかじめ移動量１３および補正量１８と上記の合計値との相関関係を解析しておき、その相関関係を用いる必要がある。例えば、基準となる合計値を設定し、当該基準合計値と測定合計値との比率（条件変化量）を、移動量１３および補正量１８に参照することができる。

条件変化量に基づいて移動量１３および補正量１８を調整させることにより、加工工程の条件変化に対応して、より精度の高い光学マスク１５の位置合わせを行うことができる。

また、各加工工程における形状変化の評価用パターン形状を別途用意し、当該評価用パターン形状の形状変化を画像観察することで、画像認識した形状変化を指標として条件変化量を取得し、壁面の移動量１１Ａおよび移動量１１Ｂの和の量を推定することも可能である。

図３は、形状変化の評価用パターン形状の上部からみた構造の一例である。変形前の評価用パターン形状２１と、変形後の評価用パターン形状２２とが示されており、評価用パターン形状２２においては、当該変形によって発生した面２３が示されている（長さ２４）。評価用パターン形状２２の変形後の一辺の長さは、長さ２５となっている。

例えば図３に示すような評価用パターン形状を用いた場合、変形により発生した面の長さ２４と、変形後の一辺の長さ２５との比率を画像認識で求めることにより評価用パターン形状の形状変化を測定し、当該形状変化から条件変化量を取得することができる。当該条件変化量から、壁面の移動量１１Ａおよび移動量１１Ｂの和の量を推定でき、移動量１３および補正量１８を加工工程の条件変化に応じて調整することができる。なお当該調整には、あらかじめ移動量１３および補正量１８と長さ２４および長さ２５の相関関係を解析しておき、その相関関係を用いる必要がある。

このような方法によれば、形状マークにおける壁面の移動量１１Ａおよび移動量１１Ｂを直接測定することなく、加工工程の条件変化を推定することができる。なお図３においては、三角形の評価用パターン形状を示したが、この形状に限られるものではない。

また形状マークの寸法変動が、壁面の長さを増加させるような変動（すなわち、紙面表裏方向の変動）である場合にも、同様の方法で対応することができる。

＜Ａ−４．効果＞
本発明にかかる実施の形態によれば、基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板である炭化珪素半導体基板１を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ａ）炭化珪素半導体基板１上に、位置合わせマークとしての形状マーク８を作製する工程と、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、（ｃ）変形後の位置合わせマークとしての形状マーク１４に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク１５の位置合わせを行う工程と、（ｄ）光学マスク１５を用いて、炭化珪素半導体基板１に対し写真製版を行う工程とを備える。

工程（ｃ）において、あらかじめ取得した形状マーク１４の変形による位置合わせ基準位置の移動量１３に基づいて、補正を行うことで、炭化珪素半導体基板１のオフ角の影響で生じる、オフ方向の形状マーク１４の基準位置のずれに対して、光学マスク１５の位置合わせのずれが生じることを防止することができ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を抑制し、ばらつきのない設計通りの装置を形成することができる。この結果、歩留まりの低下を低減する効果がある。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、移動量１３が、位置合わせマークとしての形状マーク８の対向する各側面の、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における変形量（移動量１１Ａおよび移動量１１Ｂ）に基づいて、あらかじめ取得されることで、所定の移動量１３に基づいて補正でき、生産性を損なうことなく、特性の劣化が抑制され、ばらつきのない設計通りの炭化珪素半導体装置を形成することができる。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、移動量１３が、位置合わせマークとしての形状マーク８の対向する各側面の、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における体積変化量に基づいて、あらかじめ取得されることで、壁面の角度が変化する変形（図２に示す、移動量３１Ａおよび移動量３１Ｂのような移動が生じる変形）が生じる場合であっても、所定の移動量１３に基づいて適切に補正することができる。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ｃ）変形後の位置合わせマークとしての形状マーク１４に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク１５の位置合わせを行う工程において、移動量１３に基づいて光学マスク１５の位置を変更して、補正を行うことで、光学マスク１５の位置合わせのずれが生じることを防止することができる。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ｃ）変形後の位置合わせマークとしての形状マーク１４に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク１５の位置合わせを行う工程において、移動量１３に基づいて光学マスク１５の設計を変更して、補正を行うことで、光学マスク１５の位置合わせごとに補正を行うことを省略でき、生産性が向上する。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ｃ）変形後の位置合わせマークとしての形状マーク１４に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク１５の位置合わせを行う工程において、位置合わせマークとしての形状マーク８の対向する各側面の変形量の総和に基づいて、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて移動量１３を調整することで、加工条件に変化がある場合でもその変化に対応して移動量１３を調整し、精度高く光学マスク１５の位置合わせを行うことができる。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ｃ）変形後の位置合わせマークとしての形状マーク１４に基づいて、当該変形による影響を補正した本来の位置に、光学マスク１５の位置合わせを行う工程において、評価用パターン形状２１の形状変化に基づいて、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて移動量１３を調整することで、加工条件に変化を評価用パターン形状の変化から推定し、その変化に対応して移動量１３を調整し、より精度高く光学マスク１５の位置合わせを行うことができる。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における所定の処理が、オフ基板である炭化珪素半導体基板１上の成膜工程および当該膜の除去工程であることで、光学マスク１５の位置合わせずれが大きくなる工程において、そのずれを防止することができ、歩留まりの低下を低減する効果がある。

また、本発明にかかる実施の形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法において、（ｂ）形状マーク８の形状変形を伴う所定の処理を実行する工程における所定の処理が、オフ基板である炭化珪素半導体基板１上の活性化アニール工程であることで、光学マスク１５の位置合わせずれが大きくなる工程において、そのずれを防止することができ、歩留まりの低下を低減する効果がある。

本発明の実施の形態では、各構成要素の材質、材料、実施の条件等についても記載しているが、これらは例示であって記載したものに限られるものではない。

また本発明は、その発明の範囲内において、本実施の形態における任意の構成要素の変形もしくは省略が可能である。

１ 炭化珪素半導体基板、２，１５ 光学マスク、３，１６ マーク画像、４，６，９，１２，１７ 中心線、５ 感光性レジスト、７Ａ，７Ｂ，１０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ 壁面、８，１４ 形状マーク、１１Ａ，１１Ｂ，１３，３１Ａ，３１Ｂ 移動量、１８ 補正量、２１，２２ 評価用パターン形状、２３ 面、２４，２５ 長さ。

Claims (11)

1. 基板の法線方向と結晶方位とが傾斜したオフ基板を用いた、炭化珪素半導体装置の製造方法において、
   （ａ）前記オフ基板上に、位置合わせマークを作製する工程と、
   （ｂ）前記位置合わせマークの形状変形を伴う所定の処理を実行する工程と、
   （ｃ）変形後の前記位置合わせマークに基づいて、当該変形による影響を補正した位置に、光学マスクの位置合わせを行う工程と、
   （ｄ）前記光学マスクを用いて、前記オフ基板に対し写真製版を行う工程とを備え、
   前記工程（ｃ）において、あらかじめ取得した前記位置合わせマークの変形による位置合わせ基準位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする、
   炭化珪素半導体装置の製造方法。
2. 前記移動量が、前記位置合わせマークの対向する各側面の、前記工程（ｂ）における変形量に基づいてあらかじめ取得されることを特徴とする、
   請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
3. 前記移動量が、前記位置合わせマークの対向する各側面の、前記工程（ｂ）における体積変化量に基づいてあらかじめ取得されることを特徴とする、
   請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
4. 前記工程（ｃ）において、前記移動量に基づいて前記光学マスクの位置を変更して、前記補正を行うことを特徴とする、
   請求項１〜３のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
5. 前記工程（ｃ）において、前記移動量に基づいて前記光学マスクの設計を変更して、前記補正を行うことを特徴とする、
   請求項１〜３のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
6. 前記工程（ｃ）において、前記位置合わせマークの対向する各側面の変形量の総和に基づいて前記工程（ｂ）における条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて前記移動量を調整することを特徴とする、
   請求項１〜５のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
7. 前記工程（ｃ）において、所定のパターン形状の形状変化に基づいて前記工程（ｂ）における条件変化量を取得し、当該条件変化量に基づいて前記移動量を調整することを特徴とする、
   請求項１〜５のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
8. 前記工程（ｂ）における前記所定の処理が、前記オフ基板上の成膜工程および当該膜の除去工程であることを特徴とする、
   請求項１〜７のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
9. 前記工程（ｂ）における前記所定の処理が、前記オフ基板上の活性化アニール工程であることを特徴とする、
   請求項１〜７のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
10. 前記工程（ｃ）において、あらかじめ取得した、前記位置合わせマークの変形による中心位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする、
    請求項１〜９のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
11. 前記工程（ｃ）において、あらかじめ取得した、前記位置合わせマークの変形による重心位置の移動量に基づいて、前記補正を行うことを特徴とする、
    請求項１〜９のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。

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