JP4872290B2 - ナノ構造を有するSiC−A1N固溶焼結体とその製造方法 - Google Patents
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前記微粒子粉末を加圧焼結する焼結工程と
を含む焼結体の製造方法であることにある。
前記微粒子粉末を加圧焼結する焼結工程と
を含む焼結体の製造方法であることにある。
”stacking disorder ” といわれる構造を示す。
(1)Szulzewsky, K., Olschewski, C., Kosche, I., Klotz, H. D. &
Mach, R.
Nanocrystalline Si-C-N composites. Nanostructured Mater.,
6, 325-328 (1995).
(2) Palosz B., Gierlotka, S., Stelmakh, S., Pielaszek, R., Zinn,
P., Winzenick, M., Bismayer, U. & Boysen, H. High-pressure high-temperature
in situ diffraction studies of nanocrystalline ceramic materials at HASYLAB. J.
Alloys Compounds. 286. 184-194 (1999).
(3) V. V. Pujar and J. D. Cawley, “Computer Simulations of
Diffraction Effects due to Stacking Faults in -SiC: I, Simulation Results”, J.
Am. Ceram. Soc., 80, 1653-1662 (1997).
Shih-Yee Kuo AND Anil V. Virkar、Modulated Structures in SiC-A1N
Ceramics、J. Am. Ceram. SOC., 70 [6] C-125-C-128 (1987)
前記微粒子粉末を加圧焼結する焼結工程と
を含む焼結体の製造方法により製造される。
焼結条件
焼結電流 : 1500(A)〜8000(A)
焼結電圧 : 2(V)〜12(V)
加圧焼結開始時(温度1400℃)から最高焼結温度到達に至るまでの昇温速度 :100℃/min未満
焼結温度 : 1700〜1900℃
焼結圧力 : 40MPa〜200MPa
加圧保持時間 : 10〜30min
SiCの原料として、平均粒径75μm、純度99.99%のSiの粉末と、平均粒径7μmの固形炭素Cとを用意し、また、平均粒径2μmのA1N粉末を用意した。これらの原料粉末をメカニカルアロイング法により積層無秩序構造を有した微粒子粉末にした。
焼結条件
焼結電流 : 1500A〜2200A
焼結電圧 : 4.0V〜8.0V
加圧焼結開始温度 :1400℃
加圧焼結開始時から最高焼結温度到達に至るまでの昇温速度 : 100℃/min
焼結温度 : 1700〜1900℃
焼結圧力 : 70MPa
最高焼結温度における加圧保持時間 : 10min
SiCの原料として、実施例1で用いた珪素Siの粉末と、実施例1で用いた固形炭素Cとを用意した。これらの原料粉末からなる混合物はC/Siのモル比が1:1である。この混合物を実施例1、2と同様の条件でメカニカルアロイング法により微粒子粉末にした。得られた微粒子粉末を、実施例1と同様の条件で焼結を行なった。得られた焼結体の焼結温度と、焼結体の相対密度との関係を図2のグラフに実施例1の結果とともに示す。
なお、図2における焼結温度1700℃以上での焼結体の相対密度を表1に示す。
実施例2で得られた微粒子粉末を以下の条件で焼結した。
焼結電流 : 1500A〜2200A
焼結電圧 :4.0V〜8.0V
加圧焼結開始温度 : 1400℃
加圧焼結開始時から最高焼結温度達成に至るまでの昇温速度 : 100℃/min
焼結温度 : 1900℃
焼結圧力 : 100MPa
最高焼結温度における加圧保持時間 : 10min
得られた焼結体は相対密度が99.99%であった。この焼結体のX線回折グラフにおいては、A1Nの回折ピークは検出されず、図4(a)におけるようなSiCの3C構造(β−SiC構造)特有のピーク(PS1〜PS5)が検出された。
SiCの原料として、平均粒径75μm、純度99.99%のSiの粉末と、平均粒径7μmの固形炭素Cとを用意し、また、平均粒径2μmのA1N粉末を用意した。これらの原料粉末[C/Si/A1Nのモル比が1:1:2]を実施例1と同様の条件でメカニカルアロイング法により微粒子粉末にした。
Claims (10)
- 焼結体であって、SiCとA1Nとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、該固溶体は0.5〜10mol%のA1Nを含み、該微粒子は積層無秩序構造を持ち、前記焼結体の平均粒子サイズが5〜200nmであり、微量のA1Nが固溶したβ−SiC構造、微量のA1Nが固溶したα−SiCと微量のA1Nが固溶したβ−SiCとの混在構造から選択される構造を有することを特徴とする焼結体。
- 焼結体であって、SiCとA1Nとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、前記焼結体の平均粒子サイズが5〜200nmであり、前記焼結体が、SiC−AlN相図におけるδ1+δ2の領域でSiCとAlNのモル比が1:2であり、A1Nが固溶した変調構造を有する、ことを特徴とする焼結体。
- 前記被焼結粉末をホットプレス焼結法または熱間等方加圧焼結法またはパルス通電焼結法のいずれかにより焼結して成る請求項1または2に記載の焼結体。
- 前記被焼結粉末を、焼結圧力20〜200MPa、焼結温度1500〜1900℃でパルス通電焼結法により焼結して成る請求項1から3のいずれかに記載の焼結体。
- 前記被焼結粉末を、1400℃以上の加熱時における昇温速度10〜300℃/minでパルス通電焼結法により焼結して成る請求項4に記載の焼結体。
- 前記被焼結粉末を、焼結温度1700〜1900℃でパルス通電焼結法により焼結して成る請求項5に記載の焼結体。
- 相対密度が98.00〜99.99%であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の焼結体。
- A1N粒子と、互いに等mol%の比率のSi粒子とC粒子、とからなる混合物をメカニカルアロイング法により微粒子化して0.5〜10mol%のA1N粒子を含む微粒子粉末を得る工程と、
前記微粒子粉末を加圧焼結する焼結工程と
を含む焼結体の製造方法。 - A1N粒子と、互いに等mol%の比率のSi粒子とC粒子、とからなり、SiとA1Nのモル比が1:2である混合物をメカニカルアロイング法により微粒子化して微粒子粉末を得る工程と、
前記微粒子粉末をSiC−AlN相図におけるδ1+δ2の領域で加圧焼結する焼結工程と
を含む焼結体の製造方法。 - 前記焼結工程が焼結圧力20〜200MPa、焼結温度1700〜1900℃でパルス通電焼結法により焼結する工程である請求項8または9に記載の焼結体の製造方法。
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JP2005278133A JP4872290B2 (ja) | 2005-09-26 | 2005-09-26 | ナノ構造を有するSiC−A1N固溶焼結体とその製造方法 |
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JP2007084405A JP2007084405A (ja) | 2007-04-05 |
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NO904118L (no) * | 1989-09-22 | 1991-03-25 | Carborundum Co | Siliciumcarbidbasert keramisk legeme og fremgangsmaate forfremstilling av dette. |
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