JP2007316076A - 赤外線センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】矩形板状のベース基板1と、ベース基板1の一表面側(図1(a)の上面側)に配置され赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部3と、温度検知部3がベース基板1の上記一表面から離間して配置されるように温度検知部3を支持して温度検知部3とベース基板1とを熱絶縁する断熱部4とを有するセンサ本体10を備え、断熱部4が、多孔質材料である多孔質の酸化シリコンにより形成されている。また、ベース基板1の上記一表面側において温度検知部3、断熱部4などが収納された気密空間15をベース基板1との間に形成した封止部材20を備えている。
【選択図】図1
Description
以下、本実施形態の赤外線センサについて図1を参照しながら説明する。
G=2×α×(S/L)=560×10−9〔W/K〕となる。
G=2×α×(S/L)=2.0×10−8〔W/K〕
となり、熱コンダクタンスGを脚部42がシリコン酸化膜により構成される比較例の熱コンダクタンスGの10分の1よりも小さな値とすることができ、脚部42,42を通した熱伝達をより抑制することができ、高感度化を図れる。
C=cv×A×d=22.6×10−10〔J/K〕となる。
C=cv×A×d=11.0×10−10〔J/K〕
となり、支持部41の熱容量Cを支持部41がシリコン酸化膜により構成される比較例の場合に比べて半分よりも小さな値とすることができ、時定数が小さくなって応答速度の高速化を図れる。
本実施形態の赤外線センサの基本構成は実施形態1と略同じであり、図5に示すように、センサ本体10の温度検知部3に赤外線を収束させるレンズ30を備えている点が相違する。ここにおいて、レンズ30は、センサ本体10のベース基板1と封止部材20とで構成されるパッケージの外側において封止部材20におけるベース基板1側とは反対側に封止部材20から離間して配置されている。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサの基本構成は実施形態2と略同じであり、図6に示すように、レンズ30が封止部材20の一部を構成している点が相違する。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサの基本構成は実施形態2と略同じであり、図7に示すように、レンズ30が封止部材20に一体に形成されている点が相違する。なお、実施形態2と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の赤外線センサの基本構成は実施形態4と略同じであり、図14に示すように、レンズ30を当該レンズ30が封止部材20とは反対側で接する媒質の屈折率と封止部材20の屈折率との中間の屈折率を有する材料により形成してある点が相違する。ここで、本実施形態では、封止部材20の材料としてSiを採用し、レンズ30の材料としてSiO2を採用しているが、封止部材20の材料は、実施形態1でも説明したようにSiに限らず、Ge,InP,ZnSe,ZnS,Al2O3,CdSeなどを採用可能なので、レンズ30の材料は封止部材20の材料に応じて適宜選定すればよい。なお、実施形態4と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
以下、本実施形態の赤外線センサについて図17を参照しながら説明するが、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
以下、本実施形態の赤外線センサについて図18を参照しながら説明するが、実施形態6と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
3 温度検知部
4 断熱部
10 センサ本体
15 気密空間
20 封止部材
30 レンズ
Claims (7)
- ベース基板と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置されるように温度検知部を支持して温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部とを備え、断熱部が多孔質材料により形成され、少なくとも温度検知部および断熱部が収納された気密空間を形成した封止部材を有することを特徴とする赤外線センサ。
- 前記温度検知部に赤外線を収束させるレンズを備えてなることを特徴とする請求項1記載の赤外線センサ。
- 前記レンズが前記封止部材の一部を構成してなることを特徴とする請求項2記載の赤外線センサ。
- 前記レンズは、前記封止部材に一体に形成されてなることを特徴とする請求項2記載の赤外線センサ。
- 前記レンズは、前記レンズが前記封止部材側とは反対側で接する媒質の屈折率と前記封止部材の屈折率との中間の屈折率を有する材料により形成されてなることを特徴とする請求項4記載の赤外線センサ。
- 前記気密空間内を減圧雰囲気としてあることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の赤外線センサ。
- 前記多孔質材料は、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の赤外線センサ。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008003081A (ja) * | 2006-05-25 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサー |
US8097850B2 (en) | 2006-05-25 | 2012-01-17 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Infrared sensor |
JP2017122729A (ja) * | 2012-08-23 | 2017-07-13 | レイセオン カンパニー | ウエハーレベルパッケージングされる赤外線フォーカルプレーンアレイの反射防止コーティングされるキャップウエハーにおける応力緩和方法 |
JP2018176421A (ja) * | 2013-02-21 | 2018-11-15 | 株式会社リコー | デバイス |
WO2019171465A1 (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Tdk株式会社 | 熱利用デバイス |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147433A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Nec Corp | 赤外線撮像素子 |
JPH07318416A (ja) * | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線センサの製造方法 |
JPH09246508A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Nec Corp | 熱型赤外線固体撮像素子 |
JPH10239157A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-09-11 | He Holdings Inc Dba Hughes Electron | 集積された赤外線マイクロレンズおよび真空パッケージのガス分子ゲッタ格子 |
JPH11258038A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Omron Corp | 赤外線センサ |
JPH11337403A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
JP2001210877A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US6359276B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-03-19 | Xiang Zheng Tu | Microbolom infrared sensors |
JP2002205299A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-07-23 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング構成部材と該マイクロマシニング構成部材を製造するための方法 |
JP2004079932A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006126203A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Commiss Energ Atom | 収縮による熱分離を有する放射検出器およびその放射検出器を用いた赤外線検出装置 |
JP2007078680A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサユニット及びその製造方法 |
JP2007292561A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
-
2007
- 2007-06-08 JP JP2007153012A patent/JP5016397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147433A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Nec Corp | 赤外線撮像素子 |
JPH07318416A (ja) * | 1994-05-26 | 1995-12-08 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線センサの製造方法 |
JPH09246508A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Nec Corp | 熱型赤外線固体撮像素子 |
JPH10239157A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-09-11 | He Holdings Inc Dba Hughes Electron | 集積された赤外線マイクロレンズおよび真空パッケージのガス分子ゲッタ格子 |
JPH11258038A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Omron Corp | 赤外線センサ |
JPH11337403A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
US6359276B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-03-19 | Xiang Zheng Tu | Microbolom infrared sensors |
JP2001210877A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002205299A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-07-23 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング構成部材と該マイクロマシニング構成部材を製造するための方法 |
JP2004079932A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006126203A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Commiss Energ Atom | 収縮による熱分離を有する放射検出器およびその放射検出器を用いた赤外線検出装置 |
JP2007078680A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサユニット及びその製造方法 |
JP2007292561A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008003081A (ja) * | 2006-05-25 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサー |
US8097850B2 (en) | 2006-05-25 | 2012-01-17 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Infrared sensor |
JP2017122729A (ja) * | 2012-08-23 | 2017-07-13 | レイセオン カンパニー | ウエハーレベルパッケージングされる赤外線フォーカルプレーンアレイの反射防止コーティングされるキャップウエハーにおける応力緩和方法 |
JP2018176421A (ja) * | 2013-02-21 | 2018-11-15 | 株式会社リコー | デバイス |
WO2019171465A1 (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Tdk株式会社 | 熱利用デバイス |
JPWO2019171465A1 (ja) * | 2018-03-06 | 2021-03-04 | Tdk株式会社 | 熱利用デバイス |
US11480477B2 (en) | 2018-03-06 | 2022-10-25 | Tdk Corporation | Heat utilizing device |
JP7173125B2 (ja) | 2018-03-06 | 2022-11-16 | Tdk株式会社 | 熱利用デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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