JP2007266250A - ウエーハ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】規格化された装置によってデバイスを形成しても、ウエーハ基板の裏面におけるデバイスが形成された領域に対応する全ての領域を所定の厚さに形成することができるとともに、外周部に環状の補強部形成をすることができるウエーハを提供する。
【解決手段】円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成されるウエーハであって、ウエーハ基板は複数のデバイスが規格化された装置によって形成されるデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、外周余剰領域はデバイス領域の外周側に環状の補強部を形成することができる外径に設定されている。
【選択図】図5
【解決手段】円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成されるウエーハであって、ウエーハ基板は複数のデバイスが規格化された装置によって形成されるデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、外周余剰領域はデバイス領域の外周側に環状の補強部を形成することができる外径に設定されている。
【選択図】図5
Description
本発明は、円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成される半導体ウエーハ等のウエーハに関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状であるウエーハ基板の表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成することにより半導体ウエーハを構成する。このように構成された半導体ウエーハは、ストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述したように分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを50μm以下に形成することが要求されている。
しかるに、ウエーハの厚さを50μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
しかるに、ウエーハの厚さを50μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
上述した問題を解消するために本出願人は、ウエーハ基板の裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成することにより、剛性を有するウエーハを形成することができるウエーハの加工方法を特願2005−165395号として提案した。
ウエーハ基板は直径が例えば200mm、300mmと規格化されており、この規格に対応するようにデバイスを形成する各装置が規格化されている。このように直径が規格化されたウエーハ基板の表面に規格化された装置によってデバイスを形成すると、ウエーハ基板を有効利用するために、図6に示すようにウエーハ10を構成するウエーハ基板101の表面101aには外周に至るぎりぎりまで複数のデバイス102が形成される。
しかるに、ウエーハ基板101の裏面におけるデバイス102が形成された領域に対応する領域を研削して所定厚さに形成するとともに、ウエーハ基板101の裏面における外周部を残存させて環状の補強部103を形成すると、図6において破線で示すようにウエーハ基板101の表面101aに形成された複数のデバイス102における外周部に位置するデバイス102が環状の補強部103と対応することになる。このため、環状の補強部103と対応する位置に形成されているデバイス102は製品とすることができず犠牲となるため、歩留まりが低下するという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、規格化された装置によってデバイスを形成しても、ウエーハ基板の裏面におけるデバイスが形成された領域に対応する全ての領域を所定の厚さに形成することができるとともに、外周部に環状の補強部形成をすることができるウエーハを提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成されるウエーハであって、
該ウエーハ基板は、複数のデバイスが規格化された装置によって形成されるデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、
該外周余剰領域は、該デバイス領域の外周側に環状の補強部を形成することができる外径に設定されている、
ことを特徴とするウエーハ
ことを特徴とするウエーハが提供される。
該ウエーハ基板は、複数のデバイスが規格化された装置によって形成されるデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、
該外周余剰領域は、該デバイス領域の外周側に環状の補強部を形成することができる外径に設定されている、
ことを特徴とするウエーハ
ことを特徴とするウエーハが提供される。
上記外周余剰領域の外径は、上記デバイス領域の直径より4〜8mm大きく設定されている。また、上記ウエーハ基板の裏面には、上記デバイス領域に対応する全ての領域が所定の厚さに形成された凹部と、該凹部を囲繞する環状の補強部とを備えている。
本発明によるウエーハは、ウエーハ基板が複数のデバイスが規格化された装置によって形成されるデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、外周余剰領域がデバイス領域の外周側に環状の補強部を形成することができる外径に設定されているので、ウエーハ基板の裏面におけるデバイスが形成された領域に対応する全ての領域を所定の厚さに形成することができるとともに、外周部に環状の補強部を形成することができる。従って、本発明によるウエーハは、ウエーハ基板のデバイス領域に形成されたデバイスの全てを製品とすることができるため、歩留まりを向上することができる。
以下、本発明に従って構成されたウエーハの好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明によって構成されたウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、シリコンウエーハからなっており、例えば厚さが700μmの円形状のウエーハ基板21の表面21aに複数のデバイス22が形成されたデバイス領域23と、該デバイス領域23を囲繞する外周余剰領域24を備えている。デバイス領域102には、規格化されたデバイス製造装置によってデバイス101が形成されている。外周余剰領域24は、裏面の外周部に後述する環状の補強部を形成することができる外径に設定されている。この外周余剰領域24の外径、即ちウエーハ基板21の外径は、デバイス領域23の直径より4〜8mm大きく設定されている。従って、ウエーハ基板21の外径は、規格化されたウエーハの外径より2〜6mm大きく形成される。即ち、直径が200mmのウエーハに規格化されたデバイス製造装置によってデバイス22を形成する場合には、シリコンインゴットから直径が2002〜2006mmのウエーハ基板を製作する。
図1には、本発明によって構成されたウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、シリコンウエーハからなっており、例えば厚さが700μmの円形状のウエーハ基板21の表面21aに複数のデバイス22が形成されたデバイス領域23と、該デバイス領域23を囲繞する外周余剰領域24を備えている。デバイス領域102には、規格化されたデバイス製造装置によってデバイス101が形成されている。外周余剰領域24は、裏面の外周部に後述する環状の補強部を形成することができる外径に設定されている。この外周余剰領域24の外径、即ちウエーハ基板21の外径は、デバイス領域23の直径より4〜8mm大きく設定されている。従って、ウエーハ基板21の外径は、規格化されたウエーハの外径より2〜6mm大きく形成される。即ち、直径が200mmのウエーハに規格化されたデバイス製造装置によってデバイス22を形成する場合には、シリコンインゴットから直径が2002〜2006mmのウエーハ基板を製作する。
次に、上記のように構成された半導体ウエーハ2のウエーハ基板21の裏面に、デバイス領域23に対応する全ての領域を研削して所定の厚さに形成するとともに、外周部に環状の補強部を形成する加工方法について説明する。
先ず、図2に示すように半導体ウエーハ2のウエーハ基板21の表面21aに保護部材3を貼着する(保護部材貼着工程)。従って、ウエーハ基板21の裏面21bが露出する形態となる。
先ず、図2に示すように半導体ウエーハ2のウエーハ基板21の表面21aに保護部材3を貼着する(保護部材貼着工程)。従って、ウエーハ基板21の裏面21bが露出する形態となる。
保護部材貼着工程を実施したならば、ウエーハ基板21の裏面21bにおけるデバイス領域23に対応する領域を研削してデバイス領域23の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハ基板21の裏面21bにおける外周余剰領域24に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する補強部形成工程を実施する。この補強部形成工程は、図3に示す研削装置によって実施する。
図3に示す研削装置4は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル41と、該チャックテーブル41に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段42を具備している。チャックテーブル41は、上面にウエーハを吸引保持し図3において矢印41aで示す方向に回転せしめられる。研削手段42は、スピンドルハウジング421と、該スピンドルハウジング421に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル422と、該回転スピンドル422の下端に装着された研削ホイール423とを具備している。この研削ホイール423は、円板状の基台424と、該基台424の下面に装着された環状の研削砥石425とからなっており、基台424が回転スピンドル421の下端に取付けられている。
上述した研削装置4を用いて補強部形成工程を実施するには、チャックテーブル41の上面(保持面)に図示しないウエーハ搬入手段によって搬送された上記半導体ウエーハ2の保護部材3側を載置し、半導体ウエーハ2をチャックテーブ41上に吸引保持する。ここで、チャックテーブル41に保持された半導体ウエーハ2と研削ホイール423を構成する環状の研削砥石425の関係について、図4を参照して説明する。チャックテーブル41の回転中心P1と環状の研削砥石425の回転中心P2は偏芯しており、環状の研削砥石425の外径は、半導体ウエーハ2を構成するウエーハ基板21のデバイス領域23と余剰領域24との境界線25の直径より小さく境界線25の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石425チャックテーブル41の回転中心P1(半導体ウエーハ2の中心)を通過するようになっている。
次に、図3および図4に示すようにチャックテーブル41を矢印41aで示す方向に300rpmで回転しつつ、研削ホイール423を矢印423aで示す方向に6000rpmで回転せしめるとともに、研削ホイール423を下方に移動して研削砥石425をウエーハ基板21の裏面に接触させる。そして、研削ホイール423を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、ウエーハ基板21の裏面には、図5に示すようにデバイス領域23に対応する領域が研削除去されて所定厚さ(例えば30μm)の円形状の凹部23bに形成されるとともに、外周余剰領域24に対応する領域が残存されて環状の補強部24bに形成される。
上述したように裏面外周部に環状の補強部24bが形成されたウエーハ基板21においては、デバイス領域23に形成されたデバイス22の全てが所定厚さ形成された円形状の凹部23bと対応した領域に存在することになる。従って、デバイス領域23に形成されたデバイス22は環状の補強部24bと対応する位置に存在しないので、全てのデバイス22を製品とすることができるため、歩留まりを向上することができる。
2:半導体ウエーハ
21:ウエーハ基板
22:デバイス
23:デバイス領域
24:外周余剰領域
23b:円形状の凹部
25b:環状の補強部
3:保護部材
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42:研削手段
423:研削ホイール
425:研削砥石
21:ウエーハ基板
22:デバイス
23:デバイス領域
24:外周余剰領域
23b:円形状の凹部
25b:環状の補強部
3:保護部材
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42:研削手段
423:研削ホイール
425:研削砥石
Claims (3)
- 円形状のウエーハ基板の表面に複数のデバイスが形成されるウエーハであって、
該ウエーハ基板は、複数のデバイスが規格化された装置によって形成されるデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、
該外周余剰領域は、該デバイス領域の外周側に環状の補強部を形成することができる外径に設定されている、
ことを特徴とするウエーハ。 - 該外周余剰領域の外径は、該デバイス領域の直径より4〜8mm大きく設定されている、請求項1記載のウエーハ。
- 該ウエーハ基板の裏面には、該デバイス領域に対応する全ての領域が所定の厚さに形成された凹部と、該凹部を囲繞する環状の補強部とを備えている、請求項1又は2記載のウエーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006088460A JP2007266250A (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | ウエーハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006088460A JP2007266250A (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | ウエーハ |
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JP2007266250A true JP2007266250A (ja) | 2007-10-11 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006088460A Pending JP2007266250A (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | ウエーハ |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2007266250A (ja) |
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KR20170049405A (ko) * | 2015-10-27 | 2017-05-10 | 가부시기가이샤 디스코 | Led 기판의 형성 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2006
- 2006-03-28 JP JP2006088460A patent/JP2007266250A/ja active Pending
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