JP2007263769A - 赤外線センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベース基板1と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部3と、温度検知部3がベース基板1の一表面から離間して配置されるように温度検知部3を支持して温度検知部3とベース基板1とを熱絶縁する断熱部4とを備える。断熱部4は、ベース基板1の上記一表面から離間して配置されベース基板1側とは反対側に温度検知部3が形成される支持部41と、支持部41とベース基板1とを連結した脚部42,42とを有する。また、断熱部4は、支持部41および脚部42,42が多孔質材料により形成されており、支持部41に当該支持部41の応力を緩和する応力緩和層41b,41cが支持部41を挟む形で積層されている。
【選択図】図1
Description
G=2×α×(S/L)=560×10−9〔W/K〕となる。
G=2×α×(S/L)=2.0×10−8〔W/K〕
となり、熱コンダクタンスGを脚部42がシリコン酸化膜により構成される比較例の熱コンダクタンスGの10分の1よりも小さな値とすることができ、脚部42,42を通した熱伝達をより抑制することができ、高感度化を図れる。
C1=cv×A×d=22.6×10−10〔J/K〕となる。
C1=cv×A×d=11.0×10−10〔J/K〕
となり、支持部41の熱容量C1を支持部41がシリコン酸化膜により構成される比較例の場合に比べて半分よりも小さな値とすることができ、時定数が小さくなって応答速度の高速化を図れる。
C2=cv×A×d=11.0×10−10〔J/K〕となる。
C3=cv×A×d=3.0×10−10〔J/K〕となる。
1a シリコン基板
1b 絶縁膜
3 温度検知部
4 断熱部
6 赤外線反射膜
7 間隙
8 配線
10 導体パターン
41 支持部
41b 応力緩和層(第1の応力緩和層)
41c 応力緩和層(第2の応力緩和層)
42 脚部
Claims (4)
- ベース基板と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置されるように温度検知部を支持して温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部とを備え、断熱部は、ベース基板の前記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が形成される支持部と、多孔質材料により形成されてなり支持部とベース基板とを連結した脚部とを有し、支持部に当該支持部の応力を緩和する少なくとも1層の応力緩和層が積層されてなることを特徴とする赤外線センサ。
- 前記支持部は、多孔質材料により形成されてなることを特徴とする請求項1記載の赤外線センサ。
- 前記支持部は、ポーラスシリカ膜からなり、前記応力緩和層は、シリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなることを特徴とする請求項2記載の赤外線センサ。
- 前記多孔質材料は、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の赤外線センサ。
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