JP2007258440A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007258440A5
JP2007258440A5 JP2006080846A JP2006080846A JP2007258440A5 JP 2007258440 A5 JP2007258440 A5 JP 2007258440A5 JP 2006080846 A JP2006080846 A JP 2006080846A JP 2006080846 A JP2006080846 A JP 2006080846A JP 2007258440 A5 JP2007258440 A5 JP 2007258440A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
processing method
plasma processing
etching
reaction gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006080846A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007258440A (ja
JP4782596B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006080846A priority Critical patent/JP4782596B2/ja
Priority claimed from JP2006080846A external-priority patent/JP4782596B2/ja
Publication of JP2007258440A publication Critical patent/JP2007258440A/ja
Publication of JP2007258440A5 publication Critical patent/JP2007258440A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4782596B2 publication Critical patent/JP4782596B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP2006080846A 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法 Expired - Lifetime JP4782596B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006080846A JP4782596B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006080846A JP4782596B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010287570A Division JP5259691B2 (ja) 2010-12-24 2010-12-24 プラズマ処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007258440A JP2007258440A (ja) 2007-10-04
JP2007258440A5 true JP2007258440A5 (https=) 2009-02-26
JP4782596B2 JP4782596B2 (ja) 2011-09-28

Family

ID=38632378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006080846A Expired - Lifetime JP4782596B2 (ja) 2006-03-23 2006-03-23 プラズマ処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4782596B2 (https=)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060541A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Korea Electronics Telecommun Gstカルコゲニドパターンを備える相変化メモリ素子の製造方法
JP2010287615A (ja) 2009-06-09 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd Ge−Sb−Te膜の成膜方法および記憶媒体
JP2015183260A (ja) * 2014-03-25 2015-10-22 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、基板処理装置およびプログラム
JP5913463B2 (ja) * 2014-07-16 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 Ge−Sb−Te膜の成膜方法
US11355703B2 (en) * 2020-06-16 2022-06-07 International Business Machines Corporation Phase change device with interfacing first and second semiconductor layers
CN115498105B (zh) * 2022-10-17 2026-02-06 北京北方华创微电子装备有限公司 阻变存储器的制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0336725A (ja) * 1989-07-04 1991-02-18 Seiko Epson Corp 化合物半導体のエッチング方法
JP3052321B2 (ja) * 1989-02-23 2000-06-12 セイコーエプソン株式会社 化合物半導体のエッチング方法
JPH02299227A (ja) * 1989-05-15 1990-12-11 Seiko Epson Corp 化合物半導体のエッチング方法
JP2004146500A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の加工方法
WO2005011011A1 (en) * 2003-07-21 2005-02-03 Unaxis Usa Inc. Etching method for making chalcogenide memory elements

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102410536B1 (ko) 원자 층 식각 공정
JP2008235904A5 (https=)
CN110832625B (zh) 包括多种金属氧化物的金属膜的选择性干式蚀刻
JP5593129B2 (ja) シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積
JP5661083B2 (ja) エピタキシャル膜を形成する方法、及び、エピタキシャル膜の形成に使用するためのクラスターツール
JP2012502504A5 (https=)
JP2008527738A5 (https=)
WO2011051251A1 (en) Etching process for producing a tft matrix
TW201410914A (zh) 透明導電薄膜處理腔室的原位清潔
JP2007258440A5 (https=)
JP2008538161A5 (https=)
US7824499B2 (en) Photon induced cleaning of a reaction chamber
KR20210139395A (ko) 금속 제거 방법, 드라이 에칭 방법, 및 반도체 소자의 제조 방법
KR20120104214A (ko) 증착물 제거 방법
JP4774006B2 (ja) エッチング方法
JP2020119920A (ja) 基板処理装置の洗浄方法、および基板処理装置
TWI724689B (zh) 附著物之去除方法及成膜方法
JP5128017B1 (ja) CdTe/CdS型薄膜太陽電池に使用するCdTe薄膜の活性化方法
JP6630027B1 (ja) 多結晶シリコンの洗浄方法、製造方法および洗浄装置
JP4320389B2 (ja) Cvdチャンバーのクリーニング方法およびそれに用いるクリーニングガス
JP4782596B2 (ja) プラズマ処理方法
JP2018129527A (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法
CN103094476A (zh) 相变合金材料的无损刻蚀方法
TWI807227B (zh) 附著物除去方法及成膜方法
Kim et al. Role of hydrogen in Sb film deposition and characterization of Sb and GexSby films deposited by cyclic plasma enhanced chemical vapor deposition using metal-organic precursors