JPS6195592A - 集積分布ブラツグ反射型半導体レ−ザ - Google Patents
集積分布ブラツグ反射型半導体レ−ザInfo
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- JPS6195592A JPS6195592A JP21680284A JP21680284A JPS6195592A JP S6195592 A JPS6195592 A JP S6195592A JP 21680284 A JP21680284 A JP 21680284A JP 21680284 A JP21680284 A JP 21680284A JP S6195592 A JPS6195592 A JP S6195592A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は発振波長が制御可能な半導体レーザ］こ関する
。
。
（従来技術とその問題点）
Ｇｂ／ｓレベルの超高速変調時にも安定な単一軸モード
動作を示す分布帰還型半導体レーザ（ＤＰＢ−ＬＤ）、
分布ブラック反射型半導体レーザ（ＤＢＲ−ＬＤ）は長
距離・大容量光ファイバ通信用光源として有望視されて
いる。単一軸モード性の良好なこれらの半導体レーザに
波長制御機講を４人することは、現在の長距離・大容量
直接伝送方式のみならず、将来の光ヘテロダイン通信、
高密度波長多重伝送等の分野への展開が期待され、きわ
めて有用と考えられる。その−例として例えば、東盛氏
らはエレクトロニクス・レターズ誌（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
。
動作を示す分布帰還型半導体レーザ（ＤＰＢ−ＬＤ）、
分布ブラック反射型半導体レーザ（ＤＢＲ−ＬＤ）は長
距離・大容量光ファイバ通信用光源として有望視されて
いる。単一軸モード性の良好なこれらの半導体レーザに
波長制御機講を４人することは、現在の長距離・大容量
直接伝送方式のみならず、将来の光ヘテロダイン通信、
高密度波長多重伝送等の分野への展開が期待され、きわ
めて有用と考えられる。その−例として例えば、東盛氏
らはエレクトロニクス・レターズ誌（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
。
Ｌｅｔｔ、 １９ （１９８３） 、 ｐｐ ６５６
） ｊｃおいて報告しているような発振波長の制御が
可能な直接結合型の集積化ＤＢＲ−ＬＤ を開発した
。東盛氏らは第２図に示すように活性領域１を素子中央
に、その片側ｆこＤＢＲＢ域２を、もう一方の側に位相
制御領域３を配置した全損波長制御可能な集積化ＤＢＲ
−ＬＤを試作し、位相制御領域３に４ｍＡの電流注入を
行なうことにより、４μｍ度の発振波長変化を実現した
。第３図はその動作原理を示すためのものである。第３
図の横軸は波長、たて軸はしきい値利得を与える反射損
失を示す。すなわち、たて軸は低い値はど反射損失が小
さく、したがってしきい値利得が小さく軸モードが発振
しやすいことを示す。東盛氏らによる波長制御集積化Ｄ
Ｂ几−ＬＤにおいては第３図に示した反射損失曲線は変
化せず、この曲線上を各軸モードが移動することｉこな
る。各軸モードの点はＤＢ几領領域２決定される位相曲
線と活性領域１および位相制御領域３きで決定される位
相曲線との交点で決まる６位相制御領域３に電流注入す
ることにより後者の位相曲線が変化し、したがって２つ
の位相曲線の支点が変化するため（こ発振波長が変化す
ることになる。
） ｊｃおいて報告しているような発振波長の制御が
可能な直接結合型の集積化ＤＢＲ−ＬＤ を開発した
。東盛氏らは第２図に示すように活性領域１を素子中央
に、その片側ｆこＤＢＲＢ域２を、もう一方の側に位相
制御領域３を配置した全損波長制御可能な集積化ＤＢＲ
−ＬＤを試作し、位相制御領域３に４ｍＡの電流注入を
行なうことにより、４μｍ度の発振波長変化を実現した
。第３図はその動作原理を示すためのものである。第３
図の横軸は波長、たて軸はしきい値利得を与える反射損
失を示す。すなわち、たて軸は低い値はど反射損失が小
さく、したがってしきい値利得が小さく軸モードが発振
しやすいことを示す。東盛氏らによる波長制御集積化Ｄ
Ｂ几−ＬＤにおいては第３図に示した反射損失曲線は変
化せず、この曲線上を各軸モードが移動することｉこな
る。各軸モードの点はＤＢ几領領域２決定される位相曲
線と活性領域１および位相制御領域３きで決定される位
相曲線との交点で決まる６位相制御領域３に電流注入す
ることにより後者の位相曲線が変化し、したがって２つ
の位相曲線の支点が変化するため（こ発振波長が変化す
ることになる。
？ｌＪえば電流注入のないときに第３図に示したように
３１ 、３２ 、３３ 、３４のような軸モードがある
とすると、はじめは最も反射損失の小さな３２のモード
が発振する。位相制御領域に電流を注入することにより
位相曲線の支点で与えられる各軸モードは矢印の方向に
移動し、発振波長が短波長側に変化する。ある程度電流
を注入していくと３２のモードと３３のモードとの反射
損失が逆転し、そこでモードのとびが生じて、こんどは
おのモードが発振するようになる。以後、同罎の波長変
化を示すことになる。ところがこの場合（こは反射損失
曲線は窯化しないので、最低のしきい値利得を与えるブ
ラック波長は変化しない、すなわち制御９牝な波長範囲
は軸モード間隔で決定され、現実的な素子寸法を考える
とたかだか数人にとどまってしまう。将来の高密度波長
多重光通信等への適用を考えた場合、数十人オーダーの
波長制御が必要となる。同時にそのときの微調も必要と
なってくる。
３１ 、３２ 、３３ 、３４のような軸モードがある
とすると、はじめは最も反射損失の小さな３２のモード
が発振する。位相制御領域に電流を注入することにより
位相曲線の支点で与えられる各軸モードは矢印の方向に
移動し、発振波長が短波長側に変化する。ある程度電流
を注入していくと３２のモードと３３のモードとの反射
損失が逆転し、そこでモードのとびが生じて、こんどは
おのモードが発振するようになる。以後、同罎の波長変
化を示すことになる。ところがこの場合（こは反射損失
曲線は窯化しないので、最低のしきい値利得を与えるブ
ラック波長は変化しない、すなわち制御９牝な波長範囲
は軸モード間隔で決定され、現実的な素子寸法を考える
とたかだか数人にとどまってしまう。将来の高密度波長
多重光通信等への適用を考えた場合、数十人オーダーの
波長制御が必要となる。同時にそのときの微調も必要と
なってくる。
（発明の目的）
本発明の目的は上述の観点から、数十λオーダーの波長
制御と同時に発振モードの微調が可ｄヒな新規な構造の
集積化ＤＢＲ−ＬＤ を提供することにある。
制御と同時に発振モードの微調が可ｄヒな新規な構造の
集積化ＤＢＲ−ＬＤ を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の構成ｆこよる集積分布ブラック反射型中４体レ
ーザは、半導体基板上に少なくとも活性層と、前記活性
層よりもエネルギーギヤ、プが大きく、かつ一方の面に
回折格子が形成されたガイド層とを有する８層構造を備
え、少なくとも前記活性層を有する活性領域、レーザ光
に対して透明な位相制御領域、少なくとも前記ガイド層
を有するＤＢＲＢ域がレーザ共逗軸方向につらなりて形
成さｎ、 ｒ＋”ｂ記活性頌城の一方の端面が反射端面
となり、ポエ記積層構造上部に２つの独立な成績が形成
され、その１つの１螺が２つの領域にまたがって形成さ
れていることを特徴としている。
ーザは、半導体基板上に少なくとも活性層と、前記活性
層よりもエネルギーギヤ、プが大きく、かつ一方の面に
回折格子が形成されたガイド層とを有する８層構造を備
え、少なくとも前記活性層を有する活性領域、レーザ光
に対して透明な位相制御領域、少なくとも前記ガイド層
を有するＤＢＲＢ域がレーザ共逗軸方向につらなりて形
成さｎ、 ｒ＋”ｂ記活性頌城の一方の端面が反射端面
となり、ポエ記積層構造上部に２つの独立な成績が形成
され、その１つの１螺が２つの領域にまたがって形成さ
れていることを特徴としている。
（発明の作用・原理）
本発明；こよる集積型ＤＢＲ−ＬＤ は、活性領域。
位相ＴｉＵ（１’Ｄ領域、ＤＪ３ｆｌ領域が形成され、
少なくとも２つの独立の電極が形成されている。ＤＢＲ
Ｂ域へのキャリア注入Ｉこより、第３図に示したブラッ
ク波長そのものが変化することになる。また同時に位相
制御領域へのキャリア注入により各軸モードの発振波長
も変化させることができる。前者の場合、数十へのオー
ダーのブラック波長変化が実現でき、また後者の場合数
十へオーダーのスムーズな波長変化が可能となるので、
例えばそれら２つの領域に同じ成極を形成する場合、２
つの領域の長さを適切に設定してやることｔこより、数
十へオーダーの波長範囲をほぼ完全にカバーすることが
可能となる。
少なくとも２つの独立の電極が形成されている。ＤＢＲ
Ｂ域へのキャリア注入Ｉこより、第３図に示したブラッ
ク波長そのものが変化することになる。また同時に位相
制御領域へのキャリア注入により各軸モードの発振波長
も変化させることができる。前者の場合、数十へのオー
ダーのブラック波長変化が実現でき、また後者の場合数
十へオーダーのスムーズな波長変化が可能となるので、
例えばそれら２つの領域に同じ成極を形成する場合、２
つの領域の長さを適切に設定してやることｔこより、数
十へオーダーの波長範囲をほぼ完全にカバーすることが
可能となる。
（実施例）
以下実施例を示す図面を用いて本発明をより詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例である集積分布ブラック反射
型半導体レーザの断面模式図である。このような素子を
作製するｔこはまずＩｎＰ基板１１上に部分的に回折格
子１２を形成し、そのうえに全面に例えば波長１，３μ
ｍに相当するＩ ｎ ｏ、７ｚ Ｇａ ＩＩＬ２． Ａ
ｓ ｏ、５ｉＰ０３．光ガイド層１３等を積層した。そ
ののち選択エンチング、選択エピタキシャル成長を行な
って例えば波長１．５５ μｍ相当のＩｎ 、６．Ｇａ
ｏ４． Ａｓ 、９゜Ｐｏ、。
型半導体レーザの断面模式図である。このような素子を
作製するｔこはまずＩｎＰ基板１１上に部分的に回折格
子１２を形成し、そのうえに全面に例えば波長１，３μ
ｍに相当するＩ ｎ ｏ、７ｚ Ｇａ ＩＩＬ２． Ａ
ｓ ｏ、５ｉＰ０３．光ガイド層１３等を積層した。そ
ののち選択エンチング、選択エピタキシャル成長を行な
って例えば波長１．５５ μｍ相当のＩｎ 、６．Ｇａ
ｏ４． Ａｓ 、９゜Ｐｏ、。
活性層１４等を光が直接結合するように積層し、横モー
ド制御と電流とじ込のの目的で埋め込み構造に形成した
。その後回に示すように２つの一極を形成した。制御電
極２０は位相制御領域３とＤＢ几領領域２に対して共通
している。それぞれの領域の長さを適切Ｉこ設だしてや
ることにより数十への波長範囲をカバーして発振させる
ことができるし、すべての波長範囲を連続的ｆこ波長変
化しない才でもモードジャンプを生じない状態で数Ａ程
度の連続波長変化が実現できることｆこなる。−例とし
てＤＢ几領領域２部分の位相変化分が活性領域１と位、
ｔｌｌｌｌ−」岬領域３と力）ら成る部分の位相変化分
のほぼ２倍程度となるようにすればモードジャンプを含
めた全体の波長変化分のほぼ半分以上の波長領域にわた
って連続的な波長変化を実現することができ、ＦＳＫヘ
テロダイン光通信方式等への適用に１１はぼ十分な波長
チューニングが行なえることにｒｌる。
ド制御と電流とじ込のの目的で埋め込み構造に形成した
。その後回に示すように２つの一極を形成した。制御電
極２０は位相制御領域３とＤＢ几領領域２に対して共通
している。それぞれの領域の長さを適切Ｉこ設だしてや
ることにより数十への波長範囲をカバーして発振させる
ことができるし、すべての波長範囲を連続的ｆこ波長変
化しない才でもモードジャンプを生じない状態で数Ａ程
度の連続波長変化が実現できることｆこなる。−例とし
てＤＢ几領領域２部分の位相変化分が活性領域１と位、
ｔｌｌｌｌ−」岬領域３と力）ら成る部分の位相変化分
のほぼ２倍程度となるようにすればモードジャンプを含
めた全体の波長変化分のほぼ半分以上の波長領域にわた
って連続的な波長変化を実現することができ、ＦＳＫヘ
テロダイン光通信方式等への適用に１１はぼ十分な波長
チューニングが行なえることにｒｌる。
本実施例ではＤＢＲＢ域２の長さを３００μｍ、僅相制
回領域３の憂さを１５０μｍ、活性領域１の長さ８１５
０μｍとすることにより、５ＱｍＡ程度の電流注入ｆこ
より４５Ａの波長変化が実現できた。軸モードとびを生
ずる前後の４Ａ程度の範囲ではやや不安定な動作を示し
たが、それ以外の波長範囲では軸モード選択比が３９ｄ
Ｂ以上の良好な単一軸モード動作下で波長制御が行なえ
た。呈温ＣＷ動作においても活性領域１だけＩこ電流注
入する場合に、しきい値′区流４ＱｍＡ、微分童子効率
１５チ程凌のものが再現性よく得られた。光出力の点か
らも活性領域１側の出力端面４から最大１０ｒｎＷまで
の安定な単一軸モード全損が得られた。制御ｆｉｉ２０
はＤＢＢ−領域２および位相制御領域３とに共通とした
が、ＤＢＲＢ域２のみ独立させ、活性領域１と位相制御
領域３とに共通の一極を形成してもよい、２つの独立な
成極だけで良好な波長制御が行なえる。活性領域１と位
相制御領域３を合わせた長さで、位相条件が決定され、
それとＤＢＲ立相面相曲線叉点が各弛モードの発振波長
を決定するので、それぞれの領域の長さや注入する電流
を適切に設定することにより、いずれの場合も４０〜５
０Ａ程度の範囲で波長制御が可能となる。
回領域３の憂さを１５０μｍ、活性領域１の長さ８１５
０μｍとすることにより、５ＱｍＡ程度の電流注入ｆこ
より４５Ａの波長変化が実現できた。軸モードとびを生
ずる前後の４Ａ程度の範囲ではやや不安定な動作を示し
たが、それ以外の波長範囲では軸モード選択比が３９ｄ
Ｂ以上の良好な単一軸モード動作下で波長制御が行なえ
た。呈温ＣＷ動作においても活性領域１だけＩこ電流注
入する場合に、しきい値′区流４ＱｍＡ、微分童子効率
１５チ程凌のものが再現性よく得られた。光出力の点か
らも活性領域１側の出力端面４から最大１０ｒｎＷまで
の安定な単一軸モード全損が得られた。制御ｆｉｉ２０
はＤＢＢ−領域２および位相制御領域３とに共通とした
が、ＤＢＲＢ域２のみ独立させ、活性領域１と位相制御
領域３とに共通の一極を形成してもよい、２つの独立な
成極だけで良好な波長制御が行なえる。活性領域１と位
相制御領域３を合わせた長さで、位相条件が決定され、
それとＤＢＲ立相面相曲線叉点が各弛モードの発振波長
を決定するので、それぞれの領域の長さや注入する電流
を適切に設定することにより、いずれの場合も４０〜５
０Ａ程度の範囲で波長制御が可能となる。
本発明の実施例ＩＣおいては、活性領域１２位相制御領
域２ 、ＤＢＡＢ域３を形成し、ＤＢＲＢ域３Ｉこも制
御′１極２０を形成した。これによって制御電流を変化
させることにより数十人程度の波長範囲をほぼ安定な単
一軸モード動作の状態で変化させることができた。さら
に単一軸モード発振時の発振スペクトル線幅も制御状態
に依存し、最も安定な状態に設定することにより４ Ｍ
Ｈｚの発成スペクトル線幅が得られた。
域２ 、ＤＢＡＢ域３を形成し、ＤＢＲＢ域３Ｉこも制
御′１極２０を形成した。これによって制御電流を変化
させることにより数十人程度の波長範囲をほぼ安定な単
一軸モード動作の状態で変化させることができた。さら
に単一軸モード発振時の発振スペクトル線幅も制御状態
に依存し、最も安定な状態に設定することにより４ Ｍ
Ｈｚの発成スペクトル線幅が得られた。
なお本発明の実施例においては電流注入Ｉこよるキャリ
アのプラズマ効果を利用して屈折率変化させ、波長制御
を行なったが、Ｐ−Ｎ接合に逆バイアスを印加し、空乏
層の拡がりを利用して屈折率変化させる等の手段上用い
てもよい、用いる半導体材料も実施例ｆこおいてはＩｎ
Ｐを基板、 ＩｎＧａＡｓＰを活性層、光ガイド層とす
る波長１μｍ帯の材料を用いたが、これに限ることな（
、ＧａＡｇＡｓ 。
アのプラズマ効果を利用して屈折率変化させ、波長制御
を行なったが、Ｐ−Ｎ接合に逆バイアスを印加し、空乏
層の拡がりを利用して屈折率変化させる等の手段上用い
てもよい、用いる半導体材料も実施例ｆこおいてはＩｎ
Ｐを基板、 ＩｎＧａＡｓＰを活性層、光ガイド層とす
る波長１μｍ帯の材料を用いたが、これに限ることな（
、ＧａＡｇＡｓ 。
ＩｎＧａＡＪＰ 、 ＧａＡｓＳｂ 系等、他の半導
体材料を用いてさしつかえない。実施例においてはＤＢ
ＲＢ域２と位相制御領域３とに同じ組成の光ガイド層１
３を用いたが、これらは異なる組成の結晶であってもか
まわない、また独立な電極間には電気的絶縁を良好にす
るためにエツチング溝を形成したり、プロトン照射高抵
抗層を形成してもよい。
体材料を用いてさしつかえない。実施例においてはＤＢ
ＲＢ域２と位相制御領域３とに同じ組成の光ガイド層１
３を用いたが、これらは異なる組成の結晶であってもか
まわない、また独立な電極間には電気的絶縁を良好にす
るためにエツチング溝を形成したり、プロトン照射高抵
抗層を形成してもよい。
（発明の効果）
本発明の特徴は集積型ＤＢＲ−Ｉ、Ｄ において、活
性領域２位相制御領域、ＤＢＲ領域を形成し、ＤＢＲ領
域上にも制御電極を形成したことである。
性領域２位相制御領域、ＤＢＲ領域を形成し、ＤＢＲ領
域上にも制御電極を形成したことである。
これＩζよって数十人の範囲で安定な単一軸モード状態
での発振波長制御が可能となった。さらに光ヘテロダイ
ン通信において重要な発振スペクトル線幅も制御するこ
とができ、光ヘテロダイン通信。
での発振波長制御が可能となった。さらに光ヘテロダイ
ン通信において重要な発振スペクトル線幅も制御するこ
とができ、光ヘテロダイン通信。
高密度波長多重通信等将来の高級光フアイバ通信用光源
として大きな発展が期待できる。
として大きな発展が期待できる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の一実施例である集積
ＤＢＲ−ＬＤ 、従来例の集積ＤＢＢ−ＬＤの断面模式
図、第３図は動作原理を示すための発振波長七ＤＢＲ反
射損失との関係を示〒デ図中１は活性領域、２はＤＢＲ
，領域、３は位相制御領域。 ４は出力端面、１１はＩｎＰ基板、１２は回折格子、１
３は光ガイド層、１４は活性層、２０ ｉｔ ｆｆｆｉ
ｌ ＃電極、３１゜３２ 、３３ 、３４は発振軸モー
ドをそれぞれあらゎす。 代温人弁理士内原 πｌ″。 ゝ、 第１図 第２図
ＤＢＲ−ＬＤ 、従来例の集積ＤＢＢ−ＬＤの断面模式
図、第３図は動作原理を示すための発振波長七ＤＢＲ反
射損失との関係を示〒デ図中１は活性領域、２はＤＢＲ
，領域、３は位相制御領域。 ４は出力端面、１１はＩｎＰ基板、１２は回折格子、１
３は光ガイド層、１４は活性層、２０ ｉｔ ｆｆｆｉ
ｌ ＃電極、３１゜３２ 、３３ 、３４は発振軸モー
ドをそれぞれあらゎす。 代温人弁理士内原 πｌ″。 ゝ、 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板上に少なくとも活性層と、前記活性層よりも
エネルギーギャップが大きく、かつ一方の面に回折格子
が形成されたガイド層とを有する積層構造を備え、少な
くとも前記活性層を有する活性領域、レーザ光に対して
透明な位相制御領域、少なくとも前記ガイド層を有する
ＤＢＲ領域がレーザ共振軸方向につらなって形成され、
前記活性領域の一方の端面が反射端面となり、前記積層
構造上部に２つの独立な電極が形成され、そのうちの１
つの電極が２つの領域にまたがって形成されていること
を特徴とする集積分布ブラック反射型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216802A JPH0680857B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59216802A JPH0680857B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195592A true JPS6195592A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0680857B2 JPH0680857B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16694112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216802A Expired - Lifetime JPH0680857B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 集積分布ブラッグ反射型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680857B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122188A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| JPS63253335A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Nec Corp | 光フイルタ素子 |
| JPS649679A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Semiconductor laser of long resonator length |
| EP0692853A1 (en) * | 1994-07-15 | 1996-01-17 | Nec Corporation | Wavelength-tunable semiconductor laser and fabrication process thereof |
| JP2011253977A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | Ｄｂｒレーザ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116683A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Tokyo Inst Of Technol | Distribution reflecting type semiconductor laser having tuning and requency-modulating mechanism |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59216802A patent/JPH0680857B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116683A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Tokyo Inst Of Technol | Distribution reflecting type semiconductor laser having tuning and requency-modulating mechanism |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122188A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| JPS63253335A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | Nec Corp | 光フイルタ素子 |
| JPS649679A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Semiconductor laser of long resonator length |
| EP0692853A1 (en) * | 1994-07-15 | 1996-01-17 | Nec Corporation | Wavelength-tunable semiconductor laser and fabrication process thereof |
| US5541945A (en) * | 1994-07-15 | 1996-07-30 | Nec Corporation | Wavelength-tunable semiconductor laser |
| US5789274A (en) * | 1994-07-15 | 1998-08-04 | Nec Corporation | Wavelength-tunable semiconductor laser and fabrication process thereof |
| JP2011253977A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | Ｄｂｒレーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680857B2 (ja) | 1994-10-12 |
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