JP2007220781A - 貫通電極基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】貫通電極基板10は、(100)面のシリコン単結晶ウエハに対して〈100〉方向にオリフラ12を設けた基板11を用い、オリフラの平行方向及び垂直方向に貫通孔内に導電体が配されてなる貫通電極13を複数マトリックス状に配置したものである。隣接する貫通電極13のうち最短間隔を有する貫通電極同士は、基板11の劈開方向15と異なる方向14に配する。
【選択図】図1
Description
(2)(1)による割れ易さは、貫通電極の密度が大きくなると(本数が多くなると)、より顕著になる。
(3)さらに、貫通電極のパターン(配置)の向き(例えば貫通電極が直線状に並んでいるとき)が基板の劈開方位と同方向のときには、基板がより壊れ易くなる。
また、本発明は、上記の貫通電極基板の面上に、前記貫通電極と電気的に接続される実装部品が配されたことを特徴とする電子装置を提供する。
また、本発明は、隣接する貫通孔のうち最短間隔を有する貫通孔同士が、基板の劈開方向と異なる方向に配されるように複数の貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内に導電体を配する工程とを備えることを特徴とする貫通電極基板の製造方法を提供する。
図1は、本発明の貫通電極基板の第1形態例を示す平面図である。図1に示す貫通電極基板10は、(100)面のシリコン単結晶ウエハに対して<100>方向にオリフラ12を設けた基板11を用い、オリフラ12の平行方向及び垂直方向に貫通電極13、13、…をマトリックス状(縦横とも等間隔)に配置したものである。
すなわち本形態例の貫通電極基板10では、ウエハを貫通する貫通孔内に導電体が配されてなる貫通電極13の配置方向14が基板11の劈開方向15に対して45°ずれるようになっている。ここで貫通電極13の配置方向14とは、隣接する貫通電極13のうち最短間隔を有する貫通電極同士が配置される方向である。
これにより、加工プロセス中の基板11の欠けや破損を低減して加工歩留まりを向上することができる。
すなわち本形態例の貫通電極基板20では、ウエハを貫通する貫通孔内に導電体が配されてなる貫通電極23の配置方向24が基板21の劈開方向25に対して45°ずれるようになっている。ここで貫通電極23の配置方向24とは、隣接する貫通電極23のうち最短間隔を有する貫通電極同士が配置される方向である。
これにより、加工プロセス中の基板21の欠けや破損を低減して加工歩留まりを向上することができる。
なお、図2では貫通電極22の配置方向24はオリフラ22に垂直な方向とした例を示したが、本発明によれば基板21の劈開方向25と異なる方向であれば特にこれに限定されず、例えば貫通電極22の配置方向24をオリフラ22に平行な方向としても良い。
すなわち本形態例の貫通電極基板30では、ウエハを貫通する貫通孔内に導電体が配されてなる貫通電極33の配置方向34が基板31の劈開方向35に対して45°ずれるようになっている。
これにより、加工プロセス中の基板31の欠けや破損を低減して加工歩留まりを向上することができる。
なお、図2では、貫通電極33の配置方向34はオリフラ32に垂直な方向としたが、基板31の劈開方向35と異なる方向であれば特にこれに限定されず、例えばオリフラ32に平行な方向としても良い。
すなわち本形態例の貫通電極基板40では、ウエハを貫通する貫通孔内に導電体が配されてなる貫通電極43の配置方向44が基板41の劈開方向45に対して、45°未満の所定の角度でずれるようになっている。ここで貫通電極43の配置方向44とは、隣接する貫通電極43のうち最短間隔を有する貫通電極同士が配置される方向である。
これにより、加工プロセス中の基板41の欠けや破損を低減して加工歩留まりを向上することができる。
すなわち、本発明の貫通電極基板の製造は、隣接する貫通孔のうち最短間隔を有する貫通孔同士が基板の劈開方向と異なる方向に配されるように複数の貫通孔を形成し、これらの貫通孔内に導電体を配することによって製造することができる。貫通孔は、例えばドライエッチングやレーザー加工等の手法によって形成することができる。また、貫通孔内に導電体を配する手法は、スクリーン印刷法、溶融金属吸引法による充填、孔壁へのメッキなどが例示される。
本発明において貫通電極基板の面上に配される実装部品(デバイス)5、6を貫通電極3と電気的に接続する手法も特に制限はないが、例えば図1に示すように、貫通電極3と電気的に接続される配線層7を基板1上に形成し、バンプ8を介して実装部品5、6を配線層7と電気的に接続する手法が挙げられる。
Claims (3)
- 貫通孔内に導電体が配されてなる貫通電極を複数備える貫通電極基板において、
隣接する貫通電極のうち最短間隔を有する貫通電極同士は、基板の劈開方向と異なる方向に配されていることを特徴とする貫通電極基板。 - 請求項1に記載の貫通電極基板の面上に、前記貫通電極と電気的に接続される実装部品が配されたことを特徴とする電子装置。
- 隣接する貫通孔のうち最短間隔を有する貫通孔同士が、基板の劈開方向と異なる方向に配されるように複数の貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に導電体を配する工程とを備えることを特徴とする貫通電極基板の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012175049A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2013251372A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体装置 |
WO2020039635A1 (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 株式会社村田製作所 | デバイス用基板及び集合基板 |
JP2020055296A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270864A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2005026405A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Sharp Corp | 貫通電極構造およびその製造方法、半導体チップならびにマルチチップ半導体装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270864A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2005026405A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Sharp Corp | 貫通電極構造およびその製造方法、半導体チップならびにマルチチップ半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012175049A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8980671B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP2013251372A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及び半導体装置 |
WO2020039635A1 (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 株式会社村田製作所 | デバイス用基板及び集合基板 |
CN112567496A (zh) * | 2018-08-22 | 2021-03-26 | 株式会社村田制作所 | 设备用基板以及集合基板 |
JP2020055296A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド |
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