JPH11145554A - 半導体パルスレーザ装置 - Google Patents
半導体パルスレーザ装置Info
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- JPH11145554A JPH11145554A JP30840597A JP30840597A JPH11145554A JP H11145554 A JPH11145554 A JP H11145554A JP 30840597 A JP30840597 A JP 30840597A JP 30840597 A JP30840597 A JP 30840597A JP H11145554 A JPH11145554 A JP H11145554A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 伝搬損失のない優れた光出力パルスが得られ
かつ小型化する。 【解決手段】 第１利得領域（II）と、第１利得領域の
一端に設けられた第１受動導波路領域（Ｉ）と、第１利
得領域の他端に設けられた可飽和吸収領域（III)と、可
飽和吸収領域に連接して設けられた第２受動導波路領域
（IV）とからなる被制御受動モード同期部１００と、被
制御受動モード同期部の第２受動導波路領域側に一体化
形成された制御発振部２００とをそれぞれ共通の基板１
０上に具えて単一の光素子として形成されていること。
かつ小型化する。 【解決手段】 第１利得領域（II）と、第１利得領域の
一端に設けられた第１受動導波路領域（Ｉ）と、第１利
得領域の他端に設けられた可飽和吸収領域（III)と、可
飽和吸収領域に連接して設けられた第２受動導波路領域
（IV）とからなる被制御受動モード同期部１００と、被
制御受動モード同期部の第２受動導波路領域側に一体化
形成された制御発振部２００とをそれぞれ共通の基板１
０上に具えて単一の光素子として形成されていること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体パルスレ
ーザ装置に関する。
ーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザを用いた光パルス発
生装置としては、利得領域と可飽和吸収領域とからなる
受動モード同期レーザがある。しかしながら、受動モー
ド同期レーザの出力パルスは、時間ジッタが大きいとい
う問題がある。この問題を克服する方法の一つに、光シ
ンクロナス受動モード同期法がある。この方法は、外部
から制御光パルス信号を受動モード同期レーザに注入し
て出力光パルスを出力させるものである。このような光
シンクロナス受動モード同期法の一例として、文献Ｉ
（文献Ｉ：IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS. VO
L.8.NO. 5.MAY 1996、ｐｐ．６１７〜６１９）に開示さ
れた方法がある。この方法において、受動モード同期レ
ーザは、外部から光ファイバを介して所定の時間的に安
定な制御光パルスが入射される。入射された制御光パル
ス信号は、受動モード同期レーザの利得領域で発振した
発振光と可飽和吸収領域で同期が取られる。そして、受
動モード同期レーザの出射端面から時間的に安定な出力
光パルス（短パルス列）を出力する。
生装置としては、利得領域と可飽和吸収領域とからなる
受動モード同期レーザがある。しかしながら、受動モー
ド同期レーザの出力パルスは、時間ジッタが大きいとい
う問題がある。この問題を克服する方法の一つに、光シ
ンクロナス受動モード同期法がある。この方法は、外部
から制御光パルス信号を受動モード同期レーザに注入し
て出力光パルスを出力させるものである。このような光
シンクロナス受動モード同期法の一例として、文献Ｉ
（文献Ｉ：IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS. VO
L.8.NO. 5.MAY 1996、ｐｐ．６１７〜６１９）に開示さ
れた方法がある。この方法において、受動モード同期レ
ーザは、外部から光ファイバを介して所定の時間的に安
定な制御光パルスが入射される。入射された制御光パル
ス信号は、受動モード同期レーザの利得領域で発振した
発振光と可飽和吸収領域で同期が取られる。そして、受
動モード同期レーザの出射端面から時間的に安定な出力
光パルス（短パルス列）を出力する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光シンクロナス受動モード同期法は、外部から制御光パ
ルス信号を光ファイバを介して受動モード同期レーザに
注入するため、以下に述べるような問題がある。
光シンクロナス受動モード同期法は、外部から制御光パ
ルス信号を光ファイバを介して受動モード同期レーザに
注入するため、以下に述べるような問題がある。
【０００４】制御光パルス信号を受動モード同期レー
ザに注入する過程において、光強度の損失がある。
ザに注入する過程において、光強度の損失がある。
【０００５】光ファイバと受動モード同期レーザとの
結合段階で、高精度な光学的結合を行う必要があり、光
学調整が非常に煩雑である。
結合段階で、高精度な光学的結合を行う必要があり、光
学調整が非常に煩雑である。
【０００６】光ファイバから制御光パルスを受動モー
ド同期レーザに入射した際の偏波面（電界の振動面）の
変動によって動作が不安定になる。
ド同期レーザに入射した際の偏波面（電界の振動面）の
変動によって動作が不安定になる。
【０００７】さらに、従来の受動モード同期レーザ
は、光ファイバとか制御光パルス発生装置とかを必要と
するため、装置が大型化する。
は、光ファイバとか制御光パルス発生装置とかを必要と
するため、装置が大型化する。
【０００８】そこで、伝搬損失が少なく、光学結合調整
が簡単で、動作安定性も良く、かつ小型化できる半導体
パルスレーザ装置の出現が望まれていた。
が簡単で、動作安定性も良く、かつ小型化できる半導体
パルスレーザ装置の出現が望まれていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の半
導体パルスレーザ装置によれば、第１利得領域と、この
第１利得領域の一端に設けられた第１受動導波路領域
と、第１利得領域の他端に設けられた可飽和吸収領域
と、この可飽和吸収領域に連接して設けられた第２受動
導波路領域とからなる被制御受動モード同期部と、被制
御受動モード同期部の第２受動導波路領域側に一体化形
成された制御発振部とをそれぞれ共通の基板上に具えて
単一の光素子として形成されていることを特徴とする。
導体パルスレーザ装置によれば、第１利得領域と、この
第１利得領域の一端に設けられた第１受動導波路領域
と、第１利得領域の他端に設けられた可飽和吸収領域
と、この可飽和吸収領域に連接して設けられた第２受動
導波路領域とからなる被制御受動モード同期部と、被制
御受動モード同期部の第２受動導波路領域側に一体化形
成された制御発振部とをそれぞれ共通の基板上に具えて
単一の光素子として形成されていることを特徴とする。
【００１０】このように、この発明では、被制御受動モ
ード同期部に制御発振部を一体化形成して構成されてい
るので、装置自体をコンパクト（小型化）にすることが
できる。
ード同期部に制御発振部を一体化形成して構成されてい
るので、装置自体をコンパクト（小型化）にすることが
できる。
【００１１】また、制御発振部を能動モード同期構造と
し、かつ被制御受動モード同期部に一体化形成してある
ので、光ファイバとの結合による光強度損失がなくな
る。また、従来行われていたような光特性毎に光学的結
合の調整を取り直す必要がなくなる。また、被制御受動
モード同期部と制御発振部とが直接結合されているの
で、光パルスの偏波面の変動が低減され、動作が安定す
る。
し、かつ被制御受動モード同期部に一体化形成してある
ので、光ファイバとの結合による光強度損失がなくな
る。また、従来行われていたような光特性毎に光学的結
合の調整を取り直す必要がなくなる。また、被制御受動
モード同期部と制御発振部とが直接結合されているの
で、光パルスの偏波面の変動が低減され、動作が安定す
る。
【００１２】また、制御発振部と被制御受動モード同期
部とは、直接結合されているため、被制御受動モード同
期部へ注入される制御光パルスの偏波面での変動がなく
なり、動作が安定する。
部とは、直接結合されているため、被制御受動モード同
期部へ注入される制御光パルスの偏波面での変動がなく
なり、動作が安定する。
【００１３】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、制御発振部は、第２利得領域と、この第２利得領域
の一端に設けられた第３受動導波路領域と、第２利得領
域の他端に設けられた第４受動導波路領域とを以て構成
してあるのが良い。
は、制御発振部は、第２利得領域と、この第２利得領域
の一端に設けられた第３受動導波路領域と、第２利得領
域の他端に設けられた第４受動導波路領域とを以て構成
してあるのが良い。
【００１４】このような構成にすることにより、第２利
得領域に変調電圧を印加して制御光パルスを発振させか
つ第３および第４受動導波路領域を伝播させることがで
きる。
得領域に変調電圧を印加して制御光パルスを発振させか
つ第３および第４受動導波路領域を伝播させることがで
きる。
【００１５】また、この発明の実施に当たり、好ましく
は、第１および第２受動導波路領域の実効屈折率と第３
および第４受動導波路領域の実効屈折率とを変えて、す
なわち異なる値として構成してあるのが良い。
は、第１および第２受動導波路領域の実効屈折率と第３
および第４受動導波路領域の実効屈折率とを変えて、す
なわち異なる値として構成してあるのが良い。
【００１６】このような構成にすることにより、制御発
振部で発振した制御光パルスと被制御受動モード同期部
の第１利得領域で発振した発振光の周波数（ブラッグ波
長）を変えることができるので、それぞれの周回周波数
の波長選択を行うことができる。
振部で発振した制御光パルスと被制御受動モード同期部
の第１利得領域で発振した発振光の周波数（ブラッグ波
長）を変えることができるので、それぞれの周回周波数
の波長選択を行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態の半導体パルスレーザ装置につき説明す
る。なお、図１および図２の各構成成分の大きさ、形状
および配置関係は、この発明が理解できる程度に概略的
に示してあるにすぎず、従って、この発明は、何ら図示
例に限定されるものではない。
の実施の形態の半導体パルスレーザ装置につき説明す
る。なお、図１および図２の各構成成分の大きさ、形状
および配置関係は、この発明が理解できる程度に概略的
に示してあるにすぎず、従って、この発明は、何ら図示
例に限定されるものではない。
【００１８】［半導体パルスレーザ装置の構造］図１を
参照して、この発明の半導体パルスレーザ装置の実施の
形態につき説明する。尚、図１は、この発明の半導体パ
ルスレーザ装置の主要構造を説明するために供する断面
図である。ここでは、図を明確化するため、図中断面を
表す斜線の一部を省略して示す。
参照して、この発明の半導体パルスレーザ装置の実施の
形態につき説明する。尚、図１は、この発明の半導体パ
ルスレーザ装置の主要構造を説明するために供する断面
図である。ここでは、図を明確化するため、図中断面を
表す斜線の一部を省略して示す。
【００１９】この被制御受動モード同期部１００は、第
１利得領域（II）と、第１利得領域（II）の一端に設け
られた第１受動導波路領域（Ｉ）と、第１利得領域（I
I）の他端に設けられた可飽和吸収領域（III)と、この
可飽和吸収領域（III)に連接して設けられた第２受動導
波路領域（IV）とを具えている。この発明の半導体パル
スレーザ装置は、被制御受動モード同期部１００の第２
受動導波路領域（IV）側に一体化形成された制御発振部
２００とをそれぞれ共通の基板１０上に具えて単一の光
素子として形成されている。尚、ここでは、被制御受動
モード同期部１００をスレーブレーザと称し、制御発振
部２００をマスターレーザと称する。また、第１および
第２受動導波路領域（ＩおよびIV）を、ここでは第１分
布帰還領域（ＤＢＲ領域）および第２分布帰還領域（Ｄ
ＢＲ領域）とも称する。
１利得領域（II）と、第１利得領域（II）の一端に設け
られた第１受動導波路領域（Ｉ）と、第１利得領域（I
I）の他端に設けられた可飽和吸収領域（III)と、この
可飽和吸収領域（III)に連接して設けられた第２受動導
波路領域（IV）とを具えている。この発明の半導体パル
スレーザ装置は、被制御受動モード同期部１００の第２
受動導波路領域（IV）側に一体化形成された制御発振部
２００とをそれぞれ共通の基板１０上に具えて単一の光
素子として形成されている。尚、ここでは、被制御受動
モード同期部１００をスレーブレーザと称し、制御発振
部２００をマスターレーザと称する。また、第１および
第２受動導波路領域（ＩおよびIV）を、ここでは第１分
布帰還領域（ＤＢＲ領域）および第２分布帰還領域（Ｄ
ＢＲ領域）とも称する。
【００２０】また、マスターレーザ２００は、第２利得
領域（VI）と、当該第２利得領域（VI）の一端に設けら
れた第３受動導波路領域（Ｖ）と、第２利得領域（VI）
の他端に設けられた第４受動導波路領域（VII)とを以て
構成してある。尚、ここでは、第３および第４受動導波
路領域（ＶおよびVII)を第３ＤＢＲ領域および第４ＤＢ
Ｒ領域とも称する。
領域（VI）と、当該第２利得領域（VI）の一端に設けら
れた第３受動導波路領域（Ｖ）と、第２利得領域（VI）
の他端に設けられた第４受動導波路領域（VII)とを以て
構成してある。尚、ここでは、第３および第４受動導波
路領域（ＶおよびVII)を第３ＤＢＲ領域および第４ＤＢ
Ｒ領域とも称する。
【００２１】この実施の形態では、上述した各領域Ｉ〜
VII は、順次につながって設けられている。そして、ス
レーブレーザ１００の第１ＤＢＲ領域（Ｉ）は、基板
（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−ＩｎＰクラッド層１
１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、ＩｎＧａＡｓＰ受動
導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１８、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２０および第１ｐ側オーミック電極２２に
より構成されている。また、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８には、グレーティング（回折格子）１９が形成されて
いる。
VII は、順次につながって設けられている。そして、ス
レーブレーザ１００の第１ＤＢＲ領域（Ｉ）は、基板
（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−ＩｎＰクラッド層１
１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、ＩｎＧａＡｓＰ受動
導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１８、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２０および第１ｐ側オーミック電極２２に
より構成されている。また、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８には、グレーティング（回折格子）１９が形成されて
いる。
【００２２】また、スレーブレーザ１００の第１利得領
域（II）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１６、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第２ｐ側オーミッ
ク電極２４により構成されている。
域（II）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１６、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第２ｐ側オーミッ
ク電極２４により構成されている。
【００２３】また、スレーブレーザ１００の可飽和吸収
領域（III)は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層１６、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第３ｐ側オーミッ
ク電極２６により構成されている。すなわち、この実施
の形態では、第１利得領域（II）と可飽和吸収領域（II
I)とは同一構成としてある。また、可飽和吸収領域（II
I)は、マスターレーザ２００からの光パルスによる変調
をより有効的に受光できるように、できるだけマスター
レーザ２００に近接した領域に設けてある。従って、こ
の実施の形態では、可飽和吸収領域（III)を第１利得領
域（II）と第２ＤＢＲ領域（IV）との間に設けてある。
領域（III)は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層１６、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第３ｐ側オーミッ
ク電極２６により構成されている。すなわち、この実施
の形態では、第１利得領域（II）と可飽和吸収領域（II
I)とは同一構成としてある。また、可飽和吸収領域（II
I)は、マスターレーザ２００からの光パルスによる変調
をより有効的に受光できるように、できるだけマスター
レーザ２００に近接した領域に設けてある。従って、こ
の実施の形態では、可飽和吸収領域（III)を第１利得領
域（II）と第２ＤＢＲ領域（IV）との間に設けてある。
【００２４】また、スレーブレーザ１００の第２ＤＢＲ
領域（IV）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層１８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第４ｐ側オ
ーミック電極２８により構成されている。また、ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層１８には、グレーティング１９が形成
されている。尚、この実施の形態では、上述した第１Ｄ
ＢＲ領域（Ｉ）と第２ＤＢＲ領域（IV）とは同一構成と
してある。
領域（IV）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層１８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第４ｐ側オ
ーミック電極２８により構成されている。また、ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層１８には、グレーティング１９が形成
されている。尚、この実施の形態では、上述した第１Ｄ
ＢＲ領域（Ｉ）と第２ＤＢＲ領域（IV）とは同一構成と
してある。
【００２５】一方、マスターレーザ２００の第３ＤＢＲ
領域（Ｖ）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層１８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第５ｐ側オ
ーミック電極３０により構成されている。また、ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層１８には、グレーティング１９が形成
されている。
領域（Ｖ）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層１８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第５ｐ側オ
ーミック電極３０により構成されている。また、ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層１８には、グレーティング１９が形成
されている。
【００２６】また、マスターレーザ２００の第２利得領
域（VI）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１６、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第６ｐ側オーミッ
ク電極３２により構成されている。尚、この実施の形態
では、第２利得領域（VI）と第１利得領域（II）とは、
同一構成としてある。
域（VI）は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−Ｉ
ｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層１６、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１
８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第６ｐ側オーミッ
ク電極３２により構成されている。尚、この実施の形態
では、第２利得領域（VI）と第１利得領域（II）とは、
同一構成としてある。
【００２７】また、マスターレーザ２００の第４ＤＢＲ
領域（VII)は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層１８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第７ｐ側オ
ーミック電極３４により構成されている。また、ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層１８には、グレーティング１９が形成
されている。尚、この実施の形態では、第４ＤＢＲ領域
（VII)と第３ＤＢＲ領域（Ｖ）とは同一構成としてあ
る。
領域（VII)は、基板（ｎ−ＩｎＰ基板）１０を含むｎ−
ＩｎＰクラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２、
ＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４、ＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層１８、ｐ−ＩｎＰクラッド層２０および第７ｐ側オ
ーミック電極３４により構成されている。また、ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層１８には、グレーティング１９が形成
されている。尚、この実施の形態では、第４ＤＢＲ領域
（VII)と第３ＤＢＲ領域（Ｖ）とは同一構成としてあ
る。
【００２８】また、基板１０の裏面には、ｎ側オーミッ
ク電極３６が設けられている。さらに、スレーブレーザ
１００の出射端面３７には、反射防止膜３８が設けられ
ており、マスターレーザ２００の端面３９には反射防止
膜４０が設けられている。
ク電極３６が設けられている。さらに、スレーブレーザ
１００の出射端面３７には、反射防止膜３８が設けられ
ており、マスターレーザ２００の端面３９には反射防止
膜４０が設けられている。
【００２９】このように、反射防止膜３８および４０を
設けることにより、マスターレーザ２００の制御光パル
スがスレーブレーザ１００の出射端面３７で戻り光とな
るのを防止し、かつマスターレーザ２００の一方からの
戻り光を防止することができる。
設けることにより、マスターレーザ２００の制御光パル
スがスレーブレーザ１００の出射端面３７で戻り光とな
るのを防止し、かつマスターレーザ２００の一方からの
戻り光を防止することができる。
【００３０】この実施の形態では、第１および第２ＤＢ
Ｒ領域（ＩおよびIV）のグレーティング（回折格子）１
９のピッチを同一ピッチとし、第３および第４ＤＢＲ領
域（ＶおよびVII)の回折格子１９のピッチを同一ピッチ
としてあり、かつ、第１および第２ＤＢＲ領域（Ｉおよ
びIV）の回折格子のピッチと第３および第４ＤＢＲ領域
（ＶおよびVII)の回折格子のピッチとを変えてある。こ
のような回折格子１９を形成することにより、部分的に
反射された光の波長の位相を全て揃えることができる。
従って、それぞれの第１、第２、第３および第４ＤＢＲ
領域（Ｉ、IV、ＶおよびVII)では、電流注入を行った場
合、周波数は、周期構造のピッチにより等価的に変えら
れて、選択波長が可能となる。
Ｒ領域（ＩおよびIV）のグレーティング（回折格子）１
９のピッチを同一ピッチとし、第３および第４ＤＢＲ領
域（ＶおよびVII)の回折格子１９のピッチを同一ピッチ
としてあり、かつ、第１および第２ＤＢＲ領域（Ｉおよ
びIV）の回折格子のピッチと第３および第４ＤＢＲ領域
（ＶおよびVII)の回折格子のピッチとを変えてある。こ
のような回折格子１９を形成することにより、部分的に
反射された光の波長の位相を全て揃えることができる。
従って、それぞれの第１、第２、第３および第４ＤＢＲ
領域（Ｉ、IV、ＶおよびVII)では、電流注入を行った場
合、周波数は、周期構造のピッチにより等価的に変えら
れて、選択波長が可能となる。
【００３１】また、ここでは、第１、第２、第３および
第４ＤＢＲ領域の受動導波路層１４のバンド・ギャップ
波長を、第１および第２利得領域の活性層１６のバンド
・ギャップ波長よりも短くしてある。このため、第１お
よび第２利得領域（IIおよびVI）で発振した光を、第
１、第２、第３および第４ＤＢＲ領域（Ｉ、IV、Ｖおよ
びVII)で光を吸収させずに、伝播させることができる。
従って、第１、第２、第３および第４ＤＢＲ領域での伝
搬損失を小さくすることができる。また、各領域間は、
電気的に十分なアイソレーションを持たせてあり、それ
ぞれの領域間で光の干渉効果が生じないように構成され
ている。
第４ＤＢＲ領域の受動導波路層１４のバンド・ギャップ
波長を、第１および第２利得領域の活性層１６のバンド
・ギャップ波長よりも短くしてある。このため、第１お
よび第２利得領域（IIおよびVI）で発振した光を、第
１、第２、第３および第４ＤＢＲ領域（Ｉ、IV、Ｖおよ
びVII)で光を吸収させずに、伝播させることができる。
従って、第１、第２、第３および第４ＤＢＲ領域での伝
搬損失を小さくすることができる。また、各領域間は、
電気的に十分なアイソレーションを持たせてあり、それ
ぞれの領域間で光の干渉効果が生じないように構成され
ている。
【００３２】また、第１、第２、第３および第４ＤＢＲ
領域（Ｉ、IV、ＶおよびVII)と第１および第２利得領域
（IIおよびVI）には、電流注入するための第１、第２、
第４、第５、第６および第７ｐ側オーミック電極（２
２、２４、２８、３０、３２および３４）を設けてあ
る。また、可飽和吸収領域（III)には逆バイアス電圧を
印加するための第３ｐ側オーミック電極２６を設けてい
る。
領域（Ｉ、IV、ＶおよびVII)と第１および第２利得領域
（IIおよびVI）には、電流注入するための第１、第２、
第４、第５、第６および第７ｐ側オーミック電極（２
２、２４、２８、３０、３２および３４）を設けてあ
る。また、可飽和吸収領域（III)には逆バイアス電圧を
印加するための第３ｐ側オーミック電極２６を設けてい
る。
【００３３】上述したように、この実施の形態では、ス
レーブレーザ１００とマスターレーザ２００とを共通の
基板１０上に集積化して形成してあるので、従来に比
べ、装置自体をコンパクトにすることができる。また、
両者を一体化形成してあるので、従来のように、光特性
毎に光学結合を調整する必要がなくなり、作業効率が著
しく向上する。
レーブレーザ１００とマスターレーザ２００とを共通の
基板１０上に集積化して形成してあるので、従来に比
べ、装置自体をコンパクトにすることができる。また、
両者を一体化形成してあるので、従来のように、光特性
毎に光学結合を調整する必要がなくなり、作業効率が著
しく向上する。
【００３４】また、両者を直接結合してあるので、マス
ターレーザ２００で発振する制御光パルス信号をスレー
ブレーザ１００に注入する際に、光強度損失や偏波面の
変動がなくなるため、効率良くスレーブレーザの出射端
面から出力光パルスを出力させることができ、かつ動作
も安定する。
ターレーザ２００で発振する制御光パルス信号をスレー
ブレーザ１００に注入する際に、光強度損失や偏波面の
変動がなくなるため、効率良くスレーブレーザの出射端
面から出力光パルスを出力させることができ、かつ動作
も安定する。
【００３５】［半導体パルスレーザ装置の製造方法］次
に、図１を参照して、この発明の半導体パルスレーザ装
置の製造方法につき簡単に説明する。
に、図１を参照して、この発明の半導体パルスレーザ装
置の製造方法につき簡単に説明する。
【００３６】この実施の形態では、共通の基板１０とし
て、例えばｎ−ＩｎＰ基板を用いる。この基板１０上
に、有機気相成長（ＭＯＶＣＤ）法を用いてｎ−ＩｎＰ
クラッド層１１を形成する。次に、ＭＯＶＣＤ法を用い
て、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２を形成し、選択成長法
を用いて、ガイド層１２上にＩｎＧａＡｓＰ活性層１６
とＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４とを成長させる。続
いて、活性層１６および受動導波路層１４上に、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いてＩｎＧａＡｓＰガイド層１８を形成す
る。その後、このガイド層１８の上面にグレーティング
１９を形成する。
て、例えばｎ−ＩｎＰ基板を用いる。この基板１０上
に、有機気相成長（ＭＯＶＣＤ）法を用いてｎ−ＩｎＰ
クラッド層１１を形成する。次に、ＭＯＶＣＤ法を用い
て、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１２を形成し、選択成長法
を用いて、ガイド層１２上にＩｎＧａＡｓＰ活性層１６
とＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層１４とを成長させる。続
いて、活性層１６および受動導波路層１４上に、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いてＩｎＧａＡｓＰガイド層１８を形成す
る。その後、このガイド層１８の上面にグレーティング
１９を形成する。
【００３７】次に、グレーティング１９を含むガイド層
１８上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてｐ−ＩｎＰクラッド層
２０を形成する。
１８上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてｐ−ＩｎＰクラッド層
２０を形成する。
【００３８】次に、例えばＣＶＤ法を用いてｐ−ＩｎＰ
クラッド層２０上に、ｐ側オーミック電極予備膜（図示
せず）を形成する。その後、ホトリソグラフィ技術を用
いてｐ側オーミック電極予備膜をエッチングして、第
１、第２、第３、第４、第５、第６および第７ｐ側オー
ミック電極２２、２４、２６、２８、３０、３２および
３４を形成する。
クラッド層２０上に、ｐ側オーミック電極予備膜（図示
せず）を形成する。その後、ホトリソグラフィ技術を用
いてｐ側オーミック電極予備膜をエッチングして、第
１、第２、第３、第４、第５、第６および第７ｐ側オー
ミック電極２２、２４、２６、２８、３０、３２および
３４を形成する。
【００３９】次に、例えばＣＶＤ法を用いて、基板１０
の裏面にｎ側オーミック電極３６を形成する。
の裏面にｎ側オーミック電極３６を形成する。
【００４０】さらに、スレーブレーザ１００の出射端面
３７側に、例えばＣＶＤ法を用いて、反射防止膜３８を
形成し、一方、マスターレーザ２００の端面３９側にも
反射防止膜４０を形成する。ここでは、反射防止膜３８
および４０を例えばＳｉＯ2ガラスとする。
３７側に、例えばＣＶＤ法を用いて、反射防止膜３８を
形成し、一方、マスターレーザ２００の端面３９側にも
反射防止膜４０を形成する。ここでは、反射防止膜３８
および４０を例えばＳｉＯ2ガラスとする。
【００４１】［半導体パルスレーザ装置の動作説明］次
に、図２を参照して、この発明の半導体パルスレーザ装
置の動作につき説明する。
に、図２を参照して、この発明の半導体パルスレーザ装
置の動作につき説明する。
【００４２】スレーブレーザ１００の第３ｐ側オーミッ
ク電極２６には、直流電圧源５０が接続されている。ま
た、第１、第２および第４ｐ側オーミック電極２２、２
４、および２８には、直流電流源５２、５４および５６
が接続されている。
ク電極２６には、直流電圧源５０が接続されている。ま
た、第１、第２および第４ｐ側オーミック電極２２、２
４、および２８には、直流電流源５２、５４および５６
が接続されている。
【００４３】一方、マスターレーザ２００の第５、第６
および第７ｐ側オーミック電極３０、３２および３４
は、直流電流源５８、６０および６２が接続されてい
る。また、第６ｐ側オーミック電極３２に接続された直
流電流源６０には、当該直流電流源６０と直列に変調電
圧源６４が接続されている。そして、それぞれの電圧源
５０および電流源（５２、５４、５６、５８、６０およ
び６２）は、共通線６６に接続され、また、この共通線
６６は、アース６８に接続されている。
および第７ｐ側オーミック電極３０、３２および３４
は、直流電流源５８、６０および６２が接続されてい
る。また、第６ｐ側オーミック電極３２に接続された直
流電流源６０には、当該直流電流源６０と直列に変調電
圧源６４が接続されている。そして、それぞれの電圧源
５０および電流源（５２、５４、５６、５８、６０およ
び６２）は、共通線６６に接続され、また、この共通線
６６は、アース６８に接続されている。
【００４４】この半導体パルスレーザ装置を動作させる
場合は、まず、マスターレーザ２００の第２利得領域
（VI）に直流電流源および変調電圧源６０および６４か
ら電気的変調を加えて能動モード同期を起こさせる。す
なわち、第２利得領域（VI）に変調電圧を注入すると、
活性層１６で発振してレーザ光を生じる。このレーザ光
が第３および第４ＤＢＲ領域（ＶおよびVII)の受動導波
路層１４に入射され、所定の周回周波数の周期を持った
制御光パルスが生成される。尚、ここで、周回周波数
（または繰り返し周波数）は、第２利得領域（VI）の長
さと、第３および第４ＤＢＲ領域（ＶおよびVII)の実効
進入長の長さとの和（Ｍ）で決まる。
場合は、まず、マスターレーザ２００の第２利得領域
（VI）に直流電流源および変調電圧源６０および６４か
ら電気的変調を加えて能動モード同期を起こさせる。す
なわち、第２利得領域（VI）に変調電圧を注入すると、
活性層１６で発振してレーザ光を生じる。このレーザ光
が第３および第４ＤＢＲ領域（ＶおよびVII)の受動導波
路層１４に入射され、所定の周回周波数の周期を持った
制御光パルスが生成される。尚、ここで、周回周波数
（または繰り返し周波数）は、第２利得領域（VI）の長
さと、第３および第４ＤＢＲ領域（ＶおよびVII)の実効
進入長の長さとの和（Ｍ）で決まる。
【００４５】このとき、周回周波数の繰り返し周期Ｔ2
を、出力光パルスの周回周波数の繰り返し周期Ｔ1 の整
数倍にするのが良い。すなわち、ここでは、周回周波数
の繰り返し周期Ｔ2 をＴ2 ＝ｍ×Ｔ1 とする。但し、ｍ
は整数とする。続いて、制御光パルスをスレーブレーザ
１００に注入する。
を、出力光パルスの周回周波数の繰り返し周期Ｔ1 の整
数倍にするのが良い。すなわち、ここでは、周回周波数
の繰り返し周期Ｔ2 をＴ2 ＝ｍ×Ｔ1 とする。但し、ｍ
は整数とする。続いて、制御光パルスをスレーブレーザ
１００に注入する。
【００４６】一方、第１利得領域（II）に直流電流源５
４から直流電流を注入する。また、可飽和吸収領域（II
I)に直流電圧源５０から逆バイアス電圧を印加する。こ
のとき、第１利得領域（II）で発振した光は、第１ＤＢ
Ｒ領域（Ｉ）、可飽和吸収領域（III)および第２ＤＢＲ
領域（IV）に伝搬される。このとき、マスターレーザ２
００の第２利得領域（VI）で発振した発振波長は、第１
および第２ＤＢＲ領域の受動導波路層１４を透過する。
マスターレーザ２００で発振した制御光パルスがスレー
ブレーザ１００に効率良く注入され、注入された制御光
パルスが可飽和吸収領域（III)に伝播される。この制御
光パルスは、スレーブレーザ１００で受動同期モードさ
れてスレーブレーザ１００の出射端面３７から出力光パ
ルス（ＯＰ）を出力する。
４から直流電流を注入する。また、可飽和吸収領域（II
I)に直流電圧源５０から逆バイアス電圧を印加する。こ
のとき、第１利得領域（II）で発振した光は、第１ＤＢ
Ｒ領域（Ｉ）、可飽和吸収領域（III)および第２ＤＢＲ
領域（IV）に伝搬される。このとき、マスターレーザ２
００の第２利得領域（VI）で発振した発振波長は、第１
および第２ＤＢＲ領域の受動導波路層１４を透過する。
マスターレーザ２００で発振した制御光パルスがスレー
ブレーザ１００に効率良く注入され、注入された制御光
パルスが可飽和吸収領域（III)に伝播される。この制御
光パルスは、スレーブレーザ１００で受動同期モードさ
れてスレーブレーザ１００の出射端面３７から出力光パ
ルス（ＯＰ）を出力する。
【００４７】このときの出力光パルスの周回周波数の繰
り返し周期Ｔ1 は、第１利得領域（II）の活性層１６の
長さ、第１および第２ＤＢＲ領域（ＩおよびIV）の受動
導波路層１４の実効進入長との和（Ｌ）で決まる。すな
わち、この例では、スレーブレーザの周回周波数の繰り
返し周期Ｔ1 は、（１）式で表される。
り返し周期Ｔ1 は、第１利得領域（II）の活性層１６の
長さ、第１および第２ＤＢＲ領域（ＩおよびIV）の受動
導波路層１４の実効進入長との和（Ｌ）で決まる。すな
わち、この例では、スレーブレーザの周回周波数の繰り
返し周期Ｔ1 は、（１）式で表される。
【００４８】Ｔ1 ＝２ηg Ｌ／ｃ・・・・・（１） 但し、ηg は、第１および第２ＤＢＲ領域の実効屈折
率、Ｌは、共振器の長さ（スレーブレーザの導波路
長）、ｃは、光速（３．０×１０8 ｍ／秒）とする。
率、Ｌは、共振器の長さ（スレーブレーザの導波路
長）、ｃは、光速（３．０×１０8 ｍ／秒）とする。
【００４９】次に、図３を参照して、半導体パルスレー
ザ装置の反射率特性につき説明する。尚、図３は、スレ
ーブレーザとマスターレーザの光電力の反射率特性を説
明するための図である。図中、横軸に波長（μｍ）を取
り、縦軸に光電力の反射率（Ｒ）を取って示す。
ザ装置の反射率特性につき説明する。尚、図３は、スレ
ーブレーザとマスターレーザの光電力の反射率特性を説
明するための図である。図中、横軸に波長（μｍ）を取
り、縦軸に光電力の反射率（Ｒ）を取って示す。
【００５０】このような反射率特性から各領域の波長の
デチューニングを計算で算出することができる。そし
て、このデチューニングから時間ジッタの安定性を知る
ことができる。
デチューニングを計算で算出することができる。そし
て、このデチューニングから時間ジッタの安定性を知る
ことができる。
【００５１】まず、文献IIに開示された回折格子の反射
率の式を用いて、スレーブレーザ１００とマスターレー
ザ２００の反射率を計算する。このとき用いた計算式
は、（２）式とする（文献II：半導体レーザと光集積回
路、オーム社、昭和５９年発行，ｐ．３２７）。
率の式を用いて、スレーブレーザ１００とマスターレー
ザ２００の反射率を計算する。このとき用いた計算式
は、（２）式とする（文献II：半導体レーザと光集積回
路、オーム社、昭和５９年発行，ｐ．３２７）。
【００５２】
【数１】
【００５３】ここでは、各パラメータを以下のように設
定した。すなわち、スレーブレーザ１００の回折格子１
９に対しては、ブラッグ波長λBAをλBA＝１．５５０μ
ｍ、第１および第２ＤＢＲ領域の長さＬBAをＬBA＝２０
０μｍ、結合係数κA をκA＝３０ｃｍ-1、損失係数α
A をαA ＝１０ｃｍ-1とし、マスターレーザ２００の回
折格子１９に対しては、ブラッグ波長λBBをλBB＝１．
５４７μｍ、第３および第４ＤＢＲ領域の長さＬBBをＬ
BB＝３００μｍ、結合係数κB をκB ＝２０ｃｍ-1、損
失係数αB をαB ＝１０ｃｍ-1とする。
定した。すなわち、スレーブレーザ１００の回折格子１
９に対しては、ブラッグ波長λBAをλBA＝１．５５０μ
ｍ、第１および第２ＤＢＲ領域の長さＬBAをＬBA＝２０
０μｍ、結合係数κA をκA＝３０ｃｍ-1、損失係数α
A をαA ＝１０ｃｍ-1とし、マスターレーザ２００の回
折格子１９に対しては、ブラッグ波長λBBをλBB＝１．
５４７μｍ、第３および第４ＤＢＲ領域の長さＬBBをＬ
BB＝３００μｍ、結合係数κB をκB ＝２０ｃｍ-1、損
失係数αB をαB ＝１０ｃｍ-1とする。
【００５４】図３の計算結果から理解できるように、ス
レーブレーザの反射率最大ピークＲ１の発振波長は、
１．５５０μｍとなり、マスターレーザの反射率最大ピ
ークＲ２の発振波長は、１．５４６μｍとなる。
レーブレーザの反射率最大ピークＲ１の発振波長は、
１．５５０μｍとなり、マスターレーザの反射率最大ピ
ークＲ２の発振波長は、１．５４６μｍとなる。
【００５５】従って、スレーブレーザの発振波長とマス
ターレーザの発振波長とをデチューニングさせて同期を
とると、 発振波長のデチューニング＝１．５４６−１．５５＝−
０．００４（μｍ） となる。
ターレーザの発振波長とをデチューニングさせて同期を
とると、 発振波長のデチューニング＝１．５４６−１．５５＝−
０．００４（μｍ） となる。
【００５６】このように、発振波長が短波（マイナス）
側にデチューニングさせると、周知の通り（文献III ：
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,VOL.8,No.2,FEB
1996，pp．191 〜193 ）、比較的安定した時間ジッタを
示すので、スレーブレーザ１００の出射端面３７から時
間ジッタの小さい安定した出力光パルスを出力させるこ
とが可能となる。従って、時間ジッタに関してはこの発
明の半導体パルスレーザ装置を用いても実質的に従来と
同等な特性を得ることができる。
側にデチューニングさせると、周知の通り（文献III ：
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,VOL.8,No.2,FEB
1996，pp．191 〜193 ）、比較的安定した時間ジッタを
示すので、スレーブレーザ１００の出射端面３７から時
間ジッタの小さい安定した出力光パルスを出力させるこ
とが可能となる。従って、時間ジッタに関してはこの発
明の半導体パルスレーザ装置を用いても実質的に従来と
同等な特性を得ることができる。
【００５７】上述した実施の形態では、共通の基板の材
料として、ＩｎＰ系基板を用いて素子を構成したが、何
らこの材料に限定されるものではなく、例えばＧａＡｓ
系の基板を用いて素子を構成しても良い。
料として、ＩｎＰ系基板を用いて素子を構成したが、何
らこの材料に限定されるものではなく、例えばＧａＡｓ
系の基板を用いて素子を構成しても良い。
【００５８】また、マスターレーザ２００には、能動モ
ード同期による光パルス発生方法を採用したが、能動モ
ード同期の代わりに、Ｑスイッチとか可飽和吸収領域に
変調電圧を印加するハイブリッド受動モード同期によっ
て出力光パルスを生成しても良い。
ード同期による光パルス発生方法を採用したが、能動モ
ード同期の代わりに、Ｑスイッチとか可飽和吸収領域に
変調電圧を印加するハイブリッド受動モード同期によっ
て出力光パルスを生成しても良い。
【００５９】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の半導体パルスレーザによれば、第１利得領域と、
第１利得領域の一端に設けられた第１受動導波路領域
と、第１利得領域の他端に設けられた可飽和吸収領域
と、可飽和吸収領域に連接して設けられた第２受動導波
路領域とからなる被制御受動モード同期部と、被制御受
動モード同期部の第２受動導波路領域側に一体化形成さ
れた制御発振部とをそれぞれ共通の基板上に具えて単一
の光素子として形成しているので、装置を従来に比べ、
コンパクトにできる。また、被制御受動モード同期部と
制御発振部とは一体化構造にして形成してあるので、光
学結合の調整が従来に比べ、容易となる。また、両者の
結合効率も向上する。また、制御発振部からの制御光パ
ルスを被制御受動モード後期部に注入する際に、両者が
直接結合されているので、光強度の損失や偏波面による
動作の変動も軽減される。
発明の半導体パルスレーザによれば、第１利得領域と、
第１利得領域の一端に設けられた第１受動導波路領域
と、第１利得領域の他端に設けられた可飽和吸収領域
と、可飽和吸収領域に連接して設けられた第２受動導波
路領域とからなる被制御受動モード同期部と、被制御受
動モード同期部の第２受動導波路領域側に一体化形成さ
れた制御発振部とをそれぞれ共通の基板上に具えて単一
の光素子として形成しているので、装置を従来に比べ、
コンパクトにできる。また、被制御受動モード同期部と
制御発振部とは一体化構造にして形成してあるので、光
学結合の調整が従来に比べ、容易となる。また、両者の
結合効率も向上する。また、制御発振部からの制御光パ
ルスを被制御受動モード後期部に注入する際に、両者が
直接結合されているので、光強度の損失や偏波面による
動作の変動も軽減される。
【図１】この発明の半導体パルスレーザ装置の主要構造
を説明するために供する断面図である。
を説明するために供する断面図である。
【図２】この発明の半導体パルスレーザ装置の動作を説
明するために供する構成図である。
明するために供する構成図である。
【図３】制御発振領域および被制御受動モード同期領域
の波長に対する反射率特性を説明するために供する図で
ある。
の波長に対する反射率特性を説明するために供する図で
ある。
１０：ｎ−ＩｎＰ基板 １１：ｎ−ＩｎＰクラッド層 １２、１８：ＩｎＧａＡｓＰガイド層 １４：ＩｎＧａＡｓＰ受動導波路層 １６：ＩｎＧａＡｓＰ活性層 １９：グレーティング ２０：ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２２：第１ｐ側オーミック電極 ２４：第２ｐ側オーミック電極 ２６：第３ｐ側オーミック電極 ２８：第４ｐ側オーミック電極 ３０：第５ｐ側オーミック電極 ３２：第６ｐ側オーミック電極 ３４：第７ｐ側オーミック電極 ３６：ｎ側オーミック電極 ３７：出射端面 ３８、４０：反射防止膜 ３９：端面 ５０：直流電圧源 ５２、５４、５６、５８、６０、６２：直流電流源 ６４：変調電圧源 ６６：共通線 ６８：アース １００：スレーブレーザ ２００：マスターレーザ Ｉ：第１ＤＢＲ領域 II：第１利得領域 III:可飽和吸収領域 IV：第２ＤＢＲ領域 Ｖ：第３ＤＢＲ領域 VI：第２利得領域 VII:第４ＤＢＲ領域
Claims (3)
- 【請求項１】 第１利得領域と、該第１利得領域の一端
に設けられた第１受動導波路領域と、前記第１利得領域
の他端に設けられた可飽和吸収領域と、該可飽和吸収領
域に連接して設けられた第２受動導波路領域とからなる
被制御受動モード同期部と、 該被制御受動モード同期部の第２受動導波路領域側に一
体化形成された制御発振部とをそれぞれ共通の基板上に
具えて単一の光素子として形成されていることを特徴と
する半導体パルスレーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体パルスレーザ装
置において、前記制御発振部は、第２利得領域と、該第
２利得領域の一端に設けられた第３受動導波路領域と、
前記第２利得領域の他端に設けられた第４受動導波路領
域とを以て構成してあることを特徴とする半導体パルス
レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体パルス
レーザ装置において、前記第１および第２受動導波路領
域の実効屈折率と前記第３および第４受動導波路領域の
実効屈折率とを変えて構成してあることを特徴とする半
導体パルスレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30840597A JPH11145554A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 半導体パルスレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30840597A JPH11145554A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 半導体パルスレーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145554A true JPH11145554A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17980674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30840597A Withdrawn JPH11145554A (ja) | 1997-11-11 | 1997-11-11 | 半導体パルスレーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145554A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580734B1 (en) | 1999-07-07 | 2003-06-17 | Cyoptics Ltd. | Laser wavelength stabilization |
| US6625192B2 (en) | 2000-01-20 | 2003-09-23 | Cyoptics (Israel) Ltd. | High repetition rate optical pulse generator |
| US6862136B2 (en) | 2002-01-31 | 2005-03-01 | Cyoptics Ltd. | Hybrid optical transmitter with electroabsorption modulator and semiconductor optical amplifier |
| WO2005076422A1 (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | モード同期レーザ光源およびこれを用いたマルチキャリア光源 |
| JP2007042737A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JP2007234868A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | モード同期半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2007306483A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | クロック伝送装置 |
| JP2020010345A (ja) * | 2016-04-12 | 2020-01-16 | ケーブル テレビジョン ラボラトリーズ，インク． | ファイバ通信システム及び方法 |
-
1997
- 1997-11-11 JP JP30840597A patent/JPH11145554A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
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