JP2018129527A - 半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】XF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲン化合物を主成分として含有する半導体製造装置のクリーニングガス組成物を用いたクリーニング方法及そのモノフルオロハロゲン化合物によって処理室または処理容器内部に堆積する不要な膜を処理室又は処理容器内部にダメージを与えず、制御性良くクリーニングできる方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造に用いられる処理室又は処理容器内部において、処理操作後に処理室又は処理容器内部に付着したSiを含有する堆積物を除去する際に、この処理室または処理容器内にXF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲンガスを供給することで、Siを含有する堆積物を除去することを特徴とするクリーニング方法である。処理室又は処理容器内に前記モノフルオロハロゲンガスを供給した際の、処理室または処理容器内の温度が400℃以上である。【選択図】図1
Description
本発明はクリーニング方法に関し、半導体製造装置の処理室または処理容器内に堆積している不要なシリコン系化合物を除去するためのクリーニング方法に関する。
半導体装置の製造工程においてはプラズマ化学気相成長法(プラズマCVD)、熱化学気相成長法(熱CVD法)、スパッタリング法、イオンプレーディング法などによって目的とする薄膜を基板上に形成する工程がある。これらの成膜方法では装置の構造や、成膜に用いる化学反応などの特性から成膜を目的とした基板以外の成膜装置内壁などにも堆積物が付着する。たとえば熱CVD法では、原料ガスの熱分解や熱エネルギーによる化学反応の促進によって基板上に目的とする薄膜を形成する成膜方法であるため、熱CVD法による成膜装置の処理室または処理容器内には、熱分解物の吸着、基板以外の加熱部分における化学反応の進行などによって不要な堆積物が生じる。このような堆積物は成膜の操作を繰り返すことで成長し、一定以上の大きさに成長すると剥離する。このような剥離物が製造中の半導体装置基板に付着した場合、歩留まりの低下を招くため、半導体製造装置の処理室または処理容器内部は定期的にクリーニングを行い、不要な堆積物を除去する必要がある。
半導体成膜装置内部の不要な堆積物のクリーニング方法としては、(1)半導体製造装置を開放し薬剤等を用いてふき取る方法や、(2)反応性の高いガス、たとえばF2やClF3などを成膜装置に導入し、堆積物と反応させ揮発性の高い物質として処理室または処理容器外に排出するドライクリーニング法がある。(1)の方法は操作に時間を要することと、開放によって装置内部が汚染されることが懸念されるため、(2)のような反応性の高いガスを用いたドライクリーニング法が一般的である。
たとえば特許文献1では、真空処理装置の石英製の放電管おいて、表面に生じた窒化ケイ素膜等の窒化物を、三フッ化窒素と塩素ガスのプラズマ化によって発生するフッ化塩素を用いて、下地の石英に対して選択的に窒化物を除去する方法について開示されている。
この先行する発明では本発明同様モノフルオロハロゲン化合物であるClFが用いられているが、ClFを効率よく発生させるために重要なガス流量比や圧力、放電管内の温度などの詳しい条件が明示されていない。本発明においては原料のガス流量比、反応温度を検討し、ClFを効率的に発生させることを達成しており、これによってより効果的にClFを用い堆積物の除去ができている。
特許文献2では、金属またはその化合物が堆積した薄膜形成装置内に50〜100容量%の高濃度の一フッ化塩素、三フッ化塩素、五フッ化塩素のうち少なくとも1種類のガスを静置式または流通式で導入し、400℃未満の低温で、堆積した金属もしくはその化合物と反応させ、高速で、且つ装置表面を侵食により傷つけることなく除去する方法について開示されている。
この先行する発明では本発明同様モノフルオロハロゲン化合物であるClFの記載はあるが、本発明においてClFを用いた成膜装置の処理室または処理容器内部のクリーニングを行ったところ、先行する発明に記載されるような400℃未満の温度では、この先行する発明が対象とする薄膜形成装置内の堆積物(W、Si、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ir、Sb、Ge等の金属およびその化合物)との反応性が低く、ClF3に比べるとクリーニング速度が遅いことが明らかとなっている。さらに、本発明の発明者等が検討を行ったところ、400℃以上ではClF3は処理室または処理容器内部を腐食し、ダメージを与えるが、モノフルオロハロゲン化合物であるClFを用いた場合には処理室または処理容器内部の腐食が起こらず、装置にダメージを与えることなくクリーニングが行えることが明らかとなっている。
特許文献3では減圧可能な成膜用又は結晶成長用の処理室にフッ化塩素、三フッ化塩素、五フッ化塩素、三フッ化臭素、五フッ化臭素、一塩化臭素、五フッ化ヨウ素及び七フッ化ヨウ素からなる群から選ばれる、ハロゲン間化合物ガス単体若しくは2以上のハロゲン間化合物ガスを含む混合ハロゲン間化合物ガス又は前記ハロゲン間化合物ガス単体と該ガス単体に対して不活性なガスとの混合ガス若しくは前記混合ハロゲン間化合物ガスと該混合ハロゲン間化合物ガスに対して不活性なガスとの混合ガスを供給し、前記吸気配管内を0.5kPa〜80kPaの圧力で処理することでアモルファスシリコンやマイクロクリスタルシリコンのチッピングによる粉体、成膜用又は結晶成長用の材料である非晶質珪素、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素などの珪素化合物、ドーパントであるモリブデン、タンタル、タングステン、砒素、ボロン、リン、ゲルマニウム、アンチモンなどの堆積膜をクリーニングする方法について開示されている。
この先行する発明では本発明同様モノフルオロハロゲン化合物であるClFの記載はあるが、クリーニングを対象とする装置の加熱、クリーニングを行う温度に関する記載はない。フッ化塩素以外のインターハロゲンガスである、三フッ化塩素、五フッ化塩素、三フッ化臭素、五フッ化臭素、一塩化臭素、五フッ化ヨウ素及び七フッ化ヨウ素等のインターハロゲン化合物はクリーニング操作において、装置の温度やガスの混合する割合によっては過剰な反応が進行してしまい、装置にダメージを与えることとなる。本発明においてはClF3を用いた場合、400℃以上では装置内部を腐食し、ダメージを与えることが明らかとなっており、また、ClFを用いることで400℃以上の条件であっても制御性良く、装置を腐食しないクリーニングが行えることが明らかとなっている。
これまでのプラズマレスクリーニング方法ならびに特許文献2、特許文献3に記載のクリーニング方法ではクリーニング時間の短縮、堆積物除去の完遂、反応の低温化などを目的として反応性の高い、たとえばClF3やBrF3、IF7等のインターハロゲン化合物、FNO、F2などを使用することが推奨されている。実際にこれら反応性の高いガスをクリーニングに用いることで、特にシリコンを含む膜に対して比較的低い温度条件下でも高速にクリーニングを行うことが可能である。
しかしこれらの反応性の高い化合物はその反応性の高さから、クリーニングの対象である堆積物以外にも半導体製造装置処理室または処理容器内部の部材と反応し、腐食や変形等のダメージを与え、このような腐食がパーティクルとして半導体装置製造の歩留まり低下をもたらすとともに半導体製造装置の寿命に重大な影響を与える。このようなダメージを抑制するために不活性ガスによる希釈を行う、クリーニングを行う温度を下げるといった対策が施されるが、これによってクリーニング時間の延長、堆積物の残留といった問題が生じることとなる。以上のように反応性の高い化合物による半導体製造装置のクリーニングは制御が困難であるという問題がある。
本発明は従来の半導体製造装置の処理室または処理容器内部のクリーニング方法が有している前記の課題を解決しようとするものであり、処理室または処理容器内部に堆積もしくは付着した不要なシリコンを主成分とする膜をプラズマレスクリーニングにより容器内部にダメージを与えず、制御性良く除去するためのクリーニング方法を提供するものである。
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、半導体製造装置処理室または処理容器内部に堆積もしくは付着した不要なシリコンを主成分とする膜を容器内部にダメージを与えず、制御性良く除去するためには、フッ化ハロゲン化合物として、ClF、BrF、及びIFなどの分子内にフッ素原子を1つ有するフッ化ハロゲン化合物(ハロゲンはフッ素原子以外のハロゲン)を主な反応活性成分として含むクリーニングガス組成物が有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明によれば、以下の態様が提供される。
[1]
半導体装置の製造に用いられる処理室または処理容器の内部において、処理操作後に処理室または処理容器の内部に付着したSiを含有する堆積物を除去する際に、この処理室または処理容器内にXF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲンガスを供給することで、Siを含有する堆積物を除去することを特徴とするクリーニング方法であって、処理室または処理容器内に前記モノフルオロハロゲンガスを供給した際の処理室または処理容器内の温度が400℃以上である、方法。
半導体装置の製造に用いられる処理室または処理容器の内部において、処理操作後に処理室または処理容器の内部に付着したSiを含有する堆積物を除去する際に、この処理室または処理容器内にXF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲンガスを供給することで、Siを含有する堆積物を除去することを特徴とするクリーニング方法であって、処理室または処理容器内に前記モノフルオロハロゲンガスを供給した際の処理室または処理容器内の温度が400℃以上である、方法。
[2]
前記処理室または処理容器内の温度が400℃以上、2000℃未満である、[1]に記載の方法。
前記処理室または処理容器内の温度が400℃以上、2000℃未満である、[1]に記載の方法。
[3]
前記処理室または処理容器内の温度が400℃以上、800℃以下である、[1]に記載の方法。
前記処理室または処理容器内の温度が400℃以上、800℃以下である、[1]に記載の方法。
[4]
前記モノフルオロハロゲンガスがClFを含む、[1]〜[3]のいずれかに記載の方法。
前記モノフルオロハロゲンガスがClFを含む、[1]〜[3]のいずれかに記載の方法。
[5]
前記Siを含有する堆積物が二酸化珪素(SiO2)、シリコン窒化物(SiN)、炭化珪素(SiC)、多結晶シリコン(Poly−Si)、単結晶シリコン、アモルファスシリコン(a−Si)、シリコン酸窒化物(SiON)、シリコン炭窒化物(SiCN)、シリコン酸炭窒化物(SiOCN)の1以上を含む[1]〜[4]のいずれかに記載の方法。
前記Siを含有する堆積物が二酸化珪素(SiO2)、シリコン窒化物(SiN)、炭化珪素(SiC)、多結晶シリコン(Poly−Si)、単結晶シリコン、アモルファスシリコン(a−Si)、シリコン酸窒化物(SiON)、シリコン炭窒化物(SiCN)、シリコン酸炭窒化物(SiOCN)の1以上を含む[1]〜[4]のいずれかに記載の方法。
ここで、「半導体製造装置の処理室または処理容器」とは、半導体製造装置内に設置されたSiを含有する堆積物が付着し得る表面を備えた区画または部材を意味し、その形状については特に限定されない。
本発明によれば、従来のクリーニングガス組成物及びクリーニング方法における問題点を解消し、プラズマを使用せずに、半導体製造装置の処理室または処理容器の内部にダメージを与えず、制御性良く処理室または処理容器の内部に堆積もしくは付着した不要なシリコンを主成分とする膜を除去することができるクリーニング方法が提供される。
本発明のクリーニング方法は、以下の効果を奏する。
(1)半導体製造装置処理室または処理容器内部にダメージを与えないクリーニングガス組成物のため、ダメージに起因するパーティクルの発生を抑え半導体装置製造の歩留まりを高めるとともに、成膜装置の寿命を伸ばすことができる。
(2)制御性の高いクリーニングガス組成物のため、半導体製造装置処理室または処理容器内部に局所的に温度が高い箇所が存在した場合であっても、過剰な反応が起こらず、ダメージを抑制することができる。
(3)高温の条件(400℃以上)においても高い制御性を有するため、過剰な反応が起こらず、半導体製造装置処理室または処理容器内部へのダメージを抑制することができる。
(4)Si、C、S、B、P、As、W、Ge、Ta、Ir、Ptなどフッ素化することで蒸気圧の高いフッ素化物を生成する元素から構成される堆積物を効率よく除去し、処理室または処理容器内部を清浄な状態にクリーニングすることが可能である。
(5)Fと結合するX(XはCl、Br又はI)の効果によって、Al、Ga、Zn、Hf、Zrなどハロゲン元素と結合し蒸気圧の高いフッ素化物を生成する元素から構成される堆積物を効率よく除去し、処理室または処理容器内部を清浄な状態にクリーニングすることが可能である。
(6)一般的に熱CVD法による成膜プロセスは400℃以上の高温で行われるため、従来のクリーニング方法では装置へのダメージ抑制のために成膜プロセスの温度からクリーニングに適した温度へと処理室または処理容器内部の温度を低下させることが推奨される。しかし、本発明のクリーニングガス組成物を用いることで成膜プロセスと近い温度で制御性良くクリーニングすることが可能なため、温度調節の時間を短縮することが可能で、生産性の向上が期待できる。
(1)半導体製造装置処理室または処理容器内部にダメージを与えないクリーニングガス組成物のため、ダメージに起因するパーティクルの発生を抑え半導体装置製造の歩留まりを高めるとともに、成膜装置の寿命を伸ばすことができる。
(2)制御性の高いクリーニングガス組成物のため、半導体製造装置処理室または処理容器内部に局所的に温度が高い箇所が存在した場合であっても、過剰な反応が起こらず、ダメージを抑制することができる。
(3)高温の条件(400℃以上)においても高い制御性を有するため、過剰な反応が起こらず、半導体製造装置処理室または処理容器内部へのダメージを抑制することができる。
(4)Si、C、S、B、P、As、W、Ge、Ta、Ir、Ptなどフッ素化することで蒸気圧の高いフッ素化物を生成する元素から構成される堆積物を効率よく除去し、処理室または処理容器内部を清浄な状態にクリーニングすることが可能である。
(5)Fと結合するX(XはCl、Br又はI)の効果によって、Al、Ga、Zn、Hf、Zrなどハロゲン元素と結合し蒸気圧の高いフッ素化物を生成する元素から構成される堆積物を効率よく除去し、処理室または処理容器内部を清浄な状態にクリーニングすることが可能である。
(6)一般的に熱CVD法による成膜プロセスは400℃以上の高温で行われるため、従来のクリーニング方法では装置へのダメージ抑制のために成膜プロセスの温度からクリーニングに適した温度へと処理室または処理容器内部の温度を低下させることが推奨される。しかし、本発明のクリーニングガス組成物を用いることで成膜プロセスと近い温度で制御性良くクリーニングすることが可能なため、温度調節の時間を短縮することが可能で、生産性の向上が期待できる。
本発明の半導体製造装置の処理室または処理容器内部のクリーニング方法において用いられるクリーニングガス組成物は、XF(XはCl、Br又はI)で表されるモノフルオロハロゲン化合物を主な活性成分として含む。
本発明のクリーニング方法に用いられるXF(XはCl、Br又はI)は、特に、制御性の高いクリーニングが要求される場合には、N2、CO2、He、Ar、Ne、Kr、Xeの中から選択される不活性ガスによって希釈することが好ましい。XFの希釈は、XFと不活性ガスの合計量を100vol%として、XF濃度10〜90vol%となるように行うことが好ましく、XF濃度10〜40vol%となるように行うことがより好ましい。不活性ガスの役割は、XFによる過剰な反応の抑制であり、クリーニングの制御性の向上に効果的である。不活性ガスを加える箇所は、XFを処理室または処理容器に導入する前段部分、もしくは処理室または処理容器内である。
本発明のクリーニング方法は、400℃以上の高温でクリーニングを行う場合に有用である。従来のクリーニングガスは反応性が高く、400℃以上の高温では処理室または処理容器内を損傷するという問題があった。
本発明のクリーニング方法では、クリーニングガス組成物を導入し、半導体製造装置処理室または処理容器内部のクリーニング操作を行う場合、処理室または処理容器内部の温度を400℃以上、2000℃未満に加熱することで、XF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲン化合物と、処理室または処理容器内部に付着した不要な堆積物が効率よく反応し、処理室または処理容器内部を清浄化することができ、上記の問題が解決される。
処理室または処理容器内部の温度は400℃以上1000℃未満、特に400℃以上800℃以下、特に400℃以上600℃以下に加熱することが好ましい。
本発明のクリーニング方法では、クリーニングガス組成物を導入し、半導体製造装置の処理室または処理容器内部のクリーニング操作を行う場合、処理室または処理容器内部の圧力を0.001〜760Torrの圧力範囲で調節することで、XF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲン化合物と、処理室または処理容器内部に付着した不要な堆積物が効率よく反応し、処理室または処理容器内部を清浄化することができる。特に半導体製造装置の処理室または処理容器内部にダメージを与えないクリーニング、制御性の高いクリーニングが要求される場合、また、クリーニング操作によって比較的蒸気圧が低い化合物が生じる場合には、処理室または処理容器内部の圧力を0.001〜300Torrの範囲で調節されることが好ましい。
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下の例は、図1に記載の装置を使用して行った。
Si基板上に、100nmのSiO2とさらにその上に300nmの多結晶シリコン(Poly−Si)が成膜されたSiウエハサンプルを加熱可能な真空装置の処理容器内に設置し、モノフルオロハロゲン化合物としてClFを作用させた。ClFを捕集容器からマスフローコントローラーを通じて100sccmの流量で処理容器内に供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして400sccmの流量で供給し、ClFを20vol%の濃度とした。装置内部の温度を400℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)Si基板には見た目の変化は確認されず、重量変化率は−0.09%であった。
実施例1と同様のSiウエハサンプルと処理装置を用い、モノフルオロハロゲン化合物としてClFを作用させた。ClFを捕集容器からマスフローコントローラーを通じて200sccmの流量で処理容器内に供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして300sccmの流量で供給し、ClFを40vol%の濃度とした。装置内部の温度を400℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)Si基板には見た目の変化は確認されず、重量変化率は−0.06%であった。
実施例1と同様のSiウエハサンプルと処理装置を用い、モノフルオロハロゲン化合物としてClFを作用させた。ClFを捕集容器からマスフローコントローラーを通じて50sccmの流量で処理容器内に供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして450sccmの流量で供給し、ClFを10vol%の濃度とした。装置内部の温度を400℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)Si基板には見た目の変化は確認されず、重量変化率は−0.01%であった。
実施例1と同様のSiウエハサンプルと処理装置を用い、モノフルオロハロゲン化合物としてClFを作用させた。ClFを捕集容器からマスフローコントローラーを通じて400sccmの流量で処理容器内に供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして100sccmの流量で供給し、ClFを80vol%の濃度とした。装置内部の温度を400℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)Si基板には見た目の変化は確認されず、重量変化率は−0.17%であった。
実施例1と同様のウエハサンプルを加熱可能な真空装置の処理容器内に設置し、ClF3を捕集容器からマスフローコントローラーを通じて100sccmの流量で供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして400sccmの流量で供給し、ClF3を20vol%の濃度とした。400℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)、Si基板には激しい損傷が見られ、重量変化率は−2.40%であった。
実施例1と同様のウエハサンプルを加熱可能な真空装置の処理容器内に設置し、ClF3を捕集容器からマスフローコントローラーを通じて200sccmの流量で供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして300sccmの流量で供給し、ClF3を40vol%の濃度とした。400℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)、Si基板には激しい損傷が見られ、重量変化率は−2.32%であった。
実施例1と同様のウエハサンプルを加熱可能な真空装置の処理容器内に設置し、ClF3を捕集容器からマスフローコントローラーを通じて50sccmの流量で供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして450sccmの流量で供給し、ClF3を10vol%の濃度とした。400℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)、Si基板には激しい損傷が見られ、重量変化率は−1.69%であった。
実施例1と同様のウエハサンプルを加熱可能な真空装置の処理容器内に設置し、ClF3を捕集容器からマスフローコントローラーを通じて400sccmの流量で供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして100sccmの流量で供給し、ClF3を80vol%の濃度とした。400℃、30秒間処理した。その結果、全てのPoly−Si膜とSiO2膜が取り除かれ(Poly−Siのエッチングレート600nm/min以上、SiO2のエッチングレート200nm/min以上)、Si基板には激しい損傷が見られ、重量変化率は−5.51%であった
実施例1と同様のSiウエハサンプルと処理装置を用い、モノフルオロハロゲン化合物としてClFを作用させた。ClFを捕集容器からマスフローコントローラーを通じて100sccmの流量で処理容器内に供給し、同時にN2を希釈用不活性ガスとして400sccmの流量で供給し、ClFを20vol%の濃度とした。装置内部の温度を300℃、圧力を100Torrとし、30秒間処理した。その結果、Poly−Siが374nm/minのエッチングレートでエッチングされ、平均で114nmのPoly−Si膜が残っていた。
一般的に熱CVD装置処理容器内部の材質として用いられている、グラファイト(C)、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)について、それぞれグラファイト:20×20×5mm(3.6619g)、アルミナ:20×20×2mm(3.2529g)、窒化アルミニウム:20×20×2mm(2.6453g)の試験片を用い、Ni製、φ2B、長さ1mの反応器内に試験片を封入し、モノフルオロハロゲン化合物としてClFを作用させ、未処理の状態からの重量変化率、SEM−EDXによる組成分析を行った。実施方法としては、試験片を封入した反応器内を、真空ポンプを用いて真空状態とし、不活性ガスは混合せずにClFを捕集容器からマスフローコントローラーを通じて常圧(0.1MPaG)となるまで加え、600℃の条件で24時間曝露した。その結果、試験片の重量変化率はグラファイト:−0.40%、アルミナ:+0.03%、窒化アルミニウム:+0.05%となった。
比較例1と同様のClF3を用いて実施例5と同様の実験操作を行った。用いた試験片はグラファイト:20×20×5mm(3.6577g)、アルミナ:20×20×2mm(3.2476g)、窒化アルミニウム:20×20×2mm(2.7163g)である。試験片を封入した反応器内を、真空ポンプを用いて真空状態とし、不活性ガスは混合せずにClF3を捕集容器からマスフローコントローラーを通じて常圧(0.1MPaG)となるまで加え、600℃の条件で24時間曝露した。その結果、試験片の重量変化率はグラファイト:−1.02%、アルミナ:+0.45%、窒化アルミニウム:+0.66%となった。
以下の表1、表2、表3に未処理のサンプルと実施例5、比較例6で処理したサンプルの組成についてSEM−EDXで分析した結果を示す。実施例5と比較例6の結果を比較すると、比較例6では重量変化率、サンプル表面のフッ素原子含有量、ともに実施例5に比べて大きい。この結果から、XF(XはCl、Br又はI)で表されるフッ化ハロゲン化合物を用いることで、実際の半導体装置クリーニング操作においても装置内部の材質に対するダメージが小さいことが示されている。
Claims (5)
- 半導体装置の製造に用いられる処理室または処理容器の内部において、処理操作後に処理室または処理容器の内部に付着したSiを含有する堆積物を除去する際に、この処理室または処理容器内にXF(XはCl、Br又はI)で示されるモノフルオロハロゲンガスを供給することで、Siを含有する堆積物を除去することを特徴とするクリーニング方法であって、処理室または処理容器内に前記モノフルオロハロゲンガスを供給した際の処理室または処理容器内の温度が400℃以上である、方法。
- 前記処理室または処理容器内の温度が400℃以上、2000℃未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記処理室または処理容器内の温度が400℃以上、800℃以下である、請求項1に記載の方法。
- 前記モノフルオロハロゲンガスがClFを含む、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記Siを含有する堆積物が二酸化珪素(SiO2)、シリコン窒化物(SiN)、炭化珪素(SiC)、多結晶シリコン(Poly−Si)、単結晶シリコン、アモルファスシリコン(a−Si)、シリコン酸窒化物(SiON)、シリコン炭窒化物(SiCN)、シリコン酸炭窒化物(SiOCN)の1以上を含む請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
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