JP2007238582A - 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 - Google Patents
遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007238582A JP2007238582A JP2006067124A JP2006067124A JP2007238582A JP 2007238582 A JP2007238582 A JP 2007238582A JP 2006067124 A JP2006067124 A JP 2006067124A JP 2006067124 A JP2006067124 A JP 2006067124A JP 2007238582 A JP2007238582 A JP 2007238582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- bis
- hydroxy
- tert
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
【課題】遷移金属錯体を提供すること。
【解決手段】式（１）
（式中、Ｍは第６族の元素を示し、Ｒ1〜Ｒ8は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基、置換アミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基及びアリールオキシ基からなる群から選ばれる置換基；ハロゲン、水素を表し、、Ｒ9は、アルキル基、アラルキル基、アリール基を示し、ｍ及びｎはそれぞれ０から３の整数を表し、Ｘは、アルキル基、アラルキル基、アリール基等、Ｙは孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、ｍ及びｎがそれぞれ２又は３の場合は、Ｘ、Ｙはそれぞれ同一であっても異なっていても良い。）で示される遷移金属錯体。
【選択図】なし
【解決手段】式（１）
（式中、Ｍは第６族の元素を示し、Ｒ1〜Ｒ8は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基、置換アミノ基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基及びアリールオキシ基からなる群から選ばれる置換基；ハロゲン、水素を表し、、Ｒ9は、アルキル基、アラルキル基、アリール基を示し、ｍ及びｎはそれぞれ０から３の整数を表し、Ｘは、アルキル基、アラルキル基、アリール基等、Ｙは孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、ｍ及びｎがそれぞれ２又は３の場合は、Ｘ、Ｙはそれぞれ同一であっても異なっていても良い。）で示される遷移金属錯体。
【選択図】なし
Description
本発明は遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法に関する。
従来、少なくとも2個の水酸基を有する有機化合物と遷移金属との反応物を、オレフィン重合体の製造方法に用いることが、例えば、２，２’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル４−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド（特許文献１参照）、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド（特許文献２参照）、２，２'−（フェニルホスフィド）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）クロミウムクロライド（特許文献３参照）などに報告されている。しかし、これらビスフェノール類を配位子とする金属錯体において、配位子における水酸基が中心金属に配位していない金属錯体は知られていない。
ＷＯ８７／０２３７０号公報
特開平１０−２１８９２２号公報
ＷＯ２００４／０３７８３５号公報
本発明は、上記に鑑み、配位子における水酸基が中心金属に配位していない金属錯体を開発し、優れた活性を有する重合用触媒を提供することを目的とする。
本発明者らは上記の課題を解決するために、遷移金属錯体及びオレフィン重合用触媒について鋭意研究を続けてきた。その結果、新規な遷移金属錯体を見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、式（１）
（式中、Ｍは元素の周期律表の第６族の元素を示し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭化水素基で置換された炭素原子数１〜２０の置換シリル基、炭化水素基で置換された炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基及び炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基からなる群から選ばれる置換基；ハロゲン原子又は水素原子を表し、ここで上記アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基の炭化水素基、２置換アミノ基の炭化水素基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基及びアリールオキシ基は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8のうち、隣接した２つの炭素原子に結合する置換基同士は結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ9は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基を示し、ｍ及びｎはそれぞれ０から３の整数を表し、Ｘは、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭化水素基で置換された炭素原子数１〜２０の置換シリル基、炭化水素基で置換された炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基及び炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基からなる群から選ばれる置換基；ハロゲン原子を表し、ここで上記アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基の炭化水素基、該２置換アミノ基の炭化水素基、該アルコキシ基、該アラルキルオキシ基及び該アリールオキシ基は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｙは孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、ｍ及びｎがそれぞれ２又は３の場合は、Ｘ、Ｙはそれぞれ同一であっても異なっていても良い。）
で示される遷移金属錯体；該遷移金属錯体と、下記化合物（Ａ）及び／あるいは下記化合物（Ｂ）を組合わせてなるオレフィン重合用触媒ならびにオレフィン重合体の製造方法を提供するものである。
化合物（Ａ）： 下記化合物（Ａ１）〜（Ａ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物
（Ａ１）： 式 （Ｅ1）a Ａｌ（Ｚ）3-a で示される有機アルミニウム化合物、
（Ａ２）: 式 ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン、
（Ａ３）： 式 （Ｅ3） ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c Ａｌ（Ｅ3）2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、Ｅ1 〜Ｅ3 は同一又は相異なり、炭素原子数１〜８の炭化水素基を示し、Ｚは同一又は相異なり、水素原子又はハロゲン原子を示し、ａは１、２又は３を、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の整数を表す。）
化合物（Ｂ）: 下記化合物（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物
（Ｂ１）： 式 ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で表されるホウ素化合物、
（Ｂ２）： 式 Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物、
（Ｂ３）： 式（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は同一又は相異なり、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０の炭化水素で置換されたシリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素で２置換されたアミノ基を示し、該炭化水素基はハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｇ+ は無機又は有機のカチオンを示し、Ｔは中性ルイス塩基を示し、（Ｔ−Ｈ）+ はブレンステッド酸を示す。）。
すなわち、本発明は、式（１）
で示される遷移金属錯体；該遷移金属錯体と、下記化合物（Ａ）及び／あるいは下記化合物（Ｂ）を組合わせてなるオレフィン重合用触媒ならびにオレフィン重合体の製造方法を提供するものである。
化合物（Ａ）： 下記化合物（Ａ１）〜（Ａ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物
（Ａ１）： 式 （Ｅ1）a Ａｌ（Ｚ）3-a で示される有機アルミニウム化合物、
（Ａ２）: 式 ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン、
（Ａ３）： 式 （Ｅ3） ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c Ａｌ（Ｅ3）2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、Ｅ1 〜Ｅ3 は同一又は相異なり、炭素原子数１〜８の炭化水素基を示し、Ｚは同一又は相異なり、水素原子又はハロゲン原子を示し、ａは１、２又は３を、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の整数を表す。）
化合物（Ｂ）: 下記化合物（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物
（Ｂ１）： 式 ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で表されるホウ素化合物、
（Ｂ２）： 式 Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物、
（Ｂ３）： 式（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は同一又は相異なり、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０の炭化水素で置換されたシリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素で２置換されたアミノ基を示し、該炭化水素基はハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｇ+ は無機又は有機のカチオンを示し、Ｔは中性ルイス塩基を示し、（Ｔ−Ｈ）+ はブレンステッド酸を示す。）。
本発明により得られる遷移金属錯体を、触媒成分として用いることにより、高い触媒活性でポリオレフィンを製造することができる。
以下、本発明について詳細に説明する。
一般式（１）において、Ｍは元素周期律表の第６族の遷移金属原子を表し、例えば、クロム原子、モリブテン原子、タングステン原子などがあげられ、好ましくはクロム原子である。
一般式（１）において、Ｍは元素周期律表の第６族の遷移金属原子を表し、例えば、クロム原子、モリブテン原子、タングステン原子などがあげられ、好ましくはクロム原子である。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｘにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、イソペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基などが挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子で置換された炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、ヨードメチル基、ジヨードメチル基、トリヨードメチル基、フルオロエチル基、ジフルオロエチル基、トリフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、クロロエチル基、ジクロロエチル基、トリクロロエチル基、テトラクロロエチル基、ペンタクロロエチル基、ブロモエチル基、ジブロモエチル基、トリブロモエチル基、テトラブロモエチル基、ペンタブロモエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロドデシル基、パーフルオロペンタデシル基、パーフルオロエイコシル基、パークロロプロピル基、パークロロブチル基、パークロロペンチル基、パークロロヘキシル基、パークロロオクチル基、パークロロドデシル基、パークロロペンタデシル基、パークロロエイコシル基、パーブロモプロピル基、パーブロモブチル基、パーブロモペンチル基、パーブロモヘキシル基、パーブロモオクチル基、パーブロモドデシル基、パーブロモペンタデシル基、パーブロモエイコシル基などが挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｘにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基として好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基又はイソペンチル基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｘにおける炭素原子数７〜２０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、（２−メチルフェニル）メチル基、（３−メチルフェニル）メチル基、（４−メチルフェニル）メチル基、（２，３−ジメチルフェニル）メチル基、（２，４−ジメチルフェニル）メチル基、（２，５−ジメチルフェニル）メチル基、（２，６−ジメチルフェニル）メチル基、（３，４−ジメチルフェニル）メチル基、（４，６−ジメチルフェニル）メチル基、（２，３，４−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，５−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，６−トリメチルフェニル）メチル基、（３，４，５−トリメチルフェニル）メチル基、（２，４，６−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，４，５−テトラメチルフェニル）メチル基、（２，３，４，６−テトラメチルフェニル）メチル基、（２，３，５，６−テトラメチルフェニル）メチル基、（ペンタメチルフェニル）メチル基、（エチルフェニル）メチル基、（ｎ−プロピルフェニル）メチル基、（イソプロピルフェニル）メチル基、（ｎ−ブチルフェニル）メチル基、（ｓｅｃ−ブチルフェニル）メチル基、（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メチル基、（ｎ−ペンチルフェニル）メチル基、（ネオペンチルフェニル）メチル基、（ｎ−ヘキシルフェニル）メチル基、（ｎ−オクチルフェニル）メチル基、（ｎ−デシルフェニル）メチル基、（ｎ−デシルフェニル）メチル基、（ｎ−テトラデシルフェニル）メチル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数７〜２０のアラルキル基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくはベンジル基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｘにおける炭素原子数６〜２０のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、２，３，４−トリメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，４，５−テトラメチルフェニル基、２，３，４，６−テトラメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、ｎ−デシルフェニル基、ｎ−ドデシルフェニル基、ｎ−テトラデシルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数６〜２０のアリール基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくはフェニル基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭化水素基で置換された炭素原子数１〜２０の置換シリル基としては、例えば、炭素原子数１〜２０のアルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基など）、アリール基（フェニル基など）などの炭化水素基で置換されたシリル基をあげることできる。具体的には、例えば、メチルシリル基、エチルシリル基、フェニルシリル基などの１置換シリル基；ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、ジフェニルシリル基などの２置換シリル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｓｅｃ−ブチルシリル基、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、トリ−イソブチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチルシリル基、トリ−ｎ−ペンチルシリル基、トリ−ｎ−ヘキシルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基などの３置換シリル基などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭化水素基で置換された炭素原子数１〜２０の置換シリル基は、その炭化水素基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくはトリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基又はトリフェニルシリル基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭化水素基で置換された炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基としては、例えば、炭素原子数１〜１０のアルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基など）、アリール基（フェニル基など）などの炭化水素基２つで置換されたアミノ基をあげることできる。具体的には、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ジ−イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基、ジ−ｎ−デシルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ピロリル基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、カルバゾリル基、ジヒドロイソインドリル基などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭化水素基で置換された炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基は、その炭化水素基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくはジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ピロリジニル基又はピペリジニル基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数１〜２０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−エイコソキシ基などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数１〜２０のアルコキシ基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基又はｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基としては、例えば、ベンジルオキシ基、（２−メチルフェニル）メトキシ基、（３−メチルフェニル）メトキシ基、（４−メチルフェニル）メトキシ基、（２，３−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，４−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，５−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，６−ジメチルフェニル）メトキシ基、（３，４−ジメチルフェニル）メトキシ基、（３，５−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，６−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，４，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，４，６−トリメチルフェニル）メトキシ基、（３，４，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４，５−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４，６−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，５，６−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（ペンタメチルフェニル）メトキシ基、（エチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−プロピルフェニル）メトキシ基、（イソプロピルフェニル）メトキシ基、（ｎ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｓｅｃ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−ヘキシルフェニル）メトキシ基、（ｎ−オクチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−デシルフェニル）メトキシ基、（ｎ−テトラデシルフェニル）メトキシ基、ナフチルメトキシ基、アントラセニルメトキシ基などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくはベンジルオキシ基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、３−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、２，３−ジメチルフェノキシ基、２，４−ジメチルフェノキシ基、２，５−ジメチルフェノキシ基、２，６−ジメチルフェノキシ基、３，４−ジメチルフェノキシ基、３，５−ジメチルフェノキシ基、２，３，４−トリメチルフェノキシ基、２，３，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，６−トリメチルフェノキシ基、２，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，４，６−トリメチルフェノキシ基、３，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ｎ−プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ｎ−ブチルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ｎ−ヘキシルフェノキシ基、ｎ−オクチルフェノキシ基、ｎ−デシルフェノキシ基、ｎ−テトラデシルフェノキシ基、ナフトキシ基、アントラセノキシ基などが挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘにおける炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくはフェノキシ基が挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｘのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などがあげられ、好ましくはフッ素原子、塩素原子又は臭素原子であり、より好ましくは塩素原子である。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8のうち、隣接した２つの炭素原子に結合する置換基同士は結合して環構造を形成していてもよい。該環構造としては、例えば、飽和もしくは不飽和の炭化水素環などが挙げられる、具体的には、例えば、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などを挙げられる。これらの環は、炭素原子数１〜２０の炭化水素基などで置換されていてもよい。
Ｒ1、Ｒ8として好ましくは、炭化水素基で置換された炭素原子数１〜２０の置換シリル基、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基又は炭素原子数６〜２０のアリール基であり、ここで置換シリル基の炭化水素基、アルキル基、アラルキル基及びアリール基は、それぞれハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｒ1、Ｒ8として更に好ましくはｔ−ブチル基である。
Ｒ9として好ましくは、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基又は炭素原子数６〜２０のアリール基である。
Ｘとして好ましくは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭化水素基で置換された炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基であり、ここで、アルキル基、アラルキル基、２置換アミノ基の炭化水素基、アルコキシ基及びアリールオキシ基は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｘとしてより好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基又はフェノキシ基であり、もっとも好適にはハロゲン原子である。
Ｙにおける孤立電子対で配位可能な中性配位子としては、エーテル化合物（ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフランなど）、スルフィド化合物（ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジフェニルスルフィド、ジフェニルスルフィド、テトラヒドロチオフェン、チオフェンなど）、アミン化合物（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリフェニルアミン、ピリジンなど）、ホスフィン化合物（トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）などが挙げられ、好ましくはエーテル化合物が挙げられ、さらに好ましくはテトラヒドロフランである。
ｍ及びｎはそれぞれ０から３の整数であり、好ましくはｍ及びｎがそれぞれ２である。
式（１）で示される遷移金属錯体の具体例としては、例えば、（２−ヒドロキシフェニル）（２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−tert−ブチルフェニル）（３，５−ジ−tert−ブチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニル）（５−メトキシ−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）（３−クロロ−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリル−フェニル）（３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド
（２−ヒドロキシフェニル）（２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（５−メチル−２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−tert−ブチルフェニル）（３，５−ジ−tert−ブチル−２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニル）（５−メトキシ−２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）（３−クロロ−２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリル−フェニル）（３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）メチルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド
（２−ヒドロキシフェニル）（２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（５−メチル−２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−tert−ブチルフェニル）（３，５−ジ−tert−ブチル−２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニル）（５−メトキシ−２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）（３−クロロ−２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリル−フェニル）（３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）（tert−ブチル）ホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド
（２−ヒドロキシフェニル）（２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（５−メチル−２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−tert−ブチルフェニル）（３，５−ジ−tert−ブチル−２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニル）（５−メトキシ−２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）（３−クロロ−２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリル−フェニル）（３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）シクロヘキシルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド
（２−ヒドロキシフェニル）（２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（５−メチル−２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン） クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−tert−ブチルフェニル）（３，５−ジ−tert−ブチル−２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニル）（５−メトキシ−２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）（３−クロロ−２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライド、（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリル−フェニル）（３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）ベンジルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライドなどが挙げられ、さらに上記例示化合物において、クロミウムをモリブデナム、タングステンに変換した化合物、ジクロライドをジブロマイド、ジアイドダイド、ジメトキシド、ジイソプロポキシド、ジブトキシド、ビス（ジメチルアミド）、ビス（ジエチルアミド）、ジメチル、ビス（トリメチルシリルメチル）、ジ−ｐ−トリル、クロライド、ブロマイド、アイドダイド、メトキシド、イソプロポキシド、ブトキシド、ジメチルアミド、ジエチルアミド、メチル、トリメチルシリルメチル、ｐ−トリルに変換した化合物、ビス（テトラヒドロフラン）を、ビス（ジエチルエーテル）、ビス（ジメチルスルフィド）、ビス（テトラヒドロチオフェン）、ビス（トリメチルアミン）、ビス（トリフェニルアミン）、ビス（トリメチルホスフィン）、ビス（トリフェニルホスフィン）、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルスルフィド、テトラヒドロチオフェン、トリメチルアミン、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、トリメチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンに変換した化合物などが同様に挙げられる。
式（１）で示される遷移金属錯体は、式（２）
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9は前記と同じ意味を表し、ＨＡはブレンステッド酸を表し、ｑは０又は１を表す。）
で示されるホスフィン化合物と、式（３）
（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を示し、s及びtはそれぞれ、０から６までの整数を表す）
で示される遷移金属化合物とを反応させることにより得られる。
で示されるホスフィン化合物と、式（３）
（式中、Ｍ、Ｘ、Ｙは前記と同じ意味を示し、s及びtはそれぞれ、０から６までの整数を表す）
式（２）で示される化合物は、特開平９−１０４６９１号公報に記載の方法に準じて製造することができる。
式（２）で示される化合物としては、例えば、
ビス（２−ヒドロキシフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジメチルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−５−メトキシフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３−トリメチルシリルフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−３,５−ジクロロフェニル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィン
ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）メチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）エチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）−ｎ−プロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）イソプロピルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）−ｎ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）ベンジルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）フェニルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）メシチルホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）（１−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）（２−ナフチル）ホスフィン、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）（２，６−ジイソプロピルフェニル）ホスフィンなどが例示され、その塩酸塩、臭化水素塩、ヨウ化水素塩、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩なども同様に例示される。
また、式（３）で示される遷移金属化合物としては、トリクロロクロミウム、トリクロロクロミウム−３テトラヒドロフラン錯体、トリス（ビス[トリメチルシリル]メチル）クロミウム、ジメシチルクロミウム テトラヒドロフラン錯体、ジメシチルクロミウム ３テトラヒドロフラン錯体、トリメシチルクロミウム テトラヒドロフラン錯体、クロミウム（II） アセチルアセトナート、ビス（トリフルオロアセトキシ）クロミウム、トリス（トリフルオロアセトキシ）クロミウム、
トリクロロモリブデナム、ペンタクロロモリブデナム、モリブデンアセテート、トリアリルクロロモリブデナム、メシチレントリカルボニルモリブデナム、テトラカルボニル[(１,２,５,６)−１,５−シクロオクタジエン]モリブデナム、
四塩化タングステン、六塩化タングステン、メシチレンタングステントリカルボニル、テトラベンジルタングステン、テトラメチルタングステン、ペンタメチルタングステン、ベンジルテトラクロロタングステン、フェニルトリクロロタングステン、トリメチルクロロタングステン、トリス（ビス[トリメチルシリル]メチル）タングステンなどが挙げられる。
式（２）で示されるホスフィン化合物と式（３）で示される遷移金属化合物のモル比は特に限定されないが、１：０．１から１：１０の範囲が好ましく、さらに好ましくは１：０．５から１：２の範囲である。
反応に際しては、必要により塩基が用いられる。かかる塩基としては、例えばメチルリチウム、エチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムトリメチルシリルアセチリド、リチウムアセチリド、トリメチルシリルメチルリチウム、ビニルリチウム、フェニルリチウム、アリルリチウムなどの有機リチウム化合物といった有機アルカリ金属化合物、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムといった金属水素化物などが挙げられ、その使用量は式（２）で示されるホスフィン化合物に対して通常０．５〜５モル倍の範囲である。
上記反応は通常、反応に対して不活性な溶媒中で行われる。かかる溶媒としては、例えばベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ヘキサメチルホスホリックアミド、ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの極性溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒といった非プロトン性溶媒などが挙げられる。かかる溶媒はそれぞれ単独もしくは２種以上を混合して用いられ、その使用量は式（２）で示される化合物に対して通常１〜２００重量倍、好ましくは３〜５０重量倍の範囲である。
上記反応の順序は特に限定されないが、通常、溶媒、式（２）で示されるホスフィン化合物に必要に応じて塩基を加えたのち式（３）で示される遷移金属化合物を加えることによって行うことができる。反応温度は通常、−１００℃以上溶媒の沸点以下、好ましくは−８０〜１００℃程度の範囲である。
得られた反応混合物から、例えば生成した沈殿を濾別し、濾液を濃縮して固形物を析出させ、さらに再結晶し、精製するなどの手法により、式（１）で示される遷移金属錯体を取得することができる。
かくして製造される式（１）で示される遷移金属錯体は、化合物（Ａ）、あるいはさらに化合物（Ｂ）を、重合時に任意の順序で仕込み使用することができるが、またそれらの任意の化合物の組合せを予め接触させて得られた反応物を用いることもできる。
〔化合物（Ａ）〕
本発明において用いられる化合物（Ａ）としては、公知の有機アルミニウム化合物が使用できる。化合物（Ａ）の好ましいものとしては、下記化合物（Ａ１）〜（Ａ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物が挙げられる。
（Ａ１）： 式 （Ｅ1）a Ａｌ（Ｚ）3-a で示される有機アルミニウム化合物、
（Ａ２）: 式 ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン、
（Ａ３）： 式 （Ｅ3） ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c Ａｌ（Ｅ3）2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、Ｅ1 〜Ｅ3 は同一又は相異なり、炭素原子数１〜８の炭化水素基を示し、Ｚは同一又は相異なり、水素原子又はハロゲン原子を示し、ａは１、２又は３を、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の整数を表す。）
本発明において用いられる化合物（Ａ）としては、公知の有機アルミニウム化合物が使用できる。化合物（Ａ）の好ましいものとしては、下記化合物（Ａ１）〜（Ａ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物が挙げられる。
（Ａ１）： 式 （Ｅ1）a Ａｌ（Ｚ）3-a で示される有機アルミニウム化合物、
（Ａ２）: 式 ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン、
（Ａ３）： 式 （Ｅ3） ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c Ａｌ（Ｅ3）2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、Ｅ1 〜Ｅ3 は同一又は相異なり、炭素原子数１〜８の炭化水素基を示し、Ｚは同一又は相異なり、水素原子又はハロゲン原子を示し、ａは１、２又は３を、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の整数を表す。）
式：（Ｅ1）a Ａｌ（Ｚ）3-a で示される有機アルミニウム化合物（Ａ１）の具体例としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニウムクロライド、ジイソブチルアルミニウムクロライド、ジヘキシルアルミニウムクロライド等のジアルキルアルミニウムクロライド；メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシルアルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジクロライド；ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド等のジアルキルアルミニウムハイドライド等を例示することができる。好ましくは、トリアルキルアルミニウムであり、より好ましくは、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等が挙げられる。
式：｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン（Ａ２）又は、式：Ｅ3） ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c Ａｌ（Ｅ3）2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン（Ａ３）における、Ｅ2又はＥ3 の具体例としては、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基等のアルキル基を例示することができる。ｂは２以上の整数であり、ｃは１以上の整数である。好ましくは、Ｅ2又はＥ3としてはメチル基、イソブチル基が挙げられ、ｂは２〜４０、ｃは１〜４０程度である。
上記のアルミノキサンは各種の方法で造られる。その方法については特に制限はなく、公知の方法に準じて造ればよい。例えば、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を適当な有機溶剤（ベンゼン、脂肪族炭化水素など）に溶かした溶液を水と接触させて造る。また、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を結晶水を含んでいる金属塩（例えば、硫酸銅水和物など）に接触させて造る方法が例示できる。
〔化合物Ｂ〕
本発明において用いられる化合物（Ｂ）としては、
（Ｂ１）： 式 ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で表されるホウ素化合物、
（Ｂ２）： 式 Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物、
（Ｂ３）： 式（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は同一又は相異なり、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、炭素原子数１〜２０の炭化水素で置換されたシリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素で２置換されたアミノ基を示し、Ｇ+ は無機又は有機のカチオンを示し、Ｔは中性ルイス塩基を示し、（Ｔ−Ｈ）+ はブレンステッド酸を示す。）
で表されるホウ素化合物のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物が挙げられる。
本発明において用いられる化合物（Ｂ）としては、
（Ｂ１）： 式 ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で表されるホウ素化合物、
（Ｂ２）： 式 Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物、
（Ｂ３）： 式（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は同一又は相異なり、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、炭素原子数１〜２０の炭化水素で置換されたシリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素で２置換されたアミノ基を示し、Ｇ+ は無機又は有機のカチオンを示し、Ｔは中性ルイス塩基を示し、（Ｔ−Ｈ）+ はブレンステッド酸を示す。）
で表されるホウ素化合物のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物が挙げられる。
式：ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で表されるホウ素化合物（Ｂ１）において、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ3 はハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、炭素数１〜２０の炭化水素で置換されたシリル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基又は炭素数１〜２０の炭化水素で２置換されたアミノ基であり、それらは同じであっても異なっていても良い。好ましいＱ1 〜Ｑ3 はハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン化炭化水素基が挙げられる。
（Ｂ１）の具体例としては、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４−トリフルオロフェニル）ボラン、フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボラン等が挙げられるが、好ましくは、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランが挙げられる。
式：Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物（Ｂ２）において、Ｚ+ は無機又は有機のカチオンであり、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は上記の（Ｂ１）におけるＱ1 〜Ｑ3 と同様のものが挙げられる。
式：Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表される化合物において、無機のカチオンであるＺ+ としては、フェロセニウムカチオン、アルキル置換フェロセニウムカチオン、銀陽イオンなどが、有機のカチオンであるＺ+ としては、トリフェニルメチルカチオンなどが挙げられる。（ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- としては、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，２，４−トリフルオロフェニル）ボレート、フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボレ−ト、テトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。
式：Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表される化合物の具体例としては、フェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１，１'−ジメチルフェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、銀テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどを挙げることができるが、好ましくは、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが挙げられる。
また、式：（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物（Ｂ３）において、Ｔは中性ルイス塩基であり、（Ｔ−Ｈ）+ はブレンステッド酸であり、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は上記の（Ｂ１）におけるＱ1 〜Ｑ3 と同様のものが挙げられる。
式：（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表される化合物において、ブレンステッド酸である（Ｔ−Ｈ）+ には、トリアルキル置換アンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアリールホスホニウムなどが挙げられ、（ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- には、前記と同様のものが挙げられる。
式：（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表される化合物の具体的としては、トリエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、ジイソプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（メチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ジメチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどを挙げることができるが、好ましくは、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
各触媒成分の使用量は、化合物（Ａ）／遷移金属錯体（１）のモル比が０．１〜１００００で、好ましくは５〜２０００、化合物（Ｂ）／遷移金属錯体（１）のモル比が０．０１〜１００で、好ましくは０．５〜１０の範囲にあるように、各成分を用いることが望ましい。
各触媒成分を溶液状態で使う場合の濃度については、遷移金属錯体（１）が、０．０００１〜５ミリモル／リットルで、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リットル、化合物（Ａ）が、Ａｌ原子換算で、０．０１〜５００ミリモル／リットルで、好ましくは、０．１〜１００ミリモル／リットル、化合物（Ｂ）は、０．０００１〜５ミリモル／リットルで、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リットルの範囲にあるように、各成分を用いることが望ましい。
各触媒成分を溶液状態で使う場合の濃度については、遷移金属錯体（１）が、０．０００１〜５ミリモル／リットルで、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リットル、化合物（Ａ）が、Ａｌ原子換算で、０．０１〜５００ミリモル／リットルで、好ましくは、０．１〜１００ミリモル／リットル、化合物（Ｂ）は、０．０００１〜５ミリモル／リットルで、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リットルの範囲にあるように、各成分を用いることが望ましい。
本発明において、重合に使用するモノマーは、炭素原子数２〜２０個からなるオレフィン、ジオレフィン等のいずれをも用いることができ、同時に２種類以上のモノマーを用いることもできる。かかるモノマーを以下に例示するが、本発明は下記化合物に限定されるものではない。かかるオレフィンの具体例としては、エチレン、プロピレン、ブテン−１、ペンテン−１、ヘキセン−１、ヘプテン−１、オクテン−１、ノネン−１、デセン−１、５−メチル−２−ペンテン−１、ビニルシクロヘキセン等が例示される。
ジオレフィン化合物としては、炭化水素化合物の共役ジエン、非共役ジエンが挙げられ、かかる化合物の具体例としては、非共役ジエン化合物の具体例として、１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，４−ペンタジエン、１，７−オクタジエン、１，８−ノナジエン、１，９−デカジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、７−メチル−１，６−オクタジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、ノルボルナジエン、５−メチレン−２−ノルボルネン、１，５−シクロオクタジエン、５，８−エンドメチレンヘキサヒドロナフタレン等が例示され、共役ジエン化合物の具体例としては、１，３−ブタジエン、イソプレン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、１，３−シクロオクタジエン、１，３−シクロヘキサジエン等を例示することができる。
ジオレフィン化合物としては、炭化水素化合物の共役ジエン、非共役ジエンが挙げられ、かかる化合物の具体例としては、非共役ジエン化合物の具体例として、１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，４−ペンタジエン、１，７−オクタジエン、１，８−ノナジエン、１，９−デカジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、７−メチル−１，６−オクタジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、ノルボルナジエン、５−メチレン−２−ノルボルネン、１，５−シクロオクタジエン、５，８−エンドメチレンヘキサヒドロナフタレン等が例示され、共役ジエン化合物の具体例としては、１，３−ブタジエン、イソプレン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、１，３−シクロオクタジエン、１，３−シクロヘキサジエン等を例示することができる。
共重合体を構成するモノマーの具体例としては、エチレンとプロピレン、エチレンとブテン−１、エチレンとヘキセン−１、プロピレンとブテン−１等、及びそれらにさらに５−エチリデン−２−ノルボルネンを用いる組み合わせ等が例示されるが、本発明は、上記化合物に限定されるものではない。
本発明では、モノマーとして芳香族ビニル化合物も用いることができる。芳香族ビニル化合物の具体例としては、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ，ｐ−ジメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン等が挙げられる。
重合方法も、特に限定されるべきものではないが、例えば、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、又はメチレンジクロライド等のハロゲン化炭化水素を溶媒として用いる溶媒重合、又はスラリー重合、ガス状のモノマー中での気相重合等が可能であり、また、連続重合、回分式重合のどちらでも可能である。
重合温度は、−５０℃〜２００℃の範囲をとり得るが、特に、−２０℃〜１００℃程度の範囲が好ましく、重合圧力は、常圧〜６ＭＰａ（６０ｋｇ／ｃｍ２ Ｇ）が好ましい。重合時間は、一般的に、目的とするポリマーの種類、反応装置により適宜選定されるが、１分間〜２０時間の範囲をとることができる。また、本発明は共重合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移動剤を添加することもできる。
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。また、実施例におけるポリマーの性質は、下記の方法により測定した。
[分子量及び分子量分布]
ＲａｐｉｄＧＰＣを用いて以下の条件により測定した。
送液装置 ：（ＬＣポンプ）Ｇｉｌｓｏｎ社製
Ｍｏｄｅｌ３０５(ポンプヘッド２５.ＳＣ)
カラム ：ＰｏｌｙｍｅｒＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ (ＰＬ)社製
ＰＬｇｅｌ Ｍｉｘｅｄ−Ｂ １０μｍ
7.5mmφ×300mm 移動相 ：o-ジクロロベンゼン
溶解溶媒 ：1,2,4-トリクロロベンゼン
流量 ：２ｍｌ／分
カラム温度：１６０℃
検量線 ：ＰＬ社標準品 ポリスチレン(ＰＳ) ８試料
（標準ＰＳ分子量）5,000、10,050、28,500、65,500
185,400、483,000、1,013,000、3,390,000
ＲａｐｉｄＧＰＣを用いて以下の条件により測定した。
送液装置 ：（ＬＣポンプ）Ｇｉｌｓｏｎ社製
Ｍｏｄｅｌ３０５(ポンプヘッド２５.ＳＣ)
カラム ：ＰｏｌｙｍｅｒＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ (ＰＬ)社製
ＰＬｇｅｌ Ｍｉｘｅｄ−Ｂ １０μｍ
7.5mmφ×300mm 移動相 ：o-ジクロロベンゼン
溶解溶媒 ：1,2,4-トリクロロベンゼン
流量 ：２ｍｌ／分
カラム温度：１６０℃
検量線 ：ＰＬ社標準品 ポリスチレン(ＰＳ) ８試料
（標準ＰＳ分子量）5,000、10,050、28,500、65,500
185,400、483,000、1,013,000、3,390,000
合成例
［実施例１］
［（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライドの合成］
ＮａＨ（０．０７９ｇ、３．３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン溶液（２０ｍＬ）の混合物に、０℃でビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）フェニルホスフィン塩酸塩（０．５０ｇ、１．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（２０ｍＬ）を滴下し、室温で５時間攪拌した。混合物を-78℃に冷却し、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（０．４０ｇ、１．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（４０ｍＬ）を滴下した。室温に昇温し、１２時間攪拌し溶媒を減圧留去した。トルエンを加え、攪拌し、不溶物を濾別した。濾液を減圧留去し、トルエン−ヘプタンから結晶化させることにより、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライドを緑色結晶として取得した（収率２０％）。目的物の構造はＸ線結晶構造解析で確認した。ＯＲＴＥＰ図を図１に示した（フェノール性水酸基以外の水素原子は簡略化の為、記載を省略した）。
［実施例１］
［（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライドの合成］
ＮａＨ（０．０７９ｇ、３．３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン溶液（２０ｍＬ）の混合物に、０℃でビス（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）フェニルホスフィン塩酸塩（０．５０ｇ、１．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（２０ｍＬ）を滴下し、室温で５時間攪拌した。混合物を-78℃に冷却し、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（０．４０ｇ、１．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（４０ｍＬ）を滴下した。室温に昇温し、１２時間攪拌し溶媒を減圧留去した。トルエンを加え、攪拌し、不溶物を濾別した。濾液を減圧留去し、トルエン−ヘプタンから結晶化させることにより、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライドを緑色結晶として取得した（収率２０％）。目的物の構造はＸ線結晶構造解析で確認した。ＯＲＴＥＰ図を図１に示した（フェノール性水酸基以外の水素原子は簡略化の為、記載を省略した）。
［実施例２］
重合
23.5ｍＬのオートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、アルミノキサン（東ソー・ファインケム社製 ＭＭＡＯ、５．８重量％Ａｌ）（１００μmol）、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライドを加え、重合させた。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝１．９７×１０６、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=１３１．８であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、１．５３×１０７ｇ製造した。
重合
23.5ｍＬのオートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、アルミノキサン（東ソー・ファインケム社製 ＭＭＡＯ、５．８重量％Ａｌ）（１００μmol）、（２−ヒドロキシ−３−tert−ブチル−５−メチルフェニル）（３−tert−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）フェニルホスフィン ビス（テトラヒドロフラン）クロミウム ジクロライドを加え、重合させた。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝１．９７×１０６、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=１３１．８であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、１．５３×１０７ｇ製造した。
［実施例３］
メチルアルミノキサンの代わりに、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液（４０μL、１．０Ｍ、関東化学）及びペンタフルオロフェニルボラン（０．３０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例２と同様に重合を行った。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝１．２８×１０５、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=１．８であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、４．９×１０６ｇ製造した。
メチルアルミノキサンの代わりに、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液（４０μL、１．０Ｍ、関東化学）及びペンタフルオロフェニルボラン（０．３０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例２と同様に重合を行った。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝１．２８×１０５、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=１．８であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、４．９×１０６ｇ製造した。
［実施例４］
メチルアルミノキサンの代わりに、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液（４０μL、１．０Ｍ、関東化学）及びジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（０．３０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例３と同様に重合を行った。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝７．１×１０３、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=２．０であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、７．２８×１０７ｇ製造した。
メチルアルミノキサンの代わりに、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液（４０μL、１．０Ｍ、関東化学）及びジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（０．３０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例３と同様に重合を行った。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝７．１×１０３、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=２．０であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、７．２８×１０７ｇ製造した。
［実施例５］
メチルアルミノキサンの代わりに、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液（４０μL、１．０Ｍ、関東化学）及びトリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（０．３０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例４と同様に重合を行った。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝６．５×１０３、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=１．９であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、１．１３×１０８ｇ製造した。
メチルアルミノキサンの代わりに、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液（４０μL、１．０Ｍ、関東化学）及びトリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（０．３０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例４と同様に重合を行った。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝６．５×１０３、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）=１．９であるポリマーをクロミウム１ｍｏｌ当たり、1時間当たり、１．１３×１０８ｇ製造した。
Claims (4)
- 式（１）
（式中、Ｍは元素の周期律表の第６族の元素を示し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭化水素基で置換された炭素原子数１〜２０の置換シリル基、炭化水素基で置換された炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基及び炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基からなる群から選ばれる置換基；ハロゲン原子又は水素原子を表し、ここで上記アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基の炭化水素基、２置換アミノ基の炭化水素基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基及びアリールオキシ基は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8のうち、隣接した２つの炭素原子に結合する置換基同士は結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ9は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基を示し、ｍ及びｎはそれぞれ０から３の整数を表し、Ｘは、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭化水素基で置換された炭素原子数１〜２０の置換シリル基、炭化水素基で置換された炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基及び炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基からなる群から選ばれる置換基；ハロゲン原子を表し、ここで上記アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基の炭化水素基、該２置換アミノ基の炭化水素基、該アルコキシ基、該アラルキルオキシ基及び該アリールオキシ基は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｙは孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、ｍ及びｎがそれぞれ２又は３の場合は、Ｘ、Ｙはそれぞれ同一であっても異なっていても良い。）
で示される遷移金属錯体。 - Ｍがクロム原子である請求項１に記載の遷移金属錯体。
- 請求項１、２のいずれかに記載の遷移金属錯体及び下記化合物（Ａ）及び／又は下記化合物（Ｂ）とを接触させて得られるオレフィン重合用触媒。
化合物（Ａ）： 下記化合物（Ａ１）〜（Ａ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物
（Ａ１）： 式 （Ｅ1）a Ａｌ（Ｚ）3-a で示される有機アルミニウム化合物、
（Ａ２）: 式 ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン、
（Ａ３）： 式 （Ｅ3） ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c Ａｌ（Ｅ3）2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、Ｅ1 〜Ｅ3 は同一又は相異なり、炭素原子数１〜８の炭化水素基を示し、Ｚは同一又は相異なり、水素原子又はハロゲン原子を示し、ａは１、２又は３を、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の整数を表す。）
化合物（Ｂ）: 下記化合物（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそれらの２つ以上の混合物
（Ｂ１）： 式 ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で表されるホウ素化合物、
（Ｂ２）： 式 Ｇ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物、
（Ｂ３）： 式（Ｔ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は同一又は相異なり、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０の炭化水素で置換されたシリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素で２置換されたアミノ基を示し、該炭化水素基はハロゲン原子で置換されていてもよく、Ｇ+ は無機又は有機のカチオンを示し、Ｔは中性ルイス塩基を示し、（Ｔ−Ｈ）+ はブレンステッド酸を示す。） - 請求項３に記載のオレフィン重合用触媒を用いてオレフィンを重合反応させることを特徴とするオレフィン重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006067124A JP4389889B2 (ja) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006067124A JP4389889B2 (ja) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007238582A true JP2007238582A (ja) | 2007-09-20 |
| JP4389889B2 JP4389889B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=38584458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006067124A Expired - Fee Related JP4389889B2 (ja) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4389889B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103140496A (zh) * | 2010-08-31 | 2013-06-05 | 国立大学法人东京大学 | 羧酸根金属配位化合物及烯烃聚合用催化剂 |
| WO2014014075A1 (ja) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 住友化学株式会社 | 置換ビスフェノール化合物、遷移金属錯体、該遷移金属錯体の製造方法、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 |
-
2006
- 2006-03-13 JP JP2006067124A patent/JP4389889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103140496A (zh) * | 2010-08-31 | 2013-06-05 | 国立大学法人东京大学 | 羧酸根金属配位化合物及烯烃聚合用催化剂 |
| WO2014014075A1 (ja) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | 住友化学株式会社 | 置換ビスフェノール化合物、遷移金属錯体、該遷移金属錯体の製造方法、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4389889B2 (ja) | 2009-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7241927B2 (en) | Transition metal complexes, ligands, catalysts for olefin polymerization, and process for production of olefin polymers | |
| JP2011084508A (ja) | 遷移金属錯体 | |
| JP4389889B2 (ja) | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP4311405B2 (ja) | タンタル錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法。 | |
| JP2007238891A (ja) | オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP4411884B2 (ja) | 遷移金属錯体、配位子、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| US7279537B2 (en) | Transition metal complexes and polymerization catalysts | |
| JP4432441B2 (ja) | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2008201709A (ja) | バナジウム錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2009019035A (ja) | 遷移金属錯体、その配位子、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2007191534A (ja) | オレフィン重合体の製造方法 | |
| US8026324B2 (en) | Transition metal complex, process for producing the same, and use | |
| US20110118427A1 (en) | Transition Metal Complex And Process For Production Thereof, Olefin Polymerization Catalyst, Process For Production of Polyolefin Resin, And Substituted Fluorene Compound And Process For Production Thereof | |
| JP2005002072A (ja) | 置換ベンゼン、遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2004204145A (ja) | 置換ベンゼン、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2003252890A (ja) | 遷移金属錯体、配位子、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2006206746A (ja) | 重合触媒成分及びオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2005139073A (ja) | 遷移金属錯体、配位子、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2005179294A (ja) | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2005179322A (ja) | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP3840952B2 (ja) | 付加重合用触媒成分、付加重合用触媒および付加重合体の製造方法 | |
| JP2005179260A (ja) | 遷移金属錯体、オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2005306922A (ja) | オレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2003327594A (ja) | 置換ベンゼン、それを触媒成分とするオレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 | |
| JP2004051868A (ja) | 付加重合触媒、付加重合触媒の製造方法および付加重合体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080201 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20080515 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090821 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090915 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090928 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |