JP2007204799A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007204799A5 JP2007204799A5 JP2006023397A JP2006023397A JP2007204799A5 JP 2007204799 A5 JP2007204799 A5 JP 2007204799A5 JP 2006023397 A JP2006023397 A JP 2006023397A JP 2006023397 A JP2006023397 A JP 2006023397A JP 2007204799 A5 JP2007204799 A5 JP 2007204799A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation source
- vacuum chamber
- self
- bias voltage
- target value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006023397A JP4735291B2 (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006023397A JP4735291B2 (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 成膜方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007204799A JP2007204799A (ja) | 2007-08-16 |
JP2007204799A5 true JP2007204799A5 (zh) | 2009-03-19 |
JP4735291B2 JP4735291B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=38484518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006023397A Active JP4735291B2 (ja) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4735291B2 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110000309A (ko) * | 2009-06-26 | 2011-01-03 | 주식회사 미뉴타텍 | 기판 진공성형 장치 및 진공성형 방법 |
CN209065995U (zh) * | 2018-10-15 | 2019-07-05 | 株式会社新柯隆 | 成膜装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62243765A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-24 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 薄膜形成時における残留応力緩和方法 |
JPH0293065A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-03 | Tonen Corp | 薄膜形成方法 |
JP2985230B2 (ja) * | 1990-05-15 | 1999-11-29 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマ装置 |
JP4119959B2 (ja) * | 1998-01-13 | 2008-07-16 | 山梨県 | 有色皮膜上への透明保護膜の形成方法 |
JP4337164B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2009-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光学製品及びその製造方法 |
JP4026349B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2007-12-26 | 旭硝子株式会社 | 光学薄膜の作製方法 |
-
2006
- 2006-01-31 JP JP2006023397A patent/JP4735291B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100206713A1 (en) | PZT Depositing Using Vapor Deposition | |
JPH021230B2 (zh) | ||
JP2009533551A5 (zh) | ||
JP2015519477A (ja) | 事前に安定させたプラズマによるプロセスのためのスパッタリング方法 | |
WO2010026860A1 (ja) | スパッタ装置 | |
JP2001190948A (ja) | 表面をプラズマ処理する方法及び装置 | |
JP2007204799A5 (zh) | ||
US20180066356A1 (en) | Method for depositing a layer using a magnetron sputtering device | |
WO2015025823A1 (ja) | スパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法 | |
JPH02280310A (ja) | 電解コンデンサ用電極材料の製造方法 | |
JP4735291B2 (ja) | 成膜方法 | |
KR101883369B1 (ko) | 다층박막 코팅 장치 | |
JP4351777B2 (ja) | デポジションアシスト蒸着装置及び薄膜形成方法 | |
WO2019146267A1 (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
JP2002220657A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
JP2009133009A5 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
JPS5941509B2 (ja) | 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置 | |
JP2579540Y2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
KR100701365B1 (ko) | Pvd 시 플라즈마 소스에 따른 스퍼터링 효과 개선 방법및 장치 | |
WO1987005637A1 (en) | Continuous ion plating device for rapidly moving film | |
RU49825U1 (ru) | Установка для нанесения покрытий | |
JP6109775B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2000144405A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS6017070A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
JPS6167767A (ja) | 膜形成方法 |