JP2007257747A - 導体パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 幅に対する高さのアスペクト比の高い導体パターンを、電気的接続性良く形成することが可能な導体パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 導体パターン２の形成面２ａ上に、導体パターンの形成箇所６が露出する第一レジスト層８を形成する工程と、第一レジスト層８から露出した箇所６に、めっきにより一段目導体パターン１０を形成する工程と、一段目導体パターン１０を保護する一段目保護膜１２を形成する工程と、一段目保護膜１２の表面１２ａと一段目導体パターン１０の端面１０ａとを平坦に研磨する工程と、一段目保護膜１２の表面１２ａおよび一段目導体パターン１０の端面１０ａ上に、端面１０ａの一部が一段目導体パターン１０より幅狭に露出する第二レジスト層１６を形成する工程と、一段目導体パターン１０の端面１０ａ上の、第二レジスト層１６から露出した箇所に、めっきにより二段目導体パターン１８を形成する工程とを含む。
【選択図】 図２
【解決手段】 導体パターン２の形成面２ａ上に、導体パターンの形成箇所６が露出する第一レジスト層８を形成する工程と、第一レジスト層８から露出した箇所６に、めっきにより一段目導体パターン１０を形成する工程と、一段目導体パターン１０を保護する一段目保護膜１２を形成する工程と、一段目保護膜１２の表面１２ａと一段目導体パターン１０の端面１０ａとを平坦に研磨する工程と、一段目保護膜１２の表面１２ａおよび一段目導体パターン１０の端面１０ａ上に、端面１０ａの一部が一段目導体パターン１０より幅狭に露出する第二レジスト層１６を形成する工程と、一段目導体パターン１０の端面１０ａ上の、第二レジスト層１６から露出した箇所に、めっきにより二段目導体パターン１８を形成する工程とを含む。
【選択図】 図２
Description
本発明は、導体パターン、特に、磁気ヘッドの外部接続端子としての垂直端子を形成する導体パターン形成方法に関する。
磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドにおいて、電気的な外部接続端子として、薄膜状の磁性膜に対して垂直に延び、磁気ヘッドの外面に設けられたアルミナ保護膜を貫通する柱状に形成された、いわゆる垂直端子が採用されている。
一般的な薄膜磁気ヘッドにおいては、読み取り用の垂直端子および書き込み用の垂直端子がそれぞれ２つずつ、すなわち計４つの垂直端子が設けられる。
一般的な薄膜磁気ヘッドにおいては、読み取り用の垂直端子および書き込み用の垂直端子がそれぞれ２つずつ、すなわち計４つの垂直端子が設けられる。
ところで、近年、薄膜磁気ヘッドの小型化に伴い、狭いスペースに複数の垂直端子を設けるために、各垂直端子を幅狭に形成する必要性が高くなっている。
特に、磁気ヘッドの磁気媒体からの浮上量をコントロールするために磁気ヘッドにヒーターを組み込むＤＦＨ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｌｙｉｎｇ Ｈｅｉｇｈｔ）技術が採用される場合には、前記読み取り用および書き込み用の４つの垂直端子に加え、ヒーターに接続される２つの垂直端子がさらに設けられるため、磁気ヘッドの大きさを小型に抑える制約の中では、各垂直端子の幅をさらに幅狭に形成する必要がある。
他方、垂直端子の高さは、磁気ヘッドの機械的強度を保つためにアルミナ保護膜をあまり薄くできないため、あまり低く構成することができない。
特に、磁気ヘッドの磁気媒体からの浮上量をコントロールするために磁気ヘッドにヒーターを組み込むＤＦＨ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｌｙｉｎｇ Ｈｅｉｇｈｔ）技術が採用される場合には、前記読み取り用および書き込み用の４つの垂直端子に加え、ヒーターに接続される２つの垂直端子がさらに設けられるため、磁気ヘッドの大きさを小型に抑える制約の中では、各垂直端子の幅をさらに幅狭に形成する必要がある。
他方、垂直端子の高さは、磁気ヘッドの機械的強度を保つためにアルミナ保護膜をあまり薄くできないため、あまり低く構成することができない。
すなわち、近年、垂直端子は、その高さを維持したまま、幅狭に形成する要請が高まっている。
例えば、垂直端子の幅は、３０〜４０μｍ程度に構成するとともに、アルミナ保護膜の厚さにほぼ等しい垂直端子の高さは、７０〜８０μｍ程度にする要請がある。
例えば、垂直端子の幅は、３０〜４０μｍ程度に構成するとともに、アルミナ保護膜の厚さにほぼ等しい垂直端子の高さは、７０〜８０μｍ程度にする要請がある。
ところで、磁気ヘッドの垂直端子は、一般的にフォトリソグラフィ法を用いて形成されている。すなわち、垂直端子形成前の磁気ヘッドの、垂直端子の形成面に、感光性レジスト層を形成し、垂直端子の形成箇所のみ感光性レジスト層が除去されるよう、この感光性レジスト層を露光／現像する。そして、感光性レジスト層が除去された部分に、めっき法などにより垂直端子としての導体パターンを形成する。
しかしながら、フォトリソグラフィ法では、前述のような、幅に対する高さのアスペクト比が高い垂直端子に合致するように感光性レジスト層を露光／現像することが困難である。
幅に対する高さのアスペクト比の高い垂直端子に対応するよう、感光性レジスト層を露光／現像するための技術が、特許文献１に開示されている。
特許文献１記載には、感光性レジスト層の垂直端子の対応箇所に対し、露光／現像のプロセスを複数回繰り返すことで、幅に対する高さのアスペクト比の高い垂直端子に対応するよう、感光性レジスト層を形成する技術が記載されている。
幅に対する高さのアスペクト比の高い垂直端子に対応するよう、感光性レジスト層を露光／現像するための技術が、特許文献１に開示されている。
特許文献１記載には、感光性レジスト層の垂直端子の対応箇所に対し、露光／現像のプロセスを複数回繰り返すことで、幅に対する高さのアスペクト比の高い垂直端子に対応するよう、感光性レジスト層を形成する技術が記載されている。
しかしながら、特許文献１に記載の磁気ヘッドの垂直端子形成方法では、高アスペクト比の垂直端子に対応するよう、感光性レジスト層を形成することができたとしても、めっき法により垂直端子を形成することが困難であるという課題がある。
すなわち、特許文献１記載の技術では、例えば幅３０〜４０μｍ程度、高さが７０〜８０μｍ程度の垂直端子の形状に合致するように、感光性レジスト層を露光／現像できたとしても、このような形状の孔部内にはめっき液が行き渡りにくく、したがって、この孔部内に電気的な接続性の良い導体パターン（垂直端子）を形成することは極めて困難である。
すなわち、特許文献１記載の技術では、例えば幅３０〜４０μｍ程度、高さが７０〜８０μｍ程度の垂直端子の形状に合致するように、感光性レジスト層を露光／現像できたとしても、このような形状の孔部内にはめっき液が行き渡りにくく、したがって、この孔部内に電気的な接続性の良い導体パターン（垂直端子）を形成することは極めて困難である。
本発明は、上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、幅に対する高さのアスペクト比の高い導体パターンを、電気的接続性良く好適に形成することが可能な磁気ヘッドの導体パターン形成方法を提供することにある。
本発明に係る導体パターン形成方法は、上記課題を解決するために、次の構成を備える。
すなわち、導体パターンの形成面上に、導体パターンの形成箇所が露出する第一レジスト層を形成する第一レジスト層形成工程と、前記形成面の、前記第一レジスト層から露出した箇所に、めっきにより一段目導体パターンを形成する一段目導体パターン形成工程と、前記第一レジスト層を除去する第一レジスト層除去工程と、前記形成面上に、前記一段目導体パターンを覆って保護する一段目保護膜を形成する一段目保護膜被覆工程と、前記一段目保護膜の表面と前記一段目導体パターンの端面とが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する一段目研磨工程と、前記一段目保護膜の表面および前記一段目導体パターンの端面上に、一段目導体パターンの端面の一部が該一段目導体パターンより幅狭に露出する第二レジスト層を形成する第二レジスト層形成工程と、前記一段目導体パターンの端面上の、前記第二レジスト層から露出した箇所に、めっきにより二段目導体パターンを形成する二段目導体パターン形成工程と、前記第二レジスト層を除去する第二レジスト層除去工程と、前記一段目保護膜上に、前記二段目導体パターンの外周面を囲んで保護する二段目保護膜を形成する二段目保護膜形成工程とを含むことを特徴とする。
これによれば、導体パターンを、高さ方向に一段目と二段目とに分けて形成するから、レジスト層の、導体パターンの形成箇所に対応する孔部の深さを、浅く抑えることができる。したがって、前記一段目導体パターンおよび前記二段目導体パターンを形成するためのそれぞれのめっきにおいて、深さの浅い孔部内をめっきするから、めっき液が好適に行き渡り、電気的接続性の良い導体パターンを形成できる。また、特に、前記一段目研磨工程において一段目保護膜の表面と一段目導体パターンの端面とを平坦に研磨するから、第二レジスト層の位置および形状を高精度に形成することができる。さらに、二段目導体パターンを一段目導体パターンよりも幅狭に形成するから、仮に一段目導体パターンと二段目導体パターンとの位置がずれたとしても、二段目導体パターンを完全に一段目導体パターンの端面上に位置させることができ、電気的接続性を高く維持できる。また、レジスト層を第一および第二レジスト層に分けて、それぞれを薄く形成するから、レジストパターンを、簡単に、かつ形状を高精度に形成できる。
すなわち、導体パターンの形成面上に、導体パターンの形成箇所が露出する第一レジスト層を形成する第一レジスト層形成工程と、前記形成面の、前記第一レジスト層から露出した箇所に、めっきにより一段目導体パターンを形成する一段目導体パターン形成工程と、前記第一レジスト層を除去する第一レジスト層除去工程と、前記形成面上に、前記一段目導体パターンを覆って保護する一段目保護膜を形成する一段目保護膜被覆工程と、前記一段目保護膜の表面と前記一段目導体パターンの端面とが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する一段目研磨工程と、前記一段目保護膜の表面および前記一段目導体パターンの端面上に、一段目導体パターンの端面の一部が該一段目導体パターンより幅狭に露出する第二レジスト層を形成する第二レジスト層形成工程と、前記一段目導体パターンの端面上の、前記第二レジスト層から露出した箇所に、めっきにより二段目導体パターンを形成する二段目導体パターン形成工程と、前記第二レジスト層を除去する第二レジスト層除去工程と、前記一段目保護膜上に、前記二段目導体パターンの外周面を囲んで保護する二段目保護膜を形成する二段目保護膜形成工程とを含むことを特徴とする。
これによれば、導体パターンを、高さ方向に一段目と二段目とに分けて形成するから、レジスト層の、導体パターンの形成箇所に対応する孔部の深さを、浅く抑えることができる。したがって、前記一段目導体パターンおよび前記二段目導体パターンを形成するためのそれぞれのめっきにおいて、深さの浅い孔部内をめっきするから、めっき液が好適に行き渡り、電気的接続性の良い導体パターンを形成できる。また、特に、前記一段目研磨工程において一段目保護膜の表面と一段目導体パターンの端面とを平坦に研磨するから、第二レジスト層の位置および形状を高精度に形成することができる。さらに、二段目導体パターンを一段目導体パターンよりも幅狭に形成するから、仮に一段目導体パターンと二段目導体パターンとの位置がずれたとしても、二段目導体パターンを完全に一段目導体パターンの端面上に位置させることができ、電気的接続性を高く維持できる。また、レジスト層を第一および第二レジスト層に分けて、それぞれを薄く形成するから、レジストパターンを、簡単に、かつ形状を高精度に形成できる。
さらに、前記第二レジスト層形成工程において、前記第二レジスト層を、該第二レジスト層から露出する前記一段目導体パターンの端面の露出面積が、該端面の面積より１０％程度小さくなるよう形成することを特徴とする。
これによれば、一段目導体パターンと二段目導体パターンとの位置ズレをほぼ確実に吸収できる。
これによれば、一段目導体パターンと二段目導体パターンとの位置ズレをほぼ確実に吸収できる。
また、前記二段目保護膜形成工程の後に、前記二段目導体パターンの端面上にパッドを形成する工程を行うことを特徴とする。
また、前記二段目保護膜形成工程は、前記一段目保護膜上に、前記二段目導体パターンを覆って保護する二段目保護膜を形成する二段目保護膜被覆工程と、前記二段目保護膜の表面と前記二段目導体パターンの端面とが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する二段目研磨工程とを含み、前記二段目保護膜形成工程の後に、前記二段目保護膜の表面および前記二段目導体パターンの端面上に、前記第二レジスト層形成工程、前記二段目導体パターン形成工程、前記第二レジスト層除去工程、および前記二段目保護膜形成工程と同等の工程を行うことで、三段目導体パターンおよび三段目保護膜を形成することを特徴とする。
これによれば、よりアスペクト比の高い導体パターンを好適に形成することができる。
これによれば、よりアスペクト比の高い導体パターンを好適に形成することができる。
また、前記第一レジスト層形成工程の前に、前記形成面上にめっきベースとしての第一導電層を形成する工程を行い、前記第一レジスト層形成工程、前記一段目導体パターン形成工程、および前記第一レジスト層除去工程を行った後に、前記第一導電層を除去する工程を行い、前記一段目保護膜被覆工程および前記一段目研磨工程の後に、前記一段目保護膜の表面および前記一段目導体パターンの端面上に、めっきベースとしての第二導電層を形成する工程を行い、前記第二レジスト層形成工程、前記二段目導体パターン形成工程、および前記第二レジスト層除去工程の後に、前記第二導電層を除去する工程を行い、前記一段目および二段目導体パターンを形成するめっきは、それぞれ前記第一導電層および前記第二導電層を給電層とした電解めっきであることを特徴とする。
これによれば、一段目導体パターンおよび二段目導体パターンのそれぞれが、レジスト層の孔部の底部の第一および第二導体層をめっきベースとした、電解めっきにより形成される。したがって、電気的接続性の良い導体パターンを形成できる。
これによれば、一段目導体パターンおよび二段目導体パターンのそれぞれが、レジスト層の孔部の底部の第一および第二導体層をめっきベースとした、電解めっきにより形成される。したがって、電気的接続性の良い導体パターンを形成できる。
また、前記第一および第二レジスト層形成工程は、フォトリソグラフィ法により、それぞれ前記第一および第二レジスト層を形成することを特徴とする。
これによれば、レジスト層を第一および第二レジスト層に分けて、それぞれを薄く形成するから、フォトリソグラフィ法を用いながら、特許文献１に記載された技術に比較し、レジストパターンを、簡単に、かつ形状を高精度に形成できる。
これによれば、レジスト層を第一および第二レジスト層に分けて、それぞれを薄く形成するから、フォトリソグラフィ法を用いながら、特許文献１に記載された技術に比較し、レジストパターンを、簡単に、かつ形状を高精度に形成できる。
また、前記一段目および二段目保護膜は、アルミナから成ることを特徴とする。
本発明に係る導体パターン形成方法によれば、幅に対する高さのアスペクト比の高い導体パターンを、電気的接続性良く好適に形成することができる。
以下、本発明に係る導体パターン形成方法を実施するための最良の形態として、磁気ヘッドの垂直端子形成方法について説明する。
図１〜図３は、導体パターン形成方法の実施の形態に係る磁気ヘッドの垂直端子形成方法の説明図である。
図１〜図３は、導体パターン形成方法の実施の形態に係る磁気ヘッドの垂直端子形成方法の説明図である。
本実施の形態に係る磁気ヘッドの垂直端子形成方法では、まず、図１（ａ）に示すように、ウエハー上に形成された薄膜磁気ヘッド２の、導体パターンとしての垂直端子が形成される端子形成面２ａ上に、電解銅めっきベースとしての第一導電層４を、スパッタ法により形成する。
続いて、図１（ｂ）に示すように、端子形成面２ａ上（第一導電層４上）に、公知のフォトリソグラフィ法により、垂直端子の形成箇所６が露出するよう感光性の第一レジスト層８を形成する（第一レジスト層形成工程）。なお、本実施の形態においては、第一レジスト層８は、厚さが約４０μｍ、垂直端子に対応する孔部８ａの幅が約４０μｍとなるよう形成される。なお、孔部８ａの開口形状は、断面が四角形となるよう形成されている。
続いて、図１（ｂ）に示すように、端子形成面２ａ上（第一導電層４上）に、公知のフォトリソグラフィ法により、垂直端子の形成箇所６が露出するよう感光性の第一レジスト層８を形成する（第一レジスト層形成工程）。なお、本実施の形態においては、第一レジスト層８は、厚さが約４０μｍ、垂直端子に対応する孔部８ａの幅が約４０μｍとなるよう形成される。なお、孔部８ａの開口形状は、断面が四角形となるよう形成されている。
続いて、第一導電層４を給電層として、孔部８ａ内に電解銅めっきを施す。これにより、図１（ｃ）に示すように、電解銅めっきにより孔部８ａ内を銅で埋め、端子形成面２ａの、第一レジスト層８から露出した形成箇所６に、一段目導体パターンとしての一段目垂直端子１０を形成する（一段目導体パターン形成工程）。本実施の形態では、一段目垂直端子１０の高さは約３７μｍに形成される。
次に、図１（ｄ）に示すように、第一レジスト層８を除去し（第一レジスト層除去工程）、これによって露出した第一導電層４を、公知のイオンミル法等により除去する。
続いて、図１（ｅ）に示すように、端子形成面２ａ上に、一段目垂直端子１０を覆って保護する一段目保護膜１２を形成する（一段目保護膜被覆工程）。なお、一段目保護膜１２は、アルミナから成る。
続いて、図１（ｆ）に示すように一段目保護膜１２の表面１２ａと一段目垂直端子１０の端面１０ａとが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する（一段目研磨工程）。
続いて、図１（ｆ）に示すように一段目保護膜１２の表面１２ａと一段目垂直端子１０の端面１０ａとが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する（一段目研磨工程）。
続いて、図２（ａ）に示すように、一段目保護膜１２の表面１２ａおよび一段目垂直端子１０の端面１０ａ上に、電解銅めっきベースとしての第二導電層１４を、スパッタ法により形成する。
続いて、図２（ｂ）に示すように、一段目保護膜１２の表面１２ａおよび一段目垂直端子１０の端面１０ａ上（第二導電層１４上）に、フォトリソグラフィ法により、一段目垂直端子１０の端面１０ａの一部が露出する（第二導電層１４を挟んで露出する）よう感光性の第二レジスト層１６を形成する（第二レジスト層形成工程）。
続いて、図２（ｂ）に示すように、一段目保護膜１２の表面１２ａおよび一段目垂直端子１０の端面１０ａ上（第二導電層１４上）に、フォトリソグラフィ法により、一段目垂直端子１０の端面１０ａの一部が露出する（第二導電層１４を挟んで露出する）よう感光性の第二レジスト層１６を形成する（第二レジスト層形成工程）。
なお、本実施の形態においては、第二レジスト層１６は、厚さが約４０μｍ、垂直端子に対応する孔部１６ａの幅が約３７μｍとなるよう形成される。なお、孔部１６ａの開口形状は、断面が四角形となるよう形成されている。したがって、第二レジスト層１６から露出する一段目垂直端子１０の端面１０ａの露出面積（３７μｍ×３７μｍ）は、当該端面１０ａの面積（４０μｍ×４０μｍ）より１０％程度小さくなる。
続いて、第二導電層１４を給電層として、孔部１６ａ内に電解銅めっきを施す。これにより、図２（ｃ）に示すように、電解銅めっきにより孔部１６ａ内を銅で埋め、一段目垂直端子１０の端面１０ａ上に、二段目導体パターンとしての二段目垂直端子１８を形成する（二段目導体パターン形成工程）。本実施の形態では、二段目垂直端子１８の高さは約３７μｍに形成される。
次に、図２（ｄ）に示すように、第二レジスト層１６を除去し（第二レジスト層除去工程）、これによって露出した第二導電層１４を、公知のイオンミル法等により除去する。
続いて、図２（ｅ）に示すように、一段目保護膜１２上に、二段目垂直端子１８を覆って保護する二段目保護膜２０を形成する（二段目保護膜被覆工程）。なお、二段目保護膜２０は、アルミナから成る。
続いて、図２（ｆ）に示すように二段目保護膜２０の表面２０ａと二段目垂直端子１８の端面１８ａとが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する（二段目研磨工程）。
この二段目保護膜被覆工程と二段目研磨工程とにより、一段目保護膜１２上に、二段目垂直端子１８の外周面を囲んで保護する二段目保護膜２０を形成する二段目保護膜形成工程が構成される。
続いて、図２（ｆ）に示すように二段目保護膜２０の表面２０ａと二段目垂直端子１８の端面１８ａとが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する（二段目研磨工程）。
この二段目保護膜被覆工程と二段目研磨工程とにより、一段目保護膜１２上に、二段目垂直端子１８の外周面を囲んで保護する二段目保護膜２０を形成する二段目保護膜形成工程が構成される。
この二段目保護膜形成工程の後に、図２（ｇ）に示すように、二段目垂直端子１８の端面１８ａ上にパッド２２を形成する工程を行う。
このように、本実施の形態に係る垂直端子形成方法により、一段目垂直端子１０と二段目垂直端子１８とからなる垂直端子（導体パターン）が形成される。本実施の形態に係る垂直端子形成方法により垂直端子が形成された磁気ヘッドは、サスペンションのジンバル部上に搭載され、パッド２２および垂直端子１０，１８を介して、金ボールやはんだ等によりサスペンション上の配線部と電気的に接続される。
本実施の形態に係る磁気ヘッドの垂直端子形成方法によれば、垂直端子を、高さ方向に一段目と二段目とに分けて形成するから、レジスト層８，１６の孔部８ａ，１６ａの深さを、浅く抑えることができる。したがって、一段目垂直端子１０および二段目垂直端子１８を形成するためのそれぞれの電解めっきにおいて、深さの浅い孔部８ａ，１６ａ内をめっきするから、めっき液が好適に行き渡り、電気的接続性の良い垂直端子を形成できる。
すなわち、本実施の形態に係る磁気ヘッドの垂直端子形成方法によれば、例えば幅３０〜４０μｍ程度で高さが７０〜８０μｍ程度の垂直端子を形成する場合であっても、垂直端子を高さ方向に二段に分けて形成するから、垂直端子に対応したレジスト層の孔部内にめっき液が行き渡りにくいといった問題が生じず、垂直端子を好適に形成することができる。
すなわち、本実施の形態に係る磁気ヘッドの垂直端子形成方法によれば、例えば幅３０〜４０μｍ程度で高さが７０〜８０μｍ程度の垂直端子を形成する場合であっても、垂直端子を高さ方向に二段に分けて形成するから、垂直端子に対応したレジスト層の孔部内にめっき液が行き渡りにくいといった問題が生じず、垂直端子を好適に形成することができる。
また、特に、一段目研磨工程において一段目保護膜１２の表面１２ａと一段目垂直端子１０の端面１０ａとを平坦に研磨するから、第二レジスト層１６の位置および形状を高精度に形成することができる。さらに、二段目垂直端子１８を一段目垂直端子１０よりも幅狭に形成するから、仮にフォトリソグラフィ法における誤差によって一段目垂直端子１０と二段目垂直端子１８との位置がずれたとしても、二段目垂直端子１８を完全に一段目垂直端子１０の端面１０ａ上に位置させることができ、電気的接続性を高く維持できる。また、レジスト層を第一および第二レジスト層に分けて、それぞれを薄く形成するから、レジストパターンを、簡単に、かつ形状を高精度に形成できる。
さて、さらに幅に対する高さのアスペクト比の高い垂直端子を形成する場合があるなど、垂直端子を二段に形成するだけでは、依然各段におけるアスペクト比が高すぎてレジスト層の形成やめっきが困難である場合には、上記実施の形態の二段目を形成するプロセスをさらに繰り返して、垂直端子をさらに多段に形成すればよい。
上記実施の形態における二段目保護膜形成工程（図２（ｆ））までを行って二段目垂直端子１８を形成した後に、さらに三段目導体パターンとしての三段目垂直端子を形成する方法を説明する。
これは、二段目保護膜２０の表面２０ａおよび二段目垂直端子１８の端面１８ａ上に、二段目垂直端子１８を形成したのと同様の工程を施すことで実現できる。すなわち、前記第二レジスト層形成工程、前記二段目垂直端子形成工程、前記第二レジスト層除去工程、および前記二段目保護膜形成工程と同等の工程を行うことで、三段目垂直端子３２および三段目保護膜２６を形成することができる。
これは、二段目保護膜２０の表面２０ａおよび二段目垂直端子１８の端面１８ａ上に、二段目垂直端子１８を形成したのと同様の工程を施すことで実現できる。すなわち、前記第二レジスト層形成工程、前記二段目垂直端子形成工程、前記第二レジスト層除去工程、および前記二段目保護膜形成工程と同等の工程を行うことで、三段目垂直端子３２および三段目保護膜２６を形成することができる。
これを図３を用いて説明すると、二段目保護膜形成工程（図２（ｆ））までを行った後、図３（ａ）に示すように、二段目保護膜２０の表面２０ａおよび二段目垂直端子１８の端面１８ａ上に、電解銅めっきベースとしての第三導電層２８を、スパッタ法により形成する。
続いて、図３（ｂ）に示すように、二段目保護膜２０の表面２０ａおよび二段目垂直端子１８の端面１８ａ上（第三導電層２８上）に、フォトリソグラフィ法により、二段目垂直端子１８の端面１８ａの一部が露出する（第三導電層２８を挟んで露出する）よう感光性の第三レジスト層３０を形成する（第三レジスト層形成工程）。
なお、第三レジスト層３０から露出する二段目垂直端子１８の端面１８ａの露出面積は、当該端面１８ａの面積より１０％程度小さくなるよう形成すると良い。
続いて、図３（ｂ）に示すように、二段目保護膜２０の表面２０ａおよび二段目垂直端子１８の端面１８ａ上（第三導電層２８上）に、フォトリソグラフィ法により、二段目垂直端子１８の端面１８ａの一部が露出する（第三導電層２８を挟んで露出する）よう感光性の第三レジスト層３０を形成する（第三レジスト層形成工程）。
なお、第三レジスト層３０から露出する二段目垂直端子１８の端面１８ａの露出面積は、当該端面１８ａの面積より１０％程度小さくなるよう形成すると良い。
続いて、第三導電層２８を給電層として、垂直端子に対応する孔部３０ａ内に電解銅めっきを施す。これにより、図３（ｃ）に示すように、電解銅めっきにより孔部３０ａ内を銅で埋め、二段目垂直端子１８の端面１８ａ上に、三段目垂直端子３２を形成する（三段目垂直端子形成工程）。
次に、図３（ｄ）に示すように、第三レジスト層３０を除去し（第三レジスト層除去工程）、これによって露出した第三導電層２８を、公知のイオンミル法等により除去する。
続いて、図３（ｅ）に示すように、二段目保護膜２０上に、三段目垂直端子３２を覆って保護する三段目保護膜２６を形成する（三段目保護膜被覆工程）。なお、三段目保護膜２６は、アルミナから成る。
続いて、図３（ｆ）に示すように三段目保護膜２６の表面２６ａと三段目垂直端子３２の端面３２ａとが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する（三段目研磨工程）。
続いて、図３（ｆ）に示すように三段目保護膜２６の表面２６ａと三段目垂直端子３２の端面３２ａとが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する（三段目研磨工程）。
この三段目保護膜形成工程の後に、図３（ｇ）に示すように、三段目垂直端子３２の端面３２ａ上にパッド２２を形成する工程を行う。
なお、同様のプロセスを繰り返すことで、二段または三段に限定されず、垂直端子をさらに多段に構成することもできることはいうまでもない。
２ 磁気ヘッド
２ａ 端子形成面（導体パターンの形成面）
４ 第一導電層
６ 垂直端子（導体パターン）の形成箇所
８ 第一レジスト層
１０ 一段目垂直端子（一段目導体パターン）
１０ａ 一段目垂直端子の端面
１２ 一段目保護膜
１２ａ 一段目保護膜の表面
１４ 第二導電層
１６ 第二レジスト層
１８ 二段目垂直端子（二段目導体パターン）
１８ａ 二段目垂直端子の端面
２０ 二段目保護膜
２０ａ 二段目保護膜の表面
２２ パッド
２６ 三段目保護膜
３２ 三段目垂直端子（三段目導体パターン）
２ａ 端子形成面（導体パターンの形成面）
４ 第一導電層
６ 垂直端子（導体パターン）の形成箇所
８ 第一レジスト層
１０ 一段目垂直端子（一段目導体パターン）
１０ａ 一段目垂直端子の端面
１２ 一段目保護膜
１２ａ 一段目保護膜の表面
１４ 第二導電層
１６ 第二レジスト層
１８ 二段目垂直端子（二段目導体パターン）
１８ａ 二段目垂直端子の端面
２０ 二段目保護膜
２０ａ 二段目保護膜の表面
２２ パッド
２６ 三段目保護膜
３２ 三段目垂直端子（三段目導体パターン）
Claims (7)
- 導体パターンの形成面上に、導体パターンの形成箇所が露出する第一レジスト層を形成する第一レジスト層形成工程と、
前記形成面の、前記第一レジスト層から露出した箇所に、めっきにより一段目導体パターンを形成する一段目導体パターン形成工程と、
前記第一レジスト層を除去する第一レジスト層除去工程と、
前記形成面上に、前記一段目導体パターンを覆って保護する一段目保護膜を形成する一段目保護膜被覆工程と、
前記一段目保護膜の表面と前記一段目導体パターンの端面とが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する一段目研磨工程と、
前記一段目保護膜の表面および前記一段目導体パターンの端面上に、一段目導体パターンの端面の一部が該一段目導体パターンより幅狭に露出する第二レジスト層を形成する第二レジスト層形成工程と、
前記一段目導体パターンの端面上の、前記第二レジスト層から露出した箇所に、めっきにより二段目導体パターンを形成する二段目導体パターン形成工程と、
前記第二レジスト層を除去する第二レジスト層除去工程と、
前記一段目保護膜上に、前記二段目導体パターンの外周面を囲んで保護する二段目保護膜を形成する二段目保護膜形成工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの導体パターン形成方法。 - 前記第二レジスト層形成工程において、前記第二レジスト層を、該第二レジスト層から露出する前記一段目導体パターンの端面の露出面積が、該端面の面積より１０％程度小さくなるよう形成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの導体パターン形成方法。
- 前記二段目保護膜形成工程の後に、前記二段目導体パターンの端面上にパッドを形成する工程を行うことを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッドの導体パターン形成方法。
- 前記二段目保護膜形成工程は、
前記一段目保護膜上に、前記二段目導体パターンを覆って保護する二段目保護膜を形成する二段目保護膜被覆工程と、
前記二段目保護膜の表面と前記二段目導体パターンの端面とが同一平面となるよう、両者を平坦に研磨する二段目研磨工程とを含み、
前記二段目保護膜形成工程の後に、前記二段目保護膜の表面および前記二段目導体パターンの端面上に、前記第二レジスト層形成工程、前記二段目導体パターン形成工程、前記第二レジスト層除去工程、および前記二段目保護膜形成工程と同等の工程を行うことで、三段目導体パターンおよび三段目保護膜を形成することを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッドの導体パターン形成方法。 - 前記第一レジスト層形成工程の前に、前記形成面上にめっきベースとしての第一導電層を形成する工程を行い、
前記第一レジスト層形成工程、前記一段目導体パターン形成工程、および前記第一レジスト層除去工程を行った後に、前記第一導電層を除去する工程を行い、
前記一段目保護膜被覆工程および前記一段目研磨工程の後に、前記一段目保護膜の表面および前記一段目導体パターンの端面上に、めっきベースとしての第二導電層を形成する工程を行い、
前記第二レジスト層形成工程、前記二段目導体パターン形成工程、および前記第二レジスト層除去工程の後に、前記第二導電層を除去する工程を行い、
前記一段目および二段目導体パターンを形成するめっきは、それぞれ前記第一導電層および前記第二導電層を給電層とした電解めっきであることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項記載の磁気ヘッドの導体パターン形成方法。 - 前記第一および第二レジスト層形成工程は、フォトリソグラフィ法により、それぞれ前記第一および第二レジスト層を形成することを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項記載の磁気ヘッドの導体パターン形成方法。
- 前記一段目および二段目保護膜は、アルミナから成ることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか一項記載の磁気ヘッドの導体パターン形成方法。
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