JP2007226186A - 表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有する。
【選択図】 図2
Description
また、本発明の他の目的は、上記表示基板の製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、上記表示基板を有する表示装置を提供することにある。
前記金属は、アルミニウム(Al)、スカンジウム(Sc)、チタニウム(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、モリブデン(Mo)、テクネチウム(Tc)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、カドミウム(Cd)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ランタン(La)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)、水銀(Hg)、タリウム(Tl)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。
前記金属は、モリブデン(Mo)を含み、前記モリブデン(Mo)は約1.1〜1.5重量%含有されることが好ましい。
前記金属酸化物は、酸化リチウム(LiO2,Li2O,Li2O2)、酸化ベリリウム(BeO)、酸化ナトリウム(NaO2,Na2O,Na2O2)、酸化マグネシウム(MgO,MgO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化カルシウム(CaO,CaO2)、酸化スカンジウム(Sc2O3)、酸化チタニウム(TiO,TiO2,Ti2O3,Ti3O5)、酸化バナジウム(VO,VO2,V2O3,V2O5)、酸化クロム(CrO2,CrO3,Cr2O3,Cr3O4)、酸化マンガン(MnO,MnO2)、酸化鉄(FeO,Fe2O3,Fe3O4)、酸化コバルト(CoO,Co3O4)、酸化ニケル(NiO,Ni2O3)、酸化銅(CuO,Cu2O)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオビウム(NbO,NbO2)、酸化モリブデン(MoO,MoO2,MoO3)、酸化パラジウム(PdO,PdO2)、酸化カドミウム(CdO)、酸化鉛(PdO,PdO2)からなる群より選択される少なくとも一種以上を含むことが好ましい。
前記非金属は、ホウ素(B)、炭素(C)、珪素(Si)、リン(P)、硫黄(S)からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。
前記不純物は、金属と非金属との混合物を含むことが好ましい。
前記反射電極は、2000Å〜3000Åの厚さで形成されることが好ましい。
前記有機絶縁膜の上部には、マイクロレンズが形成されることが好ましい
図1は、本発明の一実施形態による表示基板を示した平面図であり、図2は、図1のI−I’線に沿って見た表示装置の断面図である。
図1及び図2を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置100は、表示基板200、表示基板200と対向する対向基板300、及び表示基板200と対向基板300との間に配置された液晶層400を含む。
表示基板200は、透明基板210、画素層220、有機絶縁膜230、透過電極240、及び反射電極250を含む。
画素層220は、透明基板210上に形成され、透過領域(TR)及び反射領域(RR)を有する画素部221がマトリクス形態で形成された構造を有する。
ゲートライン222は、透明基板210上に形成され、画素部221の上側及び下側を定義する。
薄膜トランジスタ225は、ゲートライン222、及びデータライン224に連結されて画素部221内に形成される。薄膜トランジスタ225は、ゲートライン222を通じて印加されるスキャン信号に対応してデータライン224を通じて印加される画像信号を透過電極240に印加する。
ゲート電極(G)は、ゲートライン222と連結され、薄膜トランジスタ225のゲート端子を構成する。
ソース電極(S)とドレイン電極(D)は、アクティブ層227上に互いに離隔するように配置されて薄膜トランジスタ225のチャンネルを形成する。
図3を参照すると、銀(Ag)を反射電極250として用いる場合には、後続工程中に、銀が部分溶融されて二つの凝集500が成長しながらぶつかって(c)に示したように探針形態を形成し、探針部分が上部に塗布される配向膜を貫通して対向基板300と短絡を起こす問題が発生するおそれがある。また、(d)に示したように、二つの凝集500がぶつかる部分が凹むようになって反射電極250に欠陥を形成するおそれもある。更に、探針形態や凹形態は、入射光間の干渉現象による光消滅が発生しうる構造または大きさで構成されるので、反射電極250の特性である反射効率を減少させることになってしまう。
図4を参照すると、銀(Ag)に対する溶解度が低い不純物を含む銀合金を反射電極250として用いる場合には、不純物600が銀凝集500の成長のバリアとして作用して反射電極250の特性を向上させる。即ち、(c)に示したように、不純物600は、薄膜構造で銀の凝集500が成長して互いに接合する部分に分散して分布しかつ銀凝集500間の界面で発生する探針形態や凹形態を防止する。また、後続工程での温度が増加したとき、銀(Ag)凝集500が成長して発生する凝集成長のバリアとして作用して反射電極250の表面が均一になる。
望ましくは、銀合金に含まれる不純物は、モリブデン(Mo)からなる。
また、銀合金に含まれる不純物としては、上記金属と非金属元素との混合物を用いることもできる。
カラーフィルタ層320は、表示基板100と向い合う対向透明基板310の対向面に形成される。カラーフィルタ層320は色を具現するために赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)などの色画素を含む。一方、カラーフィルタ層320は、表示基板200上に形成することもできる。
図7乃至図9は、本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
具体的には、透明基板210上に第1金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を経てゲートライン222及びゲート電極(G)を形成する。
その後、ゲート絶縁膜223上にa−Si層及びn+a−Si層を順次に積層した後、フォトリソグラフィ工程を経てゲート電極(G)に重なるようにアクティブ層227を形成する。
その後、ソース電極(S)とドレイン電極(D)との間に位置したオーミックコンタクト層227bをエッチングして、半導体層227aを露出させる。
200 表示基板
210 透明基板
220 画素層
221 画素部
222 ゲートライン
223 ゲート絶縁膜
224 データライン
225 薄膜トランジスタ
226 保護膜
227 アクティブ層
227a 半導体層
227b オーミックコンタクト層
228 コンタクトホール
230 有機絶縁膜
231 マイクロレンズ
240 透過電極
250 反射電極
300 対向基板
310 対向透明基板
320 カラーフィルタ層
330 共通電極
400 液晶層
710 光源
720 フォト測定器
Claims (18)
- 透明基板と、
前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、
前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、
前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、
前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする表示基板。 - 前記不純物は、金属を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記金属は、アルミニウム(Al)、スカンジウム(Sc)、チタニウム(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、モリブデン(Mo)、テクネチウム(Tc)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、カドミウム(Cd)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ランタン(La)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)、水銀(Hg)、タリウム(Tl)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項2に記載の表示基板。
- 前記金属は、モリブデン(Mo)を含み、前記モリブデン(Mo)は、1.1〜1.5重量%含まれることを特徴とする請求項3に記載の表示基板。
- 前記不純物は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記金属酸化物は、酸化リチウム(LiO2,Li2O,Li2O2)、酸化ベリリウム(BeO)、酸化ナトリウム(NaO2,Na2O,Na2O2)、酸化マグネシウム(MgO,MgO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化カルシウム(CaO,CaO2)、酸化スカンジウム(Sc2O3)、酸化チタニウム(TiO,TiO2,Ti2O3,Ti3O5)、酸化バナジウム(VO,VO2,V2O3,V2O5)、酸化クロム(CrO2,CrO3,Cr2O3,Cr3O4)、酸化マンガン(MnO,MnO2)、酸化鉄(FeO,Fe2O3,Fe3O4)、酸化コバルト(CoO,Co3O4)、酸化ニケル(NiO,Ni2O3)、酸化銅(CuO,Cu2O)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオビウム(NbO,NbO2)、酸化モリブデン(MoO,MoO2,MoO3)、酸化パラジウム(PdO,PdO2)、酸化カドミウム(CdO)、酸化鉛(PdO,PdO2)からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項5に記載の表示基板。
- 前記不純物は、非金属を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記非金属は、ホウ素(B)、炭素(C)、珪素(Si)、リン(P)、硫黄(S)からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項7に記載の表示基板。
- 前記不純物は、金属と非金属との混合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記反射電極は、2000Å〜3000Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 前記有機絶縁膜の上部には、マイクロレンズが形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示基板。
- 透明基板上に透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層を形成する段階と、
前記画素層上に有機絶縁膜を形成する段階と、
前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に透過電極を形成する段階と、
前記反射領域に対応して前記透過電極上に銀(Ag)と銀(Ag)に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成された反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示基板の製造方法。 - 前記不純物は、アルミニウム(Al)、スカンジウム(Sc)、チタニウム(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ニオビウム(Nb)、モリブデン(Mo)、テクネチウム(Tc)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、カドミウム(Cd)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ランタン(La)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)、水銀(Hg)、タリウム(Tl)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項12に記載の表示基板の製造方法。
- 前記不純物は、モリブデン(Mo)を含み、前記モリブデン(Mo)は、1.1〜1.5重量%含有されることを特徴とする請求項13に記載の表示基板の製造方法。
- 前記不純物は、酸化リチウム(LiO2,Li2O,Li2O2)、酸化ベリリウム(BeO)、酸化ナトリウム(NaO2,Na2O,Na2O2)、酸化マグネシウム(MgO,MgO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化カルシウム(CaO,CaO2)、酸化スカンジウム(Sc2O3)、酸化チタニウム(TiO,TiO2,Ti2O3,Ti3O5)、酸化バナジウム(VO,VO2,V2O3,V2O5)、酸化クロム(CrO2,CrO3,Cr2O3,Cr3O4)、酸化マンガン(MnO,MnO2)、酸化鉄(FeO,Fe2O3,Fe3O4)、酸化コバルト(CoO,Co3O4)、酸化ニケル(NiO,Ni2O3)、酸化銅(CuO,Cu2O)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオビウム(NbO,NbO2)、酸化モリブデン(MoO,MoO2,MoO3)、酸化パラジウム(PdO,PdO2)、酸化カドミウム(CdO)、酸化鉛(PdO,PdO2)からなる群より選択される一種以上の金属酸化物を含むことを特徴とする請求項12に記載の表示基板の製造方法。
- 前記不純物は、ホウ素(B)、炭素(C)、珪素(Si)、リン(P)、硫黄(S)からなる群より選択される一種以上の非金属を含むことを特徴とする請求項12記載の表示基板の製造方法。
- 表示基板と、
対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを有し、
前記表示基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い金属又は金属酸化物のうちで少なくとも一種以上の不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする表示装置。 - 前記不純物は、モリブデン(Mo)を含み、前記モリブデン(Mo)は、1.1〜1.5重量%含有されることを特徴とする請求項17に記載の表示装置。
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