JPH0552779A - 走査型電子顕微鏡像の観察方法 - Google Patents
走査型電子顕微鏡像の観察方法Info
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- JPH0552779A JPH0552779A JP3213788A JP21378891A JPH0552779A JP H0552779 A JPH0552779 A JP H0552779A JP 3213788 A JP3213788 A JP 3213788A JP 21378891 A JP21378891 A JP 21378891A JP H0552779 A JPH0552779 A JP H0552779A
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- Japan
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- superlattice structure
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- electron
- energy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超格子構造を有する試料の断面構造を容易に
確認する。 【構成】 組成の異なる２種類以上の超薄膜層からなる
超格子構造に電子線を照射して超格子構造から発生した
２次電子を検出し２次電子像を結像させて超格子構造を
観察する際、電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下と
する。 【効果】 超格子構造を有するウェハのへき開面や破断
面に対する電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下に下
げることにより、断面観察を行うべき試料に単にへき開
もしくは破断加工を施すだけで容易に超格子構造が観察
できる。このため、超格子構造を観察するための試料作
製は、試料をへき開もしくは破断するだけでよくきわめ
て容易であり、観察したい領域を迅速に観察できる。
確認する。 【構成】 組成の異なる２種類以上の超薄膜層からなる
超格子構造に電子線を照射して超格子構造から発生した
２次電子を検出し２次電子像を結像させて超格子構造を
観察する際、電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下と
する。 【効果】 超格子構造を有するウェハのへき開面や破断
面に対する電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下に下
げることにより、断面観察を行うべき試料に単にへき開
もしくは破断加工を施すだけで容易に超格子構造が観察
できる。このため、超格子構造を観察するための試料作
製は、試料をへき開もしくは破断するだけでよくきわめ
て容易であり、観察したい領域を迅速に観察できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｓｉ／Ｇｅの超格子
構造やＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのような化合物半導体か
らなる超格子構造やＴｉ／Ｐｔのような金属からなる超
格子構造やＳｉＯ2 ／ＳｉＮのような絶縁物からなる超
格子構造やこれらを組み合わせた超格子構造を２次電子
像によって観察するための走査型電子顕微鏡像の観察方
法に関するものである。
構造やＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのような化合物半導体か
らなる超格子構造やＴｉ／Ｐｔのような金属からなる超
格子構造やＳｉＯ2 ／ＳｉＮのような絶縁物からなる超
格子構造やこれらを組み合わせた超格子構造を２次電子
像によって観察するための走査型電子顕微鏡像の観察方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の２次電子像（以下ＳＥＭ像とい
う）の観察方法は、電子線の入射エネルギーが主として
１０〜３０ｋｅＶ程度のものが用いられていた。図１は
固体試料に電子線を照射して、２次電子が発生するメカ
ニズムを図示したものである。１は入射電子線、２は固
体試料の表面、３は固体試料から外部に出る２次電子発
生領域、４は固体内部で発生した２次電子、５は表面情
報を含んだ２次電子、６は内部情報を含んだ２次電子で
ある。７は電子線の広がり領域を示す。
う）の観察方法は、電子線の入射エネルギーが主として
１０〜３０ｋｅＶ程度のものが用いられていた。図１は
固体試料に電子線を照射して、２次電子が発生するメカ
ニズムを図示したものである。１は入射電子線、２は固
体試料の表面、３は固体試料から外部に出る２次電子発
生領域、４は固体内部で発生した２次電子、５は表面情
報を含んだ２次電子、６は内部情報を含んだ２次電子で
ある。７は電子線の広がり領域を示す。
【０００３】一般に、入射電子線１の入射エネルギーを
大きくすると、例えば１０ｋｅＶ以上にすると、入射電
子線１は固体試料の表面２から深く固体内部に入り込
み、固体内部の情報を含んだ２次電子６を表面２から放
出するが、分解能は入射エネルギーが大きくなるにつれ
て向上する。凹凸のある試料においては、３０ｋｅＶで
は0.７ｎｍの分解能が得られている。
大きくすると、例えば１０ｋｅＶ以上にすると、入射電
子線１は固体試料の表面２から深く固体内部に入り込
み、固体内部の情報を含んだ２次電子６を表面２から放
出するが、分解能は入射エネルギーが大きくなるにつれ
て向上する。凹凸のある試料においては、３０ｋｅＶで
は0.７ｎｍの分解能が得られている。
【０００４】表面のごくわずかな凹凸や平坦な試料で
は、分解能をあまり落とすことなく入射電子線の低加速
化が必要となってくる。これまで、材料によって２次電
子の発生効率が異なることはわかっていたが、この２次
電子像による観察方法は、凹凸のある試料の凹凸を評価
するものであり、へき開面で全く凹凸がなく平坦な試料
でしかも超格子のような極めて薄い層の断面の層厚評価
はとりわけ困難であった。
は、分解能をあまり落とすことなく入射電子線の低加速
化が必要となってくる。これまで、材料によって２次電
子の発生効率が異なることはわかっていたが、この２次
電子像による観察方法は、凹凸のある試料の凹凸を評価
するものであり、へき開面で全く凹凸がなく平坦な試料
でしかも超格子のような極めて薄い層の断面の層厚評価
はとりわけ困難であった。
【０００５】ところが、最近へき開面で全く凹凸がなく
平坦な試料でしかも超格子のような極めて薄い層の断面
の層厚評価の技術も、いくつか提案され実施されてい
る。例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子構造は、
ＴＥＭによって１原子層まで観察が可能であるが、数原
子層までの分解能でよいならば、最近、小倉（月刊semi
conductor world 1990.11 p137. ）によって入射電子
（入射エネルギーは１０ｋｅＶ以上）とほぼ同等のエネ
ルギーを有する反射電子を用いて観察できることが示さ
れた。また、２次電子を用いた観察では、試料の表面を
わずかに角度をつけて研磨した後、化学エッチングによ
って超格子の一方の層を選択的にエッチングしてわずか
な凹凸を付けて観察していた。
平坦な試料でしかも超格子のような極めて薄い層の断面
の層厚評価の技術も、いくつか提案され実施されてい
る。例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子構造は、
ＴＥＭによって１原子層まで観察が可能であるが、数原
子層までの分解能でよいならば、最近、小倉（月刊semi
conductor world 1990.11 p137. ）によって入射電子
（入射エネルギーは１０ｋｅＶ以上）とほぼ同等のエネ
ルギーを有する反射電子を用いて観察できることが示さ
れた。また、２次電子を用いた観察では、試料の表面を
わずかに角度をつけて研磨した後、化学エッチングによ
って超格子の一方の層を選択的にエッチングしてわずか
な凹凸を付けて観察していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＴＥＭによる
観察の場合は試料作製が難しい。ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ超格子は試料作製が難しい中にも時間をかければ作製
できるが、Ｐ系の化合物半導体、例えばＩｎＰ／ＩｎＧ
ａＡｓＰのような超格子は結晶そのものが柔らかく従来
の機械的な研磨によるシンニングではＴＥＭ用の試料作
製が非常に難しい。また、たとえ観察用の試料が作製で
きたとしても、ＴＥＭ装置内で電子線を照射してＴＥＭ
像もしくは格子像を観察するために電子線を絞り込む
と、試料にダメージが入ったり試料そのものが蒸発した
りして正確に観察するのは難しく、かなりのテクニック
を必要とする。
観察の場合は試料作製が難しい。ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ超格子は試料作製が難しい中にも時間をかければ作製
できるが、Ｐ系の化合物半導体、例えばＩｎＰ／ＩｎＧ
ａＡｓＰのような超格子は結晶そのものが柔らかく従来
の機械的な研磨によるシンニングではＴＥＭ用の試料作
製が非常に難しい。また、たとえ観察用の試料が作製で
きたとしても、ＴＥＭ装置内で電子線を照射してＴＥＭ
像もしくは格子像を観察するために電子線を絞り込む
と、試料にダメージが入ったり試料そのものが蒸発した
りして正確に観察するのは難しく、かなりのテクニック
を必要とする。
【０００７】また、最近用いられている反射電子による
観察の場合も、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのようなＶ族元
素が同じＡｓで III族元素のみが異なる場合は、反射電
子放出量が異なりコントラストがついて観察しやすい
が、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰのように III族元素だけで
なくＶ族元素も異なる場合、反射電子の放出量にあまり
差がつかなくなり、コントラストがつかず観察は難しく
なる。また、反射電子像を観察する場合、試料に照射す
る電子線の加速電圧を低くすると極端に分解能および反
射電子放出量が落ち、観察が不可能となるため電子線の
入射エネルギーは１０ｋｅＶ以上に保つ必要があり、超
格子構造に電子線を照射すると電子線が試料内で広がる
ためあまり薄い超格子構造は観察できない。
観察の場合も、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのようなＶ族元
素が同じＡｓで III族元素のみが異なる場合は、反射電
子放出量が異なりコントラストがついて観察しやすい
が、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰのように III族元素だけで
なくＶ族元素も異なる場合、反射電子の放出量にあまり
差がつかなくなり、コントラストがつかず観察は難しく
なる。また、反射電子像を観察する場合、試料に照射す
る電子線の加速電圧を低くすると極端に分解能および反
射電子放出量が落ち、観察が不可能となるため電子線の
入射エネルギーは１０ｋｅＶ以上に保つ必要があり、超
格子構造に電子線を照射すると電子線が試料内で広がる
ためあまり薄い超格子構造は観察できない。
【０００８】さらに、２次電子像を用いた観察では、特
に表面をわずかに角度（≦３゜）をつけて研磨した後、
化学エッチングして一方の層だけ選択的にエッチングし
て凹凸を付けて観察する方法は、角度研磨するときかな
り正確に角度を測定していないと時間がかかるだけでな
く正確な層厚を求めることは難しい。また、エッチング
による凹凸の程度によっても各層の見えかたが異なるた
め再現性に乏しい。
に表面をわずかに角度（≦３゜）をつけて研磨した後、
化学エッチングして一方の層だけ選択的にエッチングし
て凹凸を付けて観察する方法は、角度研磨するときかな
り正確に角度を測定していないと時間がかかるだけでな
く正確な層厚を求めることは難しい。また、エッチング
による凹凸の程度によっても各層の見えかたが異なるた
め再現性に乏しい。
【０００９】したがって、この発明の目的は、超格子構
造を有する試料の断面構造を容易に確認することができ
る走査型電子顕微鏡像の観察方法を提供することであ
る。
造を有する試料の断面構造を容易に確認することができ
る走査型電子顕微鏡像の観察方法を提供することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の走査型電子顕
微鏡像の観察方法は、組成の異なる２種類以上の超薄膜
層からなる超格子構造に電子線を照射して超格子構造か
ら発生した２次電子を検出し２次電子像を結像させて超
格子構造を観察する際、電子線の入射エネルギーを５ｋ
ｅＶ以下とすることを特徴とする。断面観察に用いられ
る試料はへき開あるいは破断のみで作製する。
微鏡像の観察方法は、組成の異なる２種類以上の超薄膜
層からなる超格子構造に電子線を照射して超格子構造か
ら発生した２次電子を検出し２次電子像を結像させて超
格子構造を観察する際、電子線の入射エネルギーを５ｋ
ｅＶ以下とすることを特徴とする。断面観察に用いられ
る試料はへき開あるいは破断のみで作製する。
【００１１】
【作用】この技術的手段による作用は次のようになる。
まず、超格子構造を有するウェハのへき開面や破断面に
対する電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下に下げる
ことにより、断面観察を行うべき試料に単にへき開もし
くは破断加工を施すだけで容易に超格子構造が観察でき
る。このため、超格子構造を観察するための試料作製
は、試料をへき開もしくは破断するだけでよくきわめて
容易であり、観察したい領域を迅速に観察できる。前述
のようにＴＥＭでは観察したい領域を観察するためには
試料作製にかなりの時間を必要としたが、この発明によ
る観察方法では試料作製にはほとんど時間を必要としな
い。また、超格子構造の全体像を観察するのも極めて容
易である。
まず、超格子構造を有するウェハのへき開面や破断面に
対する電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下に下げる
ことにより、断面観察を行うべき試料に単にへき開もし
くは破断加工を施すだけで容易に超格子構造が観察でき
る。このため、超格子構造を観察するための試料作製
は、試料をへき開もしくは破断するだけでよくきわめて
容易であり、観察したい領域を迅速に観察できる。前述
のようにＴＥＭでは観察したい領域を観察するためには
試料作製にかなりの時間を必要としたが、この発明によ
る観察方法では試料作製にはほとんど時間を必要としな
い。また、超格子構造の全体像を観察するのも極めて容
易である。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照しな
がら説明する。この走査型電子顕微鏡像の観察方法は、
組成の異なる２種類以上の超薄膜層からなる超格子構造
に電子線を照射して超格子構造から発生した２次電子を
検出し２次電子像を結像させて超格子構造を観察する
際、超格子構造を有するウェハのへき開面や破断面に対
する電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下とすること
を特徴とするもので、断面観察の対象となる試料（もし
くは基板）は、へき開もしくは破断により作製する。
がら説明する。この走査型電子顕微鏡像の観察方法は、
組成の異なる２種類以上の超薄膜層からなる超格子構造
に電子線を照射して超格子構造から発生した２次電子を
検出し２次電子像を結像させて超格子構造を観察する
際、超格子構造を有するウェハのへき開面や破断面に対
する電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶ以下とすること
を特徴とするもので、断面観察の対象となる試料（もし
くは基板）は、へき開もしくは破断により作製する。
【００１３】図１に示すように、固体試料に照射する入
射電子線１の入射エネルギーを下げることで入射電子線
１の進入深さが浅くなり、試料のごく表面の情報のみの
信号が得られる。つまり、入射電子線１が固体試料内で
広がらないため、超格子のようなきわめて薄い層の断面
でも各層からの２次電子が取り出せることになる。ま
た、入射電子エネルギーに対する２次電子の発生効率
は、図２に示すように、入射電子エネルギーが１ｋｅＶ
付近で最大になり、入射エネルギーがこれより大きくな
るにつれて単調に減少し、３ｋｅＶを超えると急激に２
次電子の発生効率は悪くなり、５ｋｅＶ以上では２次電
子の発生効率はかなり悪い。
射電子線１の入射エネルギーを下げることで入射電子線
１の進入深さが浅くなり、試料のごく表面の情報のみの
信号が得られる。つまり、入射電子線１が固体試料内で
広がらないため、超格子のようなきわめて薄い層の断面
でも各層からの２次電子が取り出せることになる。ま
た、入射電子エネルギーに対する２次電子の発生効率
は、図２に示すように、入射電子エネルギーが１ｋｅＶ
付近で最大になり、入射エネルギーがこれより大きくな
るにつれて単調に減少し、３ｋｅＶを超えると急激に２
次電子の発生効率は悪くなり、５ｋｅＶ以上では２次電
子の発生効率はかなり悪い。
【００１４】凹凸を有する試料では、加速エネルギーを
高くすることで入射ビームを細く絞れかつ凹凸による２
次電子のしみだしから２次電子の発生効率をあまり犠牲
にせず観察が可能である。しかしながら、凹凸のない平
坦な試料では２次電子の発生効率を高く保つことは重要
であり、２次電子の発生効率を高く保つことで組成や伝
導型の微妙な違いを２次電子の発生効率の大きな変化と
して捕らえることが可能となる。したがって、入射電子
の進入深さをできる限り浅くして２次電子の発生効率を
良くする点から見ても加速電圧が低い方が良い。入射電
子の加速エネルギーが５ｋｅＶ〜１０ｋｅＶでもかろう
じて観察が可能であるが、コントラストはつきにくく観
察に時間がかかる。したがって、大きなコントラスト差
で観察するためには入射電子のエネルギーは５ｋｅＶ以
下が好ましい。
高くすることで入射ビームを細く絞れかつ凹凸による２
次電子のしみだしから２次電子の発生効率をあまり犠牲
にせず観察が可能である。しかしながら、凹凸のない平
坦な試料では２次電子の発生効率を高く保つことは重要
であり、２次電子の発生効率を高く保つことで組成や伝
導型の微妙な違いを２次電子の発生効率の大きな変化と
して捕らえることが可能となる。したがって、入射電子
の進入深さをできる限り浅くして２次電子の発生効率を
良くする点から見ても加速電圧が低い方が良い。入射電
子の加速エネルギーが５ｋｅＶ〜１０ｋｅＶでもかろう
じて観察が可能であるが、コントラストはつきにくく観
察に時間がかかる。したがって、大きなコントラスト差
で観察するためには入射電子のエネルギーは５ｋｅＶ以
下が好ましい。
【００１５】図３はＩｎＰ基板２１上に0.５μｍの厚さ
のＳｅドープｎ型ＩｎＰバッファ層２２と、アンドープ
のＩｎＧａＡｓＰ（１０ｎｍ）／ＩｎＰ（１０ｎｍ）の
１０ペアからなる超格子構造２３と、0.５μｍの厚さの
Ｓｅドープｎ型ＩｎＰキャップ層２４とを積層したもの
の断面構造を、この実施例の走査型電子顕微鏡像の観察
方法を利用して観察したものである。通常、ＳＥＭで観
察する場合、選択エッチングを施して界面で段差をつけ
るが、このような薄い超格子構造であるとエッチングに
よる界面の垂れが影響を及ぼしてくるので、へき開のみ
の平坦な試料で超格子構造の評価を行った。試料に照射
する入射電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶより大きく
すると超格子構造はほとんど観察できないが、入射エネ
ルギーを５ｋｅＶ以下にすると超格子構造が見えはじ
め、３ｋｅＶぐらいまで下げると観察できるようになっ
た。
のＳｅドープｎ型ＩｎＰバッファ層２２と、アンドープ
のＩｎＧａＡｓＰ（１０ｎｍ）／ＩｎＰ（１０ｎｍ）の
１０ペアからなる超格子構造２３と、0.５μｍの厚さの
Ｓｅドープｎ型ＩｎＰキャップ層２４とを積層したもの
の断面構造を、この実施例の走査型電子顕微鏡像の観察
方法を利用して観察したものである。通常、ＳＥＭで観
察する場合、選択エッチングを施して界面で段差をつけ
るが、このような薄い超格子構造であるとエッチングに
よる界面の垂れが影響を及ぼしてくるので、へき開のみ
の平坦な試料で超格子構造の評価を行った。試料に照射
する入射電子線の入射エネルギーを５ｋｅＶより大きく
すると超格子構造はほとんど観察できないが、入射エネ
ルギーを５ｋｅＶ以下にすると超格子構造が見えはじ
め、３ｋｅＶぐらいまで下げると観察できるようになっ
た。
【００１６】超格子構造の断面を、へき開のみで試料を
作製して観察できるが、材料によっては２次電子よりも
反射電子の方が観察しやすいものがある。以上の例は半
導体の場合であるが、次に金属や絶縁物の超格子構造の
場合について説明する。図４はＩｎＰ基板３１上にＴｉ
（１０ｎｍ）／Ｐｔ（１０ｎｍ）の１０ペアからなる超
格子構造３２およびＳｉＯ2 （１０ｎｍ）／ＳｉＮ（１
０ｎｍ）の１０ペアからなる超格子構造３３を積層し、
試料を破断することによって断面を作製し、この実施例
の走査型電子顕微鏡像の観察方法を利用して断面を観察
したものである。金属同士の超格子は入射エネルギーが
大きいと入射電子線が半導体に対するよりも広がりやす
く、また２次電子も広がりやすく、非常に観察しにくい
が、入射エネルギーを１ｋｅＶ以下にして入射電子線を
極表面のみに照射すると２次電子の広がりも抑制され、
超格子構造が観察できるようになる。
作製して観察できるが、材料によっては２次電子よりも
反射電子の方が観察しやすいものがある。以上の例は半
導体の場合であるが、次に金属や絶縁物の超格子構造の
場合について説明する。図４はＩｎＰ基板３１上にＴｉ
（１０ｎｍ）／Ｐｔ（１０ｎｍ）の１０ペアからなる超
格子構造３２およびＳｉＯ2 （１０ｎｍ）／ＳｉＮ（１
０ｎｍ）の１０ペアからなる超格子構造３３を積層し、
試料を破断することによって断面を作製し、この実施例
の走査型電子顕微鏡像の観察方法を利用して断面を観察
したものである。金属同士の超格子は入射エネルギーが
大きいと入射電子線が半導体に対するよりも広がりやす
く、また２次電子も広がりやすく、非常に観察しにくい
が、入射エネルギーを１ｋｅＶ以下にして入射電子線を
極表面のみに照射すると２次電子の広がりも抑制され、
超格子構造が観察できるようになる。
【００１７】また、絶縁物の超格子構造には、加速電圧
が大きいとチャージアップして全く観察できないが、0.
５ｋｅＶ程度まで入射エネルギーを下げていくと２次電
子の発生効率も極度に悪くなるが、２次電子のチャージ
アップも完全に防げて超格子構造が観察できるようにな
る。以上述べたように、半導体の超格子構造だけでなく
金属や絶縁物の超格子の観察にも、この実施例の走査型
電子顕微鏡像の観察方法を容易に適用することができ
る。
が大きいとチャージアップして全く観察できないが、0.
５ｋｅＶ程度まで入射エネルギーを下げていくと２次電
子の発生効率も極度に悪くなるが、２次電子のチャージ
アップも完全に防げて超格子構造が観察できるようにな
る。以上述べたように、半導体の超格子構造だけでなく
金属や絶縁物の超格子の観察にも、この実施例の走査型
電子顕微鏡像の観察方法を容易に適用することができ
る。
【００１８】
【発明の効果】この発明の走査型電子顕微鏡像の観察方
法によれば、超格子構造に電子線を照射して超格子構造
から発生した２次電子を検出し２次電子像を結像させて
超格子構造を観察する際、電子線の入射エネルギーを５
ｋｅＶ以下とするので、断面観察を行うべき試料に対し
て、単にへき開あるいは破断加工を行うだけで容易に超
格子構造が観察でき、超格子構造を観察するための試料
作製はきわめて容易にかつ短時間に行え、観察したい領
域を迅速に観察できる。また、超格子構造の全体像を観
察するのも極めて容易である。
法によれば、超格子構造に電子線を照射して超格子構造
から発生した２次電子を検出し２次電子像を結像させて
超格子構造を観察する際、電子線の入射エネルギーを５
ｋｅＶ以下とするので、断面観察を行うべき試料に対し
て、単にへき開あるいは破断加工を行うだけで容易に超
格子構造が観察でき、超格子構造を観察するための試料
作製はきわめて容易にかつ短時間に行え、観察したい領
域を迅速に観察できる。また、超格子構造の全体像を観
察するのも極めて容易である。
【００１９】以上述べたように、半導体や金属・絶縁物
などの超格子構造が容易に観察できることから、これま
でに用いられていたＴＥＭ法や角度研磨による観察法に
かわり、極めて短時間で観察でき、超格子作製後直ちに
設計通りできているかどうか確認できるだけでなく、プ
ロセスのどの工程においても容易に確認できる。したが
って、この発明はデバイスの作製プロセスの各段階を短
時間でモニタする方法として画期的であり、実用上の効
果は極めて大である。
などの超格子構造が容易に観察できることから、これま
でに用いられていたＴＥＭ法や角度研磨による観察法に
かわり、極めて短時間で観察でき、超格子作製後直ちに
設計通りできているかどうか確認できるだけでなく、プ
ロセスのどの工程においても容易に確認できる。したが
って、この発明はデバイスの作製プロセスの各段階を短
時間でモニタする方法として画期的であり、実用上の効
果は極めて大である。
【図１】この発明を説明するための２次電子発生メカニ
ズムを示す概略図である。
ズムを示す概略図である。
【図２】入射電子エネルギーと２次電子発生効率の関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図３】この発明による半導体の超格子構造の観察結果
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図４】この発明による金属・絶縁物の超格子構造の観
察結果を示す概略図である。
察結果を示す概略図である。
１ 入射電子線 ２ 固体試料の表面 ３ ２次電子発生領域 ４，５，６ ２次電子 ７ 電子線の広がり領域 ２１ ＩｎＰ基板 ２２ Ｓｅドープｎ型ＩｎＰバッファ層 ２３ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰからなる超格子構造 ２４ Ｓｅドープｎ型ＩｎＰキャップ層２４ ３１ ＩｎＰ基板 ３２ Ｔｉ／Ｐｔからなる超格子構造 ３３ ＳｉＯ2 ／ＳｉＮからなる超格子構造
Claims (1)
- 【請求項１】 組成の異なる２種類以上の超薄膜層から
なる超格子構造に電子線を照射して前記超格子構造から
発生した２次電子を検出し２次電子像を結像させて前記
超格子構造を観察する際、前記電子線の入射エネルギー
を５ｋｅＶ以下とすることを特徴とする走査型電子顕微
鏡像の観察方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3213788A JPH0552779A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 走査型電子顕微鏡像の観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3213788A JPH0552779A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 走査型電子顕微鏡像の観察方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0552779A true JPH0552779A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=16645064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3213788A Pending JPH0552779A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 走査型電子顕微鏡像の観察方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0552779A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994008232A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-14 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for surface analysis |
| US5877498A (en) * | 1992-09-28 | 1999-03-02 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for X-ray analyses |
| JP2007220888A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 超格子構造による耐放射線性を有する炭化珪素半導体素子およびその運転方法 |
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1991
- 1991-08-26 JP JP3213788A patent/JPH0552779A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994008232A1 (en) * | 1992-09-28 | 1994-04-14 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for surface analysis |
| US5481109A (en) * | 1992-09-28 | 1996-01-02 | Hitachi, Ltd. | Surface analysis method and apparatus for carrying out the same |
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