JP2007207986A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄型化及び軽量化に適した構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】正面14に凹部24を有するハウジング12と、前記凹部24内に露出した先端34を有し、前記ハウジング12の外壁面から突出し、且つ前記ハウジング12の底面16に沿って折り曲げられた一対のリード電極20と、前記凹部24に収納されて前記一対のリード電極20に導通される半導体素子36と、を備えた半導体装置1であって、
前記ハウジング12は、前記正面14と前記底面16との両方に隣接する左右一対の側面18に、ハウジング12の上面28から前記底面16に向かって貫通した溝部30を有していることを特徴とする。前記溝部30は、前記リード電極20の厚みと略同一の幅を有しているのが好ましい。さらに、前記溝部30が、前記リード電極20の前記先端34と同一平面上に形成されているのがより好ましい。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体発光素子を用いた発光装置および光学センサなどに用いられる受光装置に関し、特に、液晶ディスプレイのバックライト等に用いられる薄型の発光装置に関する。
近年の液晶ディスプレイのバックライトには、薄型の発光装置と、発光装置からの光を面状に広げる導光板とから構成された平面光源が使用されている。このような用途に用いられる発光装置の一つとして、扁平形状の樹脂ハウジング(ハウジング)内に発光ダイオードを配置した薄型発光装置が知られている(例えば特許文献1参照)。この樹脂ハウジングは、横長の発光面に凸部を備えていて、導光板の端部に凸部を受容する凹部を形成しておくことにより、導光板との位置決め精度を向上させることができる。
特開2004−363537号公報
前述の特許文献1には、リードフレームの一部にハンガーリードを設けて、発光装置の製造中にハウジングをリードフレームに支持することが開示されている。一般的なハンガーリードを用いたハウジングの保持方法について、図面を参照しながら説明する。
図10(A)は、ハウジング106付のリードフレーム102の一例を示す。図示したリードフレーム102には、一対のリード電極104を内包した扁平形状のハウジング106がハンガーリード100によって支持されている。図10(B)の部分拡大図は、ハンガーリード100とハウジング106との支持構造を拡大して示しており、この図からわかるように、ハンガーリード100の先端108が、ハウジング106の側面110に埋没している。このようなハウジング106とハンガーリード100とから成る支持構造を、ハウジング106の両側の側面110に構成することにより、ハウジング106をリードフレーム102に支持している。なお、ハウジング106は、その主面が、リードフレーム102の表面に対して垂直方向になるように支持されている。
図11(A)及び(B)は、図10(A)及び(B)に示すハウジング106付きのリードフレーム102から形成した発光装置を示す斜視図である。図10(A)及び(B)に示すハウジング106付きのリードフレーム102から、図11に示すような発光装置114を形成する方法を説明する。
まず、ハウジング106の凹部112の中にLEDを実装する。凹部112の中には一対のリード電極104の先端分が露出しているので、それら2つの先端分とLEDの正極又は負極とをそれぞれダイボンドやワイヤボンドによって導通しておく。次いで、凹部112に透光性の樹脂を充填して、ハウジング116内のLEDを樹脂封止する。その後、リードフレーム102を破線Xに沿って切断し、リードフレーム102から切り離されたリード電極104をハウジング106の底面に沿って折り曲げ、さらに側面に沿って折り曲げる。折り曲げ加工の間、ハウジング106は、ハンガーリード100によって姿勢を保ったまま保持される。最後に、ハウジング106を支持した状態でハンガーリード100を曲げることにより、ハウジング106の側部110からハンガーリード100を抜き取って、発光装置114を得る。そのため、図11(A)及び(B)に示すように、発光装置114の側面110には、ハンガーリード100の先端108が埋没していたくぼみ118が残る。このようにして製造された薄型の発光装置114は、リード電極104側を底面として実装される。発光装置114は、凹部112側を発光窓として導光板と組み合わされて、携帯電話やモバイルパソコンの液晶ディスプレイ用の平面光源などに使用される。
特許文献1に開示されている発光装置は、平面光源用として使用するのに適した薄さであるが、近年では、より薄型の発光装置が求められるようになってきた。しかしながら、特許文献1で開示された発光装置をそのまま薄型にすると、いくつかの不具合を生じてしまう。
例えば、薄型の半導体装置をハンガーリード付きのリードフレームで製造する場合、ハンガーリードを狭幅にする必要がある。その結果ハンガーリードの強度が低下し、ハンガーリード付きリードフレームを運搬中にハンガーリードが容易にねじれ変形し、ハウジングの姿勢が傾斜するなどの不良が発生し易くなる。また、リード電極104の折り曲げ加工のときにも、ハウジング106にかかる応力によってハンガーリード100がねじれてしまい、ハウジング106が傾いてしてしまうことがある。このようにハウジングが傾斜すると、半導体素子のダイボンドができなくなり、不良品の発生原因となる。
また、薄型の半導体装置は、従来のチップマウンターで実装する場合にも、位置決めの際に問題が起こり易かった。例えば、一般的なチップマウンターは、チップ運搬用の吸着ノズルを備えている。この吸着ノズルによって発光装置の上面を真空吸着し、そのまま半導体装置をマウント位置まで運搬することができる。吸着ノズルで運搬された半導体装置は、さらに、サブマウントの所定位置に正確に位置合わせされ、その後に吸着ノズルの真空吸着の解除(これを真空破壊という)により、所定位置に載置される。ところが、半導体装置が従来よりも薄型で軽量になると、吸着ノズルの真空破壊前に半導体装置とサブマウントとを正確に位置合わせしたとしても、真空破壊のときに生じる微小な空気のゆらぎによって、半導体装置が位置ズレしてしまう場合がある。
そこで、本発明は、薄型化及び軽量化に適した構造を有する半導体装置を提供することを目的とし、特に、(1)製造段階においては、リードフレームに固定されたハウジングを安定して支持でき、(2)得られた製品の実装においては、実装の位置精度を高くすることができるような半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、正面に凹部を有するハウジングと、前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングの外壁面から突出し、且つ前記ハウジングの底面に沿って折り曲げられた一対のリード電極と、前記凹部に収納されて前記一対のリード電極に導通される半導体素子と、を備えた半導体装置であって、前記ハウジングは、前記正面と前記底面との両方に隣接する左右一対の側面に、ハウジングの上面から前記底面に向かって貫通した溝部を有していることを特徴とする。
この半導体装置の前記溝部は、前記リード電極の厚みと略同一の幅を有しているのが好ましい。
さらに、前記溝部が、前記リード電極の前記先端と同一平面上に形成されているのがより好ましい。
また、本発明は、正面に凹部を有するハウジングと、前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングの外壁面から突出し、且つ前記ハウジングの底面に沿って折り曲げられた一対のリード電極と、前記凹部に収納されて前記一対のリード電極に導通される半導体素子と、を備えた半導体装置の製造方法であって、複数の開口部を有する金属板から成り、各開口部の内側に向かって突出するようにリード電極のパターンが形成されたリードフレームを準備する工程と、前記リードフレームの各開口部内にて、前記ハウジングの前記凹部内に前記リード電極の先端を露出させると共に、前記リードフレームに設けられた開口部の周縁によって前記ハウジングの側面に溝を形成する工程と、前記一対のリード電極を前記リードフレームから切断し、前記開口部の周縁を前記溝に嵌合させることによって前記ハウジングをリードフレームに保持した状態で、前記ハウジングから突出した前記一対のリード電極を前記ハウジングの外壁面に沿うよう折り曲げる工程と、前記リードフレームから前記ハウジングを脱離させる工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、ハウジングの側面に形成された貫通溝部によって、実装時の位置決め精度も向上することができる。例えば、チップマウンターの素子運搬用の吸着ノズルに、この溝部に嵌るガイドバーを設ければ、半導体装置を運搬した後の真空破壊によって半導体装置が位置ズレするのを抑制することができる。また、実装する回路基板側に溝部に嵌るガイドピンを設けても良い。なお、溝部は上下に貫通しているので、ハウジングの上からでも下からでもガイドバーやガイドピンを簡単に抜き差しできる。また、ガイドバーやガイドピンは単純な棒状の部材でよい。また、例えば、発光装置を導光板等の光学部品と組み合わせて使用するときには、光学部品の所定位置に、発光装置の溝部に嵌め込む位置決め部材を設ければ、発光装置と光学部品との位置決めを容易に行うこともできる。
この半導体装置では、前記溝部が前記リード電極の厚みと略同一の幅を有していると、この溝部にリードフレームの一部を嵌め込んで、ハウジングの支持を行うことができる。溝部が貫通しているので、従来のような細い帯状のハンガーリードでなく、強度の高いリードフレームの開口部周縁に嵌合できる。これにより、発光装置がさらに薄型になっても、リードフレームに固定されたハウジングが傾斜するという問題の発生を抑制できる。なお、このときに溝部に合わせて開口部の周縁を加工してもよく、例えば、リードフレームと面一に溝部がない場合には、開口部の周縁を変形させて溝部と高さ合わせすることもできる。
しかしながら、ハウジングの溝部が、リード電極の先端と同一平面上、すなわちハウジングを切り離す前のリードフレーム本体と同一平面上に形成されていれば、上記のようにリードフレームの開口部の周縁を加工する必要がないので、より好ましい。適切な位置のリードフレームの開口部の周縁を、そのまま溝部に嵌め込むことによりハウジングをリードフレーム本体に直接係止することができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記の半導体装置を製造する方法であり、ハウジングをリードフレームの開口部の周縁に固定することから、製造工程中にハウジングが傾斜する問題を抑制できる。また、得られた半導体装置には、リードフレームを挟んでいた部分が溝部として残っており、この溝部によって実装時の位置ズレ及び光学部品との位置決めを行うことができる。このように、本発明の製造方法によれば、リードフレームに固定されたハウジングが製造中に傾いて不良品となることを防止し、さらに、実装性に優れた半導体装置を得ることができる。
図1に示す発光装置10は、扁平形状のハウジング12と、ハウジング12の底面16から側面18に沿って曲げられたリード電極20とを備えている。ハウジング12の正面は発光面14になっており、発光面14に開口して背面22方向に延びた凹部24が形成されている。凹部24の開口は発光窓を構成する。凹部24には透光性樹脂26が充填されており、凹部24の中に実装された半導体発光素子(図示せず)を封止している。ハウジング12の側面18には、発光面14と平行に延びた溝部30が形成されている。この溝部30は、ハウジング12の上面28から底面16まで貫通している。ハウジング12は、半導体発光素子36とリード電極20の先端34を保持する支持体であり、また、半導体発光素子36と、ワイヤボンディング用の金属ワイヤ38を外部環境から保護する保護体でもある。
なお、本件明細書において、「扁平形状」のハウジングとは、ハウジングの幅及び奥行きに比べて、高さが寸法的に小さいような形状を指す。
この溝部30は、後から詳述するように、凹部24内のリード電極20と同一平面上にあり、且つ溝部の幅は、リード電極20の厚みと略同一の幅を有しているために、発光装置10の製造工程において、リードフレームに形成した開口部40を取り囲んでいる部分、すなわち開口部の周縁(本明細書では開口部周縁42と称する)を把持して、ハウジング12をリードフレーム32に対して固定する固定部材として機能する。したがって、ハウジング付きリードフレームの運搬時や、リードフレームのカットフォーミング時におけるハウジングの傾斜の発生を抑制することができる。
また、この溝部30にガイドバーやガイドピンを挿通させることにより、発光装置を実装する時の位置決めに利用することができる。溝部30が上下に貫通しているので、ハウジング12の上からでも下からでもガイドバーやガイドピンを簡単に抜き差しできる。また、溝部30は側面18にも開口しているので、ガイドバーやガイドピンのような棒状のガイド部材以外でも、側面18の方向からも溝部30に入り込む形態のガイド部材も使用できる。このように、発光装置10が貫通した溝部30を有しているので、様々な形態のガイド部材を利用した位置決めが可能である。以下に、位置決めの方法をいくつか例示する。
図2は、発光装置10をチップマウンターでマウントするときの一例を示す。吸着ノズル120が、発光装置10のハウジング12の上面28が吸着されており、さらに、チップマウンターに支持された2本のガイドバー122が、ハウジング12の両側の側面18に形成した溝部30にそれぞれ挿通されている。貫通溝部30にガイドバー122を挿入した状態では、発光装置10はガイドバー122に沿って上下方向にスライドできる。
このように発光装置10をガイドバー122でガイドした状態で、サブマウントの所定位置に位置合わせし、その後に吸着ノズル120の真空を破壊すると、発光装置10は、ガイドバー122により前後左右に位置ズレせず、且つ、上下にはスライド可能なのでサブマウント上に着地することができる。よって、発光装置10が軽量で且つ薄型であっても、真空破壊時の位置ズレをおこすことがない。
図3は、発光装置10をサブマウント124に実装したときの一例を示す。サブマウント124には、発光装置10の載置位置に合わせて、ガイドピン126が設けられている。発光装置10の左右の側面18に形成された溝部30に、2本のガイドピン126を嵌め合わせることにより、発光装置10が、所定位置から前後及び左右にズレたり、所定の向きに対して傾斜したりするのを防止できる。
また、溝部30が貫通しているので、溝部30とガイドピン126とを嵌め合わせるのが簡単である。すなわち、発光装置10をサブマウント124の上方に運んでゆき、溝部30の下端とガイドピン126の上端とを位置合わせし、そして発光装置10をサブマウント124に対して垂直に降下させるだけでよい。
図4は、発光装置10と導光板130とを組み合わせた平面光源の一例を示す。導光板130の端部134には、2つのフック132が備えられている。このフック132は、発光装置10の側面18に形成された溝部30に係止できるようになっており、これにより、発光装置10と導光板130との位置関係を精度よく決めることができる。
また、溝部30が貫通しているので、溝部30とフック132とを位置合わせして、2本のフック132の間に発光装置10を差し込むだけで、簡単かつ精度よく位置決めすることができる。
ハウジング12の上面28と側面18とが交差する一対の角部(上面側の陵部)52に切欠き又は段差を形成することにより、溝部30の上端をハウジング12の上面28よりも下側に位置させているのが好ましい。
ハウジング12の側面18に形成された溝部30は、ハウジング12をモールド成型したときに、同時に形成されるが、このときに、溝部30の縁部には、こまかいバリ46が発生し易い。溝部30の端部がハウジング12の上面28と同一平面上にあると、このバリ46によって、ハウジング12の厚み、つまり発光装置10の厚みが増加してしまう。特に、薄型の発光装置では、バリによって厚みが増加するのは好ましくない。また、バリが発生した後に、バリ取りをすることもできるが、工程を増加させるので好ましくない。そこで、溝部30の上端に生じるバリが上面28よりも突出しないように、上面側の陵部52に切欠き部48又は段差50を設けることにより、モールド加工後に溝部30の上端に生じるバリによって発光装置の高さが増加することを防止できる。
また、ハウジング12の底面16と側面18とが交差する一対の角部(底面側の陵部)54に切欠き又は段差を形成することにより、溝部30の下端をハウジング12の底面16よりも上側に位置させているのが好ましい。本発明の発光装置10は、主に、底面16を実装面として実装される。そのため、溝部30の下端に生じるバリが底面16よりも突出すると、発光装置10の厚さが増加するだけでなく、バリが実装基板にあたって発光装置10の実装位置がずれたり、発光装置10が傾いたりするおそれがある。そこで、溝部の下端に生じるバリが底面よりも突出しないように、底面側の陵部に切欠き又は段差を設けることにより、実装基板上への実装時に、発光装置の実装位置がずれる等の問題を防止できる。
上記のように、本発明の半導体装置は、薄型及び軽量であっても、マウント精度を高くすることができる構造を有している。よって、薄型の平面光源に使用するために、本発明の発光装置をハウジングの厚み1.5mm以下にしても、従来の発光装置と同様の正確な実装精度を維持することができる。また、本発明の発光装置10を、ハウジングの横幅を、ハウジングの厚みの3倍以上にしたような扁平な形状にして、平面光源に好適な形状にすることもできる。
本発明の発光装置10では、ハウジング12の凹部24に透光性樹脂26を充填してあると、ハウジング12の凹部24内に固定した半導体発光素子26を外部環境から保護することができるので好ましい。また、発光装置10によって、半導体発光素子26の発光色とは異なる色を発光させたい場合には、透光性樹脂に蛍光体を混ぜることにより、効率よく発光波長を変換することができる。
以下に、本発明の発光装置10の製造方法を、図5〜図9を参照しながら説明する。
まず、金属平板に打ち抜き加工を施して、その表面に金属メッキを施してリードフレーム32を作製する。リードフレーム32は、一対のリード電極20(20a及び20b)を有しており、それらの先端34(34a、34b)は、隙間をあけて対向している。通常は、1枚の金属平板に、多数のリード電極20の対を形成する。
次に、図5(A)に示すように、リードフレーム32を上下に分割されたハウジング成型用のモールド金型46、48の間に配置して、上下のモールド金型46、48で挟み込む。このとき、一対のリード電極20の先端34(34a、34b)と、リードフレーム32の開口部40の周縁42の一部を、ハウジング12の形状を有するモールド金型46、48の空洞62の中に配置する。
その後、図5(B)のように、下側モールド金型48の材料注入ゲート64より、モールド金型46、48の空洞62内へ成形材料68を注入する。上側モールド金型46には、ハウジング12の凹部24に対応する突出部66が形成されており、この突出部66がリード電極20の先端34の上面に接触した状態で成形材料を注入すれば、その先端34の上面には成形材料が付着せず、得られたハウジング12の凹部24の底面に先端34を露出させることができる。
この例では、ハウジング12の凹部24の底面には、リード電極の先端部34が完全に露出しているが、必ずしも完全に露出している必要はない。例えば、凹部24の底面の直下にリード電極の先端部を位置させる(すなわち、リード電極の先端部はハウジングの成形材料によって覆われている)と共に、凹部の底面に穴等をあけることにより、凹部内にリード電極の一部を露出させるようにしてもよい。この穴等を介して、半導体素子とリード電極とを導通すれば、本発明の発光装置を形成することができる。
図5(C)のようにモールド金型46、48内の成形材料68が硬化したら、図5(D)に図示しているように、まず下側モールド金型48を外し、次いで上側モールド金型46を外す。上側モールド金型46を外す際には、上側モールド型46にスライド可能に挿通してある押出しピン60をP方向に押し出せば、ハウジング12を取り出しやすい。
図5に示す一連の工程により、図6に示すようなハウジング12付きリードフレーム32が得られる。成型されたハウジング12の側面18には、リードフレーム32の開口部40の周縁42の一部が食い込んで、貫通した溝部30が形成される。この溝部30により、発光装置10の製造工程全体にわたって、ハウジング12がリードフレーム32に支持される。ハウジング12の外周面には、上下のモールド金型の合わせ目に形成される線状の微小突条部分(パーティングラインを呼ばれる)が確認できるが、図5のように金型を配置してハウジングを成型すると、得られたハウジングのパーティングラインと溝部とは、ほぼ同一平面上に位置する。
図6では、ハウジング12が1つだけ形成されているが、通常は、図7に示すように1枚のリードフレーム32に多数(この図では縦3個×横2個の計6個)のハウジング12、12・・・が形成される。多数のハウジング12、12・・・を製造する場合には、多数のハウジング用空洞62を有するモールド金型46、48を使用して、それらの空洞62に同時に成形材料を注入することにより、全てのハウジング12、12・・・を同時に形成することができる。
ハウジング12付きリードフレーム32を用いて、発光装置を形成する工程を、図8及び図9を参照しながら以下に説明する。
まず、図8を用いてハウジング12の凹部24の内部を説明する。
このハウジング12は、ハウジング12の底面16から凹部24に貫通する一対のリード電極20(20a及び20b)を有する。そして、凹部24の底面には、リード電極20の一対の先端34(34a、34b)が、互いに対向した状態で露出する。上述したように、ハウジング12は、リードフレーム32の開口部40の周縁42とリード電極20とによってリードフレーム32に支持されている。
ハウジング12の凹部24は、底面に実装した半導体発光素子36の光が、ハウジング12の発光面14側に出やすい形状にするのが好ましく、例えば、発光面14に向かって徐々に広がるテーパー形状などが好適である。
次に、ハウジング12に半導体発光素子36を固定する手順を説明する。
ハウジング12の凹部24内で、一方のリード電極20aの先端34aに、半導体発光素子36をダイボンドし、さらに、半導体発光素子36の正極及び負極と、リード電極20a、20bの先端34a、34bのそれぞれを、金属ワイヤ38によってワイヤボンドする。なお、半導体発光素子36としては、様々な発光波長の発光ダイオードを利用することができる。特に、導光板と組み合わせて白色の面光源を形成する場合には、青色を発光する窒化物半導体発光素子と、青色光を吸収して黄色光を発する蛍光体と組み合わせる方法がある。
その後に、半導体発光素子36を外部環境から保護するため、ハウジング12の凹部24を透光樹脂26で封止する。半導体発光素子36あるいは金属ワイヤ38等を覆うようにハウジング12の凹部内に、透光性樹脂26の材料を充填し、硬化させることにより半導体発光素子36等を被覆する。
そして、リード電極20を、図8の破線Xの位置でリードフレーム32から切り離し、そしてハウジング12の外形に沿って折り曲げて(カットフォーミングと呼ばれる)、J−ベンド(Bend)型の接続端子部を形成する。このとき、ハウジング12の側面18が、リードフレーム32の開口部40の周縁42の一部に固定されているので、1枚のリードフレーム32に形成された複数のハウジング12に対して、リード電極20の折り曲げ加工を同時に行えるので、発光装置10の製造効率を向上させることができる。とくに、本発明では、ハウジング12が、強度の高い開口部40の周縁42に支持されているので、折り曲げ加工のときにハウジング12に応力がかかっても、ハウジング12の姿勢を維持することができる。
このリード電極20の折り曲げ加工は、まず、リード電極20の狭幅部を、発光面14又は背面22のいずれかの方向に向けて折り曲げる。次いで、リード電極20の広幅部のうち、ハウジング12の側面18からはみ出た部分を、側面18に沿って折り曲げる。
特に、リード電極20の狭幅部を折り曲げる方向は、図1の発光装置14のように背面方向に折り曲げるのが好ましい。その理由は、大きくわけて2つある。
1つは、発光装置10の実装時に、発光面14にハンダや共晶層が回り込むのを抑制する効果である。本発明の発光装置10は、底面16を実装面として、実装基板にハンダバンプや共晶層により電気的に接続している。そのため、リード電極20を発光面14側に折り曲げると、ハンダバンプや共晶層が発光面14に近接することになり、実装精度が適切でなくハンダ量や溶融した共晶金属量が多すぎた場合には、ハンダや共晶金属が発光面14に回り込む可能性がある。そこで、リード電極20を背面22側に折り曲げると、実装した発光装置10に悪影響を及ぼしにくく、不良品の発生率を低減できる効果がある。
2つ目の理由は、発光装置10の放熱性である。ハウジング12は、リード電極20が配置される部分の厚さが薄くなっており、リード電極20による発光装置10の厚さ増加を抑制している。リード電極20の面積を広くすると、発光装置10の放熱性を高めることができるが、その面積に応じて、ハウジングの厚さを薄くする面積も増加させなくてはならない。リード電極20の折り曲げ方向が発光面14側であると、発光窓の開口領域に制限されてハウジングの厚さを薄くできる面積が限られているので、リード電極20の面積を増加させることが困難である。これに対して、リード電極20の折り曲げ方向が背面22側であるとハウジングを薄くする面積に制限がなく、一対のリード電極20が互いに接触しないようにすれば、リード電極20の面積を広げることができ、これにより放熱性を高めることができる。
リード電極20の折り曲げ加工が終わったら、最後に、ハウジング12をリードフレーム32から外す。従来のハンガーリードによるハウジング支持(図10参照)では、ハンガーリード100は、帯状に加工してあるので強度が低く、容易に曲げることができた。しかしながら、本発明では、ハウジング12が支持されているリードフレーム32の開口部40の周縁42は、強度が高いので、そのままでは曲げることができない。よって、本発明では、ハウジング12を取り外すために、主に、周縁42の近傍を切り抜いて、開口部の周縁42の強度を下げる加工を行う。図9に、切り抜き加工の例を示す。
図9(A)及び図9(B)は、切抜き部44を切り抜いて、ハウジング12が支持されている周縁42を、帯状又はL字状に残している。このように加工することにより、開口部40の周縁42は、図10に示したハンガーリード100と同様の形態になり、容易に曲げることができる。
また、別の形態としては、図9(C)のように、開口部40の周縁42を中空の矩形形状に残してもよい。この形態では、ハウジング12を取り外す際には、周縁42を矢印Fの方向に引っ張ることにより、周縁42を容易に変形させることができる。
このようにして得られた発光装置10は、薄型化や軽量化による不具合が少なく、その製造中にも、サブマウントへの実装時にも、取扱いやすい。
以下に、発光装置10の各構成部材について詳述する。
(リード電極20)
リード電極20の材料は、導電性であれば特に限定されないが、例えば鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、銅等が好適である。
(ハウジング12)
ハウジング12の成形材料には、例えば、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、ポリフタルアミド樹脂のような高融点結晶を含有する半結晶性ポリマー樹脂は、表面エネルギーが大きく、ハウジング12の凹部24に充填する封止樹脂との密着性が良好であるので、好適である。これにより、封止樹脂を充填し硬化する工程において、樹脂の冷却過程の間にハウジングと封止樹脂との界面が剥離しにくくなる。また、ハウジング12が半導体発光素子36からの光を効率よく反射できるように、成形部材中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合してもよい。
(金属ワイヤ38)
ワイヤボンディング用の金属ワイヤ38としては、例えば、金線、銅線、白金線、アルミニウム線等の金属及びそれらの合金から成るワイヤを用いることが出来る。
(透光性樹脂26)
透光性樹脂26に適した材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、および、それらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の耐候性に優れた透光性樹脂が挙げられる。また、透光性樹脂26に代えて、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。
また、白色の発光装置10を得るために、青色発光ダイオードと蛍光体とを組み合わせる場合には、透光性樹脂26に蛍光体の粒子を分散させるとよい。蛍光体としては、青色光を吸収して黄色光を発する希土類系蛍光体(例えばYAG系蛍光体)が好適である。
本発明の半導体装置は、液晶ディスプレイのバックライト等のように、極めて薄型の発光部品を必要とする装置を使用する装置に利用可能である。
(A)は、本発明にかかる発光装置の概略斜視図であり、(B)は、(A)の一部を拡大した部分拡大図である。 本発明にかかる発光装置をチップマウンターで運搬している様子を示す概略斜視図である。 本発明にかかる発光装置を、サブマウントに実装した状態を示す概略斜視図である。 本発明にかかる発光装置と導光板とを組み合わせた平面光源を示す概略上面図である。 本発明にかかるハウジング付きリードフレームの製造工程を示す概略断面図である(A〜D)。 (A)は、本発明にかかるハウジング付きリードフレームの概略斜視図であり、(B)は、(A)のハウジング支持構造を拡大した部分拡大図である。 本発明にかかるハウジング付きリードフレームの概略斜視図である。 本発明にかかるハウジング付きリードフレームの概略上面図である。 本発明にかかる発光装置をリードフレームから取り外すときにリードフレームの強度を下げる方法を示す概略上面図である。 (A)は、従来のハンガーリード付きリードフレームの概略斜視図であり、(B)は、(A)のハウジング支持構造を拡大した部分拡大図である。 (A)は、従来の発光装置の斜視図であり、(B)は、(A)の側面を拡大した部分拡大図である。
符号の説明
10 半導体装置
12 ハウジング
14 ハウジングの正面
16 ハウジングの底面
18 ハウジングの側面
20 リード電極
24 ハウジングの凹部
28 ハウジングの上面
30 溝部
32 リードフレーム
34 リード電極の先端(a、b)
36 半導体素子
40 開口部
42 開口部の周縁
48 切欠き部
50 段差
52 角部(上面側の陵部)
54 角部(下面側の陵部)

Claims (12)

  1. 正面に凹部を有するハウジングと、
    前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングの外壁面から突出し、且つ前記ハウジングの底面に沿って折り曲げられた一対のリード電極と、
    前記凹部に収納されて前記一対のリード電極に導通される半導体素子と、を備えた半導体装置であって、
    前記ハウジングは、前記正面と前記底面との両方に隣接する左右一対の側面に、ハウジングの上面から前記底面に向かって貫通した溝部を有していることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記溝部は、前記リード電極の厚みと略同一の幅を有している請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記溝部が、前記リード電極の前記先端と同一平面上に形成されている請求項1又は2に記載の半導体装置。
  4. 前記ハウジングは、その上面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差を有し、前記溝部の上端を前記ハウジングの上面よりも下側に位置させた請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
  5. 前記ハウジングは、その底面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差を有し、前記溝部の下端を前記ハウジングの底面よりも上側に位置させた請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
  6. 前記リード電極は、前記ハウジングの底面に沿って前記ハウジングの背面側に曲げられている請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
  7. 前記ハウジングの横幅が、前記ハウジングの厚みの3倍以上である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。
  8. 正面に凹部を有するハウジングと、前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングの外壁面から突出し、且つ前記ハウジングの底面に沿って折り曲げられた一対のリード電極と、前記凹部に収納されて前記一対のリード電極に導通される半導体素子と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
    複数の開口部を有する金属板から成り、各開口部の内側に向かって突出するようにリード電極のパターンが形成されたリードフレームを準備する工程と、
    前記リードフレームの各開口部内にて、前記ハウジングの前記凹部内に前記リード電極の先端を露出させると共に、前記リードフレームに設けられた開口部の周縁によって前記ハウジングの側面に溝を形成する工程と、
    前記一対のリード電極を前記リードフレームから切断し、前記開口部の周縁を前記溝に嵌合させることによって前記ハウジングをリードフレームに保持した状態で、前記ハウジングから突出した前記一対のリード電極を前記ハウジングの外壁面に沿うよう折り曲げる工程と、
    前記リードフレームから前記ハウジングを脱離させる工程と、
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 前記ハウジングを形成する工程において、前記ハウジングの上面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差が形成される請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 前記ハウジングを形成する工程において、前記ハウジングの底面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差が形成される請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 正面に凹部を有するハウジングと、
    前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングを貫通し、且つ前記ハウジングの外壁面から突出した一対のリード電極と、
    前記一対のリード電極を所定位置に支持するリードフレームと、を備えたハウジング支持構造体であって、
    前記ハウジングが、前記正面とハウジング底面との両方に隣接する左右一対の側面に、前記ハウジングの上面から前記底面に向かって貫通された溝部を備えており、
    前記溝部に、前記リードフレームの開口部の周縁が嵌合していることを特徴とするハウジング支持構造体。
  12. 正面に凹部を有するハウジングと、前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングを貫通し、且つ前記ハウジングの外壁面から突出された一対のリード電極と、前記一対のリード電極を所定位置に支持するリードフレームと、を備えたハウジング支持構造体を製造する方法であって、
    複数の開口部を有する金属板から成り、各開口部の内側に向かって突出するようにリード電極のパターンが形成されたリードフレームを準備する工程と、
    前記リードフレームの各開口部内にて、前記ハウジングの前記凹部内に前記リード電極を露出させると共に、前記リードフレームに設けられた開口部の周縁によって前記ハウジングの側面に溝を形成する工程と、
    を含むことを特徴とするハウジング支持構造体の製造方法。

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158794A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2009098967A1 (ja) * 2008-02-08 2009-08-13 Nichia Corporation 発光装置
WO2012063704A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
KR101211351B1 (ko) 2008-01-28 2013-01-18 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 사출 성형용 금형 및 이에 의해 성형되는 반도체 패키지와 반도체 패키지의 제조방법
JP2017069233A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2018026534A (ja) * 2016-08-03 2018-02-15 日亜化学工業株式会社 複合基板および発光装置
JP2018029105A (ja) * 2016-08-16 2018-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び複合基板
US9997503B2 (en) 2016-08-03 2018-06-12 Nichia Corporation Composite substrate and light emitting device
JP2018117086A (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置用複合基板、発光装置および発光装置の製造方法
JP2019201232A (ja) * 2019-08-30 2019-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4857791B2 (ja) * 2006-02-01 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2008198716A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Eudyna Devices Inc 光半導体装置
US7993038B2 (en) * 2007-03-06 2011-08-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
KR101326888B1 (ko) * 2007-06-20 2013-11-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 패키지
TW200917522A (en) * 2007-10-05 2009-04-16 Bright View Electronics Co Ltd Foot stand structure of LED
JP6236999B2 (ja) * 2013-08-29 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10424699B2 (en) * 2016-02-26 2019-09-24 Nichia Corporation Light emitting device
JP6640672B2 (ja) * 2016-07-27 2020-02-05 ファナック株式会社 レーザ装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004097480A1 (ja) * 2003-04-30 2004-11-11 Fujikura Ltd. 光コネクタアッセンブリ、コネクタホルダ、光コネクタ
JP2004363537A (ja) * 2002-09-05 2004-12-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
JP2005217284A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Hitachi Cable Ltd 光送受信モジュール
JP2006019313A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器用筐体、led表示器及びled表示器連接部材

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3144040B2 (ja) 1992-04-20 2001-03-07 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法及びその装置並びにリードフレーム
JP3842444B2 (ja) * 1998-07-24 2006-11-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3773855B2 (ja) * 2001-11-12 2006-05-10 三洋電機株式会社 リードフレーム
USD497349S1 (en) * 2001-11-21 2004-10-19 Nichia Corporation Light emitting diode
JP4206746B2 (ja) 2002-01-18 2009-01-14 パナソニック株式会社 バックライト用光源
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
WO2005008791A2 (en) * 2003-07-16 2005-01-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
JP4857791B2 (ja) * 2006-02-01 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US20080089072A1 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Alti-Electronics Co., Ltd. High Power Light Emitting Diode Package
US7572149B2 (en) * 2007-02-16 2009-08-11 Yazaki Corporation Connector
KR100986202B1 (ko) * 2008-07-01 2010-10-07 알티전자 주식회사 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지
US8134838B2 (en) * 2008-07-21 2012-03-13 Infineon Technologies Ag Semiconductor module and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004363537A (ja) * 2002-09-05 2004-12-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
WO2004097480A1 (ja) * 2003-04-30 2004-11-11 Fujikura Ltd. 光コネクタアッセンブリ、コネクタホルダ、光コネクタ
JP2005217284A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Hitachi Cable Ltd 光送受信モジュール
JP2006019313A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Led表示器用筐体、led表示器及びled表示器連接部材

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158794A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR101211351B1 (ko) 2008-01-28 2013-01-18 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 사출 성형용 금형 및 이에 의해 성형되는 반도체 패키지와 반도체 패키지의 제조방법
US8847272B2 (en) 2008-02-08 2014-09-30 Nichia Corporation Light emitting device
WO2009098967A1 (ja) * 2008-02-08 2009-08-13 Nichia Corporation 発光装置
US8314442B2 (en) 2008-02-08 2012-11-20 Nichia Corporation Light emitting device
AU2009211784B2 (en) * 2008-02-08 2013-10-10 Nichia Corporation Light emitting device
US8610164B2 (en) 2008-02-08 2013-12-17 Nichia Corporation Light emitting device
US9615493B2 (en) 2010-11-11 2017-04-04 Nichia Corporation Light emitting device, and method for manufacturing circuit board
JPWO2012063704A1 (ja) * 2010-11-11 2014-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
JP5862572B2 (ja) * 2010-11-11 2016-02-16 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
WO2012063704A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
TWI603510B (zh) * 2010-11-11 2017-10-21 日亞化學工業股份有限公司 發光裝置與電路基板之製造方法
JP2017069233A (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2018026534A (ja) * 2016-08-03 2018-02-15 日亜化学工業株式会社 複合基板および発光装置
US9997503B2 (en) 2016-08-03 2018-06-12 Nichia Corporation Composite substrate and light emitting device
JP2018029105A (ja) * 2016-08-16 2018-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び複合基板
US10141490B2 (en) 2016-08-16 2018-11-27 Nichia Corporation Composite base and method of manufacturing light emitting device
JP2018117086A (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 日亜化学工業株式会社 発光装置用複合基板、発光装置および発光装置の製造方法
JP2019201232A (ja) * 2019-08-30 2019-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7057512B2 (ja) 2019-08-30 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置

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