JP2007188090A - 基板構造及び該基板構造上にパターン層を形成する方法 - Google Patents

基板構造及び該基板構造上にパターン層を形成する方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、基板構造を提供する。
【解決手段】本発明の基板構造は、基板と、撥インク性を有する少なくとも一つの単層構造の隔壁と、薄膜パターン層とを備え、前記隔壁は、前記基板の表面に設けられ、前記隣接する隔壁及び基板の間に第一収容空間を形成し、該第一収容空間は、インクジェット装置から吐出するインクを収容することに用いられ、前記薄膜パターン層は、前記第一収容空間の中に設けられ、前記少なくとも一つの隔壁は、少なくとも一つの第二収容空間を備え、該第二収容空間は、前記第一収容空間から溢れるインクを収容することに用いられる。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板構造及び該基板構造の上にパターン層を形成する方法に関するものである。
現在、薄膜パターン層の製造方法は、主にフォトリソグラフィー法(Photolithography technique)と、インクジェット法(Ink jet process)とを有する。
フォトリソグラフィー法:所定の基板にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層の上方に予定のパターンを有するフォトマスクを配置し、露光現象或いはエッチング製造プロセスを加えることにより、予定のパターンを有する薄膜パターン層を形成する。前記フォトリソグラフィー法は、真空装置などの大型設備或いは複雑な製造プロセスを必要として、且つ材料の使用効率が低く、製造コストが高い。
インクジェット法:図13に示すように、インクジェット装置によって、基板構造300の上の隣接する隔壁304の間の収容空間に、必要な薄膜材料を形成するためのインク314を吐出し、インク314が乾燥してから、前記基板構造の上に予定の薄膜パターン層を形成する。前記インクジェット法は、薄膜パターン層を直接に形成するので、製造プロセスが大量に簡略化され、コストが大幅に下がる。しかし、インクジェット法は、一般的に隔壁構造を採用し、インク314を過量に吐出すると、周囲に溢れたインク314が隣接する収容空間内のインクと混合し、乾燥固化されてから形成する薄膜パターン層の良率が下がる恐れがある。
前記問題を解決するために、従来の技術は、二層構造を有する隔壁を提供し、前記隔壁の頂層が底層の上に位置されており、且つ隔離側壁を有することにより、溢れ収容空間を形成する。前記二層構造の隔壁の底層は、ブラック材料(black material)から形成し、前記二層構造の隔壁の頂層は、他の材料から形成する。異なる材料には、異なる作用が有り、前記ブラック材料は、顔料を分散することに用いられ、頂層を形成する材料は、インクを分散することに用いられる。二種の異なる材質を有する二層構造の隔壁の製造プロセスは複雑で、コストもかなり高いという課題がある。
本発明は、前記課題を解決し、薄膜パターン層を製造する時、インクが隣接する収容空間に溢れて混合されることを避けることができる基板構造を提供することを第一目的とする。
本発明は、前記該基板構造の上に前記薄膜パターン層を形成する方法を提供することを第二目的とする。
前記第一目的を解決するために、本発明の基板構造は、基板と、撥インク性を有する少なくとも一つの単層構造の隔壁と、薄膜パターン層とを備え、前記隔壁は、前記基板の表面に設けられ、前記隣接する隔壁及び基板の間に第一収容空間を形成し、該第一収容空間は、インクジェット装置から吐出するインクを収容することに用いられ、前記薄膜パターン層は、前記第一収容空間の中に設けられ、前記少なくとも一つの隔壁は、少なくとも一つの第二収容空間を備え、該第二収容空間は、前記第一収容空間から溢れるインクを収容することに用いられる。
前記第二目的を解決するために、本発明の基板構造の上に薄膜パターン層を形成する方法は、前記基板構造を提供する工程と、インクジェット装置によって、前記複数の第一収容空間の中にインクを吐出する工程と、
前記第一収容空間の中のインクを乾燥固化して、前記基板構造の上に薄膜パターン層を形成する工程と、を備える。
従来技術と比べて、本発明に係る基板構造においては、隣接する第一収容空間の間の隔壁は、少なくとも一つの第二収容空間を備え、該第二収容空間は、前記第一収容空間から溢れるインクを収容でき、これを介して、隣接する第一収容空間に収容されたインクが混合される現象を避けることができる。又、前記基板構造は、単層構造の隔壁を有するため、前記製造プロセスは簡単で、且つコストも低い。
次に、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳しく説明する。
図1と図2を参照すると、本発明の第一実施形態の基板構造100は、基板101、及び複数の単層構造の隔壁104を備え、前記複数の単層構造の隔壁104は、前記基板101に位置されており、且つ前記基板101に接続される。
本実施形態において、基板101は、ガラス材料を使用して製造する。もちろん、基板101の材料は、石英、シリコンウエハー、金属板又はプラスチック板などから選んでもよい。そのうち、前記複数の隔壁104は、フォトリソグラフィー法によって、前記基板101の上に形成されており(後で詳しく説明する)、或いは前記基板101と一体成型する(後で詳しく説明する)ように製造される。
前記隣接する隔壁104及び基板101の間に第一収容空間106を形成し、前記第一収容空間106は、インクジェット装置から吐出するインクを収容することに用いられる(後で詳しく説明する)。そのうち、隣接する第一収容空間106の間の少なくとも一つの隔壁104は、さらに一つ又は複数の第二収容空間108を備え、前記第二収容空間108は、過量に吐出された後、前記第一収容空間106から溢れるインクを収容することに用いられ、前記第二収容空間108は、互いに連通する。本実施形態においては、複数の第二収容空間108は互いに連通されており、且つ対応する第一収容空間106の回りを囲むように構成される。前記第二収容空間108は、四角形の溝であって、前記第二収容空間108の深さは、第一収容空間106の深さと等しいか又は小さく設けられる(図2、図3を参照)。前記第二収容空間108は、V形溝、又はU形溝などの溢れるインクを収容できる他の形状が採用されても、或いは隔壁104内に複数の第二収容空間108を設けてもよく、具体的な実施形態に限られる必要はない。前記隔壁104は、樹脂、カーボン・ブラック・フォトレジスト、又は他のフォトレジストから製造することができる。
前記単層構造の隔壁104は、より良い撥インク性を持ち、前記撥インク性は、インクと単層構造の隔壁104との間の接触角に関係する。本実施形態において、インクと単層構造の隔壁104との間の接触角は、15度より大きいが90度より小さい。好ましくは、前記接触角が20度より大きいが68度より小さく、前記接触角がその範囲に有る時、インクが前記第一収容空間106内に制限され易く、基板101の湿潤能力の影響をほとんど受けないためである。しかし、従来の技術が提供する二層構造の隔壁は、底層の中にインクとの接触角が低い材料を含み、頂層の中にインクとの接触角が高い材料を含まなければならない。
前記基板構造100は、前記第一収容空間106の中に設けられた薄膜パターン層を備える。前記第一収容空間106の中に薄膜パターン層を形成するため、前記各第一収容空間106内に別々にインクを吐出してから、インクを固化乾燥して、前記第一収容空間106内に薄膜パターン層を形成する。インクを過量に吐出し、インクが前記第一収容空間106から外部に溢れる時、流れ出したインクが前記第二収容空間108内に流れ込み、隣接する第一収容空間106内に流れることがない。従って、隣接する第一収容空間106内のインクが混合されることを避けられ、薄膜パターン層の一致性を向上することができる。又、前記薄膜パターン層が導電薄膜パターン層であっても、ショートが発生することをも防止することができる。
図4は、本発明の第二実施形態の基板構造100’の平面図である。第二収容空間108’は、横に配列した二つの隣接する第一収容空間106’の間の隔壁104’内にのみ設けられる。本実施形態が提供する基板構造100’において、その縦に配列した第一収容空間106’は、同じインクを吐出することに用いられ、横に配列した第一収容空間106’は、異なるインクを吐出することに用いられる。前記第二収容空間108’は、隣接する第一収容空間106’から溢れるインクを収容することに用いられ、隣接する第一収容空間106’内のインクが混合されることを防止する。
図5〜図12は、本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートであって、その工程は次の通りである。
第一工程で、一基板構造を提供し、該基板構造としては、本発明の第一実施形態が提供する基板構造100を選ぶ。
以下、二種の複数の隔壁104を有する基板構造100を製造する方法を説明する。
第一種の複数の隔壁104を有する基板構造100を製造する方法は、ドライ・フィルム・ラミネーション(Dry Film Lamination)、ウエット・スピン・コーティング(Wet Spin Coating)、又はウエット・スリット・コーティング(Wet Slit Coating)を利用して、前記基板101の上表面にネガ型フォトレジスト層202(図5を参照)塗付する工程と、前記第一ネガ型フォトレジスト層202とフォトマスク露光機(図に示していない)光源との間に、第一収容空間及び第二収容空間の隔壁パターンを備える第一フォトマスク200を配置し、前記第一ネガ型フォトレジスト層202(図6を参照)に露光を行う工程と、現象方式を利用して、第一ネガ型フォトレジスト層の露光されなかった部分を除去し、基板構造100の上表面に複数の隔壁104を形成する工程とを備える。上述の方法において、ポジ型フォトレジストを使用してもよく、これによれば、ただ対応するフォトマスクのデザイン及び製造プロセスの露光される部分を留めるか除去するかに差異が有るだけであり、本発明の実施に影響しない、ということを理解すべきである。前記第一フォトマスク200は、グレー・スケールの設計を有するフォトマスクであり得る。上述の露光過程において、前記第一ネガ型フォトレジスト層202に対して、何回も露光することができ、例えば、第一収容空間及び第二収容空間の隔壁パターンを備える第二フォトマスクを利用して、第一ネガ型フォトレジスト層202に露光を行ってから、第一収容空間の隔壁パターンを備える第三フォトマスクを利用して、第一ネガ型フォトレジスト層202に露光を行うことができる。
図7と図8を参照すると、第二種の複数の隔壁104を有する基板構造100を製造する方法は、塑性成型機500及び所定の隔壁のパターンを有する金型400を提供する工程と、塑性成型機500を利用して、前記金型400の中に、基板構造材料100’’を射出する工程と(図7を参照)、金型から取り外して、基板101の表面に複数の隔壁104を備える基板構造100を得る工程と(図8を参照)を備える。該方法において、基板101と複数の隔壁104とは、一体成型される。
前記金型400は、立体構造の中子408を持ち、前記中子408は、所定の隔壁パターンを有する。前記中子408は、金属板406の上に貼り合せて固定される。金型400は、固定ダイ402及び移動ダイ404を備え、金属板406に貼り合せた金属立体構造中子408は、移動ダイ404の底壁に固定される。そのうち、固定ダイ402の上に、熔融材料100’’を導入するスプルー(sprue)416及びランナー(runner)412を設けるが、前記ランナー412の縦方向での形状は円錐形であって、且つ移動ダイ404に近ければ近いほど断面積が大きくなる。前記固定ダイ402と移動ダイ404との接触面に、二つの固定ダイ402、移動ダイ404に沿って、ランナー412と連通されるゲート410を形成する。前記固定ダイ402と移動ダイ404を合せることにより、基板構造100を形成することに用いられるチャンバー414を形成し、チャンバー414、ゲート410、ランナー412及びスプルー416を皆連通する。基板構造を製造する時、塑性成型機500を利用して、溶融状態の基板材料100’’を金型400に射出し、前記基板構造材料100’’は、スプルー416、ランナー412及びゲート410を通過してから、チャンバー414に入る。前記チャンバー414の密封空間が熔融材料100’’によって充満された後、さらに冷却プロセスを行い、最後移動ダイ404を開けて、形成した基板構造100が取り外される。
前記方法は、塑性成型技術を利用して、複数の隔壁104を有する基板構造100を直接に形成し、相応的に中子408の形状を改変することにより、図2及び図3に示す基板構造を形成することができる。
第二工程で、インクジェット装置110によって、前記複数の第一収容空間106の中に、薄膜材料を形成するインク112を吐出する(図9を参照)。
前記インクジェット装置110は、熱式のインクジェット装置(Thermal Bubble Ink Jet Printing Apparatus)又は圧電式のインクジェット装置(Piezoelectric Ink Jet Printing Apparatus)を選ぶことができる。
吐出する過程中において、インク112を過量に吐出すると、インク112は、第一収容空間106から溢れて、第二収容空間108内に流れ込み、隣接する第一収容空間106内には流れ込まない(図10を参照)。
第三工程で、第一収容空間106の中のインク112’を乾燥固化することにより、薄膜パターン層114を形成する(図11を参照)。該工程は、主に、一つの真空吸着装置、一つの加熱装置、又は一つの露光装置によって、第一収容空間106内のインク112を乾燥固化するか、或いは上述の三種の装置のいずれか二種又は三種の装置を同時に採用して乾燥固化を行う。前記露光装置は、紫外線露光装置を備える。
又、研磨又はエッチング方式を利用し、隔壁104の薄膜パターン層114から突出する部分を平らにし(図12を参照する)、平坦度の要求を満たすことができる。
本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法も、本発明の第二実施形態で提供した基板構造100’を使用することができる。前記基板構造100’の薄膜パターン層の製造方法は、本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を参照することができる。
前記基板構造を利用して薄膜パターン層を製造する製造方法は、カラーフィルター、又は有機発光装置などを製造することに用いられる。カラーフィルターの製造プロセスにおいて、上述の方法を使用して製造した基板構造の上に第一収容空間及び第二収容空間を備え、赤、緑、青のカラー層(上述の薄膜パターン層に相当する)が第一収容空間に収容される。前記第一収容空間に、赤インク、緑インク、青インクを吐出する際、前記第一収容空間から溢れるインクが第二収容空間に収容されるので、赤インク、緑インク、青インクが互いに混合することを防止することができる。相応的に、前記隔壁は、ブラックマトリクス隔壁でもよい。有機発光装置の製造プロセスにおいて、前記製造方法によって、導電層、発光層及びホール伝導層(hole transport layer)を製造することができるが、形成した薄膜パターン及び必要なインクが異なる。
本発明の第一実施形態の基板構造の構造を示す平面図である。 図1に示す基板構造の断面概略図である。 図1に示す基板構造の他の断面概略図である。 本発明の第二実施形態の基板構造の構造を示す平面図である。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 本発明の第三実施形態の薄膜パターン層の製造方法を示すフロー・チャートである。 従来の隔壁を有する基板構造の構造を示す図である。
符号の説明
10 薄膜パターン層形成基板
11 予め成型基板
100、300 基板
104、304 隔壁
106 収容空間
110 インクジェット装置
112 インク
114、314 薄膜パターン層
200 フォトマスク
202 フォトレジスト層
1042 上表面

Claims (15)

  1. 基板と、撥インク性を有する複数の単層構造の隔壁と、薄膜パターン層とを備え、前記隔壁は、前記基板の表面に設けられ、前記隣接する隔壁及び基板の間に第一収容空間を形成し、該第一収容空間は、インクジェット装置から吐出するインクを収容することに用いられ、前記薄膜パターン層は、前記第一収容空間の中に設けられる基板構造であって、前記少なくとも一つの隔壁は、少なくとも一つの第二収容空間を備え、該第二収容空間は、前記第一収容空間から溢れるインクを収容することに用いられることを特徴とする基板構造。
  2. 前記隔壁の材質は、樹脂、又はカーボン・ブラック・フォトレジストであることを特徴とする請求項1に記載の基板構造。
  3. 前記基板は、ガラス、シリコンウエハー、金属板、又はプラスチック板のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の基板構造。
  4. 前記基板と前記複数の隔壁とは、一体成型することを特徴とする請求項1に記載の基板構造。
  5. 前記少なくとも二つの第二収容空間は、互いに連通されることを特徴とする請求項1に記載の基板構造。
  6. 前記少なくとも二つの第二収容空間は、互いに連通され、且つ対応する第一収容空間の回りを囲むことを特徴とする請求項1に記載の基板構造。
  7. 前記インクと前記単層構造の隔壁との接触角は、15度より大きいが90度より小さいことを特徴とする基板構造。
  8. 前記インクと前記単層構造の隔壁との接触角は、20度より大きいが68度より小さいことを特徴とする基板構造。
  9. 請求項1に記載の基板構造を提供する工程と、
    インクジェット装置によって、前記複数の第一収容空間の中にインクを吐出する工程と、
    前記第一収容空間の中のインクを乾燥固化して、前記基板構造の上に薄膜パターン層を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする基板構造の上に薄膜パターン層を形成する製造方法。
  10. 前記基板構造を提供する工程は、
    基板を提供する工程と、
    前記基板の上表面に第一フォトレジスト層を塗付する工程と、
    前記第一フォトレジスト層と露光機光源との間に、前記第一収容空間及び前記第二収容空間の隔壁パターンを有する第一フォトマスクを配置し、且つ前記第一フォトレジスト層に露光を行う工程と、
    現象方式を利用して、前記隔壁パターン以外の部分の前記フォトレジスト層を除去し、前記基板の上表面に複数の隔壁を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項9に記載の基板構造の上に薄膜パターン層を形成する製造方法。
  11. 前記第一フォトマスクは、グレー・スケールの設計を有するフォトマスクであることを特徴とする請求項10に記載の基板構造の上に薄膜パターン層を形成する製造方法。
  12. 前記基板構造がカラーフィルタ基板であって、前記薄膜パターン層がカラー層であることを特徴とする請求項9に記載の基板構造の上に薄膜パターン層を形成する製造方法。
  13. 前記基板の上に複数の隔壁を形成する工程は、
    基板を提供する工程と、
    前記基板の表面に第一フォトレジスト層を一層塗付する工程と、
    前記第一フォトレジスト層と露光機光源との間に、前記第一収容空間及び前記第二収容空間の隔壁パターンを有する第二フォトマスクを配置し、且つ前記第一フォトレジスト層に露光を行う工程と、
    前記第一フォトレジスト層と前記露光機光源との間に、前記第一収容空間の隔壁パターンを有する第三フォトマスクを配置し、且つ前記第一フォトレジスト層に露光を行う工程と、
    現象及びエッチング方式を利用して、前記隔壁パターン以外の部分の前記第一フォトレジスト層を除去し、前記基板の上表面に複数の隔壁を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項9に記載の基板構造の上に薄膜パターン層を形成する製造方法。
  14. 前記基板構造を提供する工程は、
    塑性成型機及び隔壁のパターンを有する金型を提供する工程と、
    前記塑性成型機を利用して、前記金型の中に、基板構造用材料を射出する工程と、
    金型から取り外して、基板の表面に複数の隔壁を持つ基板構造を得る工程と、
    を備えることを特徴とする請求項9に記載の基板構造の上に薄膜パターン層を形成する製造方法。
  15. 前記インクを乾燥固化し、薄膜パターン層を形成する工程は、主に、一つの真空吸着装置、一つの加熱装置又は一つの露光装置を採用して、収容空間のインクを乾燥固化するか、或いは上述の三種の装置のいずれか二種又は三種を同時に採用して乾燥固化を行うことを特徴とする請求項9に記載の基板構造の上に薄膜パターン層を形成する製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009129648A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2010010730A1 (ja) * 2008-07-24 2010-01-28 富士電機ホールディングス株式会社 色変換基板の製造方法
WO2010013641A1 (ja) * 2008-07-30 2010-02-04 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置
KR20110043623A (ko) * 2008-07-07 2011-04-27 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스 전자발광 디스플레이, 조명 또는 표시 장치 및 그 제조방법
WO2012134002A1 (ko) * 2011-03-30 2012-10-04 주식회사 앤비젼 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
WO2012134001A1 (ko) * 2011-03-30 2012-10-04 주식회사 앤비젼 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
CN108630829A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2463670A (en) * 2008-09-19 2010-03-24 Cambridge Display Tech Ltd A method for inkjet printing organic electronic devices
CN108364974B (zh) * 2017-07-17 2019-03-29 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机电致发光器件及其制备方法和应用
CN110993646B (zh) * 2019-11-08 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制备方法及oled背板
CN114122234A (zh) * 2021-11-03 2022-03-01 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及移动终端
US20230193064A1 (en) * 2021-12-17 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Chemical ink flow stopper

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3328297B2 (ja) * 1998-03-17 2002-09-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法
KR100459393B1 (ko) * 2001-10-24 2004-12-03 엘지전자 주식회사 액정 표시장치의 칼라필터 및 그 제조방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009129648A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置
KR20110043623A (ko) * 2008-07-07 2011-04-27 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스 전자발광 디스플레이, 조명 또는 표시 장치 및 그 제조방법
JP2011527499A (ja) * 2008-07-07 2011-10-27 コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ エレクトロルミネセント・ディスプレイ装置、照明装置または表示装置、並びに、その製造プロセス
KR101580860B1 (ko) 2008-07-07 2015-12-29 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스 전자발광 디스플레이, 조명 또는 표시 장치 및 그 제조방법
WO2010010730A1 (ja) * 2008-07-24 2010-01-28 富士電機ホールディングス株式会社 色変換基板の製造方法
WO2010013641A1 (ja) * 2008-07-30 2010-02-04 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置
JP2010033931A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置
WO2012134002A1 (ko) * 2011-03-30 2012-10-04 주식회사 앤비젼 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
WO2012134001A1 (ko) * 2011-03-30 2012-10-04 주식회사 앤비젼 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
CN108630829A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置

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