JP2007234868A - モード同期半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】利得領域24と、可飽和吸収領域26とを含む活性層20を備えている。利得領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が複数存在する異準位多重量子井戸構造によって構成されている。また、可飽和吸収領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が等しい均一多重量子井戸構造によって構成されている。
【選択図】図1
Description
小川 洋、荒平 慎、加藤幸雄、国松大介著「超高速モード同期半導体レーザ」電子情報通信学会論文誌Vol.J84−C、No.1、pp.1−10、2001年1月
図1を参照して、第1実施形態のモード同期半導体レーザにつき説明する。図1は、第1実施形態のモード同期半導体レーザの構成例を説明するための概略図で、モード同期半導体レーザ上面に直交し、かつその長手方向に沿った縦断面の切り口で示している。
図4を参照して、第1実施形態のモード同期半導体レーザの製造方法について説明する。図4は、第1実施形態のモード同期半導体レーザの製造方法を説明するための工程図である。図4(A)〜(D)は、主要製造段階で得られた構造体を、図1と同様に、モード同期半導体レーザ上面に直交し、かつその長手方向に沿った縦断面の切り口で示している。
図1を参照して第1実施形態のモード同期半導体レーザの動作について説明する。利得領域用電極34と共用電極32の間に、上クラッド層14から下クラッド層12の方向、すなわち順方向の直流電圧を印加する。また、可飽和吸収領域用電極36と共用電極32の間に、下クラッド層12から上クラッド層14の方向、すなわち逆方向の直流電圧を印加する。
図5を参照して、第2実施形態のモード同期半導体レーザにつき説明する。図5は第2実施形態のモード同期半導体レーザの構成例を説明するための概略図で、モード同期半導体レーザ上面に直交し、かつその長手方向に沿った縦断面の切り口で示している。
図6(A)〜(E)を参照して、第2実施形態のモード同期半導体レーザの製造方法について説明する。図6(A)〜(E)は、第2実施形態のモード同期半導体レーザの製造方法を説明するための工程図である。図6(A)〜(E)は、主要製造段階で得られた構造体を、図4(A)〜(D)と同様に、モード同期半導体レーザ上面に直交し、かつその長手方向に沿った縦断面の切り口で示している。
図7を参照して、第3実施形態のモード同期半導体レーザについて説明する。図7は第3実施形態のモード同期半導体レーザの構成例を説明するための概略図で、受動モード同期半導体レーザ上面に直交し、かつその長手方向に沿った縦断面の切り口で示してある。
図8を参照して、第4実施形態のモード同期半導体レーザについて説明する。図8は第4実施形態のモード同期半導体レーザの構成例を説明するための概略図で、モード同期半導体レーザ上面に直交し、かつその長手方向に沿った縦断面の切り口で示してある。
図9を参照して、第5実施形態のモード同期半導体レーザについて説明する。図9は第5実施形態のモード同期半導体レーザ10dの構成例を説明するための概略図で、モード同期半導体レーザ10d上面に直交し、かつその長手方向に沿った縦断面の切り口で示してある。
12、112 下クラッド層
12a、112a 下クラッド層の下面
14、114 上クラッド層
14a、114a 上クラッド層の上面
16a、16b、116a、116b 端面(劈開面)
20、20a、20b、20c、20d、120 活性層
24、24a、24b、24d、124 利得領域
25a 第1利得領域
25b 第2利得領域
26、26a、26b、26c、126 可飽和吸収領域
27 変調領域
28、28c、28d、29 受動導波路領域
32、132 共用電極
34、134 利得領域用電極
34a 第1利得領域用電極
34b 第2利得領域用電極
36、136 可飽和吸収領域用電極
37 変調領域用電極
44、44a、44b、46、144、146 直流電源
47 発振器
56a、56b、156 井戸層
57a、57b、157 バリア層
60 第1MQW活性層
62 第2MQW活性層
70、71 第1選択マスク
72 第2選択マスク
74、74a 第1領域
76、76a 第2領域
78 第3領域
80 ブラッグ格子
110 受動モード同期半導体レーザ
Claims (13)
- 利得領域と、可飽和吸収領域とを含む活性層を備え、
前記利得領域が、各井戸層の量子エネルギー準位が異なる異準位多重量子井戸構造によって構成されており、及び
前記可飽和吸収領域が、各井戸層の量子エネルギー準位が等しい均一多重量子井戸構造によって構成されている
ことを特徴とするモード同期半導体レーザ。 - 前記活性層は、さらに、受動導波路領域を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のモード同期半導体レーザ。 - 前記受動導波路領域にブラッグ格子が設けられ、及び
前記活性層の1つの端面と、前記受動導波路領域に挟まれる、前記活性層内の領域に、前記利得領域及び前記可飽和吸収領域が配置されている
ことを特徴とする請求項2に記載のモード同期半導体レーザ。 - 利得領域と、変調領域とを含む活性層を備え、
前記利得領域が、各井戸層の量子エネルギー準位が異なる異準位多重量子井戸構造によって構成されており、及び、
前記変調領域が、各井戸層の量子エネルギー準位が等しい均一多重量子井戸構造によって構成されている
ことを特徴とするモード同期半導体レーザ。 - 前記活性層は、さらに、受動導波路領域を含む
ことを特徴とする請求項4に記載のモード同期半導体レーザ。 - 前記受動導波路領域にブラッグ格子が設けられ、及び
前記活性層の1つの端面と前記受動導波路領域に挟まれる、前記活性層内の領域に、前記利得領域及び前記変調領域が配置されている
ことを特徴とする請求項5に記載のモード同期半導体レーザ。 - 前記利得領域が、前記活性層に複数含まれている
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のモード同期半導体レーザ。 - 前記異準位多重量子井戸構造を構成する各井戸層の層厚が、複数種類の値をとっている
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のモード同期半導体レーザ。 - 前記異準位多重量子井戸構造を構成する各井戸層の組成比が、複数種類の値をとっている
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のモード同期半導体レーザ。 - 前記異準位多重量子井戸構造を構成する各井戸層の層厚及び組成比が、それぞれ複数種類の値をとっている
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のモード同期半導体レーザ。 - 下クラッド層上に、各井戸層の量子エネルギー準位が異なる異準位多重量子井戸構造の第1多重量子井戸活性層を成長させる工程と、
前記第1多重量子井戸活性層上に、部分的に第1選択マスクを形成する工程と、
該第1選択マスクを用いたエッチングにより、前記第1多重量子井戸活性層の部分を除去する工程と、
前記第1多重量子井戸活性層が除去されて露出した前記下クラッド層上に、各井戸層の量子エネルギー準位が等しい均一多重量子井戸構造の第2多重量子井戸活性層を成長させる工程と
を備えることを特徴とするモード同期半導体レーザの製造方法。 - 前記第2多重量子井戸活性層上に、部分的に第2選択マスクを形成する工程と、
前記第1選択マスク及び前記第2選択マスクを用いたエッチングにより、前記第2多重量子井戸活性層を除去する工程と、
前記第2多重量子井戸活性層が除去されて露出した前記下クラッド層上に、バルク半導体結晶を成長させる工程と
を備えることを特徴とする請求項11に記載のモード同期半導体レーザの製造方法。 - 前記第2多重量子井戸活性層が除去されて露出した前記下クラッド層上に、前記バルク半導体結晶に代えて、均一多重量子井戸構造の第3多重量子井戸活性層を成長させる工程と
を備えることを特徴とする請求項12に記載のモード同期半導体レーザの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009152261A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
JP2012151210A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Sony Corp | 半導体レーザ素子 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08146364A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその作動方法 |
JPH09283837A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
JPH11145554A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体パルスレーザ装置 |
JP2002368342A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Anritsu Corp | 多重量子井戸半導体素子 |
JP2004158590A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体パルス光源 |
JP2004179428A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
-
2006
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08146364A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその作動方法 |
JPH09283837A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
JPH11145554A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体パルスレーザ装置 |
JP2002368342A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Anritsu Corp | 多重量子井戸半導体素子 |
JP2004158590A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体パルス光源 |
JP2004179428A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009152261A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
JP2012151210A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Sony Corp | 半導体レーザ素子 |
US9048620B2 (en) | 2011-01-18 | 2015-06-02 | Sony Corporation | Semiconductor laser device |
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