JP2007217240A - SiC焼結体、SiC粒子及びSiC焼結体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不純物として焼結体中に残留する焼結助剤無添加で製造され、かつ主となる立方晶の他に菱面体晶が含まれることを特徴とするSiC焼結体。
【選択図】 なし
Description
本発明の焼結特性に優れたSiC粒子は、CVD法によって作成され、C−H結合およびSi−H結合が含まれるとともに、粒径が10〜100nmであることを特徴とする。
本発明のSiC焼結体の製造方法は、前記SiC粒子を原料とし、パルス通電焼結によって作製されることを特徴とする。
本発明のSiC焼結体の製造方法は、更に、SiC粒子に有機シラン類をSi元素比で0.1〜20%、添加剤として混合した混合物を原料とし、パルス通電焼結によって作製されることを特徴とする。
ナノサイズのSiCを出発原料に放電プラズマ焼結することで、助剤を添加せずにSiC焼結体を得る方法は、上記特許文献3に開示されている。しかし、特許文献3では、ナノサイズの結晶粒を持つSiC焼結体を得ることに主眼がおかれており、そのため焼結体中には気孔が存在している。
(実施例1)
まず、CVD用ポリマー(商品名:CVD4000、Starfire社製)を原料に、熱CVD法でナノSiCを作製した。これにより、常圧アルゴン雰囲気、反応温度1000℃の条件で、粒径30nmで結晶性が低く、C−H結合およびSi−H結合を含むSiC粒子が得られた。次に、これを内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。つづいて、100MPaで加圧しながらパルス通電し、2000℃で焼結した。
まず、ヘキサメチルジシランを原料に、熱CVD法でナノSiCを作製した。これにより、常圧水素雰囲気、反応温度1000℃の条件で、粒径30nmで結晶性が低く、C−H結合およびSi−H結合を含むSiC粒子が得られた。次に、これを内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。つづいて、70MPaで加圧しながらパルス通電し、2100℃で焼結した。
まず、四塩化珪素とプロパンを原料に、熱CVD法でナノSiCを作製した。これにより、常圧水素雰囲気、反応温度1300℃の条件で、粒径30nmで結晶性が低く、C−H結合およびSi−H結合を含まないSiC粒子が得られた。次に、これに実施例1で使用したSiC粒子を1:1で混合した後、内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。つづいて、100MPaで加圧しながらパルス通電し、2000℃で焼結した。
まず、四塩化珪素とプロパンを原料に、熱CVD法でナノSiCを作製した。これにより、常圧水素雰囲気、反応温度1300℃の条件で、粒径30nmで結晶性が低く、C−H結合およびSi−H結合を含まないSiC粒子が得られた。これにSiC製造用ポリマー(商品名:SMP−10,Starfire社製)をSi元素比で5%添加して造粒した後、内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。つづいて、100MPaで加圧しながらパルス通電し、2000℃で焼結した。
まず、Aldrich社が販売している、粒径50nmのβ構造ナノSiCに実施例1で使用したSiC粒子を1:1で混合した後、内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。次に、100MPaで加圧しながらパルス通電し、2000℃で焼結した。
まず、Aldrich社が販売している、粒径50nmのβ構造ナノSiCにSiC製造用ポリマー(商品名:SMP−10,Starfire社製)をSi元素比で5%添加して造粒した後、内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。次に、100MPaで加圧しながらパルス通電し、2000℃で焼結した。
まず、Aldrich社が販売している、粒径50nmのβ構造ナノSiCを内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。次に、100MPaで加圧しながらパルス通電し、2000℃で焼結した。
アルキメデス法による密度測定を行ったところ、3.15g/cm3であり、相対密度98%であった。X線回折の結果、立方晶のみであることが判った。また、表面を鏡面研磨した後、SEMで1000〜50000倍の範囲で表面観察を行ったところ、1μm前後の気孔が確認できた。
まず、屋久島電工が販売している、粒径1μmのGCシリーズであるβ構造しCを内径20mmのカーボン型に5g充填し、放電プラズマ焼結装置で焼結した。次に、100MPaで加圧しながらパルス通電し、2000℃で焼結した。
得られた焼結体は多孔質であり、十分に焼結していなかった。寸法重量から求めた密度は2.13g/cm3であり、相対密度66%であった。X線回折の結果、立方晶のみであることが判った。
まず、実施例1で使用したSiC粒子を内径20mmのカーボン型に5g充填し、ホットプレス装置で焼結した。次に、100MPaで加圧しながら、2000℃で焼結した。
アルキメデス法による密度測定を行ったところ、3.00g/cm3であり、相対密度93%であった。X線回折の結果、焼結体には菱面体晶が含まれていることが判った。
下記表1は、上記実施例1〜6及び比較例1〜3におけるCVD原料、SiC粒子の結晶状態及び内径、焼結方法、密度、相対密度を夫々示す。
Claims (6)
- 不純物として焼結体中に残留する焼結助剤無添加で製造され、かつ主となる立方晶の他に菱面体晶が含まれることを特徴とするSiC焼結体。
- 気孔を持たず、密度3.20g/cm3以上となることを特徴とする請求項1に記載のSiC焼結体。
- CVD法によって作成され、C−H結合およびSi−H結合が含まれるとともに、粒径が10〜100nmであることを特徴とする、焼結特性に優れたSiC粒子。
- 請求項3に記載のSiC粒子を原料とし、パルス通電焼結によって作製されることを特徴とするSiC焼結体の製造方法。
- C−H結合を実質的に含まない粒径10〜100nmのSiC粒子0〜90%と、請求項3に記載のSiC粒子100〜10%を混合した混合物を原料とし、パルス通電焼結によって作製されることを特徴とするSiC焼結体の製造方法。
- SiC粒子に有機シラン類をSi元素比で0.1〜20%、添加剤として混合した混合物を原料とし、パルス通電焼結によって作製されることを特徴とするSiC焼結体の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2008239404A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Covalent Materials Corp | 超微細SiC粒子およびその製造方法、超微細SiC焼結体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05194034A (ja) * | 1991-08-19 | 1993-08-03 | Solvay Deutsche Gmbh | 炭化珪素粉末を基礎とする顆粒、該顆粒の製造法、および常圧焼結された炭化珪素セラミック |
JPH09255428A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 炭化珪素焼結体の比抵抗制御方法 |
JP2004043241A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Mamoru Omori | 高純度炭化けい素焼結体およびその製造方法 |
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2006
- 2006-02-17 JP JP2006041006A patent/JP2007217240A/ja active Pending
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