JP2007219861A - ボルテージレギュレータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電源端子と出力端子の間に接続された出力トランジスタM30と同じタイプのリーク電流モニタ用トランジスタM41が出力端子と抵抗RAの間に接続され、その抵抗RAのもう一方の端子はGND端子に接続され、出力トランジスタM30のリーク電流をGND端子に流す機能を有する、IC化されたリーク電流検出回路40を備えたボルテージレギュレータ。
【選択図】図1
Description
出力端子(VOUT)に接続されたシステムがスリープ状態の場合、ボルテージレギュレータの出力電流はゼロである。このような条件下で出力ドライバM30にリークが合った場合、M30のリーク電流が(出力電圧)/(R1+R2)で決まる電流値を超えなければ、リーク電流は抵抗R1、R2を介してGND端子に流れ込む。
このような出力ドライバM30のリークは主にチップ温度の上昇によって増加する。またリーク電流はトランジスタの微細化によって増加する。微細化されたプロセスを用いたボルテージレギュレータにおいて、高温環境下で出力電流ゼロの時の出力電圧上昇が課題であった。またIC内部における簡単な構成で対策することが望まれていた。
本発明は、簡単な構成で精度よくリーク電流を検出して、吸収することが可能なボルテージレギュレータを提供することを目的とする。
請求項2記載の発明は、前記リーク電流モニタ用トランジスタの諸特性は、前記出力トランジスタの諸特性と同じになるように選択されることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、前記リーク電流モニタ用トランジスタが前記出力トランジスタと同一フィールド内に存在することを特徴とする。
請求項5記載の発明は、前記リーク電流モニタ用トランジスタがnpnバイポーラトランジスタであることを特徴とする。
図1は本発明の第1の実施形態に係るボルテージレギュレータの構成図である。出力ドライバM30、M41は同じタイプのPchトランジスタで、出力ドライバM42はNchトランジスタである。以下、出力ドライバを省略してM30、M41、M42と称する。
M41をM30に隣接または同一フィールド内に配置することにより、M30とM41のしきい値、両者の加工精度は同等となり、特性も似たものになる。これによってチップ温度が高温になり、M30にリーク電流が発生するとM41にもリーク電流が発生する。つまりM41は出力トランジスタのリーク電流をモニタする働きを持つ。
M41のリーク電流は抵抗RAを介してGND端子に流れ込み、M42のゲート電圧が上昇する。M41のリーク電流が増えるとM42のゲート電圧は上昇し、M42のしきい値電圧を超えると出力端子から抵抗RB、M42を介して電流が流れる。
M41はM30に隣接または同一フィールド内に配置することが望ましい。リーク電流量はゲート幅に比例し、問題となるリーク電流量は数uA〜数十uAのオーダーである。出力トランジスタは十分な電流駆動能力を持たせるためにゲート幅が大きく面積も大きい。
そうするとM41はM30よりもリークしやすくなるのでRAの抵抗値を小さくできる。図1のM42のサイズとRBの抵抗値、図2のM42のサイズとRCの抵抗値はM30のリーク電流量に合わせて適切に調整すればよい。
これによって出力端子から抵抗RBとM44を介してリーク電流はGND端子に流れ込む。M30のリーク電流量が(出力電圧)/(R1+R2)を超え、リーク電流の一部がボルテージレギュレータIC外部に電圧安定化のために設けられたコンデンサに充電され、出力電圧が上昇し始める前にM44がオンするようにM41のゲート幅、RAの抵抗値を選べばよい。図1に示す第1の実施形態と同様にリーク電流吸収回路40が吸収する電流は抵抗RBで調整できる。
また、リーク電流モニタ用トランジスタのゲート長を出力トランジスタのゲート長よりも小さくすることで、リーク電流モニタ用のトランジスタの面積を小さくすることができる。
また、同一IC内であっても距離が離れていれば温度に差があるため、出力トランジスタとリーク電流モニタ用トランジスタを隣接させたり、同一フィールド内に配置することで温度差を小さくすることができ、リーク電流モニタ精度を高めることができる。
また、リーク電流モニタ用トランジスタをnpnバイポーラトランジスタとすることで、リーク電流に依存して動作するリーク電流吸収回路に好適なものとなる。
M41 リーク電流モニタ用トランジスタ
RA 抵抗
40 リーク電流吸収回路
Claims (5)
- 出力トランジスタのリーク電流を吸収するリーク電流吸収回路を備えたボルテージレギュレータであって、
前記出力トランジスタの出力端子とGND間に抵抗を介して接続されたリーク電流モニタ用トランジスタと、前記抵抗に流れるリーク電流により発生する電圧が所定の閾値を超えた場合に、前記出力端子の電流をグランドにバイパスするバイパストランジスタと、を備えたことを特徴とするボルテージレギュレータ。 - 前記リーク電流モニタ用トランジスタの諸特性は、前記出力トランジスタの諸特性と同じになるように選択されることを特徴とする請求項1に記載のボルテージレギュレータ。
- 前記リーク電流モニタ用トランジスタのゲート長が前記出力トランジスタのゲート長よりも小さいか又は同じであることを特徴とする請求項1又は2に記載のボルテージレギュレータ。
- 前記リーク電流モニタ用トランジスタが前記出力トランジスタと同一フィールド内に存在することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載のボルテージレギュレータ。
- 前記リーク電流モニタ用トランジスタがnpnバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載のボルテージレギュレータ。
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