JP2007277059A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007277059A5 JP2007277059A5 JP2006106861A JP2006106861A JP2007277059A5 JP 2007277059 A5 JP2007277059 A5 JP 2007277059A5 JP 2006106861 A JP2006106861 A JP 2006106861A JP 2006106861 A JP2006106861 A JP 2006106861A JP 2007277059 A5 JP2007277059 A5 JP 2007277059A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- metal
- compound semiconductor
- container
- nitride compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
Description
上記の課題を解決するため、請求項１に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器とを有し、反応容器の圧力を外部容器の圧力よりも高くすることで、当該外部容器内の雰囲気が反応容器内に拡散しないことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造装置である。また、請求項２に係る発明は、更に反応容器と外部容器との差圧が５ｋＰａ以上１ＭＰａ以下であることを特徴とする。
請求項３に係る発明は、外部容器の外側から反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管と当該反応容器からの排気のための排出管を有し、排出管は、外部容器に窒素を含む気体を供給するための配管に接続されていることを特徴とする。窒素を含む気体とは、窒素分子及び／又は窒素化合物の気体を含む単一又は混合気体を言い、例えば希ガス等の不活性ガスを任意割合で含んでいても良い。請求項４に係る発明は、外部容器の圧力保持中に反応容器に供給する少なくとも窒素を含む気体の流量が１〜２００ｍｌ／分であることを特徴とする。
請求項５に係る発明は、排出管内部と外部容器に少なくとも窒素含む気体を供給するための配管内部に、III族金属及びそれとは異なる金属が付着しないことを特徴とする。請求項６に係る発明は、排出管と外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管との間に、III族金属及びそれとは異なる金属を吸着除去又はトラップするための器具が設けられていることを特徴とする。請求項７に係る発明は、排出管と外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管をIII族金属及びそれとは異なる金属の蒸気の温度よりも高温に保持することを特徴とする。
請求項８に係る発明は、III族金属がガリウム（Ｇａ）であり、それとは異なる金属がナトリウム（Ｎａ）であることを特徴とする。
Claims (8)
- III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、
III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、
当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器とを有し、
前記反応容器の圧力を前記外部容器の圧力よりも高くすることで、当該外部容器内の雰囲気が前記反応容器内に拡散しないことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。 - 前記反応容器と前記外部容器との差圧が５ｋＰａ以上１ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
- 前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管と当該反応容器からの排気のための排出管を有し、
前記排出管は、前記外部容器に窒素を含む気体を供給するための配管に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。 - 前記外部容器の圧力保持中に前記反応容器に供給する少なくとも窒素を含む気体の流量が１〜２００ｍｌ／分であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
- 前記排出管内部と前記外部容器に少なくとも窒素含む気体を供給するための配管内部に、III族金属及びそれとは異なる前記金属が付着しないことを特徴とする請求項３に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
- 前記排出管と前記外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管との間に、III族金属及びそれとは異なる前記金属を吸着除去又はトラップするための器具が設けられていることを特徴とする請求項５に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
- 前記排出管と前記外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管をIII族金属及びそれとは異なる前記金属の蒸気の温度よりも高温に保持することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
- III族金属がガリウム（Ｇａ）であり、それとは異なる前記金属がナトリウム（Ｎａ）であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006106861A JP2007277059A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造装置 |
| PCT/JP2007/058024 WO2007117033A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | Apparatus for producing group iii nitride based compound semiconductor |
| US12/225,716 US20090169444A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | Apparatus for Producing Group III Nitride Based Compound Semiconductor |
| CNA2007800112467A CN101410558A (zh) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | 用于制造第ⅲ族氮化物基化合物半导体的设备 |
| DE112007000705T DE112007000705T5 (de) | 2006-04-07 | 2007-04-05 | Vorrichtung zur Herstellung eines Gruppe III-Nitrid basierten Verbindungshalbleiters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006106861A JP2007277059A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007277059A JP2007277059A (ja) | 2007-10-25 |
| JP2007277059A5 true JP2007277059A5 (ja) | 2009-02-26 |
Family
ID=38581299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006106861A Withdrawn JP2007277059A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090169444A1 (ja) |
| JP (1) | JP2007277059A (ja) |
| CN (1) | CN101410558A (ja) |
| DE (1) | DE112007000705T5 (ja) |
| WO (1) | WO2007117033A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5136186B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2013-02-06 | パナソニック株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造装置及びそれを用いた製造方法 |
| JP2010269986A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | Ｉｉｉ族窒化物結晶の取り出し方法及びそれに用いる装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4011828B2 (ja) | 1999-06-09 | 2007-11-21 | 株式会社リコー | Ｉｉｉ族窒化物結晶の結晶成長方法及びｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
| US7001457B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-02-21 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device |
| JP2003313099A (ja) | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Ricoh Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物結晶成長装置 |
| US7261775B2 (en) * | 2003-01-29 | 2007-08-28 | Ricoh Company, Ltd. | Methods of growing a group III nitride crystal |
| WO2005103341A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Iii族元素窒化物結晶製造装置およびiii族元素窒化物結晶製造方法 |
-
2006
- 2006-04-07 JP JP2006106861A patent/JP2007277059A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-04-05 CN CNA2007800112467A patent/CN101410558A/zh active Pending
- 2007-04-05 US US12/225,716 patent/US20090169444A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-05 WO PCT/JP2007/058024 patent/WO2007117033A1/en active Application Filing
- 2007-04-05 DE DE112007000705T patent/DE112007000705T5/de not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI534074B (zh) | Ozone gas concentration method and device thereof | |
| JP2004360061A (ja) | 処理装置及びその使用方法 | |
| TW469162B (en) | Fluid delivery system and method of delivering a low concentration fluid to a process for utilization of same | |
| TW200815619A (en) | Delivery device | |
| KR20100087194A (ko) | 오존 농축 장치 | |
| JP5427412B2 (ja) | オゾンガス濃縮方法及びその装置 | |
| JPWO2004007797A1 (ja) | 成膜装置 | |
| JP4728308B2 (ja) | 水素分離膜および水素分離膜の製造方法 | |
| JP2007277059A5 (ja) | ||
| WO2017010083A1 (ja) | 液化水素移送方法 | |
| JP2004343094A5 (ja) | ||
| CN101728239B (zh) | 一种晶片表面水汽去除方法 | |
| JP5066981B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
| JP2009144181A (ja) | 光輝焼鈍炉装置 | |
| JP4926996B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
| WO2011114999A1 (ja) | ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 | |
| CN106796872A (zh) | 半导体制造装置以及半导体制造方法 | |
| JP2007277059A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造装置 | |
| JP4873169B2 (ja) | 固体有機金属化合物の充填方法 | |
| TW201138921A (en) | Adsorbent for removing metal compounds and method for same | |
| JP4527595B2 (ja) | ゲル状物質の処理方法、および処理装置 | |
| JP2021031715A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP5032040B2 (ja) | セレン化水素の製造方法 | |
| CN103387220B (zh) | 一种可持续高产碳微米管的制备方法 | |
| JP5351426B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の処理方法 |