CN102213878B - 有源元件阵列基板及具有该基板的平面显示器 - Google Patents

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Abstract

一种有源元件阵列基板，其包括多条扫描线、多条数据线、多个像素晶体管以及多个像素电极。数据线与扫描线相互交叉。每个像素晶体管分别对应电性耦接至一条扫描线以及一条数据线，而每个像素电极分别对应电性耦接至一个像素晶体管，且每个像素电极分别包括镍硼合金。本发明的像素电极是采用不透光的镍硼合金而制成，因此像素电极可充分地反射光线以遮住所有的外来光线，从而避免像素晶体管因为光照而产生的漏电现象。

Description

有源元件阵列基板及具有该基板的平面显示器
技术领域
本发明涉及一种用于显示装置的阵列基板，且特别涉及一种有源元件阵列基板以及具有该基板的平面显示器。 
背景技术
随着显示技术的快速发展，平面显示器已经越来越广泛地应用于各种显示领域。目前常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystaldisplay，LCD)、等离子体显示器(plasma display)、有机电致发光显示器(organic electro-lun display)及电泳显示器(electrophoreticdisplay)等，且这些平面显示器还可依据其显示画面所需的光线来源而分为反射式显示器及穿透式显示器。其中，由于反射式显示器具有低能耗、体积小等优点，已经成为一种越来越重要的平面显示器。 
现有的反射式平面显示器是采用透明导电材料作为像素电极，并在像素电极下方形成反射层以反射光线。然而，由于透明导电材料所制成的像素电极无法遮蔽光线，因此用以驱动平面显示器各像素的像素晶体管的非晶硅通道层往往容易因照射到光线而产生漏电现象，进而损坏平面显示器。 
发明内容
本发明的目的就是在于提供一种有源元件阵列基板，其可避免像素晶体管产生漏电现象。 
本发明的再一目的是提供一种平面显示器，其可避免像素晶体管产生漏电现象。 
本发明提出一种有源元件阵列基板，其包括多条扫描线、多条数据线、多个像素晶体管以及多个像素电极。数据线与扫描线相互交叉。每个像素晶体管分别对应电性耦接至一条扫描线以及一条数据线，而每个像素电极分别对应电性耦接至一个像素晶体管，且每个像素电极材质为不透光的镍硼合金。 
本发明还提出一种平面显示器，其包括有源元件阵列基板、与有源元件阵列基板相对的上基板以及设置于两基板之间的显示层。有源元件阵列基板包括多条扫描线、多条数据线、多个像素晶体管以及多个像素电极。数据线与扫描线相互交叉。每个像素晶体管分别对应电性耦接至一条扫描线以及一条数据线，而每个像素电极分别对应电性耦接至一个像素晶体管，且每个像素电极材质为不透光的镍硼合金。 
在本发明的较佳实施例中，上述的每个像素晶体管分别包括通道层，且每个像素电极分别设置于与其对应的像素晶体管的通道层上方。 
在本发明的较佳实施例中，上述的每个像素晶体管分别为薄膜晶体管。 
在本发明的较佳实施例中，上述的每个像素晶体管分别包括栅极、源极及漏极。每个像素晶体管的栅极对应电性耦接至一条扫描线，其源极对应电性耦接至一条数据线，而其漏极电性对应耦接至一个像素电极，且上述的源极及漏极与像素电极的材质相同。 
在本发明的较佳实施例中，上述的显示层为电泳显示层。 
在本发明的较佳实施例中，上述像素电极的硼元素的重量百分比为0.05％-0.2％，且较佳为0.1％。 
本发明的像素电极是采用不透光的镍硼合金而制成，因此像素电极可充分地反射光线以遮住所有的外来光线，从而避免像素晶体管因为光照而产生的漏电现象。 
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。 
附图说明
图1为本发明一实施例所揭示的平面显示器的示意图。 
图2为图1所示的有源元件阵列基板的示意图。 
图3为图2所示的像素区域的截面示意图 
100：平面显示器    110：有源元件阵列基板    120：上基板 
130：显示层        111：扫描线              112：数据线 
113：像素晶体管    114：像素电极            1131：栅极 
1132：栅极绝缘层   1133：通道层             1134：源极 
1135：漏极 
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。 
请参阅图1，其为本发明一实施例所揭示的平面显示器的示意图。本实施例以电泳显示器为例来介绍本发明，当然本领域技术人员可理解的是，本发明所揭示的平面显示器也可为其他类型的反射式平面显示器，例如液晶显示器。如图1所示，平面显示器100包括有源元件阵列基板110、与有源元件阵列基板110相对的上基板120、以及夹设于有源元件阵列基板110与上基板120之间的显示层130。在本实施例中，显示层130为电泳显示层，而上基板120可以是一彩色滤光片(color filter)。 
请参阅图2，其为图1所示的有源元件阵列基板的示意图。如图2所示，有源元件阵列基板110包括多条扫描线111、多条数据线112、多个像素晶体管113以及多个像素电极114。扫描线111与数据线112相互交 叉从而划分出多个像素区域(未标示)。每个像素区域分别设置有一个像素晶体管113与一个像素电极114，且每个像素晶体管113分别电性耦接至对应的扫描线111以及对应的数据线112，而每个像素电极114分别电性耦接至对应的像素晶体管113。在本实施例中，像素晶体管113可为薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。当然，本领域技术人员可以理解的是，像素晶体管113也可采用其他类型的晶体管，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，MOSFET)等等。 
请参阅图3，其为图2所示的像素区域的截面示意图。如图3所示，像素晶体管113设置于有源元件阵列基板110上，且其分别包括栅极1131、栅极绝缘层1132、通道层1133、源极1134以及漏极1135，而源极1134以及漏极1135的材质可以与像素电极113的材质相同。请一并参阅图2-3，每个像素晶体管113的栅极1131分别电性耦接至对应的扫描线111，其源极1134分别电性耦接至对应的数据线112，而其漏极1135分别电性耦接至对应的像素电极114。值得一提的是，本实施例的通道层1133的材质例如为非晶硅，且像素电极114位于通道层1133上方，以避免自外部入射的光线照射到通道层1133而使得像素电极114产生漏电流。 
如上所述，平面显示器100通过扫描线111而传递相应的扫描信号至每个像素晶体管113以控制每个像素晶体管113是否导通，并通过数据线112以及导通的像素晶体管113而将相应的数据信号传递至相应的像素电极114以使平面显示器100显示画面。本发明像素电极114采用不透光的镍硼合金而制成，且硼元素的重量百分比介于0.05％至0.2％之间，较佳为0.1％，以反射光线从而阻止光线照射至像素晶体管113的通道层1133。 
综上所述，本发明的像素电极是采用不透光的镍硼合金而制成，因此像素电极可充分地反射光线以遮住所有的外来光线，从而避免像素晶体管因为光照而产生的漏电现象。此外，本领域技术人员可理解的是，每个像素晶体管的栅极、源极及漏极与像素电极的材质可以相同，以进一步地遮住所有的外来光线。 
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。 

Claims (10)

1.一种有源元件阵列基板，其特征在于包括：
多条扫描线；
多条数据线，与该多条扫描线相互交叉；
多个像素晶体管，每个像素晶体管分别对应电性耦接至一条扫描线以及一条数据线；以及
多个像素电极，每个像素电极分别对应电性耦接至一个像素晶体管，其中每个像素电极的材质为不透光的镍硼合金。
2.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于：每个像素晶体管包括一通道层，且每个像素电极设置于与其对应的像素晶体管的通道层上方。
3.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于：每个像素电极的材质中硼元素的重量百分比为0.05％-0.2％。
4.如权利要求3所述的有源元件阵列基板，其特征在于：每个像素电极的材质中硼元素的重量百分比为0.1％。
5.如权利要求1所述的有源元件阵列基板，其特征在于：每个像素晶体管分别为薄膜晶体管，且每个像素晶体管分别包括：
栅极，对应电性耦接至一条扫描线；
源极，对应电性耦接至一条数据线；以及
漏极，对应电性耦接至一个像素电极，且上述的源极及漏极与像素电极的材质相同。
6.一种平面显示器，其包括：
一个有源元件阵列基板，其包括：
多条扫描线；
多条数据线与该多个扫描线相互交叉；
多个像素晶体管，每个像素晶体管分别对应电性耦接至一条扫描线以及一条数据线；以及
多个像素电极，每个像素电极分别对应电性耦接至一个像素晶体管，其中每个像素电极的材质中为不透光的镍硼合金；
一个上基板，与该有源元件阵列基板相对设置；以及
一个显示层，设置于该有源元件阵列基板与该上基板之间。
7.如权利要求6所述的平面显示器，其特征在于：该显示层为电泳显示层。
8.如权利要求6所述的平面显示器，其特征在于：每个像素晶体管包括一层通道层，且每个像素电极设置于与其对应的像素晶体管的通道层上方。
9.如权利要求6所述的平面显示器，其特征在于：每个像素电极的材质中硼元素的重量百分比为0.05％-0.2％。
10.如权利要求9所述的平面显示器，其特征在于：每个像素电极的材质中硼元素的重量百分比为0.1％。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296653A (en) * 1991-12-09 1994-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Device having a multi-layered conductor structure
CN101025487A (zh) * 2006-02-20 2007-08-29 三星电子株式会社 显示器基板、其制造方法和具有其的显示装置
CN101365816A (zh) * 2006-10-16 2009-02-11 三井金属鉱业株式会社 反射膜用Al-Ni-B合金材料
CN101375378A (zh) * 2006-10-26 2009-02-25 三井金属鉱业株式会社 Al系合金配线材料及使用了该材料的元件结构

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060418A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd アルミニウム系合金配線回路の形成方法及び表示デバイス素子構造の形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296653A (en) * 1991-12-09 1994-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Device having a multi-layered conductor structure
CN101025487A (zh) * 2006-02-20 2007-08-29 三星电子株式会社 显示器基板、其制造方法和具有其的显示装置
CN101365816A (zh) * 2006-10-16 2009-02-11 三井金属鉱业株式会社 反射膜用Al-Ni-B合金材料
CN101375378A (zh) * 2006-10-26 2009-02-25 三井金属鉱业株式会社 Al系合金配线材料及使用了该材料的元件结构

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