JP2007258581A - 面発光レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】低屈折率層及び高屈折率層が交互に積層された上部DBRミラー42を、活性層近傍の第1の領域44と、活性層から遠い第2の領域46とに分ける。第1の領域44の低屈折率層のAl組成を、第2の領域46の低屈折率層のAl組成よりも低くし、第1の領域44において、Al酸化層25の形成のための酸化処理に際して生ずる低屈折率層の酸化を抑制する。第2の領域46は、大きなAl組成により、ペア数を低減して工程数を削減する。
【選択図】図1
Description
前記上部DBRミラーは、少なくとも活性層近傍の第1の領域と、該第1の領域よりも活性層に遠い側に設けられた第2の領域とを有し、前記第1の領域におけるAl含有量が前記第2の領域におけるAl含有量よりも小さいことを特徴とする。
第1の実施形態
図1は、本実施形態に係る面発光レーザ素子の半導体積層を示す断面図である。本実施形態の面発光レーザ素子40は、従来の面発光レーザ素子10とほぼ同様の構造をしており、異なるところは上部DBRミラー22の構成材料であり、図2に示した従来の面発光レーザ素子10と同様のプロセスによって作製することができる。
本実施形態は、図1に示した第1の実施形態の面発光レーザ素子とほぼ同様の構造を有している。異なるところは、下部DBRミラー14の一部が、メサポスト38内に形成され、活性層18近傍の第3の領域を有し、この第3の領域では、n−Al0.8Ga0.2As/n−Al0.8Ga0.2Asからなる2ペアが設けられていることである。
本実施形態は、図1に示した第1の実施形態及び第2の実施形態の面発光レーザ素子とほぼ同様の構造をしている。異なるところは、上部DBRミラーの第1の領域、及び/又は、下部DBRミラーの第3の領域が、高屈折率層/低屈折率層の構成として、GaInAsP/GaInPを1ペア有することである。
14:下部DBRミラー
16:下部クラッド層
18:量子井戸活性層
20:上部クラッド層
22:上部DBRミラー
24:AlAs層
26:ポリイミド層
27:DBRミラー部の酸化層
28:p側電極
30:n側電極
32:電極パッド
40:面発光レーザ素子
42:上部DBRミラー
44:第1の領域
46:第2の領域
Claims (9)
- 基板上に、上部DBRミラーと、下部DBRミラーと、前記上部DBRミラーと下部DBRミラーとの間に配設された活性層とを備え、少なくとも前記上部DBRミラー及び活性層がメサポストに形成された面発光レーザ素子において、
前記上部DBRミラーは、少なくとも活性層近傍の第1の領域と、該第1の領域よりも活性層に遠い側に設けられた第2の領域とを有し、前記第1の領域におけるAl含有量が前記第2の領域におけるAl含有量よりも小さいことを特徴とする面発光レーザ素子。 - 前記下部DBRミラーは、少なくとも一部が前記メサポスト内に形成されており、活性層近傍の第3の領域と、該第3の領域よりも活性層に遠い側に配設された第4の領域とを有し、前記第3の領域におけるAl含有量が前記第4の領域におけるAl含有量よりも小さいことを特徴とする、請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1又は第3の領域であって前記メサポスト内に、特定半導体層の一部領域を酸化してなる酸化狭窄層を有することを特徴とする、請求項2に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1及び第3の領域はそれぞれ、低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された周期的構造を有し、少なくとも前記低屈折率層がAlxGa1−xAs(x≦0.8)である半導体材料で構成されていることを特徴とする、請求項2又は3の何れか一に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1及び第3の領域はそれぞれ、低屈折率層と高屈折率層が交互に積層された周期的構造を有し、該低屈折率層及び高屈折率層のそれぞれが、GayIn1−yP(0≦y≦1)からなる半導体材料で構成されていることを特徴とする、請求項2又は3の何れか一に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1及び第3の領域は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された周期的構造を有し、該低屈折率層及び高屈折率層のそれぞれが、GayIn1−yAszP1−z(0≦y≦1、0≦z≦1)からなる半導体材料で構成されていることを特徴とする、請求項2又は3の何れか一に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第2及び第4の領域はそれぞれ、低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された周期的構造を有し、少なくとも前記低屈折率層がAlxGa1−xAs(x>0.8)である半導体材料で構成されていることを特徴とする、請求項2又は3の何れか一に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1及び第3の領域の厚さは、面発光レーザ素子の発光波長λの少なくとも2倍に相当する厚さであることを特徴とする、請求項2〜7の何れか一に記載の面発光レーザ素子。
- 前記第1の領域は、特定半導体層の一部領域を酸化してなる酸化狭窄層を有し、該酸化狭窄層以外の層におけるメサポスト側面からの酸化幅が、前記第2の領域におけるメサポスト側面からの酸化幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。
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