CN209065995U

CN209065995U - 成膜装置

Info

Publication number: CN209065995U
Application number: CN201821666566.8U
Authority: CN
Inventors: 长江亦周; 尹诗流; 马图腾; 宫内充祐
Original assignee: Shincron Co Ltd
Current assignee: Shincron Co Ltd
Priority date: 2018-10-15
Filing date: 2018-10-15
Publication date: 2019-07-05
Anticipated expiration: 2028-10-15
Also published as: WO2020080198A1; JPWO2020080198A1; TW202035744A; TWI720651B; JP6859007B2

Abstract

本申请公开一种成膜装置，包括：真空容器；位于所述真空容器内的基板支架，其具有用于保持基板的基板保持面；位于所述真空容器内的成膜单元，其用于在所述基板上形成薄膜；位于所述真空容器内的照射单元，其用于向所述基板支架发射粒子；所述照射单元能使所述基板保持面的电位状态为单一电位。本申请提供的成膜装置在成膜过程中不会产生异常放电，保证薄膜形成过程的稳定，提升成膜质量。

Description

成膜装置

技术领域

本申请涉及薄膜形成领域，尤其涉及一种成膜装置。

背景技术

以往，在真空容器内向基板表面蒸发薄膜材料时，已知有通过向堆积在基板上的蒸镀层照射离子来进行致密化的蒸镀装置(离子辅助蒸镀装置)。在这样的蒸镀装置中，利用离子枪向基板照射较低能量的气体离子，同时利用中和器向基板照射中和电子(电子)，由此可中和因气体离子导致的基板上的电荷的偏移，同时利用气体离子的动能来制作致密的膜(例如专利文献1、2)。

在专利文献1、2中所示出的技术中，高折射物质和低折射物质由多个蒸发源交替蒸发、进行层积，可得到由多层膜构成的防反射膜。在这样的技术中，在高折射物质与低折射物质的各自成膜时，利用从离子枪中照射出的氩离子、氧离子使附着在基板上的蒸发物质致密化，同时利用从中和器中照射出的中和电子来防止基板等带电。

专利文献1：日本特开H10-123301号公报

专利文献2：日本特开2007-248828号公报

实用新型内容

然而，在采用上述专利文献1或专利文献2所示技术进行成膜的过程中发现，在真空容器中容易发生异常放电，而这些异常放电会对均匀形成薄膜产生影响，降低成膜质量。参阅图1，通过测量基板支架上的电位可以看出(黑色点50为电位测量点)，现有的基板支架上存在正负电位区域。进一步研究发现，现有的基板支架上存在未被电子源的照射区域所覆盖的区域，其中，在基板支架上被电子源照射的区域(颜色较浅的下部区域)带负电，而未被照射区域(颜色更深的上部区域)由于照射有离子而带正电，进而在基板支架上形成具不同电位的区域导致异常放电，从而影响成膜质量。

鉴于上述不足，本申请提供如下技术方案：

一种成膜装置，包括：

真空容器；

位于所述真空容器内的基板支架，其具有用于保持基板的基板保持面；

位于所述真空容器内的成膜单元，其用于在所述基板上形成薄膜；

位于所述真空容器内的照射单元，其用于向所述基板支架发射粒子；所述照射单元能使所述基板保持面的电位状态为单一电位。

作为一种优选的实施方式，所述单一电位包括负电位、正电位、零电位中的一个。

作为一种优选的实施方式，所述照射单元包括：

位于所述真空容器内的离子源，其用于向所述基板发射离子；

位于所述真空容器内的电子源，其用于向所述基板发射电子。

作为一种优选的实施方式，所述离子源在所述基板保持面的照射区域位于所述电子源在所述基板保持面的照射区域内。

作为一种优选的实施方式，所述电子源将所述基板保持面的全部区域照射；所述离子源将所述基板保持面的部分区域照射。

作为一种优选的实施方式，沿竖直方向或所述基板支架的旋转轴线方向，所述电子源位于所述基板保持面的投影范围内。

作为一种优选的实施方式，所述真空容器设有排气部；所述电子源设置于靠近所述排气部沿所述基板支架运动方向的中间位置。

作为一种优选的实施方式，所述成膜单元包括具有两个或更多个电子枪的蒸镀源；所述电子源位于两个所述电子枪之间。

作为一种优选的实施方式，所述成膜单元包括具有两个或更多个电子枪的蒸镀源；两个所述电子枪中，沿着两个所述电子枪之间连线的方向，其中一个电子枪与所述电子源的距离、另一个电子枪与所述电子源的距离均小于两个电子枪之间的距离。

作为一种优选的实施方式，沿竖直方向或所述基板支架的旋转轴线方向，所述离子源位于所述基板保持面的投影范围内。

作为一种优选的实施方式，该成膜装置还包括：调节所述电子源的发射参数的调节单元，其通过调节所述电子源的发射参数以调节所述电子源发射至所述基板保持面的电子密度；其中，所述发射参数包括所述电子源的位置、发射直径、发射口形状、朝向、偏置电流、个数中的至少一个。

作为一种优选的实施方式，该成膜装置还包括：电位检测单元；所述电位检测单元能够检测所述基板保持面的电位状态；所述电子源能够根据所述电位状态调节发射至所述基板保持面的电子密度。

有益效果：

本申请提供的成膜装置中，照射单元能使所述基板保持面的电位状态为单一电位，并不会存在电位状态不同的区域，进而在基板支架上不会产生异常放电，保证薄膜形成过程的稳定，提升成膜质量。

参照后文的说明和附图，详细公开了本实用新型的特定实施方式，指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解，本实用新型的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本实用新型的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有基板保持面电荷分布图；

图2是本申请一种实施方式提供的成膜装置结构示意图；

图3是图2的成膜过程中基板保持面电荷分布图；

图4是图2的简化俯视示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图2至图4。本申请实施方式中提供一种成膜装置1。该成膜装置1用于形成薄膜(该薄膜可以包括防污膜、硬质膜等薄膜)，其中，该带薄膜的基板4在智能手机和平板电脑等中所使用的触摸屏、显示器、光学元件、卫星设备中特别适用。

在本实施方式中，所述成膜装置1包括：真空容器2；位于所述真空容器2内的基板支架3，其用于保持基板4；位于所述真空容器2内的成膜单元，所述成膜单元用于在所述基板4上形成薄膜；位于所述真空容器2内的照射单元，其用于向所述基板支架3发射粒子。

其中，真空容器2为公知的成膜装置1，是通常使用的具有大致圆筒形状的不锈钢制造的容器，其呈接地电位。真空容器2为薄膜的形成提供真空腔室。真空腔室形成在真空容器2的内部。

在真空容器2上设有排气口(排气部)，并藉由该排气口连接有排气机构。排气机构通过排气口与真空腔室相通，从而可以对真空腔室进行排气，真空容器2借此在其内壁形成真空腔室。具体的，排气机构(未示出)可以为真空泵，真空泵通过使真空泵运转，将真空腔室内排气至规定压力(例如1×10^-4Pa～3×10^-2Pa左右)。

在真空腔室的上方设置有基板支架3。基板支架3围绕一旋转轴线转动。具体的，基板支架3(即为基板4保持机构)可以是可绕着垂直轴旋转地被保持的形成为圆顶状的不锈钢制部件，与马达(移动机构)的输出轴连接。基板支架3可沿垂直轴保持在真空容器2内部的上侧。

基板支架3的底面(下表面)为基板保持面12。在成膜时，基板保持面12支持有两个以上的基板4，从而大量成膜，适用于工业生产。另外，在本实施方式的基板支架3的中心设有开口，在此处可以配设有水晶监控器10(也称为水晶膜厚计)。对于水晶监控器10，由于蒸镀物质(成膜材料的蒸发物)附着在其表面而使共振频率发生变化，根据该共振频率的变化，在膜厚检测部检测出基板4表面所形成的物理膜厚。膜厚的检测结果可以被送至控制器(未示出)。

在真空腔室的上方按照从上方将基板支架3包进去的方式配设有电加热器11(加热单元)，具体可以采用灯丝加热器。基板支架3的温度利用热电偶等温度传感器检测出，其结果被送至控制器。

控制器基于来自膜厚检测部的输出来控制后述蒸镀源5的挡板的开闭状态，对基板4上形成的薄膜的膜厚进行适当控制。另外，控制器基于来自温度传感器的输出来控制电加热器11，对基板4的温度进行适当管理。另外，控制器还对蒸镀源5的运转开始及运转停止进行管理。

在本实施方式中，在真空腔室的下方配设有成膜单元。成膜单元可以为成膜源。作为成膜源的一个实施例，该蒸镀源5可以采用电阻加热方式(该电阻加热方式可以为直接加热方式、间接加热方式等)的蒸镀源5。蒸镀源5具备坩埚5b与挡板5a，该坩埚5b在上部具备用于载置成膜材料的凹槽，该挡板5a可开闭地被设在阻断从坩埚5b向基板4方向放出成膜材料的全部蒸发物的位置。其中，挡板5a被来自控制器的指令而进行开闭控制。

另外，蒸镀源5并不限于电阻加热方式，也可以为电子束加热方式的蒸镀源5。如图2、图4所示的实施例中，蒸镀源5为电子束加热方式的情况下，其蒸镀源5除了具备与上述同样的坩锅5b和挡板5a之外，还具备对成膜材料照射电子束(e-)使其蒸发的电子枪5c和电子枪电源(未图示)即可。该电子枪5c可以配设在真空容器2内部的下侧。其中，所述成膜单元可以包括具有两个或更多个电子枪5c、5c’的蒸镀源5。

在申请本实施方式中，成膜后的基板4上涂覆(覆盖)有薄膜，该薄膜可以具有(有机)硅化合物成分。其中，上述薄膜是后述的硅化合物在基板4(基板4可以为透明的)的被成膜面上如下所述进行水解缩合反应而形成的，由于具有拒水性及拒油性而起到薄膜(比如，薄膜可以为防污膜，其中，防污膜可以包括疏油膜、斥油膜、疏水膜等)的作用。

其中，所述照射单元包括：位于所述真空容器2内的离子源6，其用于对基板4照射离子。在离子源6的上方安装有可开闭操作的遮板6a。该遮板6a通过未图示的控制器适时开闭。离子源6为朝向基板4放出离子(ion)的装置，由反应气体(例如O₂)或稀有气体(例如Ar)的等离子体诱导出带电的离子(O₂ ⁺、Ar⁺)，通过加速电压加速并朝向基板支架3(基板4)射出。具体的，该离子源6可以为离子枪等设备。离子源6射出的离子能够将附着在基板4上的蒸镀物质致密化，提高薄膜性能。

具体的，所述离子源6在所述基板保持面12的照射区域位于所述电子源8在所述基板保持面12的照射区域内。其中，所述离子源6将所述基板保持面12的部分区域照射。离子源6偏离部分所述基板支架3的旋转轴线设置。如图4所示，沿竖直方向或所述基板支架3的旋转轴线方向，所述离子源6位于所述基板保持面12的投影范围内。

在本申请实施方式中，所述照射单元包括：位于所述真空容器2内的电子源8，其用于对所述真空容器2内发射电子。电子源8为朝向基板4放射出电子(e^-)的装置，由Ar等稀有气体的等离子体诱导出电子，利用加速电压进行加速，放出电子。由电子源8射出的电子对附着于基板4表面的离子进行中和。

其中，离子源6和电子源8配设在真空容器2的底面。为改善电子源8的电子指向性，在水平方向上，电子源8相对于离子源6更靠近所述基板支架3的旋转轴线。

电子源8位于旋转轴线的一侧。电子源8的朝向与旋转轴线之间的夹角为锐角。相应的，电子源8的朝向与旋转轴线并不平行以及垂直。离子源6位于旋转轴线的一侧。离子源6的朝向与旋转轴线之间的夹角为锐角。相应的，离子源6的朝向与旋转轴线并不平行以及垂直。

本实施方式的离子源6向着基板支架3工作的情况下，按照可以使离子束仅部分地对所述基板保持面12的部分区域进行照射的构成(例如电极的曲率)、配置和/或朝向进行配置。

在本申请实施方式中，照射单元能使所述基板保持面12的电位状态为单一电位，并不会存在电位状态不同的区域，进而在基板支架3上不会产生异常放电，保证薄膜形成过程的稳定，提升成膜质量。其中，所述单一电位可以为负电位、正电位、零电位中的一个。优选的，照射单元能使所述基板保持面12的电位状态为负电位。

在单一电位状态下，基板保持面12上的不同区域电位可以不同，比如，基板保持面12呈现正电位状态时，不同区域的正电位值可以不同。相应的，基板保持面12呈现负电位状态时，不同区域的负电位值可以不同

在本申请实施方式中，照射单元可以通过改变离子源6、电子源8照射至基板保持面12的发射参数，比如，离子源6和/或电子源8的位置、朝向、反射口形状、偏置电流等待，本申请并不做唯一限制，只需基板保持面12的电位状态为单一电位即可，避免发生异常放电。

优选的实施例中，通过优选电子源8的位置，将电子源8设置于基板保持面12(基板支架3)的投影范围内，并靠近真空容器2排气口(排气部)中间位置设置，改善电子源8发射电子的指向性，使得成膜过程中基板保持面12的带电状态总是恒定(优选带负电)。进一步地，还可以增大电子源8的偏置电流的最大值，使基板保持面12为带负电状态(负电位状态)。

为方便检测基板保持面12的电位状态，该成膜装置1还包括：电位检测单元；所述电位检测单元能够检测所述基板保持面12的电位状态。其中，电位检测单元可以包括位于所述基板支架3上的一个或更多个的法拉第杯。利用法拉第杯测量基板保持面12的电位状态，多个黑色点为不同的电位测量点。图3示出了图2、图4所示成膜装置1的基板保持面12的电位状态图，可以看出基板保持面12的整体电位颜色均较浅(图中颜色越浅表示电位越低)，呈现单一的负电位状态。

为便于控制基板保持面12的电位状态，从而获得期望的电位状态，所述电子源8能够根据所述电位状态调节发射至所述基板保持面12的电子密度。电位检测单元可以检测基板保持面12不同区域的电位状态，在基板保持面12不同区域的电位状态存在正负电位时，电子源8可以调整发射的电子密度，从而使基板保持面12呈现单一电位状态。

如图2所示的实施例中，所述基板保持面12(基板支架3)位于所述电子源8的照射区域内。如此可以使得所述基板支架3(基板保持面12)的电位状态为负电位。整个所述基板支架3位于所述电子源8的照射区域内，从而整个基板支架3覆盖范围内所携带的离子都可以被电子中和，并被持续供给电子，使得整个基板支架3呈现负电位状态(也即整个基板支架3为单一电位)，并不会存在电位状态不同的区域，进而在基板支架3上不会产生异常放电，保证薄膜形成过程的稳定，提升成膜质量。

在本申请实施方式中，所述电子源8将所述基板保持面12的全部区域照射。如此，整个基板支架3覆盖范围内所携带的离子都可以被电子中和，并被持续供给电子，使得整个基板支架3呈现负电位状态。

为避免在电子源8位于基板保持面12的投影范围外部时，电子源8偏离旋转轴线较远，从而不利于将基板保持面12全部照射，同时，基板保持面12距离电子源8较远区域难以被覆盖或者照射的电子密度小，难以形成单一电位状态。

基于上述考虑，为使得电子源8将基板保持面12全部照射从而形成单一电位，沿竖直方向或所述基板支架3的旋转轴线方向，所述电子源8位于所述基板保持面12的投影范围内。电子源8与旋转轴线之间的距离小于基板保持面12的半径。

具体的，所述真空容器2设有排气部。所述电子源8设置于靠近所述排气部沿所述基板支架3运动方向的中间位置。所述成膜单元包括具有两个或更多个电子枪的蒸镀源5。所述电子源8位于两个所述电子枪5c、5c’之间。

具体的实施例中，排气部可以包括通入真空容器2内的上述排气口。通过设有排气部形成真空容器2的排气侧，与排气侧相对的一侧为真空容器2的门侧。该门侧可被打开，以方便对真空内部操作以及取放基板4。排气口在真空容器2的一侧为长孔结构。电子源8靠近排气口的中间位置。可以理解的，电子源8也可以靠近排气侧的中间位置设置。

具体的，如图4所示。两个所述电子枪中，沿着两个所述电子枪之间连线的方向，其中一个电子枪与所述电子源8的距离、另一个电子枪与所述电子源8的距离均小于两个所述电子枪之间的距离。电子源8相对于两个电子枪靠近所述排气部。通过如此优化电子源8的位置，电子源8和离子源6向基板支架3(基板保持面12)照射粒子时，基板保持面12可以呈现单一电位状态，避免异常放电。其中，基板保持面12的电位状态可以如图3所示。

为优化电子源8射出电子束的指向性，便于形成稳定的电位，沿竖直方向或所述基板支架3的旋转轴线方向，所述电子源8位于所述基板保持面12的投影范围内。本实施方式中的电子源8向着基板支架3工作的情况下，按照可以使电子束仅部分地对所述基板保持面12的全部区域进行照射的构成(例如电极的曲率)、配置和/或朝向进行配置。

在本申请实施方式中，所述照射单元能调节所述基板支架3上的电位状态。其中，照射单元可以通过改变照射区域面积、电子源8和/或离子源6的位置等等，实现基板支架3上的电位状态改变。

具体的，所述照射单元被配置为在所述基板保持面12上的粒子密度可调，从而调节所述基板支架3上的电位状态。其中，所述电子源8和所述离子源6中的至少一个被配置为被所述基板保持面12的粒子密度可调。

该成膜装置1可以包括：与所述电子源8连接的位置调节组件，其能够调节所述电子源8的位置，从而使所述电子源8发射至所述基板保持面12的电子密度可调。其中，所述位置调节组件使所述电子源8相对于所述离子源6的水平位置和/或高度位置可调。

所述位置调节组件包括位于所述真空容器2底部的安装孔、以及将所述电子源8与所述安装孔连接的连接螺栓；所述电子源8通过连接螺栓与所述安装孔的连接位置可调。具体的，所述安装孔为长孔。进一步地，所述安装孔的数量为多个。不同的安装孔分布在真空容器2内的不同位置，从而电子源8通过连接螺栓连接于不同的安装孔上，实现不同固定位置的调节。

在本申请实施方式中，成膜装置1包括：调节所述电子源8朝向的朝向调节单元。所述朝向调节单元通过调节所述电子源8的朝向以使所述电子源8发射至所述基板保持面12的电子密度可调。

如图2所示，电子源8的底部设有第一支撑结构9(安装基座)，第一支撑结构9可以将电子源8安装于真空容器2中。第一支撑结构9可以改变电子源8的朝向。相应的，离子源6的底部设有第二支撑结构7(安装基座)，第二支撑结构7可以将离子源6安装于真空容器2中。第二支撑结构7可以改变离子源6的朝向。

本文引用的任何数字值都包括从下限值到上限值之间以一个单位递增的下值和上值的所有值，在任何下值和任何更高值之间存在至少两个单位的间隔即可。举例来说，如果阐述了一个部件的数量或过程变量(例如温度、压力、时间等)的值是从1到90，优选从20到80，更优选从30到70，则目的是为了说明该说明书中也明确地列举了诸如15到85、22到68、43到51、30到32等值。对于小于1的值，适当地认为一个单位是0.0001、0.001、0.01、0.1。这些仅仅是想要明确表达的示例，可以认为在最低值和最高值之间列举的数值的所有可能组合都是以类似方式在该说明书明确地阐述了的。

除非另有说明，所有范围都包括端点以及端点之间的所有数字。与范围一起使用的“大约”或“近似”适合于该范围的两个端点。因而，“大约20到30”旨在覆盖“大约20到大约30”，至少包括指明的端点。

披露的所有文章和参考资料，包括专利申请和出版物，出于各种目的通过援引结合于此。描述组合的术语“基本由…构成”应该包括所确定的元件、成分、部件或步骤以及实质上没有影响该组合的基本新颖特征的其他元件、成分、部件或步骤。使用术语“包含”或“包括”来描述这里的元件、成分、部件或步骤的组合也想到了基本由这些元件、成分、部件或步骤构成的实施方式。这里通过使用术语“可以”，旨在说明“可以”包括的所描述的任何属性都是可选的。

多个元件、成分、部件或步骤能够由单个集成元件、成分、部件或步骤来提供。另选地，单个集成元件、成分、部件或步骤可以被分成分离的多个元件、成分、部件或步骤。用来描述元件、成分、部件或步骤的公开“一”或“一个”并不说为了排除其他的元件、成分、部件或步骤。

应该理解，以上描述是为了进行图示说明而不是为了进行限制。通过阅读上述描述，在所提供的示例之外的许多实施方式和许多应用对本领域技术人员来说都将是显而易见的。因此，本教导的范围不应该参照上述描述来确定，而是应该参照所附权利要求以及这些权利要求所拥有的等价物的全部范围来确定。出于全面之目的，所有文章和参考包括专利申请和公告的公开都通过参考结合在本文中。在前述权利要求中省略这里公开的主题的任何方面并不是为了放弃该主体内容，也不应该认为发明人没有将该主题考虑为所公开的实用新型主题的一部分。

Claims

1.一种成膜装置，其特征在于，包括：

真空容器；

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述单一电位包括负电位、正电位、零电位中的一个。

3.如权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：所述照射单元包括：

4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：所述离子源在所述基板保持面的照射区域位于所述电子源在所述基板保持面的照射区域内。

5.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：所述电子源将所述基板保持面的全部区域照射；所述离子源将所述基板保持面的部分区域照射。

6.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：沿竖直方向或所述基板支架的旋转轴线方向，所述电子源位于所述基板保持面的投影范围内。

7.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：所述真空容器设有排气部；所述电子源设置于靠近所述排气部沿所述基板支架运动方向的中间位置。

8.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：所述成膜单元包括具有两个或更多个电子枪的蒸镀源；所述电子源位于两个所述电子枪之间。

9.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：所述成膜单元包括具有两个或更多个电子枪的蒸镀源；两个所述电子枪中，沿着两个所述电子枪之间连线的方向，其中一个电子枪与所述电子源的距离、另一个电子枪与所述电子源的距离均小于两个电子枪之间的距离。

10.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：沿竖直方向或所述基板支架的旋转轴线方向，所述离子源位于所述基板保持面的投影范围内。

11.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于：该成膜装置还包括：调节所述电子源的发射参数的调节单元，其通过调节所述电子源的发射参数以调节所述电子源发射至所述基板保持面的电子密度；其中，所述发射参数包括所述电子源的位置、发射直径、发射口形状、朝向、偏置电流、个数中的至少一个。

12.如权利要求11所述的成膜装置，其特征在于：该成膜装置还包括：电位检测单元；所述电位检测单元能够检测所述基板保持面的电位状态；所述电子源能够根据所述电位状态调节发射至所述基板保持面的电子密度。