TWI720651B - 成膜裝置 - Google Patents

Abstract

一種成膜裝置，包括：真空容器；位於真空容器內的基板支架，其具有用於保持基板的基板保持面；位於真空容器內的成膜單元，其用於在基板上形成薄膜；位於真空容器內的照射單元，其用於向基板支架發射粒子；照射單元能使基板保持面的電位狀態為單一電位。本揭露提供的成膜裝置在成膜過程中不會產生異常放電，保證薄膜形成過程的穩定，提升成膜品質。

Description

成膜裝置

本發明實施例係關於薄膜形成領域，且特別關於一種成膜裝置。

以往，在真空容器內向基板表面蒸發薄膜材料時，已知有通過向堆積在基板上的蒸鍍層照射離子來進行緻密化的蒸鍍裝置(離子輔助蒸鍍裝置)。在這樣的蒸鍍裝置中，利用離子槍向基板照射較低能量的氣體離子，同時利用中和器向基板照射中和電子(電子)，由此可中和因氣體離子導致的基板上的電荷的偏移，同時利用氣體離子的動能來製作緻密的膜(例如專利文獻1、2)。

在專利文獻1、2中所示出的技術中，高折射物質和低折射物質由多個蒸發源交替蒸鍍、進行層積，可得到由多層膜構成的抗反射膜。在這樣的技術中，在高折射物質與低折射物質的各自成膜時，利用從離子槍中照射出的氬離子、氧離子使附著在基板上的蒸鍍物質緻密化，同時利用從中和器中照射出的中和電子來防止基板等帶電。

專利文獻1：日本特開H10-123301號公報 專利文獻2：日本特開2007-248828號公報

然而，在採用上述專利文獻1或專利文獻2所示技術進行成膜的過程中發現，在真空容器中容易發生異常放電，而這些異常放電會對均勻形成薄膜產生影響，降低成膜品質。參閱第1圖，通過測量基板支架上的電位可以看出（黑色點50為電位測量點），現有的基板支架上存在正負電位區域。進一步研究發現，現有的基板支架上存在未被電子源的照射區域所覆蓋的區域，其中，在基板支架上被電子源照射的區域（顏色較淺的下部區域）帶負電，而未被照射區域（顏色更深的上部區域）由於照射有離子而帶正電，進而在基板支架上形成具不同電位的區域導致異常放電，從而影響成膜品質。

鑒於上述不足，本揭露提供如下技術方案： 一種成膜裝置，包括： 真空容器； 位於真空容器內的基板支架，其具有用於保持基板的基板保持面； 位於真空容器內的成膜單元，其用於在基板上形成薄膜； 位於真空容器內的照射單元，其用於向基板支架發射粒子；照射單元能使基板保持面的電位狀態為單一電位。

作為一種較佳的實施方式，單一電位包括負電位、正電位、零電位中的一個。

作為一種較佳的實施方式，照射單元包括： 位於真空容器內的離子源，其用於向基板發射離子； 位於真空容器內的電子源，其用於向基板發射電子。

作為一種較佳的實施方式，離子源在基板保持面的照射區域位於電子源在基板保持面的照射區域內。

作為一種較佳的實施方式，電子源將基板保持面的全部區域照射；離子源將基板保持面的部分區域照射。

作為一種較佳的實施方式，沿豎直方向或基板支架的旋轉軸線方向，電子源位於基板保持面的投影範圍內。

作為一種較佳的實施方式，真空容器設有排氣部；電子源設置於靠近排氣部沿基板支架運動方向的中間位置。

作為一種較佳的實施方式，成膜單元包括具有兩個或更多個電子槍的蒸鍍源；電子源位於兩個電子槍之間。

作為一種較佳的實施方式，成膜單元包括具有兩個或更多個電子槍的蒸鍍源；兩個電子槍中，沿著兩個電子槍之間連線的方向，其中一個電子槍與電子源的距離、另一個電子槍與電子源的距離均小於兩個電子槍之間的距離。

作為一種較佳的實施方式，沿豎直方向或基板支架的旋轉軸線方向，離子源位於基板保持面的投影範圍內。

作為一種較佳的實施方式，成膜裝置還包括：調節電子源的發射參數的調節單元，其通過調節電子源的發射參數以調節電子源發射至基板保持面的電子密度；其中，發射參數包括電子源的位置、發射直徑、發射口形狀、朝向、偏壓電流、個數中的至少一個。

作為一種較佳的實施方式，成膜裝置還包括：電位檢測單元；電位檢測單元能夠檢測基板保持面的電位狀態；電子源能夠根據電位狀態調節發射至基板保持面的電子密度。 有益效果：

本揭露提供的成膜裝置中，照射單元能使基板保持面的電位狀態為單一電位，並不會存在電位狀態不同的區域，進而在基板支架上不會產生異常放電，保證薄膜形成過程的穩定，提升成膜品質。

參照後文的說明和附圖，詳細公開了本發明的特定實施方式，指明了本發明的原理可以被採用的方式。應該理解，本發明的實施方式在範圍上並不因而受到限制。在所附申請專利範圍的精神和條款的範圍內，本發明的實施方式包括許多改變、修改和等同。

針對一種實施方式描述和/或示出的特徵可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特徵相組合，或替代其它實施方式中的特徵。

應該強調，術語“包括/包含”在本文使用時指特徵、整件、步驟或元件的存在，但並不排除一個或更多個其它特徵、整件、步驟或元件的存在或附加。

為了使本技術領域的人員更好地理解本發明中的技術方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本揭露中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬於本發明保護的範圍。

需要說明的是，當元件被稱為“設置於”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，並不表示是唯一的實施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在於限制本發明。本文所使用的術語“和／或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

請參閱第2圖至第4圖。本揭露實施方式中提供一種成膜裝置1。成膜裝置1用於形成薄膜（薄膜可以包括防汙膜、硬質膜等薄膜），其中，帶薄膜的基板4在智慧型手機和平板電腦等中所使用的觸控式螢幕、顯示器、光學元件、衛星設備中特別適用。

在本實施方式中，成膜裝置1包括：真空容器2；位於真空容器2內的基板支架3，其用於保持基板4；位於真空容器2內的成膜單元，成膜單元用於在基板4上形成薄膜；位於真空容器2內的照射單元，其用於向基板支架3發射粒子。

其中，真空容器2為公知的成膜裝置1，是通常使用的具有大致圓筒形狀的不銹鋼製造的容器，其呈接地電位。真空容器2為薄膜的形成提供真空腔室。真空腔室形成在真空容器2的內部。

在真空容器2上設有排氣口（排氣部），並藉由排氣口連接有排氣機構。排氣機構通過排氣口與真空腔室相通，從而可以對真空腔室進行排氣，真空容器2借此在其內壁形成真空腔室。具體的，排氣機構（未示出）可以為真空泵，真空泵通過使真空泵運轉，將真空腔室內排氣至規定壓力(例如1×10^-4 Pa～3×10^-2 Pa左右)。

在真空腔室的上方設置有基板支架3。基板支架3圍繞一旋轉軸線轉動。具體的，基板支架3（即為基板4保持機構)可以是可繞著垂直軸旋轉地被保持的形成為圓頂狀的不銹鋼制部件，與馬達(移動機構)的輸出軸連接。基板支架3可沿垂直軸保持在真空容器2內部的上側。

基板支架3的底面（下表面）為基板保持面12。在成膜時，基板保持面12支持有兩個以上的基板4，從而大量成膜，適用於工業生產。另外，在本實施方式的基板支架3的中心設有開口，在此處可以配設有石英震盪監控器10（也稱為石英震盪膜厚計）。對於石英震盪監控器10，由於蒸鍍物質(成膜材料的蒸發物)附著在其表面而使共振頻率發生變化，根據共振頻率的變化，在膜厚檢測部檢測出基板4表面所形成的物理膜厚。膜厚的檢測結果可以被送至控制器（未示出）。

在真空腔室的上方按照從上方將基板支架3包進去的方式配設有電加熱器11(加熱單元)，具體可以採用燈絲加熱器。基板支架3的溫度利用熱電偶等溫度感測器檢測出，其結果被送至控制器。

控制器基於來自膜厚檢測部的輸出來控制後述蒸鍍源5的擋板的開閉狀態，對基板4上形成的薄膜的膜厚進行適當控制。另外，控制器基於來自溫度感測器的輸出來控制電加熱器11，對基板4的溫度進行適當管理。另外，控制器還對蒸鍍源5的運轉開始及運轉停止進行管理。

在本實施方式中，在真空腔室的下方配設有成膜單元。成膜單元可以為成膜源。作為成膜源的一個實施例，蒸鍍源5可以採用電阻加熱方式（電阻加熱方式可以為直接加熱方式、間接加熱方式等）的蒸鍍源5。蒸鍍源5具備坩堝5b與擋板5a，坩堝5b在上部具備用於載置成膜材料的凹槽，擋板5a可開閉地被設在阻斷從坩堝5b向基板4方向放出成膜材料的全部蒸發物的位置。其中，擋板5a被來自控制器的指令而進行開閉控制。

另外，蒸鍍源5並不限於電阻加熱方式，也可以為電子束加熱方式的蒸鍍源5。如第2圖、第4圖所示的實施例中，蒸鍍源5為電子束加熱方式的情況下，其蒸鍍源5除了具備與上述同樣的坩鍋5b和擋板5a之外，還具備對成膜材料照射電子束(e-)使其蒸發的電子槍5c和電子槍電源(未圖示)即可。電子槍5c可以配設在真空容器2內部的下側。其中，成膜單元可以包括具有兩個或更多個電子槍5c、5c’的蒸鍍源5。

在揭露的本實施方式中，成膜後的基板4上塗覆（覆蓋）有薄膜，薄膜可以具有（有機）矽化合物成分。其中，上述薄膜是後述的矽化合物在基板4（基板4可以為透明的）的被成膜面上如下所述進行水解縮合反應而形成的，由於具有拒水性及拒油性而起到薄膜（比如，薄膜可以為防汙膜，其中，防汙膜可以包括疏油膜、斥油膜、疏水膜等）的作用。

照射單元包括：位於真空容器2內的離子源6，其用於對基板4照射離子。在離子源6的上方安裝有可開閉操作的遮板6a。遮板6a通過未圖示的控制器適時開閉。離子源6為朝向基板4放出離子（ion）的裝置，由反應氣體（例如O₂ ）或稀有氣體（例如Ar）的電漿誘導出帶電的離子（O₂ ⁺ 、Ar⁺ ），通過加速電壓加速並朝向基板支架3（基板4）射出。具體的，離子源6可以為離子槍等設備。離子源6射出的離子能夠將附著在基板4上的蒸鍍物質緻密化，提高薄膜性能。

具體的，離子源6在基板保持面12的照射區域位於電子源8在基板保持面12的照射區域內。其中，離子源6將基板保持面12的部分區域照射。離子源6偏離部分基板支架3的旋轉軸線設置。如第4圖所示，沿豎直方向或基板支架3的旋轉軸線方向，離子源6位於基板保持面12的投影範圍內。

在本揭露的實施方式中，照射單元包括：位於真空容器2內的電子源8，其用於對真空容器2內發射電子。電子源8為朝向基板4放射出電子（e^- ）的裝置，由Ar等稀有氣體的電漿誘導出電子，利用加速電壓進行加速，放出電子。由電子源8射出的電子對附著於基板4表面的離子進行中和。

其中，離子源6和電子源8配設在真空容器2的底面。為改善電子源8的電子指向性，在水平方向上，電子源8相對於離子源6更靠近基板支架3的旋轉軸線。

電子源8位於旋轉軸線的一側。電子源8的朝向與旋轉軸線之間的夾角為銳角。相應的，電子源8的朝向與旋轉軸線並不平行以及垂直。離子源6位於旋轉軸線的一側。離子源6的朝向與旋轉軸線之間的夾角為銳角。相應的，離子源6的朝向與旋轉軸線並不平行以及垂直。

本實施方式的離子源6向著基板支架3工作的情況下，按照可以使離子束僅部分地對基板保持面12的部分區域進行照射的構成（例如電極的曲率）、配置及/或朝向進行配置。

在本揭露實施方式中，照射單元能使基板保持面12的電位狀態為單一電位，並不會存在電位狀態不同的區域，進而在基板支架3上不會產生異常放電，保證薄膜形成過程的穩定，提升成膜品質。其中，單一電位可以為負電位、正電位、零電位中的一個。較佳的，照射單元能使基板保持面12的電位狀態為負電位。

在單一電位狀態下，基板保持面12上的不同區域電位可以不同，比如，基板保持面12呈現正電位狀態時，不同區域的正電位值可以不同。相應的，基板保持面12呈現負電位狀態時，不同區域的負電位值可以不同

在本揭露實施方式中，照射單元可以通過改變離子源6、電子源8照射至基板保持面12的發射參數，比如，離子源6及/或電子源8的位置、朝向、反射口形狀、偏壓電流等待，本揭露並不做唯一限制，只需基板保持面12的電位狀態為單一電位即可，避免發生異常放電。

較佳的實施例中，通過較佳電子源8的位置，將電子源8設置於基板保持面12（基板支架3）的投影範圍內，並靠近真空容器2排氣口（排氣部）中間位置設置，改善電子源8發射電子的指向性，使得成膜過程中基板保持面12的帶電狀態總是恒定（較佳帶負電）。進一步地，還可以增大電子源8的偏壓電流的最大值，使基板保持面12為帶負電狀態（負電位狀態）。

為方便檢測基板保持面12的電位狀態，成膜裝置1還包括電位檢測單元。電位檢測單元能夠檢測基板保持面12的電位狀態。其中，電位檢測單元可以包括位於基板支架3上的一個或更多個的法拉第杯。利用法拉第杯測量基板保持面12的電位狀態，多個黑色點為不同的電位測量點。第3圖示出了第2圖及第4圖所示成膜裝置1的基板保持面12的電位狀態圖，可以看出基板保持面12的整體電位顏色均較淺（圖中顏色越淺表示電位越低），呈現單一的負電位狀態。

為便於控制基板保持面12的電位狀態，從而獲得期望的電位狀態，電子源8能夠根據電位狀態調節發射至基板保持面12的電子密度。電位檢測單元可以檢測基板保持面12不同區域的電位狀態，在基板保持面12不同區域的電位狀態存在正負電位時，電子源8可以調整發射的電子密度，從而使基板保持面12呈現單一電位狀態。

如第2圖所示的實施例中，基板保持面12（基板支架3）位於電子源8的照射區域內。如此可以使得基板支架3（基板保持面12）的電位狀態為負電位。整個基板支架3位於電子源8的照射區域內，從而整個基板支架3覆蓋範圍內所攜帶的離子都可以被電子中和，並被持續供給電子，使得整個基板支架3呈現負電位狀態（即整個基板支架3為單一電位），並不會存在電位狀態不同的區域，進而在基板支架3上不會產生異常放電，保證薄膜形成過程的穩定，提升成膜品質。

在本揭露的實施方式中，電子源8將基板保持面12的全部區域照射。如此，整個基板支架3覆蓋範圍內所攜帶的離子都可以被電子中和，並被持續供給電子，使得整個基板支架3呈現負電位狀態。

為避免在電子源8位於基板保持面12的投影範圍外部時，電子源8偏離旋轉軸線較遠，從而不利於將基板保持面12全部照射，同時，基板保持面12距離電子源8較遠的區域難以被覆蓋或者照射的電子密度小，難以形成單一電位狀態。

基於上述考慮，為使得電子源8將基板保持面12全部照射從而形成單一電位，沿豎直方向或基板支架3的旋轉軸線方向，電子源8位於基板保持面12的投影範圍內。電子源8與旋轉軸線之間的距離小於基板保持面12的半徑。

具體的，真空容器2設有排氣部。電子源8設置於靠近排氣部沿基板支架3運動方向的中間位置。成膜單元包括具有兩個或更多個電子槍的蒸鍍源5。電子源8位於兩個電子槍5c、5c’之間。

具體的實施例中，排氣部可以包括通入真空容器2內的上述排氣口。通過設有排氣部形成真空容器2的排氣側，與排氣側相對的一側為真空容器2的門側。門側可被打開，以方便對真空內部操作以及取放基板4。排氣口在真空容器2的一側為長孔結構。電子源8靠近排氣口的中間位置。可以理解的，電子源8也可以靠近排氣側的中間位置設置。

具體的，如第4圖所示。兩個電子槍中，沿著兩個電子槍之間連線的方向，其中一個電子槍與電子源8的距離、另一個電子槍與電子源8的距離均小於兩個電子槍之間的距離。電子源8相對於兩個電子槍靠近排氣部。通過如此優化電子源8的位置，電子源8和離子源6向基板支架3（基板保持面12）照射粒子時，基板保持面12可以呈現單一電位狀態，避免異常放電。其中，基板保持面12的電位狀態例如可以如第3圖所示。

為優化電子源8射出電子束的指向性，便於形成穩定的電位，沿豎直方向或基板支架3的旋轉軸線方向，電子源8位於基板保持面12的投影範圍內。本實施方式中的電子源8向著基板支架3工作的情況下，按照可以使電子束僅部分地對基板保持面12的全部區域進行照射的構成（例如電極的曲率）、配置和/或朝向進行配置。

在本揭露實施方式中，照射單元能調節基板支架3上的電位狀態。其中，照射單元可以通過改變照射區域面積、電子源8及/或離子源6的位置等等，實現基板支架3上的電位狀態改變。

具體的，照射單元被配置為在基板保持面12上的粒子密度可調，從而調節基板支架3上的電位狀態。其中，電子源8和離子源6中的至少一個被配置為在基板保持面12上的粒子密度可調。

成膜裝置1可以包括：與電子源8連接的位置調節元件，其能夠調節電子源8的位置，從而使電子源8發射至基板保持面12的電子密度可調。其中，位置調節元件使電子源8相對於離子源6的水平位置及/或高度位置可調。

位置調節組件包括位於真空容器2底部的安裝孔、以及將電子源8與安裝孔連接的連接螺栓；電子源8通過連接螺栓與安裝孔的連接位置可調。具體的，安裝孔為長孔。進一步地，安裝孔的數量為多個。不同的安裝孔分佈在真空容器2內的不同位置，從而電子源8通過連接螺栓連接於不同的安裝孔上，實現不同固定位置的調節。

在本揭露的實施方式中，成膜裝置1包括：調節電子源8朝向的朝向調節單元。朝向調節單元通過調節電子源8的朝向以使電子源8發射至基板保持面12的電子密度可調。

如第2圖所示，電子源8的底部設有第一支撐結構9（安裝基座），第一支撐結構9可以將電子源8安裝於真空容器2中。第一支撐結構9可以改變電子源8的朝向。相應的，離子源6的底部設有第二支撐結構7（安裝基座），第二支撐結構7可以將離子源6安裝於真空容器2中。第二支撐結構7可以改變離子源6的朝向。

本文引用的任何數字值都包括從下限值到上限值之間以一個單位遞增的下值和上值的所有值，在任何下值和任何更高值之間存在至少兩個單位的間隔即可。舉例來說，如果闡述了一個部件的數量或過程變數（例如溫度、壓力、時間等）的值是從1到90，較佳從20到80，更較佳從30到70，則目的是為了說明該說明書中也明確地列舉了諸如15到85、22到68、43到51、30到32等值。對於小於1的值，適當地認為一個單位是0.0001、0.001、0.01、0.1。這些僅僅是想要明確表達的示例，可以認為在最低值和最高值之間列舉的數值的所有可能組合都是以類似方式在說明書明確地闡述了的。

除非另有說明，所有範圍都包括端點以及端點之間的所有數位。與範圍一起使用的“大約”或“近似”適合於該範圍的兩個端點。因而，“大約20到30”旨在覆蓋“大約20到大約30”，至少包括指明的端點。

披露的所有文章和參考資料，包括專利申請和出版物，出於各種目的通過援引結合於此。描述組合的術語“基本由…構成”應該包括所確定的元件、成分、部件或步驟以及實質上沒有影響該組合的基本新穎特徵的其他元件、成分、部件或步驟。使用術語“包含”或“包括”來描述這裡的元件、成分、部件或步驟的組合也想到了基本由這些元件、成分、部件或步驟構成的實施方式。這裡通過使用術語“可以”，旨在說明“可以”包括的所描述的任何屬性都是可選的。

多個元件、成分、部件或步驟能夠由單個集成元件、成分、部件或步驟來提供。另選地，單個集成元件、成分、部件或步驟可以被分成分離的多個元件、成分、部件或步驟。用來描述元件、成分、部件或步驟的公開“一”或“一個”並不說為了排除其他的元件、成分、部件或步驟。

應該理解，以上描述是為了進行圖示說明而不是為了進行限制。通過閱讀上述描述，在所提供的示例之外的許多實施方式和許多應用對本領域具有通常知識者來說都將是顯而易見的。因此，本揭露的範圍不應該參照上述描述來確定，而是應該參照所附申請專利範圍以及這些申請專利範圍所擁有的等價物的全部範圍來確定。出於全面之目的，所有文章和參考包括專利申請和公告的公開都通過參考結合在本文中。在前述申請專利範圍中省略這裡公開的主題的任何方面並不是為了放棄該主體內容，也不應該認為發明人沒有將該主題考慮為所公開的發明主題的一部分。

1:成膜裝置 2:真空容器 3:基板支架 4:基板 5:蒸鍍源 5a:擋板 5b:坩堝 5c、5c’:電子槍 6:離子源 6a:遮板 7:第二支撐結構 8:電子源 9:第一支撐結構 10:石英震盪監控器 11:電加熱器 12:基板保持面 50:電位測量點

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。 第1圖是現有基板保持面電荷分佈圖； 第2圖是本揭露一種實施方式提供的成膜裝置結構示意圖； 第3圖是第2圖的成膜過程中基板保持面電荷分佈圖； 第4圖是第2圖的簡化俯視示意圖。

1:成膜裝置

2:真空容器

3:基板支架

4:基板

5:蒸鍍源

5a:擋板

5b:坩堝

5c:電子槍

6:離子源

6a:遮板

7:第二支撐結構

8:電子源

9:第一支撐結構

10:水晶監控器

11:電加熱器

12:基板保持面

Claims (10)

1. 一種成膜裝置，包括：一真空容器；位於該真空容器內的一基板支架，其具有用於保持一基板的一基板保持面；位於該真空容器內的一成膜單元，其用於在該基板上形成一薄膜；位於該真空容器內的一照射單元，其用於向該基板支架發射粒子；該照射單元能使該基板保持面的一電位狀態為一單一電位；該照射單元包括：位於該真空容器內的一離子源，其用於向該基板發射離子；位於該真空容器內的一電子源，其用於向該基板發射電子；該成膜裝置還包括：調節該電子源的一發射參數的一調節單元，其通過調節該電子源的該發射參數以調節該電子源發射至該基板保持面的電子密度；其中，該發射參數包括該電子源的一位置、一發射直徑、一發射口形狀、一朝向、一偏壓電流、一個數中的至少一個。
2. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其特徵在於：該單一電位包括一負電位、一正電位、一零電位中的一個。
3. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中該離子源在該基板保持面的一照射區域位於該電子源在該基板保持面的一照射區域內。
4. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中該電子源將該基板保持面的全部區域照射；該離子源將該基板保持面的部分區域照射。
5. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中沿豎直方向或該基板支架的一旋轉軸線方向，該電子源位於該基板保持面的一投影範圍內。
6. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中該真空容器設有一 排氣部；該電子源設置於靠近該排氣部沿該基板支架運動方向的中間位置。
7. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中該成膜單元包括具有兩個或更多個電子槍的一蒸鍍源；該電子源位於兩個該電子槍之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中該成膜單元包括具有兩個或更多個電子槍的一蒸鍍源；兩個該電子槍中，沿著兩個該電子槍之間連線的方向，其中一個該電子槍與該電子源的距離、另一個該電子槍與該電子源的距離均小於兩個該電子槍之間的距離。
9. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中沿豎直方向或該基板支架的一旋轉軸線方向，該離子源位於該基板保持面的一投影範圍內。
10. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中該成膜裝置還包括：一電位檢測單元；該電位檢測單元能夠檢測該基板保持面的該電位狀態；該電子源能夠根據該電位狀態調節發射至該基板保持面的電子密度。

Images