JP2007194425A - タブレット状半導体封止材料およびその製法ならびにそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有し、さらに下記の(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、タブレット状に打錠成形することにより成形されてなるタブレット状半導体封止材料である。そして、上記タブレット状半導体封止材料中の水分含有量が、0.03〜0.5重量%の範囲に設定されている。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。
(D)水。
【選択図】なし
Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。
(D)水。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。
ビフェニル型エポキシ樹脂とビフェニルノボラック型エポキシ樹脂の混合物(日本化薬社製、CER−3000L)
ノボラック型フェノール樹脂(明和化成社製、H−4)
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(北興化学社製、TPP−K)
酸化ポリエチレンワックス(クラリアントジャパン社製、PED521)
酸化ポリエチレンワックス(クラリアントジャパン社製、PED136)
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
平均粒径30.4μmの球状溶融シリカ粉末(龍森社製、MSR−3512−T2)
平均粒径0.6μmの球状溶融シリカ粉末(アドマファイン社製、SO25R)
平均粒径1.6μmの球状溶融シリカ粉末(アドマファイン社製、SO32R)
三菱化学社製、#3030B
ハイドロタルサイト類化合物(協和化学工業社製、DHT−4A)
蒸留水
上記各成分を下記の表1〜表2に示す割合で配合し、80〜120℃に加熱したロール混練機(5分間)にかけて溶融混練を行った。このとき、配合成分である水をシリンジを用いてロール混練機に直接注入することにより配合した。つぎに、この溶融物を冷却固化した後、粉砕し、さらにタブレット状に打錠成形することによりタブレット状半導体封止材料(大きさ:直径35mm×厚み15mm)を作製し、恒温恒湿条件(25℃×70%R.H.)に放置した。なお、得られたタブレット状半導体封止材料の水分含有量を下記の表1〜表2に併せて示した。上記水分含有量の測定は、上記タブレット状半導体封止材料を175℃に保たれた恒温槽中に、発生する揮発成分をガスクロマトグラフで分析し、水の検出量を求めた。そして、求めた水検出量からタブレット状半導体封止材料の重量に対する水の重量比を求めた。
上記各成分を下記の表3に示す割合で配合し、80〜120℃に加熱したロール混練機(5分間)にかけて溶融混練を行なった。つぎに、この溶融物を冷却固化した後、粉砕し、さらにタブレット状に打錠成形することによりタブレット状半導体封止材料(大きさ:直径35mm×厚み15mm)を作製した。得られたタブレット状半導体封止材料を用い、下記の表3に示す水分含有量となるよう恒温恒湿条件(25℃×70%R.H.)にて表3に示す所定時間放置した。なお、得られたタブレット状半導体封止材料の水分含有量を下記の表3に併せて示した。上記水分含有量の測定は、上記タブレット状半導体封止材料を175℃に保たれた恒温槽中に、発生する揮発成分をガスクロマトグラフで分析し、水の検出量を求めた。そして、求めた水検出量からタブレット状半導体封止材料の重量に対する水の重量比を求めた。
最外層からNi/Pd/Auの順に3層のメッキ処理された銅製フレームを約8mm×8mm角に切断しチップを作製した。切断したチップを専用の金型に挟み、チップ上に底面積10mm2 ×高さ3mmの円錐台状の樹脂硬化体をプレス機(東邦インターナショナル社製、TF15)を用いて成形し、接着力測定用試験片を作製した。成形条件は、175℃×120秒、型締め圧1962MPa、トランスファー圧686.7MPaとした。さらに、この試験片を175℃で5時間加熱によりキュアし、その後横型荷重測定器(プッシュプルゲージ、アイコーエンジニアリング社製)を用いて、チップに対する樹脂の剪断接着力を測定した。一回の成形および測定には、6個の試験片を作製し、n=6で測定、その平均値を接着力とした。なお、剪断接着力を測定する際、測定台の温度は260℃であった。
上記タブレット状半導体封止材料を用い、半導体素子(サイズ:7mm×7mm×厚み320μm)をトランスファー成形(条件:175℃×2分)し、175℃×5時間にて後硬化することにより半導体装置を作製した。この半導体装置は、LQFP−144(ダイパッドサイズ:7.5mm×7.5mm、銅製の最外層からNi/Pd/Auの順に3層メッキ処理リードフレーム)である。
上記半導体装置を用い、85℃/85%R.H.中で168時間吸湿させた後、260℃×10秒間の赤外線(IR)リフローで半田評価試験を行った。そして、クラックが発生したパッケージをカウントした。なお、パッケージのクラックの解析には、超音波顕微鏡を用いた。
上記半導体装置を用い、85℃/85%R.H.中で168時間吸湿させた後、260℃×10秒間の赤外線(IR)リフローで半田評価試験を行った。そして、半導体素子と封止樹脂層(硬化体)との界面に剥離が発生したものを×、剥離が発生しなかったものを○として評価した。なお、界面剥離の解析には、超音波顕微鏡を用いた。
上記半導体装置を用い、85℃/85%R.H.中で168時間吸湿させた後、260℃×10秒間の赤外線(IR)リフローで半田評価試験を行った。そして、リードフレームと封止樹脂層(硬化体)との界面に剥離が発生したものを×、剥離が発生しなかったものを○として評価した。なお、界面剥離の解析には、超音波顕微鏡を用いた。
Claims (7)
- 下記の(A)〜(C)成分を含有し、さらに下記の(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、タブレット状に打錠成形することにより形成されてなるタブレット状半導体封止材料であって、上記タブレット状半導体封止材料中の水分含有量が、0.03〜0.5重量%の範囲に設定されていることを特徴とするタブレット状半導体封止材料。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。
(D)水。 - リードフレーム用封止材料である請求項1記載のタブレット状半導体封止材料。
- 請求項1または2記載のタブレット状半導体封止材料を製造する方法であって、上記(A)〜(C)成分を配合するとともに上記(D)成分を配合して混合し溶融混練した後、この溶融混練物を冷却固化して粉砕し、さらにタブレット状に打錠成形することにより水分含有量が、0.03〜0.5重量%の範囲に設定されているタブレット状半導体封止材料を製造することを特徴とするタブレット状半導体封止材料の製法。
- 下記の(A)〜(C)成分を配合して混合し溶融混練した後、この溶融混練物を冷却固化して粉砕し、さらにタブレット状に打錠成形した後、上記タブレットを25±5℃×70%R.H.下で放置することによって吸湿させ、水分含有量が、0.03〜0.5重量%の範囲に設定されてなるタブレット状半導体封止材料を製造することを特徴とするタブレット状半導体封止材料の製法。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。 - 請求項4記載のタブレット状半導体封止材料の製法により作製されてなるタブレット状半導体封止材料。
- リードフレーム用封止材料である請求項5記載のタブレット状半導体封止材料。
- 請求項1〜2,5,6のいずれか一項記載のタブレット状半導体封止材料を用いて半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置。
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