JP2007220888A - 超格子構造による耐放射線性を有する炭化珪素半導体素子およびその運転方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素エピタキシャル膜の上に形成される表面保護膜、層間絶縁膜などの絶縁膜を、SiO2膜とSiN膜とが交互に積層された多層膜などの超格子多層構造とし
て、絶縁膜内における多数の界面で外部からの放射線を反射、散乱させることにより素子内部への放射線の侵入を抑制する。
【選択図】なし
Description
炭化珪素(SiC)は、シリコン(Si)に比べて、約10倍の絶縁破壊電界強度、約3倍の熱伝導率を有するとともに、比較的大きな電子移動度を持つことから、従来のSi系パワー半導体素子に比べて飛躍的な性能向上を実現可能とする半導体材料として期待されている。さらに、禁制帯幅が広く、熱伝導率が高いことから高温環境下での使用に適しており、格子定数が小さいので原子核の変位損傷をおこす放射線エネルギーの閾値が高く欠陥導入率が低いことなどの理由から、耐熱・耐放射線性素子を実現するための材料として注目されている。
また本発明は、原子炉または核融合炉の近傍や宇宙環境等における高放射線環境下においても素子を安定に動作させることが可能な炭化珪素半導体素子の運転方法を提供するこ
とを目的としている。
ることが好ましい。
上記発明において、絶縁膜は、表面保護膜または層間絶縁膜であることが好ましい。
本発明の炭化珪素半導体素子の運転方法によれば、原子炉または核融合炉の近傍や宇宙環境等における高放射線環境下においても素子を安定に動作させることができる。
が好ましい。
の中間方向のオフ方位に、例えば1〜12°のオフ角で傾斜させて切り出した基板を使用し、この結晶面からステップフロー成長技術により炭化珪素をエピタキシャル成長させる。
る。
SiO2膜は、従来から知られている各種の方法、例えば、シランガスおよび酸素ガス
を反応ガスとして用いたLPCVD、APCVDなどによって形成することができる。
上記のSiO2膜形成工程とSiN膜形成工程とを交互に繰り返すことで、所定膜厚の
SiO2膜およびSiN膜を交互に積層してゆき、多層の絶縁膜を形成する。
Claims (5)
- 炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の上に、超格子多層構造を有する絶縁膜が形成されていることを特徴とする炭化珪素半導体素子。
- 前記絶縁膜は、SiO2膜とSiN膜とが交互に積層された多層膜であることを特徴と
する請求項1に記載の炭化珪素半導体素子。 - 前記絶縁膜は、表面保護膜または層間絶縁膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体素子。
- 原子炉または核融合炉の近傍における高放射線環境下に設置された機器の回路に組み込まれた請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素半導体素子を動作させることを特徴とする炭化珪素半導体素子の運転方法。
- 宇宙環境で使用される航空機、人工衛星、または惑星探査機に設置される電源回路または集積回路に組み込まれた請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素半導体素子を動作させることを特徴とする炭化珪素半導体素子の運転方法。
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