JP2007207986A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】正面14に凹部24を有するハウジング12と、前記凹部24内に露出した先端34を有し、前記ハウジング12の外壁面から突出し、且つ前記ハウジング12の底面16に沿って折り曲げられた一対のリード電極20と、前記凹部24に収納されて前記一対のリード電極20に導通される半導体素子36と、を備えた半導体装置1であって、
前記ハウジング12は、前記正面14と前記底面16との両方に隣接する左右一対の側面18に、ハウジング12の上面28から前記底面16に向かって貫通した溝部30を有していることを特徴とする。前記溝部30は、前記リード電極20の厚みと略同一の幅を有しているのが好ましい。さらに、前記溝部30が、前記リード電極20の前記先端34と同一平面上に形成されているのがより好ましい。
【選択図】図1
Description
まず、ハウジング106の凹部112の中にLEDを実装する。凹部112の中には一対のリード電極104の先端分が露出しているので、それら2つの先端分とLEDの正極又は負極とをそれぞれダイボンドやワイヤボンドによって導通しておく。次いで、凹部112に透光性の樹脂を充填して、ハウジング116内のLEDを樹脂封止する。その後、リードフレーム102を破線Xに沿って切断し、リードフレーム102から切り離されたリード電極104をハウジング106の底面に沿って折り曲げ、さらに側面に沿って折り曲げる。折り曲げ加工の間、ハウジング106は、ハンガーリード100によって姿勢を保ったまま保持される。最後に、ハウジング106を支持した状態でハンガーリード100を曲げることにより、ハウジング106の側部110からハンガーリード100を抜き取って、発光装置114を得る。そのため、図11(A)及び(B)に示すように、発光装置114の側面110には、ハンガーリード100の先端108が埋没していたくぼみ118が残る。このようにして製造された薄型の発光装置114は、リード電極104側を底面として実装される。発光装置114は、凹部112側を発光窓として導光板と組み合わされて、携帯電話やモバイルパソコンの液晶ディスプレイ用の平面光源などに使用される。
この半導体装置の前記溝部は、前記リード電極の厚みと略同一の幅を有しているのが好ましい。
さらに、前記溝部が、前記リード電極の前記先端と同一平面上に形成されているのがより好ましい。
しかしながら、ハウジングの溝部が、リード電極の先端と同一平面上、すなわちハウジングを切り離す前のリードフレーム本体と同一平面上に形成されていれば、上記のようにリードフレームの開口部の周縁を加工する必要がないので、より好ましい。適切な位置のリードフレームの開口部の周縁を、そのまま溝部に嵌め込むことによりハウジングをリードフレーム本体に直接係止することができる。
なお、本件明細書において、「扁平形状」のハウジングとは、ハウジングの幅及び奥行きに比べて、高さが寸法的に小さいような形状を指す。
このように発光装置10をガイドバー122でガイドした状態で、サブマウントの所定位置に位置合わせし、その後に吸着ノズル120の真空を破壊すると、発光装置10は、ガイドバー122により前後左右に位置ズレせず、且つ、上下にはスライド可能なのでサブマウント上に着地することができる。よって、発光装置10が軽量で且つ薄型であっても、真空破壊時の位置ズレをおこすことがない。
また、溝部30が貫通しているので、溝部30とガイドピン126とを嵌め合わせるのが簡単である。すなわち、発光装置10をサブマウント124の上方に運んでゆき、溝部30の下端とガイドピン126の上端とを位置合わせし、そして発光装置10をサブマウント124に対して垂直に降下させるだけでよい。
また、溝部30が貫通しているので、溝部30とフック132とを位置合わせして、2本のフック132の間に発光装置10を差し込むだけで、簡単かつ精度よく位置決めすることができる。
ハウジング12の側面18に形成された溝部30は、ハウジング12をモールド成型したときに、同時に形成されるが、このときに、溝部30の縁部には、こまかいバリ46が発生し易い。溝部30の端部がハウジング12の上面28と同一平面上にあると、このバリ46によって、ハウジング12の厚み、つまり発光装置10の厚みが増加してしまう。特に、薄型の発光装置では、バリによって厚みが増加するのは好ましくない。また、バリが発生した後に、バリ取りをすることもできるが、工程を増加させるので好ましくない。そこで、溝部30の上端に生じるバリが上面28よりも突出しないように、上面側の陵部52に切欠き部48又は段差50を設けることにより、モールド加工後に溝部30の上端に生じるバリによって発光装置の高さが増加することを防止できる。
まず、金属平板に打ち抜き加工を施して、その表面に金属メッキを施してリードフレーム32を作製する。リードフレーム32は、一対のリード電極20(20a及び20b)を有しており、それらの先端34(34a、34b)は、隙間をあけて対向している。通常は、1枚の金属平板に、多数のリード電極20の対を形成する。
この例では、ハウジング12の凹部24の底面には、リード電極の先端部34が完全に露出しているが、必ずしも完全に露出している必要はない。例えば、凹部24の底面の直下にリード電極の先端部を位置させる(すなわち、リード電極の先端部はハウジングの成形材料によって覆われている)と共に、凹部の底面に穴等をあけることにより、凹部内にリード電極の一部を露出させるようにしてもよい。この穴等を介して、半導体素子とリード電極とを導通すれば、本発明の発光装置を形成することができる。
まず、図8を用いてハウジング12の凹部24の内部を説明する。
このハウジング12は、ハウジング12の底面16から凹部24に貫通する一対のリード電極20(20a及び20b)を有する。そして、凹部24の底面には、リード電極20の一対の先端34(34a、34b)が、互いに対向した状態で露出する。上述したように、ハウジング12は、リードフレーム32の開口部40の周縁42とリード電極20とによってリードフレーム32に支持されている。
ハウジング12の凹部24は、底面に実装した半導体発光素子36の光が、ハウジング12の発光面14側に出やすい形状にするのが好ましく、例えば、発光面14に向かって徐々に広がるテーパー形状などが好適である。
ハウジング12の凹部24内で、一方のリード電極20aの先端34aに、半導体発光素子36をダイボンドし、さらに、半導体発光素子36の正極及び負極と、リード電極20a、20bの先端34a、34bのそれぞれを、金属ワイヤ38によってワイヤボンドする。なお、半導体発光素子36としては、様々な発光波長の発光ダイオードを利用することができる。特に、導光板と組み合わせて白色の面光源を形成する場合には、青色を発光する窒化物半導体発光素子と、青色光を吸収して黄色光を発する蛍光体と組み合わせる方法がある。
その後に、半導体発光素子36を外部環境から保護するため、ハウジング12の凹部24を透光樹脂26で封止する。半導体発光素子36あるいは金属ワイヤ38等を覆うようにハウジング12の凹部内に、透光性樹脂26の材料を充填し、硬化させることにより半導体発光素子36等を被覆する。
特に、リード電極20の狭幅部を折り曲げる方向は、図1の発光装置14のように背面方向に折り曲げるのが好ましい。その理由は、大きくわけて2つある。
また、別の形態としては、図9(C)のように、開口部40の周縁42を中空の矩形形状に残してもよい。この形態では、ハウジング12を取り外す際には、周縁42を矢印Fの方向に引っ張ることにより、周縁42を容易に変形させることができる。
(リード電極20)
リード電極20の材料は、導電性であれば特に限定されないが、例えば鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅及び銅、金、銀をメッキしたアルミニウム、鉄、銅等が好適である。
ハウジング12の成形材料には、例えば、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、ポリフタルアミド樹脂のような高融点結晶を含有する半結晶性ポリマー樹脂は、表面エネルギーが大きく、ハウジング12の凹部24に充填する封止樹脂との密着性が良好であるので、好適である。これにより、封止樹脂を充填し硬化する工程において、樹脂の冷却過程の間にハウジングと封止樹脂との界面が剥離しにくくなる。また、ハウジング12が半導体発光素子36からの光を効率よく反射できるように、成形部材中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合してもよい。
ワイヤボンディング用の金属ワイヤ38としては、例えば、金線、銅線、白金線、アルミニウム線等の金属及びそれらの合金から成るワイヤを用いることが出来る。
透光性樹脂26に適した材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、および、それらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の耐候性に優れた透光性樹脂が挙げられる。また、透光性樹脂26に代えて、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。
また、白色の発光装置10を得るために、青色発光ダイオードと蛍光体とを組み合わせる場合には、透光性樹脂26に蛍光体の粒子を分散させるとよい。蛍光体としては、青色光を吸収して黄色光を発する希土類系蛍光体(例えばYAG系蛍光体)が好適である。
12 ハウジング
14 ハウジングの正面
16 ハウジングの底面
18 ハウジングの側面
20 リード電極
24 ハウジングの凹部
28 ハウジングの上面
30 溝部
32 リードフレーム
34 リード電極の先端(a、b)
36 半導体素子
40 開口部
42 開口部の周縁
48 切欠き部
50 段差
52 角部(上面側の陵部)
54 角部(下面側の陵部)
Claims (12)
- 正面に凹部を有するハウジングと、
前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングの外壁面から突出し、且つ前記ハウジングの底面に沿って折り曲げられた一対のリード電極と、
前記凹部に収納されて前記一対のリード電極に導通される半導体素子と、を備えた半導体装置であって、
前記ハウジングは、前記正面と前記底面との両方に隣接する左右一対の側面に、ハウジングの上面から前記底面に向かって貫通した溝部を有していることを特徴とする半導体装置。 - 前記溝部は、前記リード電極の厚みと略同一の幅を有している請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溝部が、前記リード電極の前記先端と同一平面上に形成されている請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記ハウジングは、その上面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差を有し、前記溝部の上端を前記ハウジングの上面よりも下側に位置させた請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ハウジングは、その底面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差を有し、前記溝部の下端を前記ハウジングの底面よりも上側に位置させた請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記リード電極は、前記ハウジングの底面に沿って前記ハウジングの背面側に曲げられている請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ハウジングの横幅が、前記ハウジングの厚みの3倍以上である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 正面に凹部を有するハウジングと、前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングの外壁面から突出し、且つ前記ハウジングの底面に沿って折り曲げられた一対のリード電極と、前記凹部に収納されて前記一対のリード電極に導通される半導体素子と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
複数の開口部を有する金属板から成り、各開口部の内側に向かって突出するようにリード電極のパターンが形成されたリードフレームを準備する工程と、
前記リードフレームの各開口部内にて、前記ハウジングの前記凹部内に前記リード電極の先端を露出させると共に、前記リードフレームに設けられた開口部の周縁によって前記ハウジングの側面に溝を形成する工程と、
前記一対のリード電極を前記リードフレームから切断し、前記開口部の周縁を前記溝に嵌合させることによって前記ハウジングをリードフレームに保持した状態で、前記ハウジングから突出した前記一対のリード電極を前記ハウジングの外壁面に沿うよう折り曲げる工程と、
前記リードフレームから前記ハウジングを脱離させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハウジングを形成する工程において、前記ハウジングの上面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差が形成される請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ハウジングを形成する工程において、前記ハウジングの底面と前記一対の側面とが交差する角部に切欠き又は段差が形成される請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
- 正面に凹部を有するハウジングと、
前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングを貫通し、且つ前記ハウジングの外壁面から突出した一対のリード電極と、
前記一対のリード電極を所定位置に支持するリードフレームと、を備えたハウジング支持構造体であって、
前記ハウジングが、前記正面とハウジング底面との両方に隣接する左右一対の側面に、前記ハウジングの上面から前記底面に向かって貫通された溝部を備えており、
前記溝部に、前記リードフレームの開口部の周縁が嵌合していることを特徴とするハウジング支持構造体。 - 正面に凹部を有するハウジングと、前記凹部内に露出した先端を有し、前記ハウジングを貫通し、且つ前記ハウジングの外壁面から突出された一対のリード電極と、前記一対のリード電極を所定位置に支持するリードフレームと、を備えたハウジング支持構造体を製造する方法であって、
複数の開口部を有する金属板から成り、各開口部の内側に向かって突出するようにリード電極のパターンが形成されたリードフレームを準備する工程と、
前記リードフレームの各開口部内にて、前記ハウジングの前記凹部内に前記リード電極を露出させると共に、前記リードフレームに設けられた開口部の周縁によって前記ハウジングの側面に溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とするハウジング支持構造体の製造方法。
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