JP2007221121A - ピクセル・センサ・セルおよび製造方法(増加したキャパシタンスを有するcmos撮像装置のフォトダイオード) - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面を有する半導体基板と、基板に形成された、基板表面を含んだ物理的境界から完全に分離された非横方向配置電荷収集領域を有する光電素子と、をピクセル・センサ・セルは有する。光電素子は、第1導電型材料の基板に形成された、側壁を有するトレンチと、その側壁の少なくとも1つに隣接して形成された、第2導電型材料の第1のドープ層と、第1のドープ層と前記少なくとも1つのトレンチ側壁との間に形成され、さらに基板の表面に形成された、第1導電型材料の第2のドープ層と、を備え、第2のドープ層は、第1のドープ層を前記少なくとも1つのトレンチ側壁および基板表面から分離している。
【選択図】なし
Description
トレンチ凹部を第1導電型材料の基板に形成することであって、そのトレンチが側壁部分および底面部分を有することと、
第2導電型材料を有する材料をトレンチ凹部に充填することと、
非横方向配置電荷収集領域を形成するように、充填されたトレンチ材料から第2導電型材料をトレンチ側壁および底面を囲繞する基板材料に外方拡散させることと、
トレンチ凹部を設けるように、充填されたトレンチ材料を除去することと、
第1導電型材料を有する材料をトレンチ凹部に充填することと、
第1導電型材料を有する表面打込み層を形成することであって、その表面打込み層がトレンチのどちらの側にも形成されることと、を備え、
トレンチ型光電素子の収集領域は、外方拡散した第2導電型材料で形成され、基板表面から分離されている。
105 半導体基板(p型シリコン)
112 n型ドープ層(非横方向(縦方向)収集領域)
115 p型ポリシリコン
118 p型境界層
120 トレンチ型フォトダイオード素子
121 トレンチ
125 転送ゲート
130a、130b p型表面層
140 浮遊拡散領域
160 チャネル
200 CMOSイメージ・センサ・セル
205 半導体基板(p型シリコン)
212 n型ドープ層(非横方向(縦方向)収集領域)
215 p型ポリシリコン
218 p型境界層
220 トレンチ型フォトダイオード素子
221 トレンチ
225 転送ゲート
230a、230b p型表面層
240 浮遊拡散領域
250 横方向フォトダイオード
260 チャネル
305 半導体基板(p型シリコン)
312 n型光キャリア収集領域
315 p型ポリシリコン
321 トレンチ
330a、330b p型表面層
331 n型ドーパント材料
Claims (24)
- 表面を有する半導体基板と、
基板に形成された、非横方向配置電荷収集領域を有する光電素子と、を備え、
前記非横方向電荷収集領域が、前記基板表面を含んだ前記基板における前記非横方向電荷収集領域と同じ導電型の領域の物理的境界から完全に分離されているピクセル・センサ・セル。 - 前記光電素子が、
第1導電型材料の前記基板に形成された、側壁を有するトレンチと、
前記側壁の少なくとも1つに隣接して形成された、第2導電型材料の第1のドープ層と、
前記第1のドープ層と前記少なくとも1つのトレンチ側壁との間に形成され、さらに前記基板の表面に形成された、前記第1導電型材料の第2のドープ層と、を備え、前記第2のドープ層が、前記第1のドープ層を前記少なくとも1つのトレンチ側壁および前記基板表面から分離している、請求項1に記載のピクセル・センサ・セル。 - 前記基板の前記表面に形成された前記第1導電型材料の前記第2のドープ層が、前記トレンチのどちらの側にも形成されている、請求項2に記載のピクセル・センサ・セル。
- 前記トレンチが底面をさらに備え、前記第1のドープ層が前記底面に隣接して形成されている、請求項2に記載のピクセル・センサ・セル。
- 前記第2のドープ層が、前記第1のドープ層と前記トレンチの前記底面の間に形成されている、請求項4に記載のピクセル・センサ・セル。
- 横方向に配置され、かつ前記非横方向配置電荷収集領域を有する前記光電素子に接した追加の光電素子をさらに備える、請求項5に記載のピクセル・センサ・セル。
- 前記追加の光電素子が、前記光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域の前記第2導電型材料の前記第1のドープ層に接触しかつ前記基板表面に形成された前記第1導電型材料の前記第2のドープ層の下にある前記第2導電型材料の層を含んだ横方向配置電荷収集領域を含む、請求項6に記載のピクセル・センサ・セル。
- 前記追加の光電素子が、前記追加の光電素子の前記横方向配置電荷収集領域からの電荷キャリアおよび前記光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域からの電荷キャリアを、ゲート・チャネルを横切って、形成された拡散領域に転送するために使用可能な転送ゲート・デバイスに隣接して形成され、
前記光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域の前記第1のドープ層の前記第2導電型材料は、前記追加の光電素子の前記横方向配置電荷収集領域に蓄積された電荷キャリアが枯渇するより前に前記光電素子から蓄積電荷キャリアが完全に枯渇する程の濃度である、請求項7に記載のピクセル・センサ・セル。 - 前記基板表面に形成された前記第1導電型材料の前記第2のドープ層が、前記センサ・セルのピニング層を備える、請求項7に記載のピクセル・センサ・セル。
- 表面を有する半導体基板と、
基板に形成された、非横方向配置電荷収集領域を有する第1の光電素子と、
前記第1の光電素子に接した第2の光電素子であって、前記第1の光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域に接触した横方向配置電荷収集領域を有する第2の光電素子と、を備え、
前記第1および第2の光電素子の前記横方向配置および非横方向配置の電荷収集領域が、前記基板表面を含んだ前記基板における前記電荷収集領域と同じ導電型の領域の物理的境界から完全に分離されているピクセル・センサ・セル。 - 前記第1の光電素子が、
第1導電型材料の前記基板に形成された、側壁を有するトレンチと、
前記側壁の少なくとも1つに隣接して形成された、第2導電型材料の第1のドープ層と、
前記第1のドープ層と前記少なくとも1つのトレンチ側壁との間に形成され、さらに前記基板の表面に形成された、前記第1導電型材料の第2のドープ層と、を備え、前記第2のドープ層が、前記第1のドープ層を前記少なくとも1つのトレンチ側壁および前記基板表面から分離している、請求項10に記載のピクセル・センサ・セル。 - 前記基板の前記表面に形成された前記第1導電型材料の前記第2のドープ層が、前記トレンチのどちらの側にも形成されている、請求項11に記載のピクセル・センサ・セル。
- 前記第2の光電素子の前記横方向配置電荷収集領域が、
前記第1の光電素子の第2導電型材料の前記第1のドープ層に隣接しかつ接触して形成され、前記基板表面に形成された前記第1導電型材料の前記第2のドープ層の下にある第2導電型材料のドープ層を備えている、請求項11に記載のピクセル・センサ・セル。 - 前記トレンチが底面をさらに備え、前記第1のドープ層が前記底面に隣接して形成されている、請求項13に記載のピクセル・センサ・セル。
- 前記第2のドープ層が、前記第1のドープ層と前記トレンチの前記底面との間に形成されている、請求項13に記載のピクセル・センサ・セル。
- 前記第2の光電素子が、前記第2の光電素子の前記横方向配置電荷収集領域からの電荷キャリアおよび前記第1の光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域からの電荷キャリアを、ゲート・チャネルを横切って、形成された拡散領域に転送するために使用可能な転送ゲート・デバイスに隣接して形成され、
前記第1の光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域の前記第1のドープ層の前記第2導電型材料は、前記第2の光電素子の前記横方向配置電荷収集領域に蓄積された電荷キャリアが枯渇するより前に前記光電素子から蓄積電荷キャリアが完全に枯渇する程の濃度である、請求項13に記載のピクセル・センサ・セル。 - 前記基板表面に形成された前記第1導電型材料の前記第2のドープ層が、前記センサ・セルのピニング層を備える、請求項13に記載のピクセル・センサ・セル。
- 非横方向配置電荷収集領域を有する光電素子を含むピクセル・センサ・セルを製造する方法であって、
トレンチ凹部を第1導電型材料の基板に形成することであって、前記トレンチが側壁部分および底面部分を有することと、
第2導電型材料を有する材料を前記トレンチ凹部に充填することと、
前記非横方向配置電荷収集領域を形成するように、前記充填されたトレンチ材料から第2導電型材料を前記トレンチ側壁および底面を囲繞する前記基板材料に外方拡散させることと、
前記トレンチ凹部を設けるように、前記充填されたトレンチ材料を除去することと、
第1導電型材料を有する材料を前記トレンチ凹部に充填することと、
第1導電型材料を有する表面打込み層を形成することであって、前記表面打込み層が前記トレンチのどちらの側にも形成されることと、を含み、
前記トレンチ型光電素子の収集領域が、前記外方拡散した第2導電型材料で形成され、前記基板表面から分離されている前記方法。 - 前記光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域の間の、前記トレンチ側壁および底面を囲繞する基板領域に、第1導電型材料の層を形成するように、前記充填されたトレンチ材料から第1導電型材料を外方拡散させるステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 表面打込み層を形成する前記ステップが、前記トレンチのどちらの側の前記基板の表面にも第1導電型ドーパント材料を打ち込むことを含み、前記表面打込み層が、前記基板領域の第1導電型材料の前記形成された層に結合されている、請求項19に記載の方法。
- 横方向に配置されかつ前記光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域に接した電荷収集領域を有する追加の光電素子を形成するステップをさらに含む、請求項20に記載の方法。
- 追加の光電素子を形成する前記ステップが、
前記第1導電型材料を有する前記表面打込み層の下に第2導電型材料を打ち込むことを含み、前記打ち込まれた第2導電型材料が、基板表面から分離された前記電荷収集領域を形成する、請求項21に記載の方法。 - 前記表面打込み層が、前記センサ・セルのピニング層を形成する、請求項22に記載の方法。
- 前記追加の光電素子の前記横方向配置電荷収集領域からの電荷キャリアおよび前記光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域からの電荷キャリアを、ゲート・チャネルを横切って、形成された拡散領域に転送することを可能にする転送ゲート・デバイスを、前記追加の光電素子に隣接して形成することをさらに含み、
前記光電素子の前記非横方向配置電荷収集領域の前記第1のドープ層の前記第2導電型材料は、前記追加の光電素子の前記横方向配置電荷収集領域に蓄積された電荷キャリアが枯渇するより前に前記光電素子から蓄積電荷キャリアが完全に枯渇する程の濃度である、請求項22に記載の方法。
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