JP2007243946A5 - - Google Patents

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Claims (11)

  1. 互いに接続され、共同して入力信号を増幅する第1及び第2増幅素子と、当該低雑音増幅器をオン及びオフ切り替えする切り替え手段とを備える第1回路ブランチを有し、
    前記第1増幅素子は、前記入力信号を受信する入力ノードを有し、
    前記第1増幅素子の出力端子は、前記第2増幅素子の入力端子に接続され、前記低雑音増幅器の出力ノードは、第2増幅素子に接続され、
    前記切り替え手段は、前記第2増幅素子にのみ接続され、前記第2増幅素子に作用することによって、当該低雑音増幅器をオン及びオフ切り替えすることを特徴とする低雑音増幅器。
  2. 前記第1増幅素子は、第3共通ソーストランジスタであり、前記第2増幅素子は、第3共通ゲートトランジスタであり、両トランジスタは、カスケード構造で接続されるよう、前記第3共通ゲートトランジスタのソースは、第3共通ソーストランジスタのドレインに接続されていることを特徴とする請求項1に記載の低雑音増幅器。
  3. 当該低雑音増幅器の入力ノードは、前記第3共通ソーストランジスタのゲートに接続され、当該低雑音増幅器の出力ノードは、前記第3共通ゲートトランジスタのドレインに接続されていることを特徴とする請求項2に記載の低雑音増幅器。
  4. 前記入力ノードは、誘導インピーダンスを介して前記第3共通ソーストランジスタに接続され、前記誘導インピーダンスの値は、入力インピーダンスに整合するよう、選択されることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の低雑音増幅器。
  5. 前記第3共通ゲートトランジスタの前記ドレインは、チョークインダクタを介してDC電源に接続されていることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載の低雑音増幅器。
  6. 前記低雑音増幅器は、差動増幅器を形成するように前記第1回路ブランチと対象の第3回路ブランチを備えることを特徴とする請求項2乃至請求項5のいずれか一項に記載の低雑音増幅器。
  7. 前記切り替え手段は、前記共通ソーストランジスタの前記ゲートに直接接続されていることを特徴とする請求項2乃至請求項6のいずれか一項に記載の低雑音増幅器。
  8. 前記切り替え手段は、前記pMOSトランジスタ及び前記nMOSトランジスタを備え、前記pMOS及びnMOSトランジスタのドレインは、前記共通ゲートトランジスタのゲートに接続されており、前記ゲートは、制御ノードに接続され、前記pMOSトランジスタの前記ソースは、DC電源に接続され、前記nMOSトランジスタの前記ソースは、グラウンドに接続されていることを特徴する請求項2、請求項7のうちのいずれかに記載の低雑音増幅器。
  9. 前記切り替え手段は、制御ノードに印加される矩形信号によって動作可能であることを特徴とする請求項7、請求項8のいずれか一項に記載の低雑音増幅器。
  10. 前記トランジスタは、CMOS技術において実装されることを特徴とする請求項2乃至請求項9のいずれか一項に記載の低雑音増幅器。
  11. インパルス無線超広帯域システムIR−UWBにおいて動作するよう適応されることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の低雑音増幅器。
JP2007048614A 2006-03-06 2007-02-28 低電力の超広帯域インパルス無線受信機のための低雑音増幅器 Withdrawn JP2007243946A (ja)

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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008035480A1 (fr) * 2006-09-20 2008-03-27 Panasonic Corporation Amplificateur à faible bruit et système de communication sans fil
US8112056B2 (en) * 2007-07-25 2012-02-07 The Regents Of The University Of California Distributed direct conversion receiver (DDCR) for UWB systems
KR100988460B1 (ko) * 2008-09-05 2010-10-20 한국전자통신연구원 광대역 저잡음 증폭기
US8577325B2 (en) * 2010-08-31 2013-11-05 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Low noise amplifier having both ultra-high linearity and low noise characteristic and radio receiver including the same
EP2429075A1 (en) 2010-09-13 2012-03-14 Imec Amplifier circuit for a ranging transceiver
US8604876B2 (en) * 2011-05-13 2013-12-10 Qualcomm, Incorporated Current buffer
US8378748B2 (en) 2011-05-19 2013-02-19 Renesas Mobile Corporation Amplifier
US8432217B2 (en) * 2011-05-19 2013-04-30 Renesas Mobile Corporation Amplifier
GB2481487B (en) 2011-05-19 2012-08-29 Renesas Mobile Corp Amplifier
US8427239B2 (en) 2011-09-02 2013-04-23 Renesas Mobile Corporation Apparatus and method for low noise amplification
US8514021B2 (en) 2011-05-19 2013-08-20 Renesas Mobile Corporation Radio frequency integrated circuit
US8294515B1 (en) * 2011-05-19 2012-10-23 Renesas Mobile Corporation Amplifier
GB2486515B (en) 2011-09-02 2012-11-14 Renesas Mobile Corp Apparatus and method for low noise amplification
US8576007B2 (en) * 2011-09-09 2013-11-05 Texas Instruments Incorporated High speed amplifier
EP2582042B1 (en) * 2011-10-13 2016-04-20 ST-Ericsson SA A low-noise amplifier circuit
US10009058B2 (en) 2012-06-18 2018-06-26 Qorvo Us, Inc. RF front-end circuitry for receive MIMO signals
US20140015731A1 (en) 2012-07-11 2014-01-16 Rf Micro Devices, Inc. Contact mems architecture for improved cycle count and hot-switching and esd
JP5643794B2 (ja) * 2012-08-17 2014-12-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 シングルエンド−差動変換器および半導体装置
US9419775B2 (en) 2012-10-02 2016-08-16 Qorvo Us, Inc. Tunable diplexer
US20140169243A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Rf Micro Devices, Inc. Mobile communication circuitry for three or more antennas
WO2015066867A1 (en) * 2013-11-07 2015-05-14 Qualcomm Incorporated Clock and data drivers with enhanced transconductance and suppressed output common-mode
EP3163747A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-03 Acco Capacitive cross-coupling and harmonic rejection
US9621110B1 (en) 2014-11-03 2017-04-11 Acco Capacitive cross-coupling and harmonic rejection
DE102014118684A1 (de) * 2014-12-15 2016-06-30 Intel IP Corporation Verstärkerschaltung, Radiofrequenz-Empfänger und mobile Telekommunikationsvorrichtung
US9755678B2 (en) * 2015-12-01 2017-09-05 Analog Devices Global Low noise transconductance amplifiers
JP6662072B2 (ja) 2016-02-04 2020-03-11 富士通株式会社 増幅器
US10199997B2 (en) * 2016-06-09 2019-02-05 Qualcomm Incorporated Source-degenerated amplification stage with rail-to-rail output swing
US10797655B2 (en) * 2016-11-04 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wireless receiver
CN106936393A (zh) * 2017-03-07 2017-07-07 东南大学 一种低功耗高增益宽带低噪声差分放大器
CN106953602A (zh) * 2017-03-23 2017-07-14 苏州博芯联电子科技有限公司 一种宽带差分转单端放大器
US10447206B2 (en) * 2017-09-29 2019-10-15 Nxp Usa, Inc. Radio frequency (RF) receiver circuit
RU2662698C1 (ru) * 2017-10-02 2018-07-26 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" Устройство для усиления и дискретизации сверхширокополосного сигнала
CN107994875B (zh) * 2017-12-11 2023-12-26 成都嘉纳海威科技有限责任公司 基于复合电抗式lc滤波网络的超宽带堆叠功率放大器
US10707817B2 (en) * 2018-05-30 2020-07-07 Speedlink Technology Inc. Wideband low noise amplifier (LNA) with a reconfigurable bandwidth for millimeter-wave 5G communication
KR102463983B1 (ko) 2018-12-26 2022-11-07 삼성전자 주식회사 누설 전류를 차단하기 위한 증폭기 및 상기 증폭기를 포함하는 전자 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2795314B2 (ja) * 1996-05-13 1998-09-10 日本電気株式会社 半導体装置
US6628170B2 (en) * 1998-06-04 2003-09-30 Analog Devices, Inc. Low noise amplifier
JP2000278109A (ja) * 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 高周波スイッチ、切替型高周波スイッチ、および切替型高周波電力増幅器
US6577185B1 (en) * 2001-03-19 2003-06-10 Cisco Systems Wireless Networking (Australia) Pty. Limited Multi-stage operational amplifier for interstage amplification in a pipeline analog-to-digital converter
US6472936B1 (en) * 2001-05-14 2002-10-29 National Semiconductor Corporation Low-noise gain switching circuit using tapped inductor
US6888410B1 (en) * 2003-10-10 2005-05-03 Broadcom Corp. Power amplifier having low gate oxide stress
JP2005175819A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Sony Corp 増幅器並びに通信装置
TWI226748B (en) * 2003-12-18 2005-01-11 Airoha Tech Corp Switchable gain amplifier
US7358816B2 (en) * 2004-11-11 2008-04-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable gain amplifier

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