JPS63122188A - 光半導体装置 - Google Patents
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- JPS63122188A JPS63122188A JP61267523A JP26752386A JPS63122188A JP S63122188 A JPS63122188 A JP S63122188A JP 61267523 A JP61267523 A JP 61267523A JP 26752386 A JP26752386 A JP 26752386A JP S63122188 A JPS63122188 A JP S63122188A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 48
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 17
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザを含む光半導体素子に係わり、特
に線幅の狭幅化に適した構造に関する。
に線幅の狭幅化に適した構造に関する。
半導体レーザと光導波路を同一３板上に集積化した報告
例松田他、ジェー・アプライドフィジックス・レター第
４６巻（１９８５年）第１０２８頁（Ｋ、Ｍａｔｓｕｄ
ａ ｏｆ ａｌ Ｊ 鞠Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ
４６（１９ａ５） ｐ １０２ｇ）参照や、ＤＦＢレ
ーザまたはＦＰ型レーザとミラーまたはグレーティング
を用いた外部共振器を結合した報告例（昭和５０年秋季
応用物理学会講演予稿集ｐ１７３． ＩＰ−Ｍ−９゜参
照）がある。
例松田他、ジェー・アプライドフィジックス・レター第
４６巻（１９８５年）第１０２８頁（Ｋ、Ｍａｔｓｕｄ
ａ ｏｆ ａｌ Ｊ 鞠Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ
４６（１９ａ５） ｐ １０２ｇ）参照や、ＤＦＢレ
ーザまたはＦＰ型レーザとミラーまたはグレーティング
を用いた外部共振器を結合した報告例（昭和５０年秋季
応用物理学会講演予稿集ｐ１７３． ＩＰ−Ｍ−９゜参
照）がある。
また、従来より、外部共振器と半導体レーザを結合する
ことによって、半導体レーザのスペクトルに線幅を狭帯
化する試みがなされている。狭帯化率Δｆ／Δｆｏは、
エレクトロニクスレターズ１８巻、１０〜１２頁（１９
８２年） （Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ、 Ｖｏｌ、 １
８ （１９８２） ｐ１０〜１２）に大蛇らにより論じ
られており、次式で与えられる。
ことによって、半導体レーザのスペクトルに線幅を狭帯
化する試みがなされている。狭帯化率Δｆ／Δｆｏは、
エレクトロニクスレターズ１８巻、１０〜１２頁（１９
８２年） （Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔ、 Ｖｏｌ、 １
８ （１９８２） ｐ１０〜１２）に大蛇らにより論じ
られており、次式で与えられる。
Δ ｆｌ
ここでγはレーザ部における光子寿命、τは帰還遅延時
間、ηは電力反射率である。
間、ηは電力反射率である。
上式の物理的意味は、レーザ内部の発振状態に対し、光
を遅延帰還させることにより以前の発振波長で周波数を
固定化することによってスペクトルの狭帯化を図ること
である。
を遅延帰還させることにより以前の発振波長で周波数を
固定化することによってスペクトルの狭帯化を図ること
である。
分布帰還型（ＤＦＢ）レーザにこのような光帰還を行な
った例は、エレクトロニクスレターズ２１巻、６５５〜
６５６頁（１９８５年）（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔ、 Ｖｏｌ、 ２１ （１９８５） ｐ６５５〜
６５６）に、Ｔ、Ｐ、Ｌｅｅらにより論じられており、
位相制御された光の遅延帰還が狭幅化に有効であること
が示されている。
った例は、エレクトロニクスレターズ２１巻、６５５〜
６５６頁（１９８５年）（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔ、 Ｖｏｌ、 ２１ （１９８５） ｐ６５５〜
６５６）に、Ｔ、Ｐ、Ｌｅｅらにより論じられており、
位相制御された光の遅延帰還が狭幅化に有効であること
が示されている。
前記報告例においては半導体レーザはＦＰ型であるため
多モードが選択される。また、導波路部も多モードが選
択される構造となっている。そのため、レーザと導波路
部の相互作用により特定の一本のモードが選択されるが
、その動作領域が狭い点が問題である。
多モードが選択される。また、導波路部も多モードが選
択される構造となっている。そのため、レーザと導波路
部の相互作用により特定の一本のモードが選択されるが
、その動作領域が狭い点が問題である。
また、モードの選択性は強いものの、外部共振器と半導
体レーザを光学的に結合させるため、結合効率が低く、
光学系の調整が難かしいという問題があった。
体レーザを光学的に結合させるため、結合効率が低く、
光学系の調整が難かしいという問題があった。
さらに上記従来技術では光帰還方式としてピエゾ素子に
接合した。セルフォックレンズとの結合を用いており、
光学軸合せや、固定方式が厄介であり、実用的な方法で
はなかった。そこで、レーザと帰還系の集積化された構
造が必要となるが。
接合した。セルフォックレンズとの結合を用いており、
光学軸合せや、固定方式が厄介であり、実用的な方法で
はなかった。そこで、レーザと帰還系の集積化された構
造が必要となるが。
集積化した場合には帰還系の大きさが限定されるため、
式（１）においてτが小さくなり、狭帯化には、電界反
射率ＪＴ）増大することが必要である。ところが、帰還
光量の大きな場合には、ＤＦＢレーザの発振モードが外
部共振器の効果により多モード化するため、線幅は１７
１０程度にしか減少しなかった。
式（１）においてτが小さくなり、狭帯化には、電界反
射率ＪＴ）増大することが必要である。ところが、帰還
光量の大きな場合には、ＤＦＢレーザの発振モードが外
部共振器の効果により多モード化するため、線幅は１７
１０程度にしか減少しなかった。
本発明の目的は、結合効率が高く、強い波長選択性を有
し、スペクトルの狭帯域化（狭幅化）の可能な集積化素
子構造の光半導体装置を提案することにある。
し、スペクトルの狭帯域化（狭幅化）の可能な集積化素
子構造の光半導体装置を提案することにある。
上記目的と実現するためには、強い波長選択性を有する
ＤＦＢレーザとグレーティング反射部を同一基板上に導
波路を介して結合することにより、また、半導体レーザ
部に、軸モードの安定化したレーザ構造を設けることに
より達成される。
ＤＦＢレーザとグレーティング反射部を同一基板上に導
波路を介して結合することにより、また、半導体レーザ
部に、軸モードの安定化したレーザ構造を設けることに
より達成される。
ＤＦＢレーザより出た光は同一基板上に形成された導波
路を介してグレーティング部に導かれる。
路を介してグレーティング部に導かれる。
レーザ光はグレーティング部に反射され導波路を介して
ＤＦＢレーザに戻される。この時、レーザとしての共振
器はレーザ部からグレーティング部におよぶため、共振
器長が２〜１０■と長くなりＱ値が増大する。その結果
、発振スペクトル幅がＤＦＢレーザ単体の場合に較べて
狭くなる。
ＤＦＢレーザに戻される。この時、レーザとしての共振
器はレーザ部からグレーティング部におよぶため、共振
器長が２〜１０■と長くなりＱ値が増大する。その結果
、発振スペクトル幅がＤＦＢレーザ単体の場合に較べて
狭くなる。
この構造において、導波路部やグレーティング部にキャ
リアを注入できる構造を加えれば、伝搬する光の位相を
変化させることができ、外部変調等の様々な機能が実現
できる。
リアを注入できる構造を加えれば、伝搬する光の位相を
変化させることができ、外部変調等の様々な機能が実現
できる。
本構造では、同一基板上にＤＦＢレーザ、導波路および
グレーティング部が形成されているため、光学系の調整
は不要であり、高い結合効率が容易に得られる。
グレーティング部が形成されているため、光学系の調整
は不要であり、高い結合効率が容易に得られる。
またＤＦＢレーザがＢｒａｇｇ波長あるいはそのごく近
傍で動作する場合には１次のモードとのしきい値利得差
が大きくなるため１強い光帰還が生じた場合に−おいて
も、帰還光の位相を調整しさえすれば安定した単一モー
ド発振状態が得られる。
傍で動作する場合には１次のモードとのしきい値利得差
が大きくなるため１強い光帰還が生じた場合に−おいて
も、帰還光の位相を調整しさえすれば安定した単一モー
ド発振状態が得られる。
−例として、λ／４シフト型ＤＦＢレーザに対し光帰還
を生ぜしめた時に生じる発振モードの計算例を第３図に
示す、外部復帰光の位相が調整された時の１発振モード
の伝搬定数δＬと、しきい値利得αＬの関係を示すもの
であり、計算は、レーザ部の規格化結合定数ＫＬ＝２、
外部共振器長Ｌａｘとレーザ部長りの比を１０として、
種々の電界反射率ｆＴに対し行なった。主モード（ｍ＝
ｏ） 。
を生ぜしめた時に生じる発振モードの計算例を第３図に
示す、外部復帰光の位相が調整された時の１発振モード
の伝搬定数δＬと、しきい値利得αＬの関係を示すもの
であり、計算は、レーザ部の規格化結合定数ＫＬ＝２、
外部共振器長Ｌａｘとレーザ部長りの比を１０として、
種々の電界反射率ｆＴに対し行なった。主モード（ｍ＝
ｏ） 。
と副モード（ｍ ＝±１）との発振利得差ΔαＬは（’
ｒ＝ｏ、１．ｏ、ａ、ｏ、ｓに対し、Ｃｘ）、０．２５
゜０．０７ と大きな差が生じており、高帰還時にも
安定した単一モード発振が得られることが明らかとなっ
た。（１）式によると、（Ｔ＝ｏ、５では、１／２００
〜１ ／ ５００程度の線幅狭幅化が期待できることに
なる。
ｒ＝ｏ、１．ｏ、ａ、ｏ、ｓに対し、Ｃｘ）、０．２５
゜０．０７ と大きな差が生じており、高帰還時にも
安定した単一モード発振が得られることが明らかとなっ
た。（１）式によると、（Ｔ＝ｏ、５では、１／２００
〜１ ／ ５００程度の線幅狭幅化が期待できることに
なる。
以下、本発明の一実施例を説明する。
実施例１
第１図を用いて説明する左側がＤ Ｆ’ Ｂ半導体レー
ザ、中央部が光導波路部、右側にグレーティング部を設
ける８本実施例に示した構造は、ｎ−ＩｎＰ基板１上に
、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２゜ＩｎＧａＡｓＰ活
性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＩｎＧａＡｇ層
５を成長した後に、半導体レーザ部以外の成長層を選択
エツチングにより除去し、その後、半導体レーザ部以外
に、ＩｎＧａＡｓＰガイド層６゜ｐ型ＩｎＰ層４、ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５を選択成長により成長し、
さらに全体をＢＨ構造にする。その後、光導波路部の上
のキャップ層とｐ型ＩｎＰ層を除去することにより得ら
れる８本実施例においては、活性層のホトルシネセンス
波長（λＰＬ）を１．５５μｍ、光導波路層６の組成を
λＰＬ＝１．２μｍとした０本構造によれば、半導体レ
ーザにより発生した光は光導波路層を通り、グレーティ
ング部で強い波長選択性を受け、半導体レーザに戻され
る。そのため、半導体レーザ単体の場合に較べ共振器長
が長くなるとともに強い波長選択性を有する。その結果
、全体のＱ値が大きくなり１発振スペクトル幅を狭くす
ることができる１例えば、半導体レーザの共振器長が３
００μｍの場合、そのスペクトル幅は出力３ｍＷ時で５
０ＭＨｚを程度であるが、本実施例により、２■の光導
波路および１ｆｆｉｌのグレーティング部を設けること
により、スペクトル幅を２ Ｍ Ｈｚとレーザ単体の場
合に較べ１／１０以下にすることができた。スペクトル
幅を十分に狭くするためには、半導体レーザの戻り光の
位相を制御する必要があるが、これは１層６にｐｎ接合
を通してキャリアを注入することにより１層６の屈折率
を変化させることにより容易に実現することができる。
ザ、中央部が光導波路部、右側にグレーティング部を設
ける８本実施例に示した構造は、ｎ−ＩｎＰ基板１上に
、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２゜ＩｎＧａＡｓＰ活
性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＩｎＧａＡｇ層
５を成長した後に、半導体レーザ部以外の成長層を選択
エツチングにより除去し、その後、半導体レーザ部以外
に、ＩｎＧａＡｓＰガイド層６゜ｐ型ＩｎＰ層４、ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５を選択成長により成長し、
さらに全体をＢＨ構造にする。その後、光導波路部の上
のキャップ層とｐ型ＩｎＰ層を除去することにより得ら
れる８本実施例においては、活性層のホトルシネセンス
波長（λＰＬ）を１．５５μｍ、光導波路層６の組成を
λＰＬ＝１．２μｍとした０本構造によれば、半導体レ
ーザにより発生した光は光導波路層を通り、グレーティ
ング部で強い波長選択性を受け、半導体レーザに戻され
る。そのため、半導体レーザ単体の場合に較べ共振器長
が長くなるとともに強い波長選択性を有する。その結果
、全体のＱ値が大きくなり１発振スペクトル幅を狭くす
ることができる１例えば、半導体レーザの共振器長が３
００μｍの場合、そのスペクトル幅は出力３ｍＷ時で５
０ＭＨｚを程度であるが、本実施例により、２■の光導
波路および１ｆｆｉｌのグレーティング部を設けること
により、スペクトル幅を２ Ｍ Ｈｚとレーザ単体の場
合に較べ１／１０以下にすることができた。スペクトル
幅を十分に狭くするためには、半導体レーザの戻り光の
位相を制御する必要があるが、これは１層６にｐｎ接合
を通してキャリアを注入することにより１層６の屈折率
を変化させることにより容易に実現することができる。
この位相制御のためのキャリア注入は、第２図に示すよ
うに光導波路部に行なっても良いし、あるいは。
うに光導波路部に行なっても良いし、あるいは。
光導波路部とグレーティング部の両方に行なっても良い
、また、第１図に示した実施例において。
、また、第１図に示した実施例において。
グレーティング部に電流を流し、キャリアを注入するこ
とにより、層６の屈折率を変化させることができ、レー
ザの発振波長に対しての戻り光量も変化させることがで
きる。その結果、層６に流す電流を変化させることによ
り、外部に取り出す光の量を変化させることができる。
とにより、層６の屈折率を変化させることができ、レー
ザの発振波長に対しての戻り光量も変化させることがで
きる。その結果、層６に流す電流を変化させることによ
り、外部に取り出す光の量を変化させることができる。
すなわち、グレーティング部に流す電流を変調すること
により、外部変調を行うことができる。
により、外部変調を行うことができる。
以上の実施例は、グレーティング部はレーザ構造を有し
ないが１本発明によれば、第３図に示したようにグレー
ティング部をレーザ構造としても良い、また、第３図に
おいて、光導波路部に電流を注入できる構造としても良
い。
ないが１本発明によれば、第３図に示したようにグレー
ティング部をレーザ構造としても良い、また、第３図に
おいて、光導波路部に電流を注入できる構造としても良
い。
また、上記実施例は波長１．５μｍで発振するＩｎＰ基
板上ＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザをレーザ部に有する場
合について説明したが１本発明は他の組成１例えば１．
３μｍ帯等の半導体レーザや、他の材料系、例えばＧａ
Ａｓ系等に対しても有効である。
板上ＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザをレーザ部に有する場
合について説明したが１本発明は他の組成１例えば１．
３μｍ帯等の半導体レーザや、他の材料系、例えばＧａ
Ａｓ系等に対しても有効である。
光出力の増大と共に１発振スペクトルが単一モード状態
、多モード状態をくりかえした。 ・発振モー
ドが単一・どなる光出力時には発振スペクトル線幅が狭
帯化し、光出力３ｍＷ時に、線幅が５００Ｋ）Ｔｙｉ１
度となった。光帰還部を切断したところ、線幅は５０
Ｍ Ｈｚ程度となったことを考慮すると、ＳＳＳ幅狭化
化率ほぼ１／１００と大きな効果が得られろことが確認
できた。
、多モード状態をくりかえした。 ・発振モー
ドが単一・どなる光出力時には発振スペクトル線幅が狭
帯化し、光出力３ｍＷ時に、線幅が５００Ｋ）Ｔｙｉ１
度となった。光帰還部を切断したところ、線幅は５０
Ｍ Ｈｚ程度となったことを考慮すると、ＳＳＳ幅狭化
化率ほぼ１／１００と大きな効果が得られろことが確認
できた。
また、光帰還部の導波層２６に電圧印圧、あるいは電流
注入を行うことで屈折率を変化させることによって帰還
光の位相を調整することが可能であり、いずれの光出力
値においても上記と同様に位相シフト部１２は必ずしも
レーザ部の中央近傍である必要はなく、先部ｍｌ−の大
きい時にはむしろ光帰還部側に近い方が安定な単一モー
ド発振が得られた。単一モード化及びスペクトル線幅の
狭帯化を図ることが出来た。
注入を行うことで屈折率を変化させることによって帰還
光の位相を調整することが可能であり、いずれの光出力
値においても上記と同様に位相シフト部１２は必ずしも
レーザ部の中央近傍である必要はなく、先部ｍｌ−の大
きい時にはむしろ光帰還部側に近い方が安定な単一モー
ド発振が得られた。単一モード化及びスペクトル線幅の
狭帯化を図ることが出来た。
上記レーザ構造は１回折格子の位相がシフトした位相シ
フト型ＤＦＢレーザを例としたが１回折格子の周期が共
振器方向に徐々に変化した。チャーブト格子はＤＦＢレ
ーザにおいても同様の効果が得られた。また、共振器の
伝搬定数を変化させて得た１位相シフト型ＤＦＢレーザ
、チャーブト格子付ＤＦＢレーザを使用しても同様の結
果を得た。
フト型ＤＦＢレーザを例としたが１回折格子の周期が共
振器方向に徐々に変化した。チャーブト格子はＤＦＢレ
ーザにおいても同様の効果が得られた。また、共振器の
伝搬定数を変化させて得た１位相シフト型ＤＦＢレーザ
、チャーブト格子付ＤＦＢレーザを使用しても同様の結
果を得た。
実施例２
第４図は１位相シフト型ＤＦＢレーザ２１と同一のｍ−
ｖ族化合物結晶からなる光帰還部２２をＩｎＰ基板２３
上にモノリシックに形成した。先づ、ＩｎＰ基板２３上
のレーザ部１に相当する部位に、電子ビーム露光法を用
いて周期が一定であるが、その空間的位相がシフトした
、いわゆる位相シフト型回折格子２４を作製した後、Ｌ
ＰＥ法により活性層２５を有するレーザ構造を形成した
。
ｖ族化合物結晶からなる光帰還部２２をＩｎＰ基板２３
上にモノリシックに形成した。先づ、ＩｎＰ基板２３上
のレーザ部１に相当する部位に、電子ビーム露光法を用
いて周期が一定であるが、その空間的位相がシフトした
、いわゆる位相シフト型回折格子２４を作製した後、Ｌ
ＰＥ法により活性層２５を有するレーザ構造を形成した
。
この後、光帰還部の結晶を除去した後、除去部に選択的
に光帰還部２２をエピタキシャル成長し。
に光帰還部２２をエピタキシャル成長し。
導波ｐＲ２６を有する結晶構造を得た。レーザ部。
光帰還部に電極２７．２８．２９を設けた後、レーザ部
の端面に反射率０．１〜０．２程度の低反射膜１０、光
帰還部側の端面に反射率０．３〜０．９９の高反射膜１
１を形成することで素子の作製を行なった。
の端面に反射率０．１〜０．２程度の低反射膜１０、光
帰還部側の端面に反射率０．３〜０．９９の高反射膜１
１を形成することで素子の作製を行なった。
レーザの共振器長を２５０〜５００μｍ、光帰還部長を
１〜８ｍとしたところ、各レーザ素子においてスペクト
ル幅の狭帯化が観測された・。
１〜８ｍとしたところ、各レーザ素子においてスペクト
ル幅の狭帯化が観測された・。
実施例３
第５図は、光帰還部２２を電気光学材料である。
し１Ｎｂｏａ結晶とし１位相シフト型ＤＦＢレーザ、２
１の片方の出射端面に接合したものであり、ＬｉＮｂＯ
５の反射端からの反射光がレーザに帰還するよう位置合
せを行い固定した。ＬｉＮｂ０ａは２カツトして、Ｔｉ
拡散により光導波路１３を形成した。
１の片方の出射端面に接合したものであり、ＬｉＮｂＯ
５の反射端からの反射光がレーザに帰還するよう位置合
せを行い固定した。ＬｉＮｂ０ａは２カツトして、Ｔｉ
拡散により光導波路１３を形成した。
電界は結晶のＹ軸方向から加えられるように電極８．９
２を形成した。実施例２と同様に光帰還部２２に印加す
る電圧を変えて帰還光の位相を制御することにより、任
意のレーザ出力に対して、スペクトル幅の狭帯化を制御
することが出来た。
２を形成した。実施例２と同様に光帰還部２２に印加す
る電圧を変えて帰還光の位相を制御することにより、任
意のレーザ出力に対して、スペクトル幅の狭帯化を制御
することが出来た。
本発明によれば、半導体レーザとグレーティング部の結
合損失を３ｔＢ程度以下にすることができる。また、全
長４ｍ程度以下の小さなチップで° 従来のＤＦＢレー
ザ単体の場合に較べて、そのスペクトル幅を１７１０以
下にすることができる。
合損失を３ｔＢ程度以下にすることができる。また、全
長４ｍ程度以下の小さなチップで° 従来のＤＦＢレー
ザ単体の場合に較べて、そのスペクトル幅を１７１０以
下にすることができる。
さらに本発明によれば、レーザに対する帰還光量を大き
く出来るため、レーザと光帰還部を集積化した構造にお
いて、スペクトル線幅の充分な狭帯化を図ることができ
る。この結果、コヒーレント通信用光源として実用に供
することが可能となる。
く出来るため、レーザと光帰還部を集積化した構造にお
いて、スペクトル線幅の充分な狭帯化を図ることができ
る。この結果、コヒーレント通信用光源として実用に供
することが可能となる。
第１図、第２図、第３図は本発明の実施例１を示す構造
図である。第４図は本発明の実施例２すなわち１位相シ
フト型ＤＦＢレーザと光帰還部をモノリシックに形成し
た装置の断面図、第５図は位相シフト型ＤＦＢレーザと
、ＬｉＮｂＯ５からなる光帰還部を接合した装置の断面
図である。 １．２３・・・基板、２・・・光ガイド層、３．２５・
・・活性層、４・・・クラッド層、５・・・キャップ層
、６・・・光導波路、２１・・・レーザ部、２２・・・
光帰還部、１０゜１１・・・反射膜、２７．２８，２９
，９１．９２・・・／ ／ｒＬ’１ｘｎＰ＃：仮４Ｐ−
ムｒフルｒ層／ ＊’ｌｌ、ｆ’ｋ ４ ｆ−１
ｎｆ’７り、）’１２ オし刀イドノＦ ５
１＊ｈＡｓｆ’ｈｔ７ン１３ 活・反覆 ΔＬ４衷
玲層 ／ ｆＬ’ｊｌＩｎＰｇ＆ ４ Ｐ−ＩＪ７５Ｊ
４第７５ Ｊ５図
図である。第４図は本発明の実施例２すなわち１位相シ
フト型ＤＦＢレーザと光帰還部をモノリシックに形成し
た装置の断面図、第５図は位相シフト型ＤＦＢレーザと
、ＬｉＮｂＯ５からなる光帰還部を接合した装置の断面
図である。 １．２３・・・基板、２・・・光ガイド層、３．２５・
・・活性層、４・・・クラッド層、５・・・キャップ層
、６・・・光導波路、２１・・・レーザ部、２２・・・
光帰還部、１０゜１１・・・反射膜、２７．２８，２９
，９１．９２・・・／ ／ｒＬ’１ｘｎＰ＃：仮４Ｐ−
ムｒフルｒ層／ ＊’ｌｌ、ｆ’ｋ ４ ｆ−１
ｎｆ’７り、）’１２ オし刀イドノＦ ５
１＊ｈＡｓｆ’ｈｔ７ン１３ 活・反覆 ΔＬ４衷
玲層 ／ ｆＬ’ｊｌＩｎＰｇ＆ ４ Ｐ−ＩＪ７５Ｊ
４第７５ Ｊ５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２以上の光共振器および／もしくは光導波路を有し
、その一部がレーザ発振領域であることを特徴とする光
半導体装置。 ２、上記光共振器が分布帰還型（ＤＦＢ）であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。 ３、上記光共振および／もしくは光導波路が同一基板上
に集積されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光半導体集積装置。 ４、上記レーザ発振領域における上記光共振器が回折格
子で構成され、かつその周期が一様でないことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267523A JPS63122188A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267523A JPS63122188A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122188A true JPS63122188A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17446015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61267523A Pending JPS63122188A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122188A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2409570B (en) * | 2003-10-10 | 2007-02-14 | Agilent Technologies Inc | Optoelectronic device having a discrete bragg reflector and an electro-absorption modulator |
| CN109802299A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-05-24 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种用于硅光子电路的高功率分布反馈布拉格光栅激光器 |
| JP2019121691A (ja) * | 2018-01-05 | 2019-07-22 | 富士通株式会社 | 集積レーザ光源、及びこれを用いた光トランシーバ |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100491A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS60126882A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 |
| JPS6195592A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Nec Corp | 集積分布ブラツグ反射型半導体レ−ザ |
| JPS61125187A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS61166193A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路 |
| JPS62245692A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | Nec Corp | 外部共振器付分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS62295480A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61267523A patent/JPS63122188A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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