JP2007266625A5 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関し、特に転位欠陥が生じ易い半導体材料を用いる場合に有用な素子構造及び製造方法に関するものである。

Claims (4)

1. サファイア基板の結晶成長面が凹凸面とされ、
   Ａｌ _ｘ Ｇａ _{１−ｘ−ｙ} Ｉｎ _ｙ Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなる半導体結晶が、該凹凸面の凹部及び凸部のそれぞれから成長した後、つながって、該凹凸面を覆っており、
   該半導体結晶の上には、Ａｌ _ｘ Ｇａ _{１−ｘ−ｙ} Ｉｎ _ｙ Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）結晶からなる発光層が形成されており、
   前記半導体結晶が、前記凹部の上方に、ファセット成長に伴って前記凸部の頂部よりも高い位置で折曲された転位線を含んでいる、半導体発光素子。
2. 前記半導体結晶がＧａＮからなる、請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 結晶成長面を凹凸面としたサファイア基板を準備する第１工程と、
   Ａｌ _ｘ Ｇａ _{１−ｘ−ｙ} Ｉｎ _ｙ Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）からなる半導体結晶を、該凹凸面の凹部及び凸部のそれぞれから成長させた後、つなげて、該凹凸面を覆わせる第２工程と、
   該半導体結晶の上に、Ａｌ _ｘ Ｇａ _{１−ｘ−ｙ} Ｉｎ _ｙ Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）結晶からなる発光層を形成する第３工程と、
   を有し、
   前記第２工程では、前記凹部上に、完全なまたは不完全なファセットが形成されたＡｌ _ｘ Ｇａ _{１−ｘ−ｙ} Ｉｎ _ｙ Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）結晶を、当該凹部の深さよりも高い山型に成長させる、
   半導体発光素子の製造方法。
4. 前記半導体結晶がＧａＮからなる、請求項３に記載の製造方法。